(高清版)GBT 39842-2021 集成電路（IC）卡封裝框架

ICS31.200國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T39842—2021本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：山東新恒匯電子科技有限公司。1GB/T39842—20211范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了集成電路(IC)卡封裝框架(以下簡(jiǎn)稱IC卡封裝框架)的技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)本標(biāo)準(zhǔn)適用于IC卡封裝框架，包括接觸式IC卡封裝框架和非接觸式IC卡封裝框架。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有修改單)適用于本文件。GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫GB/T2423.17電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka:鹽霧GB/T2423.50環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)GB/T2423.51—2020環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ke:流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T3922紡織品色牢度試驗(yàn)?zāi)秃節(jié)n色牢度GB/T13557印制電路用撓性覆銅箔材料試驗(yàn)方法GB/T16545—2015金屬和合金的腐蝕腐蝕試樣上腐蝕產(chǎn)物的清除GB/T16649.2識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡第2部分：觸點(diǎn)的尺寸和位置GB/T16921—2005金屬覆蓋層覆蓋層厚度測(cè)量X射線光譜法GB/T17554.1識(shí)別卡測(cè)試方法第1部分：一般特性測(cè)試GB/T25933—2010高純金GB/T25934—2010(所有部分)高純金化學(xué)分析方法GB/T32642—2016平板顯示器基板玻璃表面粗糙度的測(cè)量方法3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。IC卡封裝框架ICcardpackagingframework由絕緣材料與帶圖形的導(dǎo)電材料疊壓而成，是保護(hù)芯片的載體，也是芯片與外部設(shè)備進(jìn)行信息交換的接口。注：從數(shù)據(jù)傳輸方式上可分為單界面接觸式IC卡封裝框架、雙界面接觸式IC卡封裝框架和非接觸式IC卡封裝3.2單界面接觸式IC卡封裝框架singlesideICcardpackagingframework只能以接觸的方式，實(shí)現(xiàn)與外部設(shè)備信息交換的IC卡封裝框架。2接觸塊contactpin位于雙界面IC卡封裝框架壓焊面上的導(dǎo)電體圖形，用于壓焊金線的金屬點(diǎn)。GB/T39842—20213.14壓焊塊bondingblock位于雙界面IC卡封裝框架壓焊面上的導(dǎo)電體圖形，用于連接卡基天線的金屬塊。圖16Pin單/雙界面IC卡封裝框架接觸面圖28Pin單/雙界面IC卡封裝框架接觸面圖36Pin單界面IC卡封裝框架壓焊面300O腔孔□O□□0◆壓焊孔。6OO。。●●。00O0000焊接塊OOO00000Q0O0O00OQ0O0圖56Pin雙界面IC卡封裝框架壓焊面5之1口?心心之1口?心心:通通焊接塊□□壓焊孔0。匪期典用排用OO4.1集成電路(IC)卡封裝框架結(jié)構(gòu)6GB/T39842—2021表面處理層絕緣材料層表面處理層壓焊孔圖8單界面接觸式IC封裝框架截面圖4.1.2雙界面接觸式IC封裝框架截面圖見圖9。表面處理層導(dǎo)電金屬層絕緣材料層表面處理層壓焊點(diǎn)壓焊孔圖9雙界面接觸式IC封裝框架截面圖4.1.3非接觸式IC封裝框架截面圖見圖10。焊接塊絕緣材料層圖10非接觸式IC封裝框架截面圖4.2外形尺寸及公差接觸塊最小尺寸及位置應(yīng)符合GB/T16649.2中觸點(diǎn)尺寸和位置的規(guī)定。外形尺寸及公差見表1。外形尺寸標(biāo)注示意圖見圖11、圖12、圖13。7GB/T39842—2021表1外形尺寸及公差參數(shù)單位標(biāo)稱值符號(hào)公差I(lǐng)C卡封裝框架總厚度mm士0.02IC卡封裝框架寬度mmW士0.075X向齒孔中心距離mm4.75Y向齒孔中心距離mm31.83士0.02齒孔徑mm士0.05X向腔孔中心距離mmY向腔孔中心距離mm士0.02齒孔中心到框架邊距離mm士0.075腔孔到參考點(diǎn)距離mm士0.02壓焊孔、腔徑mm士0.02mmL士0.2接觸塊到參考點(diǎn)距離mmmmY?士0.075導(dǎo)線間距mmb?士0.05mm<0.25b?士0.03不良品標(biāo)記孔徑mmA士0.1不良品標(biāo)記孔到參考點(diǎn)距離mmX?士0.1mmY?士0.1圖11外形尺寸18GB/T39842—2021圖12外形尺寸24.3鍍層鍍層厚度應(yīng)符合表2的規(guī)定。圖13外形尺寸3代號(hào)接觸面P閃鍍(Flash)TMLSDGW其他4.3.2金屬層表面粗糙度金屬層表面粗糙度應(yīng)符合表3的規(guī)定。表3金屬層表面粗糙度參數(shù)指標(biāo)接觸面金屬層粗糙度壓焊面金屬層粗糙度9鍍金層純度應(yīng)符合GB/T25933—2010的規(guī)定。4.4金屬層剝離強(qiáng)度金屬層與絕緣層的剝離強(qiáng)度應(yīng)不小于1N/mm。單個(gè)IC卡封裝框架表面平整度應(yīng)不大于50μm。4.5.235mm寬度IC卡封裝框架翹曲35mm寬度IC卡封裝框架翹曲應(yīng)不大于1mm。壓焊孔、腔孔溢膠最大值E應(yīng)不大于100μm,見圖14。壓焊孔、腔孔毛刺最大值M應(yīng)不大于100μm,見圖15。圖14溢膠示意圖GB/T39842—2021圖15毛刺示意圖耐溫性應(yīng)符合表4的規(guī)定。GB/T39842—2021表4耐溫性試驗(yàn)條件合格判據(jù)高溫錫焊溫度288℃±5℃,持續(xù)時(shí)間10s導(dǎo)電金屬與絕緣材料不分層溫度穩(wěn)定性溫度260℃±5℃,持續(xù)時(shí)間3min導(dǎo)電金屬與絕緣材料不分層恒定濕熱溫度85℃,相對(duì)濕度85%,持續(xù)時(shí)間504h導(dǎo)電金屬與絕緣材料不分層高壓蒸煮溫度121℃±2℃,絕對(duì)氣壓0.2MPa,相對(duì)濕度100%,持續(xù)時(shí)間24h導(dǎo)電金屬與絕緣材料不分層24h后金屬層剝離強(qiáng)度大于0.2N/mm人工汗液的配制方法應(yīng)符合GB/T3922的規(guī)定。耐化學(xué)性應(yīng)符合表5的規(guī)定。合格判據(jù)5%氯化鈉溶液浸泡1min外觀無明顯變化5%乙酸溶液浸泡1min外觀無明顯變化5%碳酸鈉溶液浸泡1min外觀無明顯變化60%乙醇溶液浸泡1min外觀無明顯變化10%蔗糖溶液浸泡1min外觀無明顯變化FuelB(ISO1817)浸泡1min外觀無明顯變化50%的乙烯乙二醇浸泡1min外觀無明顯變化人造汗液堿溶液浸泡24h外觀無明顯變化人工汗液酸溶液浸泡24h外觀無明顯變化鹽霧應(yīng)符合表6的規(guī)定。表6鹽霧表面厚度代號(hào)合格判據(jù)鹽霧試驗(yàn)(24h)全部水洗后，表面電阻<500mΩ鹽霧試驗(yàn)(48h)P、T酸洗后，腐蝕點(diǎn)≤100個(gè)/cm2鹽霧試驗(yàn)(96h)M、L、S、D、G、W、其他酸洗后，腐蝕點(diǎn)≤100個(gè)/cm2流動(dòng)混合氣體濃度應(yīng)符合GB/T2423.51—2020中表1方法1的規(guī)定。流動(dòng)混合氣體腐蝕96h,酸洗后腐蝕點(diǎn)≤100個(gè)/cm2。5檢驗(yàn)方法5.1外觀檢驗(yàn)方法5.1.1檢驗(yàn)環(huán)境檢驗(yàn)人員在檢驗(yàn)IC卡封裝框架外觀時(shí)，應(yīng)在10萬(wàn)級(jí)的潔凈室中，穿無塵衣、戴無塵帽、戴口罩、戴手指套，不能直接用手去觸摸IC卡封裝框架表面，避免因裸手接觸造成IC卡封裝框架污染。5.1.2目測(cè)方法IC卡封裝框架檢驗(yàn)時(shí)，應(yīng)使用專用的、配有電機(jī)和光源的框架檢驗(yàn)工作臺(tái)，工作臺(tái)應(yīng)干凈，平整。檢驗(yàn)時(shí)應(yīng)在光源下，距IC卡封裝框架30cm～40cm,眼睛與集成電路(IC)卡封裝框架表面保持裝框架桌子5.1.3外觀測(cè)量方法外觀測(cè)量方法按表7的規(guī)定。表7外觀測(cè)量方法檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)要求章條號(hào)檢驗(yàn)方法外形尺寸及公差4.2使用滿足測(cè)量精度的量具或工具進(jìn)行測(cè)量鍍層厚度4.3.1按GB/T16921—2005測(cè)量金屬層剝離強(qiáng)度4.4按GB/T13557測(cè)量金屬層表面粗糙度4.3.2按GB/T32642—2016測(cè)量鍍金層純度4.3.3按GB/T25934—2010測(cè)量5.2可靠性檢驗(yàn)方法可靠性檢驗(yàn)方法按表8的規(guī)定。表8可靠性檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)要求章條號(hào)檢驗(yàn)方法耐溫性按附錄A進(jìn)行高壓蒸煮測(cè)試按GB/T2423.2進(jìn)行溫度穩(wěn)定性測(cè)試按GB/T2423.50進(jìn)行恒定濕熱測(cè)試按附錄B進(jìn)行高溫錫焊測(cè)試GB/T39842—2021檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)要求章條號(hào)檢驗(yàn)方法耐化學(xué)性4.6.2按GB/T17554.1測(cè)試鹽霧4.6.3按GB/T2423.17、GB/T16545—2015測(cè)試流動(dòng)混合氣體腐蝕4.6.4按GB/T2423.51—2020、GB/T16545—2015測(cè)試6檢驗(yàn)規(guī)則6.1檢驗(yàn)分類檢驗(yàn)分為：a)出廠檢驗(yàn)；b)型式檢驗(yàn)。6.2出廠檢驗(yàn)一個(gè)檢驗(yàn)批應(yīng)由相同類型，在相同的條件下，采用相同原材料和工藝生產(chǎn)，并在同一時(shí)間內(nèi)提交檢驗(yàn)的產(chǎn)品組成。應(yīng)按GB/T2828.1規(guī)定的一般檢查水平Ⅱ和一次正常抽樣方案，從提交的檢驗(yàn)批中按表9規(guī)定隨機(jī)抽取試樣。表9抽樣分組檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)要求章條號(hào)出廠檢驗(yàn)型式檢驗(yàn)抽樣方案A組外觀要求B組外形尺寸及公差A(yù)QL=0.65鍍層厚度4.3.1金屬層剝離強(qiáng)度金屬層表面粗糙度4.3.2鍍金層純度4.3.3耐溫性4.6.1耐化學(xué)性4.6.2鹽霧4.6.3流動(dòng)混合氣體腐蝕4.6.4應(yīng)按表9規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。GB/T39842—2021A組檢驗(yàn)100%進(jìn)行，剔除不合格品；B組檢驗(yàn)從通過A組檢驗(yàn)的檢驗(yàn)批中，按表9規(guī)定抽樣進(jìn)行。一個(gè)或多個(gè)試樣有一項(xiàng)或多項(xiàng)檢驗(yàn)未通過表9規(guī)定的檢驗(yàn)，則判定為不合格。若檢驗(yàn)批中不合格品數(shù)大于表9中AQL值所對(duì)應(yīng)的允許不合格判定數(shù)時(shí)，則加倍抽樣，對(duì)不合格a)新產(chǎn)品生產(chǎn)試制定型鑒定；c)產(chǎn)品停產(chǎn)3個(gè)月及其以上，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；d)出廠檢驗(yàn)結(jié)果與上次檢驗(yàn)存在較大差異時(shí)。按表9規(guī)定。應(yīng)按表9規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。50個(gè)試樣先進(jìn)行A組檢驗(yàn)，經(jīng)A組檢驗(yàn)合格后，再進(jìn)行B組檢驗(yàn)。B組的檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)按有關(guān)產(chǎn)品規(guī)范中的規(guī)定進(jìn)行。一個(gè)或多個(gè)試樣有一項(xiàng)或多項(xiàng)檢驗(yàn)未通過表9規(guī)定的檢驗(yàn)，則型式試驗(yàn)不合格。IC卡封裝框架以卷狀的形式，中間加隔離膜進(jìn)行包裝后，再用塑料袋包裝進(jìn)行抽真空。每?jī)删頌槊勘PIC卡封裝框架均需帶有標(biāo)簽。標(biāo)簽上須標(biāo)明以下內(nèi)容：a)制造單位名稱(或商標(biāo));b)客戶產(chǎn)品編號(hào)；c)廠內(nèi)產(chǎn)品編號(hào)；d)合格數(shù)和缺陷數(shù)；e)接頭數(shù)；f)批號(hào)；GB/T39842—2021g)表面處理日期；h)合格章。8貯存IC卡封裝框架原包裝密封儲(chǔ)存且符合以下貯存條件，保質(zhì)期12個(gè)月(從表面處理日期開始):b)相對(duì)濕度：50%±10%。9運(yùn)輸IC卡封裝框架在運(yùn)輸裝卸過程中，外包裝不應(yīng)破損，注意輕拿輕放，不能投擲、重壓，避免日曬雨淋。GB/T39842—2021(規(guī)范性附錄)高壓蒸煮試驗(yàn)A.1目的A.2設(shè)備A.2.1高壓蒸汽試驗(yàn)箱，工作區(qū)域絕對(duì)氣壓達(dá)到0.2MPa(2barA.3試驗(yàn)條件試驗(yàn)條件如下：c)試驗(yàn)濕度：相對(duì)濕度100%;A.4試驗(yàn)程序A.4.1初始檢測(cè)對(duì)試樣進(jìn)行外觀檢查(必要時(shí)做金相分析),確保導(dǎo)電金屬與絕緣材料不分層。A.4.2試驗(yàn)方法將試樣在正常氣候條件下恢復(fù)24h。A.4.4最終檢測(cè)對(duì)試樣進(jìn)行外觀(必要時(shí)做金相分析)和金屬層剝離強(qiáng)度檢測(cè)。GB/T39842—2021(規(guī)范性附錄)高溫錫焊試驗(yàn)評(píng)價(jià)導(dǎo)電金屬層與絕緣材料層的抗高溫焊接的能力。B.2設(shè)備B.2.1具有可控恒溫器的電熱焊錫槽，容積要能足以保證試樣浸入以后，與槽壁槽底的距離不得小于10mm,焊錫槽里的成分如下：a)錫：59%～60%;c)銅：1%最大；B.2.3