GBT 12963-2022 電子級多晶硅

2022-12-30發(fā)布2023-07-01實(shí)施國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)I本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件代替GB/T12963—2014《電子級多晶硅》,與GB/T12963—2014相比，除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外，主要技術(shù)變化如下：a)更改了適用范圍(見第1章，2014年版的第1章);b)更改了牌號要求(見4.1,2014年版的4.1.1);c)更改了產(chǎn)品等級(見4.2,2014年版的4.1.2);d)更改了不同等級電子級多晶硅的技術(shù)指標(biāo)(見5.1,2014年版的4.2);e)更改了結(jié)構(gòu)要求(見5.3,2014年版的4.4);f)更改了試驗(yàn)方法的內(nèi)容(見第6章，2014年版的第5章);g)更改了檢驗(yàn)項(xiàng)目的要求(見7.3,2014年版的6.3);h)更改了取樣及制樣的內(nèi)容(見7.4.1,2014年版的6.4.1);i)更改了氧含量的檢驗(yàn)結(jié)果判定(見7.5.2,2014年版的6.5.1);j)更改了標(biāo)志的內(nèi)容(見8.1,2014年版的7.1);k)更改了隨行文件的內(nèi)容(見8.5,2014年版的7.5)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本文件起草單位：江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、麥斯克電子材料股份有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司、新特能源股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、上海賽夫特半導(dǎo)體材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、東方電氣(樂山)峨半高純材料有限公司。本文件于1991年首次發(fā)布，1996年第一次修訂，2009年第二次修訂，2014年第三次修訂，本次為第四次修訂。11范圍隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于以氯硅烷、硅烷制得的電子級多晶硅(以下簡稱“多晶硅”)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T4059硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法GB/T4060硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法GB/T4061硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號表示方法GB/T24574硅單晶中Ⅲ-V族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法GB/T24581硅單晶中Ⅲ、V族雜質(zhì)含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T24582酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)GB/T29057用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價(jià)多晶硅棒的規(guī)程GB/T35306硅單晶中碳、氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T37049電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4牌號和類別4.1多晶硅的牌號表示應(yīng)符合GB/T14844的規(guī)定。4.2多晶硅按外形分為塊狀多晶硅和棒狀多晶硅，按導(dǎo)電類型分為n型和p型，按技術(shù)指標(biāo)的差別分25技術(shù)要求5.1技術(shù)指標(biāo)多晶硅的等級及相關(guān)技術(shù)指標(biāo)應(yīng)符合表1的規(guī)定。表1多晶硅等級及技術(shù)指標(biāo)技術(shù)指標(biāo)要求特級品施主雜質(zhì)含量(P、As、Sb總含量，以原子數(shù)計(jì))受主雜質(zhì)含量(B、Al總含量，以原子數(shù)計(jì))碳含量(以原子數(shù)計(jì))基體金屬雜質(zhì)含量(Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na總含量)表面金屬雜質(zhì)含量(Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na、Ti、Mo、W、Co總含量)注：多晶硅的導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命和氧含量由供需雙方協(xié)商確定。5.2尺寸及允許偏差5.2.1塊狀多晶硅具有無規(guī)則的形狀和隨機(jī)尺寸分布，其線性尺寸應(yīng)為6mm～150mm,混裝時(shí)，線性尺寸小于6mm的硅塊應(yīng)不超過總重量的1%;若對尺寸有其他要求時(shí)，可由供需雙方協(xié)商確定。5.2.2棒狀多晶硅的直徑及長度要求可由供需雙方協(xié)商確定，其直徑偏差應(yīng)不大于5%。多晶硅應(yīng)無氧化夾層和溫度夾層。5.4表面質(zhì)量5.4.1多晶硅表面結(jié)構(gòu)應(yīng)致密、平整，斷面邊緣顆粒不大于3mm。5.4.2多晶硅的外觀應(yīng)無色斑、變色及可見的污染物。5.4.3如對多晶硅的表面質(zhì)量有其他要求，由供需雙方協(xié)商確定。6試驗(yàn)方法6.1對多晶硅進(jìn)行施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命、氧含量檢驗(yàn)前應(yīng)按照GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的方法制成單晶試樣。6.2多晶硅中施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量的檢驗(yàn)按GB/T24574或GB/T24581的規(guī)定進(jìn)行。仲裁檢驗(yàn)按GB/T24581的規(guī)定進(jìn)行。36.3多晶硅中碳含量的檢驗(yàn)按GB/T1558或GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。仲裁檢驗(yàn)按GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。6.4多晶硅基體金屬雜質(zhì)含量的檢驗(yàn)按GB/T37049的規(guī)定進(jìn)行。6.5多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量的檢驗(yàn)按GB/T24582的規(guī)定進(jìn)行。6.6多晶硅導(dǎo)電類型的檢驗(yàn)按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。6.7多晶硅電阻率的檢驗(yàn)按GB/T1551的規(guī)定進(jìn)行。6.8多晶硅少數(shù)載流子壽命的檢驗(yàn)按GB/T1553的規(guī)定進(jìn)行。6.9多晶硅中氧含量的檢驗(yàn)按GB/T1557或GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。仲裁檢驗(yàn)按GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。6.10塊狀多晶硅的尺寸分布范圍用過篩檢驗(yàn)。棒狀多晶硅尺寸及偏差用相應(yīng)精度的量具測量。6.11多晶硅結(jié)構(gòu)(氧化夾層、溫度夾層)的檢驗(yàn)按GB/T4061的規(guī)定進(jìn)行。6.12多晶硅的斷面邊緣顆粒尺寸用相應(yīng)精度的量具測量，其他表面質(zhì)量目視檢查。7檢驗(yàn)規(guī)則7.1檢查和驗(yàn)收7.1.1產(chǎn)品由供方或第三方進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單的規(guī)定。7.1.2需方可對收到的產(chǎn)品按本文件的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。若檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)以書面形式向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一規(guī)格、同一等級、同一工藝生產(chǎn)的多晶硅組成。7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目7.3.1每批產(chǎn)品應(yīng)對施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、基體金屬雜質(zhì)含量、表面金屬雜質(zhì)含量、尺7.3.2導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命、氧含量由供需雙方協(xié)商確定是否檢驗(yàn)并在訂貨單中注明。7.4取樣及制樣7.4.1施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、導(dǎo)電類型、少表面金屬雜質(zhì)含量、尺寸及允許偏差、表面質(zhì)量的取樣及制樣由供需雙方協(xié)商確定。7.4.2電阻率的取樣及制樣按GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的規(guī)定進(jìn)行，氧化夾層和溫度夾層的取樣及制樣按GB/T4061的規(guī)定進(jìn)行。仲裁時(shí)取樣及制樣由供需雙方協(xié)商確定。7.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定7.5.1多晶硅的施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、基體金屬雜質(zhì)含量、表面金屬雜質(zhì)含量的檢驗(yàn)結(jié)果中如有任一試樣的任一檢驗(yàn)項(xiàng)目不合格時(shí)，則加倍取樣對該不合格的項(xiàng)目進(jìn)行重復(fù)試驗(yàn)。重復(fù)試驗(yàn)結(jié)果仍有不合格者，判該批產(chǎn)品不合格。7.5.2導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命、氧含量、尺寸及允許偏差、結(jié)構(gòu)、表面質(zhì)量檢驗(yàn)結(jié)果的判定由供需雙方協(xié)商確定。4c)供方名稱。產(chǎn)品裝入潔凈的聚乙烯包裝袋內(nèi)密封。包裝時(shí)應(yīng)防止聚乙烯包裝袋破損，以避免產(chǎn)品外來沾污，并提供良好保護(hù)，裝入外包裝箱。多晶硅的包裝也可由供需雙方協(xié)商確定。每批產(chǎn)品應(yīng)附有隨行文件，其中除應(yīng)包括供方信息、產(chǎn)品信息、本文件編號、出廠日期或包裝日期