2014年4月自考04730電子技術(shù)基礎(chǔ)三試題及答案含解析

電子技術(shù)基礎(chǔ)（三）年月真題

0473020144

1、【單選題】以下關(guān)于無源元件的描述中，錯誤的是

電阻是無源元件

電感是無源元件

A:

電容是無源元件

B:

集成運放是無源元件

C:

答D:案：D

解析：集成運放是有源器件

2、【單選題】以下關(guān)于電流源的描述中，錯誤的是

電流源兩端的電壓大小由負載決定

理想電流源的內(nèi)阻趨于無窮大

A:

兩個輸出電流值不同的直流電流源可以串聯(lián)在一起

B:

理想電流源作用為零時，可等效為開路狀態(tài)

C:

答D:案：C

解析：一根線力職能有依嗰電流流過，兩個輸出電流值不同的直流電流是不可以串聯(lián)在一

起，只可并聯(lián)使用。

3、【單選題】電路如題3圖所示，則可求得電路中的端電壓U的值是

0.25V

0.5V

A:

1V

B:

2V

C:

D:

答案：C

解析：將電路中的兩個4Ω和兩個2Ω看成兩個串聯(lián)在一起的電阻，那么電流是1A，兩個

電阻并聯(lián)，并相等，電流分流，即電壓U=0.5A*2Ω=1V

4、【單選題】若測得某晶體管放大電路中，晶體管的三個電極電位分別為8V、4V、3.4V，

則可判斷該晶體管屬于

npn硅管

npn鍺管

A:

pnp硅管

B:

pnp鍺管

C:

答D:案：A

解析：若測得某晶體管放大電路中，晶體管的三個電極電位分別為8V、4V、3.4V，則可判

斷該晶體管屬于npn硅管

5、【單選題】在多級放大電路中，以下關(guān)于輸入電阻和輸出電阻的描述中，正確的是

輸入電阻只取決于最后一級，輸出電阻只取決于第一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

輸入電阻只取決于第一級，輸出電阻只取決于最后一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

A:

輸入電阻和輸出電阻都只取決于第一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

B:

輸入電阻和輸出電阻都只取決于最后一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

C:

答D:案：B

解析：在多級放大電路中，輸入電阻只取決于第一級，輸出電阻只取決于最后一級放大電

路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

6、【單選題】理想運算放大器虛短與虛斷的具體含義是

虛短：iˇ-=iˇ+，虛斷：uˇ-=uˇ+

虛短：uˇ-=uˇ+=0，虛斷：iˇ-=iˇ+

A:

虛短：iˇ-=iˇ+，虛斷：uˇ-=uˇ+=0

B:

虛短：uˇ-=uˇ+，虛斷：iˇ-=iˇ+=0

C:

答D:案：D

解析：理想運算放大器虛短與虛斷的具體含義是虛短：uˇ-=uˇ+，虛斷：iˇ-=iˇ+=0

7、【單選題】反相比例運算電路的負反饋類型是

電壓串聯(lián)負反饋

A:

電壓并聯(lián)負反饋

電流串聯(lián)負反饋

B:

電流并聯(lián)負反饋

C:

答D:案：B

解析：反相比例運算電路的負反饋類型是電壓并聯(lián)負反饋

8、【單選題】三端集成穩(wěn)壓器CW78M12輸出的直流電流是

0.5A

1A

A:

1.5A

B:

2A

C:

答D:案：A

解析：三端集成穩(wěn)壓器CW78M12輸出的直流電流是0.5A

9、【單選題】穩(wěn)壓二極管正常工作時的狀態(tài)是

正向?qū)顟B(tài)

反向截止?fàn)顟B(tài)

A:

反向擊穿狀態(tài)

B:

正向擊穿狀態(tài)

C:

答D:案：C

解析：穩(wěn)壓二極管正常工作時的狀態(tài)是反向擊穿狀態(tài)

10、【單選題】題10圖所示邏輯符號表示的是

與門

與非門

A:

異或門

B:

或非門

C:

答D:案：D

解析：或非門是數(shù)字邏輯電路中的基本元件，實現(xiàn)邏輯或非功能。有多個輸入端，1個輸

出端，多輸入或非門可由2輸入或非門和反相器構(gòu)成。只有當(dāng)兩個輸入A和B為低電平

（邏輯0）時輸出為高電平（邏輯1）。也可以理解為任意輸入為高電平（邏輯1），輸出

為低電平（邏輯0）。

11、【單選題】以下關(guān)于CMOS系列集成門電路說法中，正確的是

主要由場效應(yīng)管構(gòu)成，它的特點是集成度低、功耗低、速度快

主要由場效應(yīng)管構(gòu)成，它的特點是集成度高、功耗低、速度慢

A:

主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成，它的特點是集成度低、功耗低、速度快

B:

主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成，它的特點是集成度高、功耗低、速度慢

C:

答D:案：B

解析：CMOS集成門電路由MOS場效應(yīng)管構(gòu)成，它的特點是集成度高、功耗低，但速度較

慢、抗靜電能力差。

12、【單選題】在決定一個事件的所有條件中，只要有一個或一個以上的條件具備時，這個

事件就發(fā)生，則該邏輯是

邏輯與

邏輯乘

A:

邏輯或

B:

邏輯非

C:

答D:案：C

解析：在決定一個事件的所有條件中，只要有一個或一個以上的條件具備時，這個事件就

發(fā)生，則該邏輯是邏輯或

13、【單選題】題13圖所示邏輯電路的邏輯表達式為

A:

B:

C:

答D:案：A

解析：

14、【單選題】題14圖所示的JK觸發(fā)器，當(dāng)J=1.K=0時，觸發(fā)器的狀態(tài)是

置0

置1

A:

保持原狀態(tài)

B:

狀態(tài)翻轉(zhuǎn)

C:

答D:案：B

解析：由圖得JK觸發(fā)器，當(dāng)J=1.K=0時，觸發(fā)器置1

15、【單選題】簡單可編程邏輯器件PROM的結(jié)構(gòu)特點是

與陣列和或陣列都固定

與陣列可編程，或陣列固定

A:

與陣列固定，或陣列可編程

B:

C:

與陣列和或陣列都可編程

答D:案：C

解析：可編程只讀存儲器prom是組合邏輯陣列,它包含一個固定的與陣列和一個可編輯的

或陣列

16、【問答題】

答案：

17、【問答題】題32圖所示電路中的運放為理想運放。

答案：

18、【問答題】

答案：

19、【問答題】設(shè)開關(guān)接通為1，斷開為0；燈亮為1，燈滅為0，請用真值表表示題34

圖所示電路A，B和F之間的邏輯關(guān)系，并寫出其表達式。

答案：

20、【問答題】利用公式法化簡下列表達式，寫出最簡與或式。

答案：

21、【問答題】分析題36圖所示的組合電路，完成下列真值表，寫出F的表達式，并說

明該組合電路的邏輯功能。

答案：

22、【問答題】已知某組合邏輯電路的輸入A，B，C和輸出波形F如題37圖所示，寫出

該組合邏輯電路邏輯表達式，并用與非門畫出其最簡電路。

答案：

23、【問答題】題38圖所示時序邏輯電路，寫出其驅(qū)動方程.狀態(tài)方程，并說明該電路可

作為哪一種觸發(fā)器使用。

答案：

24、【問答題】

答案：

25、【問答題】

答案：

26、【問答題】某電氣控制系統(tǒng)中有三臺電機，其中A為主電機，B與C為兩臺輔助控制電

機，在系統(tǒng)正常運行時，主電機必須啟動，且輔助控制電機中至少要有一臺啟動。試用門電

路設(shè)計此控制電路，用F表示運行結(jié)果。（設(shè)電機啟動為1，否則為0；系統(tǒng)能正常運行為

1，否則為0）要求：（1）列出真值表；（2）寫出邏輯表達式并化簡；（3）畫出邏

輯電路圖。

答案：

27、【問答題】

要求：（1）寫出反饋置數(shù)函數(shù)式；（2）完成題42圖所示邏輯電路圖的連接。

答案：

28、【填空題】加在電容兩端的電壓變化越快，流過電容的電流就越________。

答案：大

29、【填空題】電路如題17圖所示，若電壓Uˇba=10V，則1A電流源提供的功率為

________W。

答案：20

30、【填空題】并聯(lián)RLC電路諧振時，其輸入阻抗呈現(xiàn)________特性。

答案：純阻

31、【填空題】雙極型晶體管的基極電流可以控制晶體管的________電流。

答案：集電極

32、【填空題】放大器帶負載能力越強，表明該放大器的輸出電阻越________。

答案：小

33、【填空題】某場效應(yīng)晶體管組成的放大電路，測得其柵源電壓發(fā)生10mV變化時，漏極

電流改變了0.2mA，則跨導(dǎo)參數(shù)gˇm=________mS。

答案：20

34、【填空題】為了降低集成運算放大器的零點漂移，提高共模抑制比，其輸入級通常采用

________電路。

答案：差動放大

35、【填空題】若在單限電壓比較器電路中引入正反饋，則這時的電壓比較器稱為

________。

答案：遲滯電壓比較器

36、【填空題】由硅穩(wěn)壓二極管組成的穩(wěn)壓電路，正常工作時，在負載電流不變.輸入電壓

增大的情況下，流過硅穩(wěn)壓二極管的電流Iˇz將________。

答案：增大

37、【填空題】題25圖所示直流穩(wěn)壓電路的輸出電壓Uˇo1和Uˇo2分別是________。

答案：+15V