2024鑄造單晶硅材料性能評價技術(shù)規(guī)范

鑄造單晶硅材料性能評價技術(shù)規(guī)范目 次前言 錯誤！未定義書簽。范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語和定義 1技術(shù)要求 1外觀質(zhì)量 1電學性能 1間隙氧含量和代位碳含量 1位錯缺陷 2單晶面積比例 2檢驗方法 2外觀質(zhì)量的檢驗 2電學性能的檢驗 2間隙氧含量和代位碳含量的檢驗 2位錯缺陷的檢驗 2單晶面積比例的檢驗 2檢驗規(guī)則 2檢查和驗收 2組批 2檢驗項目 2取樣規(guī)則 2結(jié)果判定 3I鑄造單晶硅材料性能評價技術(shù)規(guī)范范圍本文件規(guī)定了鑄造單晶硅材料的術(shù)語和定義、技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則。本文件適用于鑄造單晶硅錠開方后的硅塊的性能評價。規(guī)范性引用文件（包括所有的修改單適用于本文件。GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1551—2021硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法GB/T1557—2018硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558—2009硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T2297太陽光伏能源系統(tǒng)術(shù)語GB/T2828.1—2012計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T14264半導體材料術(shù)語GB/T26068—2018硅片和硅錠載流子復合壽命的測試非接觸微波反射光電導衰減法GB/T29054—2019太陽能電池用鑄造多晶硅塊術(shù)語和定義GB/T2297和GB/T14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1鑄造單晶硅Castingmonocrystallinesilicon引入單晶籽晶，以定向凝固法生長形成的單晶硅。技術(shù)要求外觀質(zhì)量硅塊應無目視可見的裂紋、崩邊、缺口。4Ra0.2μm。90o±0.15o。電學性能P/NP0.5Ω·cm～1.5Ω·cm，N0.3Ω·cm～7Ω·cm。P1.2μs3μs，N5μs。間隙氧含量和代位碳含量4.×17atms/5.×17atos/c3。1位錯缺陷硅塊的任一橫截面的光致發(fā)光（PL）測試圖像上顯示的位錯缺陷面積比例應不大于橫截面積的4.5%。單晶面積比例鑄造單晶硅片的單晶面積比例為：I類10099II類＜10090III類＜9990檢驗方法外觀質(zhì)量GB/T29054—2019，4.11硅塊側(cè)面的表面粗糙度檢驗使用表面粗糙度儀。硅塊側(cè)面的垂直度檢驗使用萬能角度尺或相應精度的量具。電學性能的檢驗GB/T1550GB/T1551—2021GB/T26068—2018間隙氧含量和代位碳含量的檢驗硅塊的間隙氧含量檢驗在距離硅塊底部30mm處取樣，按GB/T1557—2018的規(guī)定進行；硅塊的代位碳含量檢驗在距離硅塊頂部30mm處取樣，按GB/T1558—2009的規(guī)定進行。位錯缺陷的檢驗將開方后鑄造單晶硅塊最頂部切割出厚度30mm的硅塊，利用光致發(fā)光（PL）測試儀進行檢驗，計算出位錯缺陷面積比例。單晶面積比例的檢驗利用晶花分選機，進行自動計算硅片的單晶面積比例。檢驗規(guī)則（或合同硅塊應成批提交驗收，每批應由相同工藝生產(chǎn)的同一外形尺寸、導電類型和電阻率范圍的硅塊組成。檢驗項目每批硅塊應對外形尺寸、導電類型、電阻率、載流子壽命及表面質(zhì)量進行檢驗。每批硅塊應對間隙氧含量、代位碳含量、位錯缺陷進行檢驗。每批硅塊應對所切硅片的單晶面積比例占比進行檢驗。取樣規(guī)則外觀質(zhì)量檢驗、紅外探傷、硅塊位錯缺陷的檢驗應逐塊進行。GB/T2828.1—2012間隙氧含量、代位碳含量的檢驗取樣從同一硅錠中間和邊緣各取一硅塊