2022-2023學(xué)年高二物理競(jìng)賽課件：?jiǎn)畏€(wěn)態(tài)觸發(fā)器

單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器1、電路結(jié)構(gòu)12345678555UDDUOC1UiC原理tUiotUCotUOotPt3t2t11)初始狀態(tài)，0~t1，UO=0(自行證明)2/3UDD2)t1到來時(shí),U2<1/3UDD,U6=UC<2/3UDD(不能突變),使UO=1,C開始充電UC↑12345678555UDDUOC1UiCUCR3)t2~t3,Ui↑→R,S=11,Q不變，UO=1(保持),C繼續(xù)充電→UC↑4)t=t3時(shí),U6=UC=2/3UDD,Q翻轉(zhuǎn)，使UO=0(保持),C放電→UC↓5)脈沖寬度TP=RCln3=1.1RC6)TP必須>(t2-t1),

否則UO會(huì)出現(xiàn)附加脈沖！定時(shí)——洗照片曝光定時(shí)KA電源tP曝光時(shí)間

TP=1.1R2C1KR11245678555UDDUOC2DKATR3R2R4C13改變R2可調(diào)節(jié)曝光時(shí)間整形單穩(wěn)態(tài)輸入脈沖整形后正脈沖整形后負(fù)脈沖若希望輸出脈沖的寬度比原脈沖窄，可在單穩(wěn)前加一“微分電路”得到窄脈沖延時(shí)tD單穩(wěn)態(tài)微分單穩(wěn)態(tài)uiuO1uO3uO2延時(shí)(續(xù))單穩(wěn)1微分單穩(wěn)2uiuO1uO3uO2uiuO1uO3uO2tDtP1tP2無穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器tUCotUOot3t2t11)上電時(shí),假設(shè)U6=U2=UC=0,R,S=10,UO=Q=1，MOSoff,C開始充電UC↑2/3UDD2)當(dāng)t1時(shí),U6=U2=UC=1/3UDD

,R,S=11,UO=Q=1(保持),

off,C繼續(xù)充電UC↑3)當(dāng)t2時(shí),

U6=U2=UC=2/3UDD,R,S=01,UO=Q=0,

MOSon,C開始放電→UC↓4)當(dāng)t3時(shí),

U6=U2=UC=1/3UDD,R,S=10,UO=Q=1,

MOSoff,C開始充電→UC↑——多諧振蕩器12345678555UDDUOC1R2CUCR11/3UDDt4方波周期的計(jì)算由三要素法可得，12345678555UDDUOC1R2CUCR1tUCotUOot3t2t12/3UDD1/3UDDt4tP1=τ1ln2=0.7(R1+R2)CtP2=τ2ln2=0.7R2CT=tP1+tP2=0.7(R1+2R2)C振蕩周期為：方波的占空比為：tP1tP2Tδ=tP1T=R1+2R2R1+R2方波周期的調(diào)節(jié)12345678555UDDUOC1R2CUCR1T=tP1+tP2=0.7(R1+2R2)C由振蕩周期可知，改變R1或R2，均可改變方波的周期T但是同時(shí)，方波的占空比也可能發(fā)生變化！tUCotUOot3t2t12/3UDD1/3UDDt4tP1tP2T狀態(tài)表U6U2RSQQMOS>2/3UDD>1/3UDD0101導(dǎo)通<2/3UDD<1/3UDD1010截止<2/3UDD>1/3UDD11保持保持RQQSRDC156271348C2RRRTHRDGNDUDDUODiscTL2/3UDD1/3UDD簡(jiǎn)單應(yīng)用簡(jiǎn)易溫控電路12345678Rt555UDDUOR1CR2Rt——負(fù)溫MTC1、溫度↑→Rt↓→U6U2↑當(dāng)U6>2/3UDD,U2