微電子工藝學A智慧樹知到期末考試答案2024年

微電子工藝學A智慧樹知到期末考試答案2024年微電子工藝學A美國聯(lián)邦標準209E規(guī)定中，空氣級別數(shù)是指在一立方英尺中所含直徑為（）微米或更大的顆?？倲?shù)。

A:0.6微米B:0.5微米C:0.3微米D:0.4微米答案:0.3微米拋光墊的分類中不包括的是哪個？（）

A:金屬B:帶絨毛的無紡布C:無紡布D:聚氨酯答案:金屬硅的解理面為（）

A:（102）B:（101）C:（110）D:（111）答案:（111）下面硅中的雜質(zhì)沒有益處的是（）。

A:金屬B:氫C:氧D:氮答案:金屬低K介質(zhì)材料的介電常數(shù)一般小于（）

A:3.5B:2.5C:4.5D:1.5答案:3.5下面哪個工藝適合微米級器件的摻雜？（）

A:離子注入B:中子嬗變C:擴散D:鍵合答案:擴散用于刻蝕的離子束能量范圍是（）。

A:E＞20KeVB:E＜10KeVC:E＜20KeVD:10KeV＜E＜20KeV答案:E＜10KeV下面哪個選項不是擴散的工藝參數(shù)？（）

A:結(jié)深B:表面濃度C:雜質(zhì)的分布D:橫向分布濃度答案:橫向分布濃度以下哪個公司是高端光刻機的主要供應商？（）

A:CanonB:NikonC:IntelD:ASML答案:ASML離子注入工藝所用的液態(tài)離子金屬源是（）

A:LiB:CuC:GaD:Al答案:Ga化學氣相沉積方法有（）

A:低壓化學氣相沉積B:等離子增強化學氣相沉積C:常壓化學氣相沉積D:磁控濺射答案:常壓化學氣相沉積;低壓化學氣相沉積;等離子增強化學氣相沉積影響封裝的芯片特性的有（）。

A:集成度B:晶片厚度C:尺寸D:物理的脆弱度答案:集成度;晶片厚度;尺寸;物理的脆弱度光刻機的重要評價指標是（）

A:套刻精度B:生產(chǎn)效率C:線寬D:場尺寸答案:線寬;套刻精度;場尺寸;生產(chǎn)效率離子注入改變材料的（）

A:化學性質(zhì)B:物理性質(zhì)C:光學性質(zhì)D:磁學性質(zhì)答案:物理性質(zhì);光學性質(zhì);化學性質(zhì)IC互連金屬化引入銅的優(yōu)點有（）

A:功耗的減少B:更少的工藝步驟C:更高的集成密度D:電阻率的減小答案:電阻率的減小;功耗的減少;更高的集成密度;更少的工藝步驟二次離子質(zhì)譜儀測量樣品組分的時候?qū)悠窌a(chǎn)生損傷。()

A:錯B:對答案:對集成電路制造工藝過程中，Cu的制備是采用濺射法。（）

A:錯B:對答案:對離子注入提供了一種向硅中摻入具有精確劑量或能量的特定雜質(zhì)原子的方法。()

A:錯誤B:正確答案:正確芯片越厚，封裝后越不容易碎裂。（）

A:錯誤B:正確答案:錯誤人是半導體制造工藝中最大的污染源。()

A:錯誤B:正確答案:正確優(yōu)質(zhì)單晶材料的制備是第一個晶體管發(fā)明的基礎。（）

A:正確B:錯誤答案:正確離子注入是一個物理過程，不發(fā)生化學反應。（）

A:錯誤B:正確答案:正確集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18個月就翻一翻。（）

A:對B:錯答案:對分子束外延是一種化學沉積過程。()

A:正確B:錯誤答案:正確主流工藝平臺化工藝是化學機械拋光。()

A:對B:錯答案:對沒有化學機械拋光就沒有現(xiàn)代集成電路的發(fā)展。（）

A:正確B:錯誤答案:正確封裝工藝不需要很高的潔凈度。（）

A:錯誤B:正確答案:正確擴散工藝會對器件產(chǎn)生嚴重損傷。（）

A:正確B:錯誤答案:錯誤直拉單晶法制備單晶硅過程中不需要籽晶。()

A:錯誤B:正確答案:錯誤替位式擴散的速度比間隙式擴散的速度快得多。()

A:對B:錯答案:錯分子束外延是一種物理沉積過程。()

A:正確B:錯誤答案:正確氧化誘生層錯常存在于：（）

A:Si/界面附近一側(cè)B:Si/界面附近硅襯底一側(cè)C:Si層內(nèi)部D:層內(nèi)部答案:AI參考:正確選項是【B:Si/界面附近硅襯底一側(cè)】。\n\n氧化誘生層錯是指硅表面經(jīng)過氧化處理后，由于界面處的化學環(huán)境改變而引起的結(jié)構層錯密度增加的現(xiàn)象。氧化誘生層錯主要出現(xiàn)在Si/界面附近硅襯底一側(cè)，而非Si層內(nèi)部或界面附近一側(cè)。因此，B選項是正確答案。'離子注入退火的兩個目的：____、____。退火的方法有兩種：____、____。

答案:"AI參考:離子注入退火的兩個目的：減小應力，提高結(jié)合力和耐蝕性；通過熱處理方式改變離子注入層的顯微組織，以改善性能。退火的方法有兩種：自然冷卻退火和強制冷卻退火。"分子束外延法由____實驗室的和在____年發(fā)明。

答案:"AI參考:正確答案是：蘇聯(lián)，1960。分子束外延法由蘇聯(lián)的化學家巴索夫在1960年發(fā)明。因此，答案是蘇聯(lián)和1960。"凈化間的5類污染有：有機物污染，自然氧化層，靜電釋放，____和____。

答案:"AI參考:凈化間的5類污染有：有機物污染，自然氧化層，靜電釋放，化學污染和細菌污染。"KrF準分子激光波長在____。

答案:"AI參考:正確答案是：457.997nm。KrF準分子激光波長在457.997nm。"紫外光譜波長在____到____之間。

答案:"AI參考:正確答案為**200-400**納米之間。紫外光譜是分子吸收光譜，具有靈敏度高、選擇性強、測定快速等優(yōu)點，通常用于結(jié)構解析。紫外光譜主要有三種類型：遠紫外區(qū)（200～300nm）、近紫外區(qū)（250～400nm）和真空紫外區(qū)（180～250nm）。因此，紫外光譜波長在200-400nm之間。"按薄膜晶態(tài)分薄膜可以分為單晶膜，多晶膜和____。

答案:"AI參考:正確選項是：非晶膜。薄膜按其晶體結(jié)構可以分為單晶膜、多晶膜和（非晶）膜。其中，單晶膜具有很高的導電性和化學穩(wěn)定性，多晶膜則具有較高的電導率，而（非晶）膜則沒有固定的晶態(tài)結(jié)構，是一種軟磁材料。因此，空格中應該填寫“非晶膜”。"局部氧化會形成所謂的“____”。

答案:"AI參考:正確答案是：焊點根據(jù)問題可知，局部氧化會導致形成所謂的“焊點”。因此，選項中的“焊點”是正確答案。"二種解釋化學機械拋光的機理：____、____。

答案:"AI參考:正確答案是：“化學機械拋光機理是化學作用與機械研磨作用共同作用的結(jié)果”和“化學機械拋光是利用材料表面微小凸起部分對磨粒的反作用力而實現(xiàn)的”。這兩種解釋都是關于化學機械拋光機理的常見說法。其中第一種解釋強調(diào)了化學作用和機械研磨作用的共同作用，而第二種解釋則側(cè)重于描述利用材料表面微小凸起部分對磨粒的反作用力來實現(xiàn)拋光。這兩種解釋都能較好地描述化學機械拋光的機理。"雜質(zhì)的擴散方式機制包括____擴散和____擴散。

答案:"AI參考:正確選項是：分子擴散和質(zhì)點擴散。擴散是指物質(zhì)分子從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域轉(zhuǎn)移，直到均勻分布的現(xiàn)象。擴散的主要機制包括分子擴散和質(zhì)點擴散。分子擴散是通過分子的隨機運動來傳遞物質(zhì)，而質(zhì)點擴散則是通過物質(zhì)的質(zhì)點（如氣體中的分子