NAND Flash主控中BCH編譯碼器的研究和ASIC實(shí)現(xiàn)的開題報(bào)告

NANDFlash主控中BCH編譯碼器的研究和ASIC實(shí)現(xiàn)的開題報(bào)告一、選題背景和意義NANDFlash是一種主要應(yīng)用于存儲設(shè)備的存儲介質(zhì)，由于其存儲密度大、存儲容量高、讀取速度快等優(yōu)點(diǎn)，在智能手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、MP3等電子設(shè)備上得到了廣泛應(yīng)用。然而，由于NANDFlash持續(xù)寫入、擦除時(shí)容易發(fā)生錯(cuò)誤，故需要一種高效的糾錯(cuò)碼（ECC）對數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)。BCH編碼是糾錯(cuò)碼中一種比較常見的編碼技術(shù)，具有良好的糾錯(cuò)效果、較低的編碼誤差等特點(diǎn)。在NANDFlash控制器中，BCH編譯碼器作為ECC的關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)部分，其設(shè)計(jì)的好壞直接影響整個(gè)系統(tǒng)的可靠性和性能。因此，本文將從NANDFlash主控中BCH編譯碼器的研究和ASIC實(shí)現(xiàn)角度入手，探究其設(shè)計(jì)過程、優(yōu)化方案和實(shí)現(xiàn)效果，并對其在NANDFlash控制器中的應(yīng)用進(jìn)行分析，以期提高NANDFlash系統(tǒng)的可靠性和性能。二、研究內(nèi)容（一）研究BCH編碼原理及其在NANDFlash控制器中的應(yīng)用BCH編碼原理是本文研究的第一步，需要對其基本概念、編碼過程、糾錯(cuò)效果等進(jìn)行深入了解。同時(shí)，對BCH編碼在NANDFlash控制器中的應(yīng)用場景和優(yōu)化方案進(jìn)行研究，探究如何優(yōu)化BCH編譯碼器的性能和可靠性。（二）設(shè)計(jì)BCH編譯碼器的RTL代碼在熟悉BCH編碼原理和應(yīng)用后，需要進(jìn)一步設(shè)計(jì)BCH編譯碼器的RTL代碼，并對其進(jìn)行仿真、驗(yàn)證和優(yōu)化。需要考慮到編碼器的各項(xiàng)性能指標(biāo)，如語法復(fù)雜度、功耗、面積等。（三）CHIP實(shí)現(xiàn)與測試最后需要將BCH編譯碼器進(jìn)行ASIC芯片的實(shí)現(xiàn)，并對其進(jìn)行測試和調(diào)試。其中，需要考慮到ASIC設(shè)計(jì)的各個(gè)環(huán)節(jié)，如物理實(shí)現(xiàn)、布局布線、靜態(tài)時(shí)序分析等。三、研究方法本文采用文獻(xiàn)資料法、分析法、仿真法和實(shí)驗(yàn)法進(jìn)行研究。在分析相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，對BCH編碼器進(jìn)行詳細(xì)設(shè)計(jì)，并利用仿真平臺進(jìn)行仿真和驗(yàn)證。最后將其進(jìn)行CHIP實(shí)現(xiàn)，并進(jìn)行測試和調(diào)試。四、預(yù)期成果本文的預(yù)期成果包括：（一）深入探究BCH編碼的原理及其在NANDFlash控制器中的應(yīng)用，提出優(yōu)化方案，提高系統(tǒng)的可靠性和性能。（二）設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)BCH編碼器的RTL代碼，并進(jìn)行仿真和驗(yàn)證，得到符合要求的編碼器。（三）成功將BCH編碼器進(jìn)行ASIC芯片的實(shí)現(xiàn)，并進(jìn)行測試和調(diào)試，驗(yàn)證其可靠性和性能。五、預(yù)期時(shí)間安排本文的時(shí)間安排如下：第1-2周：閱讀相關(guān)文獻(xiàn)，預(yù)研BCH編碼原理和應(yīng)用。第3-4周：設(shè)計(jì)BCH編譯碼器的RTL代碼并進(jìn)行仿真。第5-6周：進(jìn)行優(yōu)化方案的研究和實(shí)驗(yàn)。第7-8周：進(jìn)行ASIC芯片的實(shí)現(xiàn)和測試。第9-10周：總結(jié)結(jié)果和撰寫論文。六、參考文獻(xiàn)[1]CaoY,ZhangY,ChenL,etal.A128/256-bitPolynomialBCHDecoderforNANDFlashMemory[J].IEEETransactionsonConsumerElectronics,2017,63(2):120-127.[2]LuoZ,YuB,JiangH,etal.AHigh-PerformanceReed-SolomonBCHEncoderforRS-NANDFlashMemory[J].IEEETransactionsonVeryLargeScaleIntegration(VLSI)Systems,2018,26(4):781-789.[3]ChenH,GaoX,JiangY,etal.AnEfficientBCHEncoderDesignforNANDFlash-BasedStorageSystems[J].IEEETransactionsonMagnetics,2018,54(3):1-7.[4]HanK,LiuB,LiuT,etal.High-SpeedBCHDecoderArchitectureforNANDFlashMemoryStorageSystem[J].IEEETransactionsonConsumerElectronics,2017,63(2):95-102.[5]KangJ,KimJ,ChangS.DesignofLowPowerBCHEncoderforNAN