高二物理競賽課件三極管(BJT)的開關(guān)特性_第1頁
高二物理競賽課件三極管(BJT)的開關(guān)特性_第2頁
高二物理競賽課件三極管(BJT)的開關(guān)特性_第3頁
高二物理競賽課件三極管(BJT)的開關(guān)特性_第4頁
高二物理競賽課件三極管(BJT)的開關(guān)特性_第5頁
已閱讀5頁，還剩7頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

三極管(BJT)的開關(guān)特性

1、晶體管特性三極管(BJT)的開關(guān)特性飽和晶體管的等效電路BCE忽略飽和壓降，C點相當(dāng)于接地。三極管截止時等效電路：CBEC和E點相當(dāng)于斷開。三、場效應(yīng)管（FET）開關(guān)結(jié)型場效應(yīng)管（J-FET）：用于分立的脈沖電路及模擬集成電路金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOS-FET）：用于數(shù)字集成電路常用的N溝道增強(qiáng)型MOS管構(gòu)成的反向器反向器的傳輸時延不論是晶體管或是場效應(yīng)管的開關(guān)電路，當(dāng)計及分布電容及管子的開關(guān)惰性后，電路的輸入、輸出波形都不可能躍變，而且輸出總是滯后于輸入。反向器的平均時延為：第二節(jié)早期門電路一、二極管門電路二極管門電路的缺點：1、與門的輸出低電平要上浮0.7V,

而或門的輸出高電平要下移

不利于實行多級邏輯運算二、二極管－晶體管邏輯門（DTL）與門非門優(yōu)點：實行多級邏輯運算，電平不會上浮或者下移。缺點：因為飽和管的消散時間長，門的傳輸時延大，可達(dá)25ns無源上拉電阻輸出TTL與非門的基本結(jié)構(gòu)+VV12312312313DTR輸入級輸出級中間級T4Tc22R3b1BRc4Aoe211kΩ1.6kΩVc2TCCVR（+5V）e24kΩ130Ω以2輸入與非門（1/47400)為代表A=0V，。A=5V，。TTL電路54系列：軍用品，工作溫度范圍74系列：民用品（工業(yè)用）工作溫度范圍溫度會使各參數(shù)發(fā)生變化，但總的變化不會超

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論