芯片封裝工（中級）理論考試題庫（濃縮400題）

PAGEPAGE1芯片封裝工（中級）理論考試題庫（濃縮400題）一、單選題1.HIC電路老煉是指（）。A、按HIC產(chǎn)品技術(shù)要求在額定溫度和時間內(nèi)對電路通電工作的方式B、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下放置數(shù)小時C、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下加電測試D、將HIC產(chǎn)品在高溫下工作數(shù)小時后，再放在低溫下工作數(shù)小時答案：A2.厚膜元件燒結(jié)時，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。A、降低B、升高C、保持不變答案：A3.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員除依法享有工傷社會保險外，（）。A、有權(quán)向本單位提出賠償要求；B、可以解除勞動合同；C、提出對責(zé)任人的處理要求。答案：A4.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定生產(chǎn)經(jīng)營單位的從業(yè)人員應(yīng)當嚴格遵守本單位的（）。A、安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程B、勞動紀律C、技術(shù)標準答案：A5.SMT印刷完錫膏的產(chǎn)品必須在幾小時內(nèi)完成貼裝及焊接()。A、30minB、2hC、1hD、1.5h答案：B6.有效復(fù)合中心的能級必靠近（）。A、禁帶中部B、導(dǎo)帶C、價帶D、費米能級答案：A7.氣密密封方法常用（）和玻璃熔封工藝方法。非氣密密封方法通常用膠粘法和塑封法。A、釬焊、熔焊、平行縫焊B、釬焊、激光焊、超聲焊C、平行縫焊、點焊、激光焊D、平行縫焊、點焊、超聲焊答案：A8.從業(yè)人員在作業(yè)過程中不應(yīng)當（）。A、遵守安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程；B、服從管理；C、不怕困難，勇于犧牲；D、正確佩戴和使用勞動防護用品。答案：C9.柯伐合金用于各類管殼材料，合金由下列組成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-W-CuD、Fe-W-Sn答案：B10.國內(nèi)外常用的焊球材料主要分為()和()兩類。A、有鉛和無鉛B、有鉛和有錫C、有鉛和無錫D、無鉛和有錫答案：A11.從金屬利用的歷史來看，先是青銅器時代，而后是鐵器時代，鋁的利用是近百年的事。這個先后順序跟下列有關(guān)的是（）。

①地殼中的金屬元素的含量；②金屬活動性；③金屬的導(dǎo)電性；④金屬冶煉的難易程度；⑤金屬的延展性；A、①③B、②⑤C、③⑤D、②④答案：D12.一般可以認為，在溫度不很高時，能量大于費米能級的量子態(tài)基本上（），而能量小于費米能級的量子態(tài)基本上為（），而電子占據(jù)費米能級的概率在各種溫度下總是（），所以費米能級的位置比較直觀地標志了電子占據(jù)量子態(tài)的情況，通常就說費米能級標志了電子填充能級的水平。A、沒有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/2B、電子所占據(jù)，沒有被電子占據(jù)，1/2C、沒有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/3D、電子所占據(jù)，沒有被電子占據(jù)，1/3答案：A13.釬焊密封工藝溫度控制包括（）。A、釬焊溫度、保溫時間和升降溫速度B、升溫速度、保溫時間和降溫速度C、釬焊溫度、升溫速度和降溫速度D、預(yù)熱溫度、升溫速度和降溫速度答案：A14.實驗室用氧化鈉配制50g質(zhì)量分數(shù)為6％的氯化鈉溶液。下列說法中不正確的是（）。A、所需氯化鈉的質(zhì)量為3gB、氯化鈉放在托盤天平的左盤稱量C、俯視量筒讀數(shù)會使所配溶液偏稀D、所需玻璃儀器有燒杯、玻璃棒、量筒等答案：C15.塑封內(nèi)部互連用金絲是因為()。A、金延展性好B、金耐腐蝕C、金絲的耐磨性好D、水汽首先腐蝕芯片表面的鋁層答案：D16.柯伐合金用于各類管殼材料，合金由下列組成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Co-CuD、Fe-PB-Sn答案：B17.鋁具有較強的抗腐蝕性能，主要是因為（）。A、與氧氣在常溫下不反應(yīng)B、鋁性質(zhì)不活潑C、鋁表面能形成了一層致密的氧化膜D、鋁耐酸耐堿答案：C18.芯片共晶焊接工藝中所用的金-鍺合金熔點為()。A、320℃B、356℃C、380℃D、280℃答案：B19.金錫共晶焊料的熔點為（）。A、150℃B、280℃C、350℃D、400℃答案：B20.下面情況下的材料中，室溫時功函數(shù)最大的是（）。A、含硼1×1015cm-3的硅B、含磷1×1016cm-3的硅C、含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅D、純凈的硅答案：A21.半導(dǎo)體溫差致冷器的作用是（）。A、整流B、致冷C、抽真空D、分壓答案：B22.（）封裝不需由外殼廠進行配套,因而工作量大為降低。A、熔封B、平行封焊C、焊料焊D、塑料答案：D23.球柵陣列封裝英文簡稱是()。A、QFPB、OIPC、DIPD、BGA答案：D24.目前航天用陶瓷封裝工藝線的凈化等級為()級。A、千級B、萬級C、十萬D、百萬答案：B25.焊料焊的()性能比熔焊差。A、機械沖擊B、耐腐蝕性C、耐鹽霧D、耐老化答案：A26.低熔玻璃屬于()。A、冷焊B、有機樹脂封裝C、熔焊D、焊料焊答案：D27.引出端識別標志很少采用()。A、凹口B、凸點C、缺角D、文字答案：D28.CCGA主要焊柱80Pb20Sn材質(zhì)主要特點是()。A、較硬B、較軟C、較長D、較短答案：A29.改進環(huán)焊電極度平行可以防止()。A、熔化金屬飛濺B、電極觸頭沾熔C、產(chǎn)生焊料縫空隙D、提升打火答案：C30.基片應(yīng)具有良好的絕緣性能，即要有高的（）。A、強度B、導(dǎo)電性C、密度D、絕緣電阻率答案：A31.平行縫焊的焊輪椎頂角可影響（）的大小。A、焊接壓力和焊點B、焊接速度C、焊接電流D、焊接溫度答案：A32.化學(xué)反應(yīng)速率等于逆反應(yīng)速率，意味著（）。A、化學(xué)反應(yīng)達到平衡B、反應(yīng)進行完全C、正、逆反應(yīng)的焓變相等D、反應(yīng)物濃度等于生成物濃度答案：A33.我司的產(chǎn)品主要由()組成。A、控制板和外殼B、主板和顯示板C、變壓器和繼電器D、主板和變壓器答案：B34.軍用電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須()。A、填寫流程卡，工序原始記錄B、填寫工作日記C、記重要事件D、所做工作全部記錄答案：A35.焊料焊時施加的壓力應(yīng)根鋸()而定。A、焊接面積B、焊料熔化溫度C、金屬厚度D、管殼種類答案：A36.錫膏的保質(zhì)期為6個月，必須存儲存溫度()無霜的情況下。A、0-5℃B、≤5℃C、≤10℃D、0-10℃答案：D37.貯能焊封裝底座為銅材料，殼帽為4J29不能直接封焊，應(yīng)采取的措施是（C）。A、銅鍍鎳B、銅底座加4J29封裝環(huán)C、先鍍鎳而后鍍金D、帽鍍鎳層加厚答案：C38.芯片共晶焊接工藝所用的金-錫合金熔點為()。A、280℃B、220℃C、320℃D、350℃答案：A39.生產(chǎn)、經(jīng)營、儲存、運輸、使用危險化學(xué)品和處置廢棄危險化學(xué)品單位的（）對本單位危險化學(xué)品的安全負責(zé)。A、保衛(wèi)部門負責(zé)人B、安全部門負責(zé)人C、主要負責(zé)人D、生產(chǎn)部門負責(zé)人答案：C40.由于平行縫焊的焊縫在外殼邊緣，被熔焊的區(qū)域很小，屬局部加熱，因此對芯片的（）小。A、熱沖擊B、機械沖擊C、影響答案：A41.經(jīng)過室溫靜置的濕膜，即可進行干燥。干燥的目的是（）。A、使?jié){料中易揮發(fā)的有機溶劑蒸發(fā)掉B、使印刷好的漿料膜硬化C、使圖形固定D、便于移動答案：A42.如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。A、施主B、復(fù)合中心C、陷阱D、兩性雜質(zhì)答案：D43.使用顯微鏡時，（）。A、應(yīng)用小倍數(shù)鏡頭開始調(diào)整，然后換成大倍數(shù)鏡頭B、直接用大倍數(shù)鏡頭觀察C、應(yīng)用大倍數(shù)鏡頭開始調(diào)整，然后換成小倍數(shù)鏡頭D、無所謂大小倍數(shù)鏡頭的調(diào)整答案：A44.某電路的內(nèi)腔高度0.91mm，按照GJB548B2020.1條件APIND條件是（）。A、加速度20g，頻率130HZB、加速度10g，頻率130HZC、加速度20g，頻率120HZD、加速度10g，頻率120HZ答案：A45.在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）。A、焊接電流、焊接電壓和電極壓力B、焊接電流、焊接時間和電極壓力C、焊接電流、焊接電壓和焊接時間D、焊接電流、焊接溫度和焊接時間答案：B46.任何單位或個人對事故隱患或者安全生產(chǎn)違法行為，()。A、均有權(quán)向負有安全生產(chǎn)監(jiān)督管理職責(zé)的部門報告或舉報；B、只能向其所在單位的安全管理部門報告；C、不能匿名舉報。答案：A47.一個阻值為25Ω的電阻，允許加的最高電壓為5V，則其額定功率為（B）。A、10WB、2.0WC、1.0WD、0.5W答案：B48.陶瓷封裝一般采用（）工藝制造，用90%~95%氧化鋁陶瓷做絕緣，有黑色和白色陶瓷之分。A、共燒多層陶瓷B、陶瓷C、金屬化答案：A49.《中華人民共和國安全生產(chǎn)法》自（）起施行。A、2002年9月1日B、2002年10月1日C、2002年11月1日D、2002年12月1日答案：C50.封裝管殼的任意兩引線間的絕緣電阻應(yīng)（）。A、大于1×109ΩB、小于1×109ΩC、大于1×1010ΩD、小于1×1010Ω答案：C51.防靜電手鐲和地線之間應(yīng)該()。A、導(dǎo)通B、有一個10Ω左右的電阻C、有一個1MΩ電阻D、有一個10MΩ左右的電阻答案：C52.集成電路的絲網(wǎng)印刷中圖像是微型的，要求印刷精度高，所以印刷機、印版、承印物（基板）、漿料等都需要高精度的，印刷場所也一定要保持恒溫，并清除（）。A、閑雜人員B、塵埃C、不用的設(shè)備答案：B53.細檢漏使用（）氣體施加壓力。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮氣答案：B54.重空穴是指（）。A、質(zhì)量較大的原子組成的半導(dǎo)體中的空穴B、價帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C、價帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴D、自旋－軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴答案：C55.粗檢漏使用（）氣體施加壓力。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮氣答案：D56.表面粗糙度中，Ra的單位為（）A、米B、毫米C、微米D、厘米答案：C57.下列關(guān)于Na和Na+的敘述中,錯誤的是（）。A、具有相同的質(zhì)子數(shù)B、它們的化學(xué)性質(zhì)相似C、鈉離子是鈉原子的氧化產(chǎn)物D、灼燒時火焰都呈黃色答案：B58.全密封金屬外殼封裝時，()封裝形式對外殼的表面條件要求最高。A、激光焊B、釬焊C、玻璃熔封D、貯能焊答案：A59.X射線照相時，應(yīng)采用（）放大倍數(shù)觀察X射線照片。A、2-8倍B、4-20倍C、6-25倍D、8-30倍答案：C60.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的（）。A、一個原因B、主要原因C、次要原因D、必然原因答案：B61.共晶粘片時，焊料尺寸應(yīng)該是芯片尺寸的()左右。A、100%B、80%C、60%D、50%答案：B62.滴定管正確的讀數(shù)方法是從水平方向讀取彎月面的（）數(shù)值。A、最高點B、最低點C、平均D、加權(quán)答案：B63.我司SMT工序的的溫濕度要求分別是()。A、22±3℃.30-65%B、25±3℃.45-65%C、25±3℃.40-60%D、26±3℃.40-70%答案：C64.模塑料預(yù)熱，一般采用高頻加熱方式，預(yù)熱溫度為（），預(yù)熱后的模塑料應(yīng)迅速放入模具中。A、60~65℃B、70~75℃C、90~105℃答案：B65.()是會破壞部分或全部封裝的密封微電子封裝的缺陷和失效分析方法。A、破壞性評價B、兩者均可C、非破壞性評價D、兩者都不是答案：C66.超聲鍵合對鍵合表面清潔度要求()。A、較高B、較低C、不要求D、目檢合格答案：A67.功率電路散熱底座上的螺孔是為了()。A、以便外接散熱器B、節(jié)省材料C、美觀D、加強機械強度答案：A68.軍用混合微電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須()。A、填寫流程卡B、填寫工序原始記錄表C、填寫工作日記D、A和B答案：D69.集成電路組裝工序大體是()。A、中測—劃片—鍵合—封裝—成品測試B、劃片—中測—鍵合—封裝—成品測試C、劃片—鍵合—封裝—中測—成品測試D、中測—劃片—粘片—鍵合—封裝—成品測試答案：D70.決定原子軌道的形狀，并在多電子原子中與主量子數(shù)n共同決定軌道能級的量子數(shù)為：（）。A、lB、mC、sD、l和m答案：A71.平行縫焊蓋板的基材通常是（）。A、銅合金B(yǎng)、鋁合金C、金D、可伐合金答案：D72.用滴管把液體樹脂滴涂到鍵合后的芯片上，經(jīng)加熱固化成型，此方法稱()。A、澆鑄法B、遞模成型法C、填充法D、滴涂法答案：D73.半導(dǎo)體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是良好的電性能，外殼應(yīng)有小的（A），使器件的電特性得到有效發(fā)揮。A、寄生參數(shù)B、電參數(shù)C、結(jié)構(gòu)參數(shù)答案：A74.芯片共晶焊接工藝中所用的金-硅合金的熔點是()。A、183℃B、221℃C、370℃D、397℃答案：C75.超聲鍵合的尾絲不能超過鋁絲直徑的()。A、一倍B、兩倍C、三倍D、三倍半答案：B76.錫膏攪拌的目的是()。A、使金屬顆粒與助焊劑充分混合B、使氣泡揮發(fā)C、提高黏稠性D、將金屬顆粒磨細答案：A77.電對人體的傷害種類是（）。A、電擊B、電弧灼傷C、電傷D、A＋C答案：D78.粗檢漏壓完后將電路放進（）中進行檢漏。A、丙酮B、氟油C、酒精D、去離子水答案：B79.對于一定的n型半導(dǎo)體材料，溫度一定時，減少摻雜濃度，將導(dǎo)致（）靠近Ei。A、ECB、EvC、EgD、EF答案：D80.以下哪種不是芯片鍵合技術(shù)？()A、WBB、TABC、ILBD、FCB答案：C81.平行縫焊的焊接速度與焊點直徑成正比，而焊點直徑又與焊接電流大小有關(guān)，因此焊接速度可隨（）的不同加以選擇。A、蓋板材料B、蓋板尺寸C、焊接電流D、蓋板硬度答案：C82.共晶粘片時，通常采用的保護氣體是()。A、N2B、氬氣C、H2D、96%N2+4%H2答案：A83.與平行封焊的焊接速度無關(guān)的是()。A、電極直徑B、電流大小C、脈沖寬度D、脈沖頻率答案：A84.封電路蓋板焊料環(huán)使用材料通常是（）。A、錫鉍合金B(yǎng)、錫銀銅合金C、金錫合金D、鐵鎳合金答案：C85.鏈式熔封爐通常是在氣氛下進行封帽（）。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮氣答案：D86.三氧化二鉻是一種()。A、脫模劑B、著色劑C、固化劑D、填充劑答案：B87.用紙盒包裝電路必須使用（）紙。A、酸性B、中性C、堿性D、非中性答案：B88.目前使用的錫膏每瓶重量()。A、500gB、250gC、800gD、1000g答案：A89.氦氣是一種（）氣體。A、還原性B、氧化性C、惰性D、可燃答案：C90.塑封料中包含離子污染物，包括來自用于樹脂環(huán)氧化過程中的環(huán)氧氯丙烷中的().作為阻燃劑添加入樹脂的()。A、氯離子，溴離子B、碘離子，氯離子C、溴離子，氯離子D、鐵離子，碘離子答案：A91.要改變可逆反應(yīng)A+B=C+D的標準平衡常數(shù)，可以采取的措施是（）。A、改變系統(tǒng)的總壓力B、加入催化劑C、改變A/B/C/D的濃度D、升高或降低溫度答案：D92.在突緣電阻焊中，模具結(jié)構(gòu)設(shè)計應(yīng)遵循原則之一是保證外殼管帽與底座（）。A、連接B、緊密接觸C、同心答案：C93.產(chǎn)品質(zhì)量是()。A、是設(shè)計出來的B、是制造出來的C、是檢驗出來的D、是多種因素的綜合反應(yīng)答案：D94.及時將芯片工作所產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，可以保證電路的性能和()。A、可靠性B、作用C、安全性D、連通答案：A95.在二極管特性的正向?qū)▍^(qū)，二極管相當于（）。A、大電阻B、接通的開關(guān)C、斷開的開關(guān)答案：B96.圓片減薄是對圓片進行()減薄。A、正面B、背面C、側(cè)面D、邊緣答案：B97.在晶體硅中摻入元素（）雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。A、鍺B、磷C、硼D、錫答案：B98.()是一種性能優(yōu)良的熱沉材料。A、陶瓷B、晶體硅C、碳化硅鋁D、水銀答案：C99.倒裝焊產(chǎn)品還具有優(yōu)越的電學(xué)和()性能。A、熱學(xué)B、能量學(xué)C、光學(xué)D、鑲嵌學(xué)答案：A100.氮氣是一種（）氣體。A、還原性B、氧化性C、惰性D、可燃答案：C101.三極管的ICEO大，說明其（）。A、工作電流大B、擊穿電壓高C、壽命長D、熱穩(wěn)定性差答案：D102.半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)目相等，這樣的半導(dǎo)體稱為（）。A、P型半導(dǎo)體B、N型半導(dǎo)體C、本征半導(dǎo)體D、P型和N型摻雜濃度相等的半導(dǎo)體答案：C103.碳化硅鋁有()不易變形和質(zhì)量輕的優(yōu)點。A、密度大B、密度小C、堅硬D、柔軟答案：B104.穩(wěn)壓管（）。A、是二極管B、不是二極管C、是特殊二極管答案：C105.大部分環(huán)氧塑封料需要在170～175℃之間進行()的后固化工藝以實現(xiàn)完全固化。A、4～8hB、8～12hC、1～4hD、12～24h答案：C106.()結(jié)構(gòu)是目前國內(nèi)外光電外殼最通用的封裝結(jié)構(gòu)形式。A、陶瓷熔封B、塑封C、陶瓷平封D、陶瓷扁平封裝答案：A107.金屬陶瓷封裝一般采用（）制造，用90%~95%氧化鋁陶瓷作絕緣，氧化鈹陶瓷做導(dǎo)熱，金屬作底盤和引線。A、多層共燒陶瓷工藝、氧化鈹金屬化工藝和釬焊工藝B、多層共燒陶瓷工藝C、釬焊工藝答案：A108.產(chǎn)品質(zhì)量()。A、是設(shè)計出來的B、是制造出來的C、是檢驗出來的D、是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)答案：D109.常用的電阻焊有電焊、突緣電阻焊和（）。A、平行縫焊B、四邊焊C、平行焊D、焊料焊答案：A110.熱壓焊只能用()。A、金絲B、鋁絲C、硅鋁絲D、銅絲答案：A111.塑封料與芯片間的應(yīng)力隨芯片面積的增大而()。A、增大B、減小C、不變D、變化但是不定性答案：A112.網(wǎng)印刮板材料，目前最常用的刮板材料是（）。A、不銹鋼B、尼龍C、聚氨基甲酸脂答案：C113.將鐵的化合物溶于鹽酸，滴加KSCN溶液不發(fā)生顏色變化，再加入適量氯水，溶液立即呈紅色的是（）。A、Fe2O3B、FeCl3C、Fe2(SO4)3D、FeO答案：D114.底部填充膠可以有效緩解芯片和基板的()。A、結(jié)合力大小B、熱膨脹系數(shù)C、熱失配D、熱疲勞壽命答案：C115.產(chǎn)品質(zhì)量的好壞包含()。A、技術(shù)性能指標B、可靠性指標C、經(jīng)濟指標D、A.B和C答案：D116.平行封焊的圓錐形電極最好使用()。A、鎢銅B、黃銅C、紫銅D、合金鋼答案：A117.MOS場效應(yīng)器件是利用半導(dǎo)體表面的（）來工作的。A、積累層B、耗盡層C、反型層答案：C118.封帽完成的電路在（）設(shè)備下檢測空洞是否合格。A、金相顯微鏡B、掃描電鏡C、X射線D、體視顯微鏡答案：C119.膠封工藝流程如下：

器具、工件清洗→稱量配膠→攪拌→排氣→（）→（）→（）→檢驗。A、涂膠固化膠粘B、涂膠粘合固化C、粘合涂膠固化D、涂膠固化粘合答案：B120.如在半導(dǎo)體中以長聲學(xué)波為主要散射機構(gòu)是，電子的遷移率n與溫度的（）。A、平方成正比B、2/3次方成反比C、平方成反比D、2/3次方成正比答案：B121.影響平行封焊質(zhì)量的主要因素是（）。A、焊接電流、焊接速度、電極錐度和直徑B、焊接電流與環(huán)境條件C、個人因素與管殼材料D、機器性能答案：A122.按照焊膏的合金成分分類，焊膏材料主要分為有鉛焊膏和（）兩種A、無鉛焊膏B、有錫焊膏C、無錫焊膏D、有銅焊膏答案：A123.在空氣不流通的狹小地方使用二氧化碳滅火器可能造成的危險是（）。A、中毒B、缺氧C、爆炸D、火災(zāi)答案：B124.倒裝焊球的直徑大致在()范圍內(nèi)。A、100~150μmB、50~300μmC、80~300μmD、80~150μm答案：C125.環(huán)焊時提高充電電壓可以()。A、增強焊接強度B、防止金屬飛濺C、防止表面污點D、防止觸頭沾熔答案：A126.環(huán)焊前應(yīng)用()打磨電極。A、水砂紙B、粗砂紙C、銼刀D、紗布答案：A127.硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。A、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個球形等能面B、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的6個球形等能面C、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的8個橢球等能面D、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個橢球等能面答案：D128.混合集成電路金屬封裝有（）、淺腔型、扁平型和圓型A、平板型B、平面型C、底盤型答案：A129.在阻值調(diào)整后，還應(yīng)進行直流負荷試驗。即在電阻上加相當于（）額定功率的直流電壓，負荷時間為5s。但對阻值低于200Ω的電阻，不進行此項試驗。A、1倍以下B、2～5倍C、10～100倍D、1000倍左右答案：B130.為了將物體的外部形狀表達清楚，一般采用（）個視圖來表達。A、二B、三C、四D、五答案：A131.CCGA主要焊柱90Pb10Sn材質(zhì)主要特點是()。A、較硬B、較軟C、較長D、較短答案：B132.以下哪種不是氣密性封裝的主要材料？()。A、金屬B、陶瓷C、玻璃D、碳化硅答案：D133.環(huán)焊電極度提升時打火，應(yīng)()。A、提高電壓B、降低電壓C、改進電極度形狀D、調(diào)整放電時間答案：D134.氦質(zhì)譜檢漏工藝步驟如下：（1）將器件置于壓力箱中并抽低真空；（2）給壓力箱充（）并保持一段時間；（3）取出器件將表面吸附的氦氣體吹掉。A、氦氣B、氬氣C、氮氣D、氫氣答案：A135.外部互聯(lián)主要由最早的()方式發(fā)展到目前的表面粘裝方式。A、鑲嵌B、粘接C、插裝D、封裝答案：D136.熱壓鍵合法的機理是()。A、低溫擴散B、塑性流動C、低溫擴散和塑性流動結(jié)合D、機械壓力答案：C137.關(guān)鍵過程是（）。A、形成關(guān)鍵特性的主要過程B、指對形成產(chǎn)品質(zhì)量起決定性作用的過程C、指關(guān)鍵工序的所有過程D、指生產(chǎn)過程中的銜接環(huán)節(jié)答案：B138.金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸的一種方式是使半導(dǎo)體的參雜濃度大于()。A、1015cm3B、1017cm3C、1019cm3D、1021cm3答案：C139.一塊半導(dǎo)體壽命τ=15μs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。A、1/4B、1/eC、1/e2D、1/2答案：C140.陶瓷扁平封裝代號是（）。A、WB、PC、FD、K答案：C141.對大注入條件下，在一定的溫度下，非平衡載流子的壽命與（）。A、平衡載流子濃度成正比B、非平衡載流子濃度成正比C、平衡載流子濃度成反比D、非平衡載流子濃度成反比答案：D142.一般來說，集成電路的散熱方式以（）為主。A、輻射B、對流C、傳導(dǎo)D、對流和輻射答案：A143.實驗室用氯化鈉固體配制100g溶質(zhì)質(zhì)量分數(shù)為8%的氯化鈉溶液，下列說法錯誤的是（）。A、實驗的步驟為計算、稱量、量取、溶解B、量取水時，用規(guī)格為100mL的量筒C、若用量筒量取水時俯視凹液面的最低處，則配制溶液的質(zhì)量分數(shù)小于8%D、溶解過程中玻璃棒攪拌的作用是加快氯化鈉的溶解答案：C144.鋁絲超聲焊的尾絲不能超過鋁絲直徑的()。A、一倍B、兩倍C、三倍D、四倍答案：B145.CMOS電路組裝中禁止的是()。A、穿防靜電工作服B、帶防靜電手鐲C、用防靜電周轉(zhuǎn)箱D、用塑料板鋪設(shè)工作臺答案：D146.環(huán)焊時壓力與被焊部位電阻的關(guān)系是()。A、壓力大、電阻大B、壓力大、電阻小C、壓力大、電阻不變D、壓力小、電阻小答案：B147.一個阻值為100Ω的電阻，允許加最高電壓為10V，則其額定功率為()。A、10WB、1WC、0.1WD、2W答案：B148.在塑封工藝中，為完全固化大部分環(huán)氧模塑料，需要在（）的后固化。A、170~175℃、進行4小時B、175~180℃、進行2小時C、160~170℃、進行6小時答案：A149.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定，生產(chǎn)經(jīng)營單位不得使用國家明令淘汰、什么？（）。A、工藝，設(shè)備B、工具C、原材料D、設(shè)備答案：A150.扁平封裝結(jié)構(gòu)的最大厚度為()。A、2.0mmB、2.1mmC、4mmD、4.2mm答案：B判斷題1.封裝時，材料的機械特性、熱膨脹系數(shù)尤其重要。（）A、正確B、錯誤答案：A2.BGA是四方扁平引線封裝封裝的簡稱。（）A、正確B、錯誤答案：B3.非離子性污染物是不會被電離為離子的一類物質(zhì)。（）A、正確B、錯誤答案：A4.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員，向本單位提出賠償要求，可以在依法享有工傷社會保險或者依照有關(guān)民事法律獲得賠償兩者之間任選一種。（）A、正確B、錯誤答案：B5.光學(xué)顯微鏡可以檢測封帽空洞。（）A、正確B、錯誤答案：B6.在Si中摻入P，則引入的雜質(zhì)能級靠近導(dǎo)帶底。（）A、正確B、錯誤答案：A7.最終密封前檢驗應(yīng)保證在前面各次檢驗后的后續(xù)處理中產(chǎn)生的缺陷，能在封裝前檢驗中被發(fā)現(xiàn)和拒收。（）A、正確B、錯誤答案：A8.印制板的質(zhì)量對電子產(chǎn)品的性能和可靠性有重要影響。（）A、正確B、錯誤答案：A9.環(huán)氧樹脂的缺點是：（1）不適合高溫下工作；（2）高頻性能和耐濕性差。（）A、正確B、錯誤答案：A10.生產(chǎn)經(jīng)營單位發(fā)生生產(chǎn)安全事故造成人員傷亡、他人財產(chǎn)損失的，應(yīng)當依法承擔(dān)賠償責(zé)任;拒不承擔(dān)或者其負責(zé)人逃匿的，由公安部門依法強制執(zhí)行。（）A、正確B、錯誤答案：B11.平行封焊的電流大小僅與封接溫度有關(guān)。（）A、正確B、錯誤答案：B12.通常認為。1μm以下厚度的膜為薄膜，以上者為厚膜。（）A、正確B、錯誤答案：B13.封裝時材料的機械特性與膨脹系數(shù)尤其重要。（）A、正確B、錯誤答案：A14.細檢漏技術(shù)通常采用示蹤氣體檢漏法。（）A、正確B、錯誤答案：A15.封蓋后的產(chǎn)品外觀不須再檢驗。（）A、正確B、錯誤答案：B16.塑封材料的發(fā)展方向是高純度、低應(yīng)力、低α射線。（）A、正確B、錯誤答案：A17.固化性能，即獲得固化所需溫度和時間，還包括固化后需有一定粘接強度和盡可能小的收縮率，以減少應(yīng)力產(chǎn)生。另外固化時不應(yīng)有氣體放出，避免產(chǎn)生針孔。（）A、正確B、錯誤答案：A18.特大安全事故發(fā)生后，對調(diào)查組提出的調(diào)查報告，省、自治區(qū)、直轄市人民政府應(yīng)當自調(diào)查之日起30日內(nèi)，對有關(guān)責(zé)任人員作出處理決定。（）A、正確B、錯誤答案：A19.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。（）A、正確B、錯誤答案：B20.靜電中和：用離子風(fēng)吹向帶靜電表面，達到靜電荷中和的目的。（）A、正確B、錯誤答案：A21.設(shè)備清洗，根據(jù)不同的清洗機里又分為汽相清洗，水清洗等離子清洗超聲波清洗等方法。（）A、正確B、錯誤答案：A22.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的主要原因。（）A、正確B、錯誤答案：A23.在數(shù)字電路中，高、低電平是指一定的電壓范圍，而不是一個不變的數(shù)值。（）A、正確B、錯誤答案：A24.鍵合引線所用的金絲，化學(xué)穩(wěn)定性不好，易腐蝕。（）A、正確B、錯誤答案：B25.職業(yè)健康檢查應(yīng)當由縣級以上人民政府衛(wèi)生行政部門批準的醫(yī)療衛(wèi)生機構(gòu)承擔(dān)。（）A、正確B、錯誤答案：B26.在組裝壓焊過程中，防靜電措施有設(shè)備接地，操作人員要穿防靜電工作服，要戴防靜電手鐲。（）A、正確B、錯誤答案：A27.在三相電路中，Y形連接負載的相電流等于線電流。（）A、正確B、錯誤答案：B28.按封裝材料的不同，集成電路封裝可以分為玻璃封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝。（）A、正確B、錯誤答案：A29.芯片粘接強度的大小與芯片粘接面積有關(guān)。（）A、正確B、錯誤答案：A30.顆粒狀污染物一般采用機械方法，如強力噴射，洗刷等方法即可清除。（）A、正確B、錯誤答案：A31.低熔玻璃的封接溫度僅由玻璃的組成決定。（）A、正確B、錯誤答案：B32.金—鋁鍵合系統(tǒng)的缺點是在高溫下容易形成金—鋁間的化合物，使鍵合強度不高，造成鍵合質(zhì)量下降，長時間以后易脫焊失效。（）A、正確B、錯誤答案：A33.場效應(yīng)晶體管是靠少數(shù)載流子來工作的。（）A、正確B、錯誤答案：B34.為評價分析產(chǎn)品的可靠性而進行的試驗，叫做可靠性試驗。（）A、正確B、錯誤答案：A35.在三相電路中，△形連接負載的相電流等于線電流。（）A、正確B、錯誤答案：A36.在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）A、正確B、錯誤答案：B37.平行封焊封裝的電路滾輪壓過的邊部不易銹蝕。（）A、正確B、錯誤答案：B38.塑料封裝被稱為非氣密封裝。（）A、正確B、錯誤答案：A39.表面涂敷工藝是指在芯片壓焊內(nèi)引線之后，在其表面涂敷一層黏度適中的保護膠，并牢固地緊貼在芯片表面上的工藝。（）A、正確B、錯誤答案：A40.航天電子產(chǎn)品的清洗方法可以分為手工清洗和設(shè)備清洗兩大類。（）A、正確B、錯誤答案：A41.粗檢漏壓完后將電路放進酒精中進行檢漏。（）A、正確B、錯誤答案：B42.用電器銘牌上的標稱的電壓，電流值是指交流電的峰值。（）A、正確B、錯誤答案：B43.若用環(huán)氧貼裝方法，將全部芯片先貼裝在基板上，然后將基板安裝在外殼上。（）A、正確B、錯誤答案：A44.DIP塑料封裝引線節(jié)距為2.54mm。（）A、正確B、錯誤答案：A45.電子是帶正電的粒子。（）A、正確B、錯誤答案：B46.小于二千伏的靜電人體是有感覺的。（）A、正確B、錯誤答案：B47.施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供空穴。（）A、正確B、錯誤答案：B48.平行封焊的每個焊點間重疊量為三分之一到二分之一為佳。（）A、正確B、錯誤答案：A49.超聲鍵合可以焊接粗細不等的鋁絲鋁帶和金絲金帶。而熱壓焊接只能鍵合細金絲。（）A、正確B、錯誤答案：A50.化鍍鎳比電鍍鎳的熔點低。（）A、正確B、錯誤答案：A51.半水清洗是利用全自動清洗機先進行溶劑清洗，然后不使用去離子水進行漂洗的過程。（）A、正確B、錯誤答案：B52.氣體平均自由程與氣體的壓強成正比關(guān)系。（）A、正確B、錯誤答案：B53.晶體三極管具有兩個PN結(jié)，二極管具有一個PN結(jié)，因此可以把兩個二極管反向連接起來當作一只晶體三極管使用。（）A、正確B、錯誤答案：B54.可用萬用表測試場效應(yīng)管的管腳。（）A、正確B、錯誤答案：B55.做PIND時，以腔體體積作為實驗條件的選取依據(jù)。（）A、正確B、錯誤答案：B56.在混合集成電路終極版起著承載厚膜元件互聯(lián)以及外貼元件等作用，在大功率電路中，還有散熱的作用。（）A、正確B、錯誤答案：A57.多余物是指生產(chǎn)過程中或生產(chǎn)完成后，由外部進入或內(nèi)部產(chǎn)生的與產(chǎn)品設(shè)計圖樣，技術(shù)條件無關(guān)的物質(zhì)。（）A、正確B、錯誤答案：A58.掃頻振動的目的是測定在規(guī)定頻率范圍內(nèi)，振動對器件的影響。（）A、正確B、錯誤答案：A59.平行縫焊蓋板的基材為金錫合金。（）A、正確B、錯誤答案：B60.電子是帶負電的粒子。（）A、正確B、錯誤答案：A61.平行縫焊過程中發(fā)生“打火”會嚴重影響密封質(zhì)量。（）A、正確B、錯誤答案：A62.國家標準規(guī)定的安全色有紅、藍、黃、綠四種顏色。（）A、正確B、錯誤答案：A63.集成電路封裝使用的塑粉從冷庫取出后直接可以使用。（）A、正確B、錯誤答案：B64.若上工序流到外檢產(chǎn)品數(shù)量與流程卡上的數(shù)量不附，可以自己重新核對，填上實際數(shù)量檢驗后入庫。（）A、正確B、錯誤答案：B65.非晶玻璃系較少應(yīng)用于實際工程中。（）A、正確B、錯誤答案：A66.高溫共燒陶瓷基板具有結(jié)構(gòu)高強度熱導(dǎo)效率高，化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點。（）A、正確B、錯誤答案：A67.場效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。（）A、正確B、錯誤答案：A68.基板貼裝工藝分為合金焊料焊接和膠粘工藝兩種。（）A、正確B、錯誤答案：A69.晶體二極管因所加反向電壓大而擊穿燒毀的現(xiàn)象稱為熱擊穿。（）A、正確B、錯誤答案：A70.塑封樹脂料保管的技術(shù)條件是干燥、無污染、低溫1～5℃。（）A、正確B、錯誤答案：A71.用乙醇或丙酮清洗用具時，可以在電爐上直接加熱。（）A、正確B、錯誤答案：B72.在動力電源線中，中線可以作為地線。（）A、正確B、錯誤答案：B73.塑封是典型的氣密性封裝。（）A、正確B、錯誤答案：B74.場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）A、正確B、錯誤答案：A75.生產(chǎn)、經(jīng)營、儲存、使用危險物品的車間、倉庫不得與員工宿舍在同一座建筑物內(nèi)，并應(yīng)當與員工宿舍保持安全距離。（）A、正確B、錯誤答案：A76.平行封焊產(chǎn)品的質(zhì)量只與工藝參數(shù)有關(guān)。（）A、正確B、錯誤答案：B77.剪切強度屬于非破壞性試驗。（）A、正確B、錯誤答案：B78.靜電手腕帶的測試：被測人雙腳踏地，雙手離開操作臺，身體不能與操作臺相接觸。（）A、正確B、錯誤答案：A79.印制電路或印制線路成品板統(tǒng)稱為印制板。（）A、正確B、錯誤答案：A80.根據(jù)《安全生產(chǎn)法》規(guī)定從業(yè)人員在作業(yè)過程中，應(yīng)當服從管理，所以對違章指揮仍要服從。（）A、正確B、錯誤答案：B81.接地線：每個接點應(yīng)牢固焊接，可與電源的地線共用。（）A、正確B、錯誤答案：B82.檢漏技術(shù)分細檢漏和粗檢漏。（）A、正確B、錯誤答案：A83.氧化鋁可以作為陶瓷外殼的材料。（）A、正確B、錯誤答案：A84.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。（）A、正確B、錯誤答案：B85.平行縫焊包括直焊和圓焊兩種焊法。（）A、正確B、錯誤答案：A86.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。（）A、正確B、錯誤答案：A87.厚膜介質(zhì)材料主要是以簡單的交疊結(jié)構(gòu)或以復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)用作導(dǎo)體間的絕緣體。（）A、正確B、錯誤答案：A88.內(nèi)部目檢和封裝之前的時間間隔里，器件應(yīng)貯存在受控的環(huán)境內(nèi)，對H級受控環(huán)境，相對濕度應(yīng)小于等于65％，潔凈度為1000級。檢驗和準備環(huán)境，相對濕度小于等于65％，潔凈度l0萬級。（）A、正確B、錯誤答案：A89.可伐合金材料的線膨脹系數(shù)與陶瓷、玻璃的較接近。（）A、正確B、錯誤答案：A90.當一塊半導(dǎo)體中的一部分是P型，P型區(qū)與N型區(qū)界面附近的區(qū)域叫做PN結(jié)。（）A、正確B、錯誤答案：A91.觸電分為電傷和電擊兩大類。（）A、正確B、錯誤答案：A92.超聲波清洗，通過超聲波的空化作用，對物體表面上的污物進行撞擊剝離，以達到清洗的目的。（）A、正確B、錯誤答案：A93.厚膜和薄膜的混合集成電路的組裝順序有所差異。（）A、正確B、錯誤答案：A94.內(nèi)部水汽含量試驗?zāi)康氖菧y定金屬或陶瓷器件內(nèi)部氣體中的水汽含量。（）A、正確B、錯誤答案：A95.為了使軍用產(chǎn)品在批生產(chǎn)過程中質(zhì)量穩(wěn)定、處于高可靠性、高成品率受控狀態(tài)，維持良好的生產(chǎn)過程，必須加強混合集成電路工藝環(huán)境清潔度、環(huán)境控制、貯存環(huán)境和暴露時間的控制。（）A、正確B、錯誤答案：A96.電源電動勢的方向是由電源的正極到電源負極。（）A、正確B、錯誤答案：B97.產(chǎn)品質(zhì)量是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)。（）A、正確B、錯誤答案：B98.防靜電接地和電源保護接地是一回事。（）A、正確B、錯誤答案：B99.生產(chǎn)經(jīng)營單位的主要負責(zé)人對本單位的安全生產(chǎn)工作負領(lǐng)導(dǎo)責(zé)任。（）A、正確B、錯誤答案：B100.化學(xué)試劑用做清洗時，對純度沒有什么要求。（）A、正確B、錯誤答案：B101.場效應(yīng)管的放大能力不能像晶體管一樣，用電流放大系數(shù)表示，而是用動態(tài)跨導(dǎo)gm表示的。（）A、正確B、錯誤答案：A102.若某些原件是用焊料焊接，而其他元件使用膠粘工藝時，溫度較高的焊料貼裝應(yīng)該先進行加工。（）A、正確B、錯誤答案：A103.晶體二極管的反向電壓上升到一定值時，反向電流劇增，二極管被擊穿，就不能再使用了。（）A、正確B、錯誤答案：A104.普通的LED所能承受的靜電電壓是500-1000V。（）A、正確B、錯誤答案：A105.高溫貯存和功率老化都是環(huán)境應(yīng)力篩選。（）A、正確B、錯誤答案：B106.凡是普通三極管可以使用的場合，原則上也可使用場效應(yīng)器件。（）A、正確B、錯誤答案：A107.可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定的條件下和規(guī)定時間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力，器件失去規(guī)定的功能叫失效。（）A、正確B、錯誤答案：A108.航天用集成電路通常采用平行縫焊的儲能焊。（）A、正確B、錯誤答案：A109.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴＃ǎ〢、正確B、錯誤答案：A110.在smt生產(chǎn)中，焊膏印刷質(zhì)量是體現(xiàn)焊接質(zhì)量的一項重要指標。（）A、正確B、錯誤答案：A111.氧化鋁多層陶瓷基板，該羈絆技術(shù)工藝成熟，介質(zhì)材料成本高，熱導(dǎo)效率和抗彎強度較高。（）A、正確B、錯誤答案：B112.鐵－鎳合金可替代可伐合金做為外殼材料。（）A、正確B、錯誤答案：A113.激光劃片是利用高能量的激光束，束斑直徑若干微米，其能量大于105～106W/cm2，使硅片熔化并揮發(fā)穿孔，留下一排整齊的小孔。（）A、正確B、錯誤答案：A114.安全生產(chǎn)管理，堅持“安全第一、預(yù)防為主、綜合治理”的方針。（）A、正確B、錯誤答案：A115.人工目檢不是焊點檢查的，最基本的檢測手段。（）A、正確B、錯誤答案：B116.有機樹脂封裝的最大優(yōu)點是絕緣性好。（）A、正確B、錯誤答案：A117.硅二極管的正向壓降為1V。（）A、正確B、錯誤答案：B118.金屬-低摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生整流接觸；金屬-高摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生歐姆接觸。（）A、正確B、錯誤答案：A119.要使三極管工作于放大狀態(tài)，其發(fā)射結(jié)、集電結(jié)分別處于正向、反向偏執(zhí)狀態(tài)。（）A、正確B、錯誤答案：A120.發(fā)生危險化學(xué)品事故，有關(guān)地方公安消防部門應(yīng)當做好指揮、領(lǐng)導(dǎo)工作。（）A、正確B、錯誤答案：B填空題1.平行縫焊化鍍鎳蓋板的熔點約為（）。答案：880℃2.粗檢壓檢漏完畢后|將電路置于（）中|觀察電路的漏氣情況。答案：高溫氟油3.對（）來講|尤其是高引腳數(shù)目框架和微細間距框架器件|一個突出的問題是引腳的非共面性。答案：SMT裝配4.DIP是指（）封裝。答案：雙列直插式5.反向偏置pn結(jié)|當電壓升高到某值時|反向電流急劇增加|這種現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿|主要的擊穿機理有兩種：（）擊穿和（）擊穿。答案：雪崩|隧道6.（）分為熱固性和熱塑性兩類。答案：封裝用塑料材料7.比例是指圖中（）與（）之比。答案：圖形尺寸|實物尺寸8.尺寸標注中的符號：R表示（）|Φ表示（）。答案：半徑|直徑9.能帶中載流子的有效質(zhì)量反比于能量函數(shù)對于波矢的（）|引入有效質(zhì)量的意義在于其反映了晶體材料的（）的作用。答案：二階導(dǎo)數(shù)|內(nèi)部勢場10.半導(dǎo)體襯底上的氧化層厚度通常小于1um（幾個到幾百納米）|所以用這些分析技術(shù)能較好地探測到（）。答案：氧化層失效11.影響超聲鍵合的質(zhì)量主要因素有（）、（）、（）、（）（）等。答案：引線材料|劈刀|鍵壓面|質(zhì)量|外殼質(zhì)量12.金屬凸點制作工藝中|多金屬分層為：（）___、（）、（）。答案：黏著層|擴散阻擋層|表層金保護層13.半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的（）（即量子態(tài)按能量如何分布）和（）（即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布）。答案：狀態(tài)密度|費米分布函數(shù)14.在無電鍍鎳中的磷與回流焊中含（）焊料之間會發(fā)生很強烈的界面反應(yīng)。答案：錫15.在倒裝焊技術(shù)中|（）凸點是另一種普遍使用的凸點金屬。答案：鋁-鎳釩-銅16.未經(jīng)安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)合格的從業(yè)人員|不得（）。答案：上崗作業(yè)17.（）雜質(zhì)可顯著改變載流子濃度；（）雜質(zhì)可顯著改變非平衡載流子的壽命|是有效的復(fù)合中心。答案：淺能級|深能級18.平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接功率、焊接壓力、脈沖寬度、（）和電極速度。答案：脈沖周期19.在完成打碼工序后|所有器件都要進行測試。這些測試包括一般的（）。答案：目檢、老化試驗和最終的產(chǎn)品測試20.晶圓級封裝以BGA技術(shù)為基礎(chǔ)|是一種特殊類型的（）|又稱為圓片級芯片尺寸封裝。答案：CSP封裝型式21.二極管的主要特性是具有（）。二極管外加正向電壓超過死區(qū)電壓以后|正向電流會迅速增大|這時二極管處于（）。答案：單向?qū)щ妡導(dǎo)通狀態(tài)22.JFET按導(dǎo)電載流子類型不同|可分為（）和（）兩種。答案：N型溝道|P型溝道23.細檢壓檢漏使用的氣體為（）。答案：氦氣24.先進的可靠性模型和（）將帶來更全面和更有效的鑒定過程。答案：預(yù)計方法25.ASTMD_3123或SEMIG11_88試驗是讓流動的塑封料穿過橫截面為半圓形的（）直到停止流動。答案：螺旋管26.金屬封裝由于在最嚴酷的使用條件下具有杰出的可靠性而被廣泛用于軍事和（）。答案：民用領(lǐng)域27.SAM技術(shù)基于超聲波在各種材料中的反射和（）而成像|基于SAM技術(shù)的顯微鏡稱掃描聲學(xué)顯微鏡。答案：傳輸特性28.BGA根據(jù)焊料球的排列方式分為：（）、（）、（）。答案：周邊型|交錯型|全陣列型29.調(diào)整厚膜電阻的阻止有改變電阻膜（）和改變電阻膜（）兩類方法。答案：幾何圖形|結(jié)構(gòu)30.半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)式多種多樣的|常見的Ge和Si材料|其原子均通過共價鍵四面體相互結(jié)合|屬于（）結(jié)構(gòu)；與Ge和Si晶格結(jié)構(gòu)類似|兩種不同元素形成的化合物半導(dǎo)體通過共價鍵四面體還可以形成（）和纖鋅礦等兩種晶格結(jié)構(gòu)。答案：金剛石|閃鋅礦31.硅中天然地而易于破裂的面是（）面。答案：{111}32.除了銅擴散|（）的增加也會導(dǎo)致錫須生長。答案：碳含量33.當PN結(jié)正向連接時|阻擋載流子擴散的PN結(jié)空間電荷層（）_|允許PN結(jié)上有（）_的電流通過；當PN結(jié)反向連接時|阻擋載流子擴散的PN結(jié)空間電荷層（）_|PN結(jié)上只允許（）_漏電流通過。答案：變窄|較大|展寬|較小34.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,費米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶（）電|達到熱平衡后兩者的費米能級（）。答案：正|相等35.BGA是指（）封裝。答案：球柵陣列36.塑料封裝基本流程：裸芯片制作→芯片貼裝→打線鍵合→（）→烘烤成型→引腳鍍錫→引腳切割成型。答案：鑄模成型37.催化劑對反應(yīng)速率的影響是（）。答案：同等程度地加快正向反應(yīng)和逆向反應(yīng)38.載流子在電場作用下的運動為（）運動。答案：漂移39.半導(dǎo)體載流子在輸運過程中|會受到各種散射機構(gòu)的散射|主要散射機構(gòu)有（）、（）、中性雜質(zhì)散射、位錯散射、載流子間的散射和等價能谷間散射。答案：電離雜質(zhì)的散射|晶格振動的散射40.將芯片及其他要素在框架和基板上布置|粘貼固定以及連接|引出接線端子并且通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定的過程是（）_|在此基礎(chǔ)上|將封裝體與裝配成完整的系統(tǒng)和設(shè)備|這個過程為（）。答案：狹義封裝|廣義封裝41.插裝元器件與表面貼裝元器件主要區(qū)別是:（）（）（）答案：表面貼裝元器件體積小|便于小型化生產(chǎn)|便于減小成品尺寸。42.通孔插裝式安裝器件又分為以下幾種：塑料雙列直插式封裝；（）；塑料針柵封裝答案：單列直插式封裝43.載帶自動鍵合與倒裝芯片鍵合共同的關(guān)鍵技術(shù)是芯片的制作工藝|這些工藝包括蒸發(fā)/濺射、電鍍、置球、化學(xué)鍍、激光法、（）、疊層制作凸點法等。答案：移植法44.氰化物和堿性的高度能夠（）錫須在鍍鋅的生長率。答案：降低45.錫須不僅可能發(fā)生在純錫表面|在一些（）上也可能發(fā)生。答案：錫合金46.根據(jù)所使用材料的不同|元器件封裝主要分為金屬封裝、陶瓷封裝和（）三種類型答案：塑料封裝47.電解Ni/Au包含了一個電解Ni的內(nèi)層加上一個電解Au的外層|通常表示成（）。答案：是EG48.在一定溫度下|與費米能級持平的量子態(tài)上的電子占據(jù)概率為（）|高于費米能級2kT能級處的占據(jù)概率為（）。答案：1/2|1/1+exp(2)49.圓片的減薄厚度常取得較厚時|會使器件串聯(lián)電阻（）|串聯(lián)電感（）|熱阻（）|為此必須把圓片厚度減薄到芯片的（）厚度。答案：大|大|上升|設(shè)計50.空間兩直線的相對位置有（）、（）、（）三種。答案：平行|相交|交叉51.具有（）作用和（）作用的三端或四端半導(dǎo)體器件|稱為晶體管。答案：放大|開關(guān)52.平行縫焊時若蓋板平整度差|容易發(fā)生（）現(xiàn)象。答案：打火53.生產(chǎn)經(jīng)營單位應(yīng)當在有較大危險因素的生產(chǎn)經(jīng)營（場所）和有關(guān)（）上|設(shè)置明顯的（）。答案：設(shè)施、設(shè)備|安全警示標志54.生產(chǎn)經(jīng)營單位必須執(zhí)行依法制定的保障安全生產(chǎn)的（）或者（）。答案：國家標準|者行業(yè)標準55.DCA技術(shù)也是一種超微細間距BGA形式|是將C4技術(shù)得到的裸芯片直接貼裝在各類基板（PCB）上進行直接安裝|且與SMT工藝（）。答案：相兼容56.合金燒結(jié)法是采用（）作焊料的一種釬焊方法。答案：共晶合金57.陶瓷針柵陣列封裝的簡稱是（）。答案：CPGA58.在給定時間內(nèi)通過單位面積聚合物膜的（）隨時間的變化曲線稱為滲透曲線。答案：潮氣量59.組裝工藝的好壞將影響到器件和集成電路的（）、（）、（）和（）。答案：直流性能|頻率性能|熱性能|可靠性60.塑料封裝注模工藝：轉(zhuǎn)移成型技術(shù)|噴射成型技術(shù)|（）。答案：預(yù)成型技術(shù)61.電子是帶（）電的粒子。答案：負62.芯片封裝所使用的材料有：（）、（）、（）、（）。答案：金屬|(zhì)陶瓷|玻璃|高分子塑料63.倒裝芯片有三種主要的連接形式：（）、直接芯片連接和倒裝芯片。答案：控制塌陷芯片技術(shù)64.阿貝成像原理可以簡單地描述為兩次干涉作用：平行光束受到有周期性特征物體的散射作用形成衍射譜|（）通過干涉重新在像平面上形成反映物的特征的像。答案：各級衍射波65.薄膜型CSP封裝主要結(jié)構(gòu)是（）和焊料凸點。答案：LSI芯片、模塑樹脂66.集成電路的發(fā)展趨勢是體積越來越（）、電路工作速度越來越（）、電路規(guī)模越來越（）、電路功能越來越（）。其目標就是要小型化、高速、低成本和高可靠性。答案：小|快|大|強67.物質(zhì)按導(dǎo)電能力的強弱可分為（）、（）和（）三大類。答案：導(dǎo)體|絕緣體|半導(dǎo)體68.常見的芯片互連技術(shù)包括載帶自動鍵合、打線鍵合、（）三種。答案：倒裝芯片鍵合69.PBGA采用塑料材料和塑封工藝制作|是最常用的（）。答案：BGA封裝形式70.生產(chǎn)經(jīng)營單位應(yīng)當對從業(yè)人員進行（）|保證從業(yè)人員具備必要的安全生產(chǎn)知識。答案：安全教育和培訓(xùn)71.封裝材料的性能可以分為4類：（）、（）、（）_、（）__。答案：工藝性能|濕-|熱機械性能|電學(xué)性能和化學(xué)性能72.制造性能主要包括螺旋流動長度、滲透和填充、凝膠時間、（）、熱硬化以及后固化時間和溫度。答案：聚合速率73.在（）設(shè)備下可以觀察封帽空洞的大小。答案：X射線檢測74.對于Au-Au熱超聲引線鍵合|鍵合能力隨著表面Au的硬度的增加而（）。答案：下降75.表面粗糙度中|Ra的單位為（）。答案：微米76.涂覆的Ni具有很多優(yōu)勢,如表面較平|高穩(wěn)定|性好的貨架壽命和（）|并且在安裝時少了橋接。答案：焊接能力較強77.比例1：2是指實物尺寸是圖形尺寸的（）倍|屬于（）比例。答案：2|縮小78.一般而言|Kirkendall空洞是由于（）擴散進IMC層后|在IMC層上的焊料里出現(xiàn)的。答案：Sn79.半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子運動為（）。答案：擴散運動80.集成電路封裝關(guān)系到電路的（）和（）|并對電路的電性能和熱性能以及對整機的小型化和集成化均有重要作用。答案：可靠性|穩(wěn)定性簡答題1.簡述電子封裝中強制使用無鉛焊料的原因?答案：環(huán)保和健康的要求國內(nèi)外立法的要求

全球無鉛化的強制要求

1）無鉛釬料的熔點較高。

比Sn37Pb提高34~440C。高的釬焊溫度使固/液界面反應(yīng)加劇。

2）無鉛釬料中Sn含量較高。

SnAg中96.5%Sn，SnPb中63%Sn），因為Pb不參與固/液和固/固界面反應(yīng)，高Sn含量使固/液、固/固界面反應(yīng)均加速。

3）小尺寸釬料在大電流密度的作用下會導(dǎo)致電遷移的問題。2.用溶質(zhì)質(zhì)量分數(shù)為6%的氯化鈉溶液配制50g溶質(zhì)質(zhì)量分數(shù)為3%的氯化鈉溶液，需溶質(zhì)質(zhì)量分數(shù)為6%的氯化鈉溶液多少g.答案：根據(jù)配制過程中溶質(zhì)的質(zhì)量不變，設(shè)需要6%的氯化鈉溶液質(zhì)量為x

列方程：50gx3%=x.6%,x=25g

可得出需溶質(zhì)質(zhì)最分數(shù)為6%的氯化鈉溶液為25g

答需溶質(zhì)質(zhì)最分數(shù)為6%的氯化鈉溶液為25g。3.封裝材料的濕-熱機械性能包括那些？答案：濕-熱機械性能指的是塑封料的吸濕、熱和熱機械性能，塑封料的濕-熱機械性能通常由熱膨脹系數(shù)(CTE)、Tg、熱導(dǎo)率、彎曲強度和模量、拉伸強度、彈性模量、伸長率、黏附強度、潮氣吸收、潮氣擴散系數(shù)、吸濕膨脹、潮氣透過和放氣作用來表征。4.將5g固態(tài)氫氧化鈉溶入45g水中，求所得的氫氧化鈉溶液的質(zhì)量百分比濃度為多少？答案：溶液的總質(zhì)量應(yīng)為5+45=50（g）

則NaOH的質(zhì)量百分比濃度為5÷50×100%=10%

答氫氧化鈉溶液的質(zhì)量百分比濃度為10%。5.集成電路測試的分類。答案：按測試目的分類：驗證測試、生產(chǎn)測試、驗收測試、使用測試、參數(shù)測試、功能測試、結(jié)構(gòu)測試。

按測試內(nèi)容分類：數(shù)字電路測試、模擬電路測試、混合信號電路測試、存儲器測試、SOC測試。6.述什么是光電二極管。答案：當光照到PN結(jié)上時，光能被吸收進入晶格，使電子的能級提高，這就導(dǎo)致某些電子脫離它們的原子，因此產(chǎn)生了自由電子與空穴。在光電導(dǎo)光電二極管中，在PN結(jié)上加一反向電壓，由光能在結(jié)構(gòu)附近產(chǎn)生了電子與空穴，它們被電場吸引從相反的方向穿過結(jié)形成電流，電流從負載電阻流出產(chǎn)生了輸出信號。光的強度越高，產(chǎn)生的空穴與自由電子就越多，電流也就越大。沒有光時，電流只有PN結(jié)的小的反向漏電流，這種電流稱為暗電流。7.表面組裝塑封器件主要有哪幾種類型？各用于什么場合？答案：（1）小外形塑料封裝芯片（SOJSmallOut-LineJ-Leadpackage）:主要用于存儲芯片。（2）LCCC(LeadlessCeramicChipCarrier)無引線陶瓷封裝載體，是SMD集成電路的一種封裝形式。在陶瓷基板的四個側(cè)面都設(shè)有電極焊盤而無引腳的表面貼裝型封裝，芯片被封裝在陶瓷載體上，用于高速，高頻集成電路封裝。通常電極數(shù)目為18~156個，間距。主要用于軍用電路。（3）塑封引線芯片載體（PLCC）：多用于各類型的集成電路，引腳形態(tài)為“J”形，引腳間距，封體形態(tài)為正方形或長方形、不規(guī)則形狀，封裝材料為塑料，可直接裝入芯片插座或焊接。（4）四周扁平封裝（QFP）:多用于各類型的集成電路，引腳形態(tài)基本上分為“鷗翼”形，引腳間距從至多個系列，封體形態(tài)為正方形或長方形，封裝材料為塑料（PQFP）或陶瓷（CQFP）。8.質(zhì)量問題歸零的五條內(nèi)容是什么？答案：定位準確，機理清楚，問題復(fù)現(xiàn)，措施有效，舉一反三。9.簡述SMT大生產(chǎn)中也存一些問題？答案：1.元器件.上的標稱數(shù)值看不清楚，維修工作困難。2.維修調(diào)換器件困難，并需專用工具。3.元器件與印制板之間熱膨脹系數(shù)(CTE)一致性差。4.初始投資大，生產(chǎn)設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜,涉及技術(shù)面寬，費用昂貴。10.常用的芯片貼裝有那三種，并簡要說明。答案：共晶粘貼法：Au-Si共晶合金粘貼到基板上

焊接粘貼發(fā)：Pb-Sn

合金焊接導(dǎo)電膠粘貼法：在塑料封裝中最常見的方法是使用高分子聚合物貼裝到金屬框架上。11.遞模成型合模壓力的選擇原則是什么？答案：在合模壓力最小時，遞模成型過程中不產(chǎn)生溢料為原則。12.簡述IC技術(shù)發(fā)展的socSystemonChip）技術(shù)?答案：信息系統(tǒng)核心的芯片集成，是將系統(tǒng)關(guān)鍵部件集成在一塊芯片上；從廣義角度講，Soc是一個微小型系統(tǒng)。一個SoC芯片內(nèi)嵌有基本軟件模塊或可載入的用戶軟件等。系統(tǒng)級芯片形成或產(chǎn)生過程包含以下三個方面：

1）基于單片集成系統(tǒng)的軟硬件協(xié)同設(shè)計和驗證；

2）再利用邏輯面積技術(shù)使用和產(chǎn)能占有比例有效提高即開發(fā)和研究IP核生成及復(fù)用技術(shù)，特別是大容量的存儲模塊嵌入的重復(fù)應(yīng)用等；

3）超深亞微米VDSM）、納米集成電路的設(shè)計理論和技術(shù)。

SoC設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)主要包括總線架構(gòu)技術(shù)、IP核可復(fù)用技術(shù)等，此外還要做嵌入式軟件移植、開發(fā)研究。

SOC是集成電路發(fā)展的必然趨勢，1.技術(shù)發(fā)展的必然2.IC產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展。13.SMB板上的Mark標記點主要有基準標記（Mark）和Mark兩種。答案：SMB板上的Mark標記點主要有基準標記（fiducialMark）和ICMark兩種14.平行縫焊中，已知脈沖周期為60ms，滾輪速度為2mm·S-1，求相鄰焊點間的中心距離？答案：L=RT*S=0.06×2=0.12mm。

答相鄰焊點間的中心距離為0.12mm。15.什么是錫焊封裝？答案：錫焊封裝是指在蓋板和封裝的密封區(qū)域之間插入焊錫預(yù)制片，加熱到焊錫的熔點溫度可以對封裝進行錫焊封裝16.助焊劑的主要成分是什么。答案：活化劑、載劑、溶劑和其它特殊功能的添加物17.環(huán)氧包封是密封的嗎？答案：由于聚合物對濕氣、空氣和其他氣體的固有滲透性和塑料與封裝引線的界面間的濕氣滲透、環(huán)氧封裝或塑料包封被認為是不密封的。18.測量一矩形電阻的電阻值為10kΩ，電阻長、寬分別為400μm、200μm，厚度d=800?，計算其電阻率ρ。答案：由R=ρ·L/S=ρ·L/dW可得：

Ρ=R×d·W/L

=4×10-2Ω·cm

答電阻率ρ為4×10-2Ω·cm。19.一陶瓷基片樣品經(jīng)干燥后的重量為1.8克，將該樣品浸入20℃的水中一天，測得該基片質(zhì)量為1.82克，求此種陶瓷的吸水率。答案：W=（1.802-1.8）/1.8×100%=0.11%

答此種陶瓷基片的吸水率為0.11%。20.成品外觀檢驗的主要目的是什么？答案：成品外觀檢驗的主要目的是檢驗外形尺寸的一致性和封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。21.陶瓷封裝優(yōu)點有哪些。答案：能提供IC芯片氣密性的密封保護，使其具有優(yōu)良的可靠度；陶瓷被用做集成電路芯片封裝的材料，是因為在熱、電、機械特性等方面極穩(wěn)定，而且陶瓷材料的特性可通過改變其化學(xué)成分和工藝的控制調(diào)整來實現(xiàn)，不僅可作為封裝的封蓋材料，它也是各種微電子產(chǎn)品重要的承載基板。22.氣密性封裝的概念是什么？答案：所謂氣密性封裝是指完全能夠防止污染物(液體或固體)的侵入和腐蝕的封裝。23.TBGA技術(shù)的特點有哪些。答案：與環(huán)氧樹脂PCB基板熱匹配性好；最薄型BGA封裝形式，有利于芯片薄型化；成本較之CBGA低；對熱和濕較為敏感；芯片輕、小，自校準偏差較之其他BGA類型大24.通過厚膜與薄膜技術(shù)的比較分析，簡述它們各自的優(yōu)缺點。答案：薄膜技術(shù)使用光刻工藝形成的圖形具有更窄、邊緣更清晰的線條。這一特點促進了薄膜技術(shù)在高密度和高頻率的使用。薄膜工藝比厚膜工藝成本高，多層結(jié)構(gòu)的制造極為困難，受限于單一的方塊電阻率。25.三極管放大電路如圖2-31所示，已知UCC＝12V，RC＝3k?，RB＝240k?，三極管的β＝40，試求：（1）估算各靜態(tài)值IB，IC，UCE；（2）在靜態(tài)時，C1和C2上的電壓各為多少？極性如何？答案：（1）從已知電路可畫出它的直流通路，接著計算出

IB=(UCC-UBE)/RB=UCC/RB=0.05mA

IC=βIB=2mA

UCE=UCC-ICRC=6V。（2）在靜態(tài)時，UC1=UBE=0.7V，UC2=UCE=6V。

答IB為0.05mA，IC為2mA，UCE為6V；靜態(tài)時，C1上的電壓為0.7V，C2上的

電壓為6V。26.簡述焊接過程中生成的界面金屬間化合物對焊點力學(xué)性能產(chǎn)生的影響?答案：在400-600um直徑SAC/Cu焊點中，Ag3Sn化合物形態(tài)基本呈樹枝網(wǎng)狀，而在300um以下直徑SAC/Cu焊點，Ag3Sn相則基本呈顆粒分布，可見隨著焊點體積的減小，Ag3Sn化合物有逐漸細化的趨勢。第二相質(zhì)點呈樹枝網(wǎng)狀分布將使材料的脆性增強，而彌散分布的顆粒狀第第二相質(zhì)點不僅具有第二相強化作用，而且能使材料保持良好的塑性，材料的力學(xué)性能較好。因此，Ag3Sn化合物形態(tài)在不同體積焊點中的差異必將引起不同體積焊點力學(xué)行為的顯著變化。別外，界面處的Cu6Sn5化合物層也有細微差別，小體積焊點的Cu6Sn5比大體積焊點更加細密，這將大大增加金屬間化合物層與釬料基體的接觸面積，也會提高焊點的剪切強度。因此，小體積焊點的剪切強度要高于大體積焊點。在焊點內(nèi)部發(fā)現(xiàn)的六棱柱狀的c化合物，也將對焊點裂紋擴展產(chǎn)生一定的阻礙作用。27.簡述芯片減薄的常用工藝技術(shù)。答案：硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削、研磨、干式拋光、化學(xué)機械平坦工藝、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕、等離子增強化學(xué)腐蝕、常壓等離子腐蝕等。28.倒裝芯片有幾種連接方式？答案：控制塌陷芯片連接（C4）、直接芯片連接（DCA）和膠粘劑連接倒裝芯片。29.簡述減薄后的芯片具備的優(yōu)點。答案：1、薄的芯片更有利于