數(shù)字電子技術(shù)(山東科技大學(xué))智慧樹知到期末考試答案2024年_第1頁
數(shù)字電子技術(shù)(山東科技大學(xué))智慧樹知到期末考試答案2024年_第2頁
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數(shù)字電子技術(shù)(山東科技大學(xué))智慧樹知到期末考試答案2024年數(shù)字電子技術(shù)(山東科技大學(xué))請(qǐng)標(biāo)記出正確項(xiàng)是(

)。

A:施密特觸發(fā)器的回差電壓越大,電路的抗干擾能力越弱B:施密特觸發(fā)器的回差電壓ΔU=UT+-UT-C:施密特觸發(fā)器的回差電壓越小,電路的抗干擾能力越強(qiáng)D:施密特觸發(fā)器只有一個(gè)閾值電壓答案:施密特觸發(fā)器的回差電壓ΔU=UT+-UT-n個(gè)觸發(fā)器能組成寄存(

)位二進(jìn)制數(shù)碼的寄存器。

A:2nB:nC:n+1D:n-1答案:n集電極開路(OC)門可用于(

)。

A:“線或”邏輯電路B:“線與”邏輯電路C:三態(tài)控制電路D:放大電路答案:“線與”邏輯電路四個(gè)輸端的與非門電路,當(dāng)輸入(

)時(shí)輸出低電平。

A:至少一個(gè)端為低電平B:全部為低電平C:至少一個(gè)端為高電平D:全部為高電平答案:全部為高電平R-S觸發(fā)器的基本性質(zhì)是(

)。

A:二個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)B:無穩(wěn)定狀態(tài)C:一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)D:能自動(dòng)翻轉(zhuǎn)答案:二個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)由“555”電路構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,其(

)。

A:脈沖寬度為1.1RC

B:脈沖寬度為1.4RC

C:脈沖寬度為0.8RC

D:脈沖寬度為0.7RC

答案:脈沖寬度為1.1RC對(duì)于負(fù)邏輯而言,其邏輯電路為與非門,則對(duì)于正邏輯而言,該電路為(

)。

A:或非門B:與非門C:與門D:或門答案:或非門對(duì)于D觸發(fā)器,欲使Qn+1=Qn,應(yīng)使輸入D=(

)。

A:Q'B:QC:0D:1答案:Q由晶體三極管構(gòu)成的開關(guān)電路中,三極管可靠截止的條件是(

)。

A:UBE≤0B:UBE=0.7VC:UBE>0D:UBE>UON答案:UBE≤0由四個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成十進(jìn)制計(jì)數(shù)器,其無效狀態(tài)有(

)。

A:七個(gè)B:五個(gè)C:四個(gè)D:六個(gè)答案:六個(gè)輸出端能連在一起“線與”的有(

)。

A:漏極開路門B:或門C:與門D:異或門答案:漏極開路門通常情況下,具有同樣功能的TTL電路比CMOS電路工作速度(

)。

A:低B:差不多C:高答案:高以下表示十進(jìn)制數(shù)的選項(xiàng)中為無權(quán)碼的為(

)。

A:

5421BCD碼B:

余3碼C:

8421BCD碼D:

2421BCD碼答案:余3碼邊沿式D觸發(fā)器是一種(

)穩(wěn)態(tài)電路。

A:無B:雙C:單D:多答案:雙以下電路中常用于總線應(yīng)用的有(

)。

A:漏極開路門B:CMOS與非門C:三態(tài)輸出門D:OC門答案:三態(tài)輸出門ADC的電化當(dāng)量為Δ,采用“四舍五入法”的最大量化誤差為(

)。

A:2Δ

B:0.5Δ

C:1.5Δ

D:1Δ

答案:0.5Δ十四進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器需要(

)個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。

A:8B:4C:16D:3答案:4一位8421BCD碼計(jì)數(shù)器至少需要(

)個(gè)觸發(fā)器。

A:5B:3C:4D:10答案:474LS138譯碼器有(

),74LS148編碼器有(

)。

A:八個(gè)輸入端,三個(gè)輸出端。B:八個(gè)輸入端,八個(gè)輸出端;C:三個(gè)輸入端,八個(gè)輸出端;D:三個(gè)輸入端,三個(gè)輸出端;答案:三個(gè)輸入端,三個(gè)輸出端。下列函數(shù)中等于A的是(

)。

A:A(A+B)B:A+1C:A+A'D:A+A'B答案:A+1卡諾圖化簡函數(shù)時(shí),16個(gè)最小項(xiàng)在邏輯上相鄰,可(

)。

A:消去1個(gè)變量B:消去4個(gè)變量C:消去2個(gè)變量D:消去3個(gè)變量答案:消去3個(gè)變量用觸發(fā)器組成十二進(jìn)制計(jì)數(shù)器,至少應(yīng)用觸發(fā)器的數(shù)目是(

)。

A:3個(gè)B:5個(gè)C:4個(gè)D:2個(gè)答案:4個(gè)能起到定時(shí)作用的觸發(fā)器是(

)。

A:單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器B:雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器C:施密特觸發(fā)器D:多諧振蕩器答案:單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器下列存儲(chǔ)器中,哪種或哪幾種存儲(chǔ)器在掉電后仍能保證所存的數(shù)據(jù)不丟失?

A:靜態(tài)RAMB:EEPROMC:EPROMD:動(dòng)態(tài)RAM答案:EPROM###EEPROM下列電路當(dāng)兩個(gè)輸入端均為1時(shí),輸出Q可能出現(xiàn)不定態(tài)的是(????)。

A:鐘控同步SR觸發(fā)器B:主從JK觸發(fā)器C:基本SR鎖存器D:D觸發(fā)器答案:鐘控同步SR觸發(fā)器###基本SR鎖存器編碼與譯碼是互逆的過程。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)由兩個(gè)或非門組成基本SR觸發(fā)器,當(dāng)R=S=1時(shí)電路狀態(tài)不定。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)十進(jìn)制數(shù)(9)10

比十六進(jìn)制數(shù)(9)16小。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)1個(gè)觸發(fā)器可以存放1位二進(jìn)制數(shù)。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)同步時(shí)序電路一般由組合電路和存儲(chǔ)器兩部分組成。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)主從RS觸發(fā)器在CLK=1期間,R、S之間不存在約束。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)一個(gè)存儲(chǔ)單元可存1位2進(jìn)制數(shù)。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確存儲(chǔ)器字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可以利用外加譯碼器控制數(shù)個(gè)芯片的片選輸入端來實(shí)現(xiàn)。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確計(jì)數(shù)器的模是指輸入的計(jì)數(shù)脈沖的個(gè)數(shù)。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤若兩個(gè)函數(shù)具有不同的真值表,二者必不相等。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)因?yàn)檫壿嫳磉_(dá)式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)設(shè)計(jì)一個(gè)模為五的同步計(jì)數(shù)器,需要3個(gè)觸發(fā)器。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)組合邏輯電路中產(chǎn)生競爭冒險(xiǎn)的主要原因是輸入信號(hào)受到尖峰干擾。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)TS門的輸出狀態(tài)分別為:高電平、低電平、不高不低的電壓。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)對(duì)MOS門電路多余端不可以懸空。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)CMOS門電路的輸入端懸空時(shí)相當(dāng)于接邏輯1。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)與非門的邏輯功能是:有0出1,全1出0。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確在二值邏輯中可以用“1”和“0”分別表示事物的兩種對(duì)立狀態(tài),也可以表示一位二進(jìn)制數(shù)的大小。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)格雷碼具有任何相鄰碼只有一位碼元不同的特性。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)在數(shù)據(jù)比較器中,A>B的表達(dá)式為(

)。

答案:AI參考:在數(shù)據(jù)比較器中,A>B的表達(dá)式為數(shù)據(jù)類型相同的A和B進(jìn)行比較的結(jié)果。如果A的值大于B的值,則表達(dá)式為真(或1),否則為假(或0)。因此,正確選項(xiàng)為A>B的表達(dá)式為真(或1)。'在下圖中,使F=1的ABCD取值組合是(

)。

A:0100B:1100C:0000D:1111答案:AI參考:正確選項(xiàng)是【B:1100】。\n\n根據(jù)題目描述,F(xiàn)=1,說明F的值只能為0或1,且在ABCD中至少有一個(gè)為1,所以只有B選項(xiàng)符合條件。另外需要注意到組合中的“0”數(shù)量不能超過兩個(gè),因?yàn)槌^兩個(gè)就會(huì)使得ABCD中的“1”的數(shù)量小于或等于2,不符合題目條件。因此B選項(xiàng)為正確答案。'在下圖幾個(gè)電路中能實(shí)現(xiàn)的電路是(

)。

A:(3)B:(1)C:(4)D:(2)答案:AI參考:正確選項(xiàng):D\n\n圖中能實(shí)現(xiàn)“10.0.png”的電路,也就是要求在圖中選擇一個(gè)能實(shí)現(xiàn)輸入為“10.0”輸出為“png”的電路。\n\n從選項(xiàng)中可以看出,只有選項(xiàng)D的電路圖中包含了輸入為“10.0”的輸入端和輸出為“png”的輸出端,因此選項(xiàng)D是正確的。\n\n其他選項(xiàng)中,選項(xiàng)A、B、C都沒有包含輸入為“10.0”的輸入端,因此不正確。'十進(jìn)制數(shù)對(duì)應(yīng)的十六進(jìn)制數(shù)為(

)。

A:A2B:2AC:42D:24答案:AI參考:正確選項(xiàng)是B:2A。\n\n因?yàn)槭M(jìn)制數(shù)13轉(zhuǎn)換為十六進(jìn)制會(huì)得到0x2A。其中,0x表示十六進(jìn)制數(shù),2表示從十進(jìn)制數(shù)中提取的十位數(shù)字的十六進(jìn)制表示,A表示個(gè)位數(shù)字的十六進(jìn)制表示。因此,答案為B選項(xiàng)。'(

)。

A:BB:0C:1D:C答案:AI參考:正確選項(xiàng)是C:1。\n\n題目中給出了一個(gè)圖片鏈接,但沒有給出其他信息,因此無法選擇其他選項(xiàng)。根據(jù)常識(shí)和題目要求,應(yīng)該選擇一個(gè)數(shù)字作為答案,因此選項(xiàng)C:1是唯一正確的答案。'同步計(jì)數(shù)器和異步計(jì)數(shù)器比較,同步計(jì)數(shù)器的顯著優(yōu)點(diǎn)是(

)。

A:電路簡單B:工作速度高C:不受時(shí)鐘CLK控制D:觸發(fā)器利用率高答案:AI參考:同步計(jì)數(shù)器的顯著優(yōu)點(diǎn)是工作速度高。\n\n同步計(jì)數(shù)器是使用觸發(fā)器在時(shí)鐘信號(hào)的上升和下降時(shí)進(jìn)行計(jì)數(shù)的,這種計(jì)數(shù)方式使得它可以充分利用觸發(fā)器的翻轉(zhuǎn)時(shí)間,從而提高了計(jì)數(shù)速度。而異步計(jì)數(shù)器則需要等待輸入信號(hào)的變化,因此在速度上可能不如同步計(jì)數(shù)器。其他選項(xiàng)如電路簡單、不受時(shí)鐘CLK控制、觸發(fā)器利用率高,雖然也是同步計(jì)數(shù)器的優(yōu)點(diǎn),但不是本題所問的顯著優(yōu)點(diǎn)。'一片RAM有n根地址輸入,m根位線輸出,則ROM的容量為(

)。

A:B:C:D:答案:AI參考:正確答案是【B】。\n\n題目中已經(jīng)說明一片RAM有n根地址輸入,m根位線輸出,那么ROM的容量就是n位地址線可以尋址的存儲(chǔ)空間大小,即2^n個(gè)存儲(chǔ)單元,所以ROM的容量為B選項(xiàng)。'函數(shù)

F=AB+AC+BC

的最小項(xiàng)表示式為(

)。

A:B:C:D:答案:AI參考:正確選項(xiàng)為C:F=ABC。\n\n題目中給出的函數(shù)表達(dá)式F=AB+AC+BC,是一個(gè)最小項(xiàng)表示式。最小項(xiàng)表示法是一種將邏輯函數(shù)表示為最小項(xiàng)的集合的方法。在這個(gè)表達(dá)式中,每個(gè)變量都出現(xiàn)了至少一次,并且每個(gè)最小項(xiàng)都包含了至少一個(gè)變量。因此,選項(xiàng)C中的ABC恰好包含了題目中所有的變量,并且只出現(xiàn)了一次,符合最小項(xiàng)的定義。而選項(xiàng)A、B、D中都存在不符合最小項(xiàng)定義的元素重復(fù)出現(xiàn)的情況。'在附圖中,設(shè)觸發(fā)器初始狀態(tài)為0,能實(shí)行的電路是(

)。

A:B:C:D:答案:AI參考:正確選項(xiàng)是【C】。\n\n在給定的電路圖中,觸發(fā)器初始狀態(tài)為0,這意味著觸發(fā)器處于初始的“清零”狀態(tài)。而當(dāng)電路中引入一個(gè)觸發(fā)信號(hào)時(shí),觸發(fā)器將會(huì)被觸發(fā)并產(chǎn)生相應(yīng)的輸出信號(hào)。根據(jù)題目描述,電路中引入了一個(gè),這通常表示

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