模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)+（孫肖子）-第四單元-25（雙極型晶體管極限參數(shù)及舉例）

四、晶體管的極限參數(shù)

1.擊穿電壓

U(BR)CBO指e極開(kāi)路時(shí)，c-b極間的反向擊穿電壓。

U(BR)CEO指b極開(kāi)路時(shí)，c-e極間的反向擊穿電壓。

U(BR)CEO<U(BR)CBO

U(BR)EBO指c極開(kāi)路時(shí)，e-b極間的反向擊穿電壓。普通晶體管該電壓值比較小，只有幾伏。2.集電極最大允許電流ICM

β與iC的大小有關(guān)，隨著iC的增大，β值會(huì)減小。ICM一般指β下降到正常值的2/3時(shí)所對(duì)應(yīng)的集電極電流。當(dāng)iC>ICM時(shí)，雖然管子不致于損壞，但β值已經(jīng)明顯減小。因此，晶體管線性運(yùn)用時(shí)，iC不應(yīng)超過(guò)ICM。3.集電極最大允許耗散功率PCMPCM與管芯的大小、材料、散熱條件及環(huán)境溫度等因素有關(guān)。PCM在輸出特性上為一條IC與UCE乘積為定值PCM的雙曲線，稱(chēng)為PCM功耗線，如下圖所示。晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，在c結(jié)上要消耗一定的功率，從而導(dǎo)致c結(jié)發(fā)熱，結(jié)溫升高。當(dāng)結(jié)溫過(guò)高時(shí)，管子的性能下降，甚至?xí)龎墓茏?，因此有一個(gè)功耗限額。PC=IC·UCEuCEiC0工作區(qū)安全I(xiàn)CMPCMU(BR)CEO擊穿電壓U(BR)CEO

PCM=IC·UCE為了確保管子有效安全工作，使用時(shí)不應(yīng)超出這一工作區(qū)。最大電流ICM 五.溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響溫度對(duì)晶體管的uBE、ICBO和β有不容忽視的影響。其中，uBE、ICBO隨溫度變化的規(guī)律與PN結(jié)相同，即

溫度每升高1℃，uBE減?。?~2.5）mV；溫度每升高10℃，ICBO增大一倍。

溫度對(duì)uBE、ICBO和β的影響，其結(jié)果反映在輸出特性曲線上，表現(xiàn)為溫度升高曲線上移且間隔增大。

溫度對(duì)β的影響表現(xiàn)為，β隨溫度的升高而增大，變化規(guī)律是：溫度每升高1℃，β值增大0.5%~1%(即Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。▲▲▲◎【例1】晶體管工作狀態(tài)及放大狀態(tài)下管型、電極的判別

一.工作狀態(tài)判別：放大狀態(tài)飽和狀態(tài)截止?fàn)顟B(tài)放大狀態(tài)[舉例]

判別圖示中晶體管的工作狀態(tài)【例2】晶體管工作在放大狀態(tài)下管型、電極的判別1.根據(jù)放大管的電極電流判別規(guī)律：電流從e極流出，從b、c極流入，則為NPN管；電流從e極流入，從b、c極流出，則為PNP管；[舉例]

判別圖示中晶體管的管型、電極并確定β值。eee

b

b

b

c

c

cPNP型NPN型NPN型β=4.9/0.1=49β=1.98/0.02=99β=3/0.05=602.根據(jù)放大管的電極電位判別

規(guī)律：e結(jié)電壓為0.7V時(shí)為硅管，0.3V時(shí)為鍺管；c極電位最高、e極電位最低，則為NPN管；

c極電位最低、e極電位最高，則為PNP管；eeeebbbb

c

c

c

c

硅PNP硅NPN鍺N