電子技術(shù)與應(yīng)用項目化教程 課件 項目5 第3講 場效應(yīng)管參數(shù)

項目五——場效應(yīng)管參數(shù)及使用項目5

場效應(yīng)管參數(shù)及使用

內(nèi)容：場效應(yīng)管的主要參數(shù)和使用注意事項。學(xué)習(xí)要求：

目的：了解場效應(yīng)管的主要參數(shù)，理解其使用注意事項。重點：場效應(yīng)管主要參數(shù)。難點：場效應(yīng)管主要參數(shù)。場效應(yīng)管

1.場效應(yīng)管主要參數(shù)2.場效應(yīng)管與晶體管的比較3.場效應(yīng)管使用注意事項1.場效應(yīng)管的主要參數(shù)1）開啟電壓UGS(th)(增強型)

夾斷電壓

UGS(off)(耗盡型)指uDS=某值，使漏極電流iD為某一小電流時的uGS

值。UGS(th)UGS(off)2）

飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應(yīng)管，當(dāng)uGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。IDSSuGS/ViD/mAOUGS(th)UGS(off)3）

直流輸入電阻RGS指漏源間短路時，柵、源間加

反向電壓呈現(xiàn)的直流電阻。JFET：RGS>107

MOSFET：RGS=109

1015

IDSSuGS/ViD/mAO4）

低頻跨導(dǎo)gm

反映了uGS對iD的控制能力，單位S(西門子)。一般為幾毫西

(mS)uGS/ViD/mAQOPDM=uDSiD，受溫度限制。5）

漏源動態(tài)電阻rds6）最大漏極功耗

PDM2.場效應(yīng)管與晶體管的比較管子名稱晶體管場效應(yīng)管導(dǎo)電機(jī)理利用多子和少子導(dǎo)電利用多子導(dǎo)電控制方式電流控制電壓控制放大能力較低高直流輸入電阻小約幾kΩ大JFET可達(dá)107Ω以上,MOS可達(dá)1010Ω穩(wěn)定性受溫度和輻射的影響較大溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強噪聲中等很小結(jié)構(gòu)對稱性集電極和發(fā)射極不對稱，不能互換漏極和源極對稱，可互換使用適用范圍都可用于放大電路和開關(guān)電路等3.場效應(yīng)管使用注意事項

1）在使用場效應(yīng)管時，要注意漏源電壓UDS、漏源電流ID、柵源電壓UGS及耗散功率等值不能超過最大允許值。

2）場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上看，漏源兩極是對稱的，可以互相調(diào)用，但有些產(chǎn)品制作時已將襯底和源極在內(nèi)部連在一起，這時漏源兩極不能對換用。

3）注意各極電壓的極性不能接錯。特別強調(diào)：絕緣柵型場效應(yīng)管的柵源兩極絕不允許懸空，因為柵源兩極如果有感應(yīng)電荷，就很難泄放，電荷積累會使電壓升高，而使柵極絕緣層擊穿，造成場效應(yīng)管損壞。因此要在柵源間絕對保持直流通路，保存時務(wù)必用金屬導(dǎo)線將三個電極短接起來。在焊接時，烙鐵外殼必須接電源地端，并在烙鐵斷開電