第2章 基本物理與PN結(jié)

半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)第二章基本物理與PN結(jié)I。若干概念(1)載流子濃度與費(fèi)米能級(jí)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（2）遷移率高溫： 晶格散射控制（T-3/2），對(duì)載流子濃度相對(duì)不敏感；低溫： 雜質(zhì)散射控制，強(qiáng)力依賴(lài)于載流子濃度。

MOSFET反型層中遷移率遠(yuǎn)低于體遷移率（表面遷移率）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（3）

擴(kuò)散電流半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（4）薄層電阻率（5）速度飽和半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)II。器件中的基本方程（1）泊松方程（2）德拜長(zhǎng)度(能帶對(duì)摻雜突然變化的響應(yīng)長(zhǎng)度）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（3）電流密度方程（準(zhǔn)費(fèi)密勢(shì)）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（4）連續(xù)性方程及少子壽命（5）介質(zhì)馳豫時(shí)間（：多子響應(yīng)時(shí)間,很小，10-12s）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)III。P-N結(jié)（1）內(nèi)建勢(shì)突變結(jié)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（2）薄i層P-I-N二極管半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（3）二極管方程半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(1)假設(shè)電壓降僅發(fā)生在耗盡區(qū)，體內(nèi)為準(zhǔn)中性區(qū)(2)若體內(nèi)壓降不可忽略，Vapp必須由V

app代替。半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（4）電流電壓特性半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)a:均勻摻雜(p-n結(jié)的p區(qū)）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)b:單邊突變結(jié)（n+-p)正偏反偏半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)c:寬基二極管W/Ln>>1正偏反偏半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)d:窄基二極管

W/Ln<<1正偏反偏半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)e:漏電流擴(kuò)散電流：正比于ni2，或exp（-Eg/kT）產(chǎn)生電流：正比于ni，或exp（-Eg/2kT）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（5）開(kāi)關(guān)特性充電時(shí)間寬基窄基放電時(shí)間寬基窄基tB(10-11s)<<

n(10-7s)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（6）擴(kuò)散電容

n+(wide)-p(narrow)結(jié)

CDn>>CDp半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(7)