CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)復(fù)習(xí)題一市公開課一等獎(jiǎng)省賽課微課金獎(jiǎng)?wù)n件_第1頁
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文檔簡介

CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)復(fù)習(xí)題一1/151.以N型MOSFET為例，畫出對應(yīng)I-V特征曲線，即IDS與VDS,VGS關(guān)系，并標(biāo)出MOSFET線性區(qū)和飽和區(qū)范圍，給出各區(qū)域成立條件2/152.畫出一個(gè)經(jīng)典P阱CMOS工藝反向器垂直剖面示意圖，要求器件各個(gè)端口正確連接輸入、輸出、電源電位和地電位3/153.什么是MOSFET小信號跨導(dǎo)，給出飽和區(qū)MOSFET小信號跨導(dǎo)三種表示形式4/154.什么是MOSFET亞閾區(qū)，指出亞閾區(qū)電流與柵源電壓關(guān)系5/151.解釋什么是體效應(yīng)？在初步分析MOSFET時(shí)候我們假設(shè)襯底和源級是接到地。而實(shí)際上當(dāng)VB<VS時(shí)，器件仍能正常工作，不過伴隨VSB增加，閾值電壓VTH會(huì)隨之增加，這種體電位（相對于源）改變影響閾值電壓效應(yīng)稱為體效應(yīng)，也稱為“背柵效應(yīng)”2.解釋什么是溝道長度調(diào)制效應(yīng)？當(dāng)溝道發(fā)生夾斷后，假如VDS繼續(xù)增大，有效溝道長度L'會(huì)隨之減小，造成漏源電流Id大小略有上升。這一效應(yīng)成為“溝道……”6/154.圖(a)是什么結(jié)構(gòu)？圖(b)忽略了溝道調(diào)制效應(yīng)和體效應(yīng)。假如體效應(yīng)不能忽略，請畫出Vin和Vout關(guān)系曲線，并作出解釋。7/158/155.圖中MOS管作用是什么？應(yīng)該工作在什么工作區(qū)？9/15即NMOS開關(guān)不能傳遞最高電位，僅對低電位是比較理想開關(guān)相正確，PMOS開關(guān)不能傳遞最低電位，僅對高電位是比較理想開關(guān)10/1511/156.計(jì)算電路小信號增益12/157.畫出下列圖小信號等效

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