2023年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、運(yùn)行格局及投資前景分析報(bào)告（智研咨詢）

2023年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、運(yùn)行格局及投資前景分析報(bào)告（智研咨詢）內(nèi)容概述：2019年，由于全球2019年上半年原廠和品牌廠都面臨著很大的庫(kù)存和出貨壓力，導(dǎo)致帶動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)需求下降，2020年開始恢復(fù)供需平衡狀態(tài)，2022年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)量約為32.55億塊，需求量約為36.8億塊。從市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看，中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，占比第一的存儲(chǔ)器為DRAM存儲(chǔ)器，占比為35.33%。其次為機(jī)械硬盤，占比32.54%，第三為NRAMFlash存儲(chǔ)器，占比為27.18%。關(guān)鍵字：中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模、供需情況、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)一、存儲(chǔ)器概述存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具有記憶存儲(chǔ)功能的設(shè)備，負(fù)責(zé)程序、數(shù)據(jù)信息的存儲(chǔ)和管理。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（RAM）、輔助存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器（ROM）、緩存存儲(chǔ)器、虛擬存儲(chǔ)器等。在中國(guó)市場(chǎng)上，主流的存儲(chǔ)器類型是閃存存儲(chǔ)器，特別是固態(tài)硬盤（SolidStateDrive，SSD），屬于輔助存儲(chǔ)器的一種，其速度快、耐用性強(qiáng)、體積小、噪音小、低功耗、可靠性高等特點(diǎn)深受用戶的喜歡，盡管SSD在性能和其他方面具有優(yōu)勢(shì)，但與HDD相比，SSD的成本仍然相對(duì)較高。因此，在容量較大需求且預(yù)算有限的情況下，某些用戶可能仍然會(huì)選擇傳統(tǒng)HDD。二、政策近年來(lái)，隨著國(guó)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)我國(guó)的打壓程度的加劇，國(guó)家相繼出臺(tái)半導(dǎo)體、集成電路等產(chǎn)業(yè)政策，扶持中國(guó)集成電路、存儲(chǔ)器等產(chǎn)業(yè)健康良好的發(fā)展，2021年國(guó)家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室出臺(tái)《數(shù)字中國(guó)發(fā)展報(bào)告（2020年）》，我國(guó)持續(xù)保持優(yōu)勢(shì)，超級(jí)計(jì)算機(jī)臺(tái)數(shù)占比達(dá)45%，國(guó)產(chǎn)中央處理器及存儲(chǔ)器與國(guó)外先進(jìn)水平差距縮小。我國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)在進(jìn)步，逐漸趕超發(fā)達(dá)國(guó)家。三、產(chǎn)業(yè)鏈存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)較為清晰，上游由印刷電路集成、無(wú)線射頻零件、電容器、電阻器、芯片、數(shù)字集成電路等組成；產(chǎn)業(yè)鏈中游為存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，國(guó)內(nèi)主要生產(chǎn)商為浪潮信息、中科曙光、愛數(shù)、華為等優(yōu)質(zhì)企業(yè)；產(chǎn)業(yè)鏈下游為存儲(chǔ)器的引用領(lǐng)域，主要為家用電器、醫(yī)療設(shè)備產(chǎn)品、日用電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)設(shè)備、媒介儲(chǔ)存裝置、計(jì)算機(jī)附件等領(lǐng)域。存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域較為廣泛，隨著家用電器的智能化，存儲(chǔ)器又增加了新的應(yīng)用領(lǐng)域，根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈下游主要應(yīng)用為手機(jī)、其占比為44.75%，占據(jù)了近半數(shù)的市場(chǎng)份額，其次為電腦領(lǐng)域，占比為13.13%，服務(wù)器占比12.35%，消費(fèi)電子占比8.52%，顯卡占比7.25%，其他領(lǐng)域占比14%。相關(guān)報(bào)告：智研咨詢發(fā)布的《中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略及發(fā)展趨向分析報(bào)告》四、全球存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。隨著現(xiàn)代電子信息系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)出貨量持續(xù)大幅增長(zhǎng)，另一方面，由于存儲(chǔ)晶圓制程基本按照摩爾定律不斷取得突破，單位存儲(chǔ)成本在長(zhǎng)期曲線中呈現(xiàn)單邊下降趨勢(shì)。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？傮w呈現(xiàn)上漲態(tài)勢(shì)，其中在2019年，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出下降態(tài)勢(shì)，在全球經(jīng)濟(jì)疲軟的大環(huán)境下，2019上半年原廠和品牌廠都面臨著很大的庫(kù)存和出貨壓力，導(dǎo)致NANDFlash和DRAM量?jī)r(jià)齊跌，因此原廠不得不使用減產(chǎn)策略，以平衡市場(chǎng)供需，并寄望下半年市況有所好轉(zhuǎn)，2022年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為1717億美元。五、中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)近年來(lái)持續(xù)擴(kuò)大。隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型、云計(jì)算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和5G技術(shù)的推進(jìn)，對(duì)存儲(chǔ)器的需求持續(xù)增加。大數(shù)據(jù)、高清視頻、虛擬化和邊緣計(jì)算等應(yīng)用的興起，也推動(dòng)了存儲(chǔ)器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。中國(guó)的存儲(chǔ)器制造商逐漸嶄露頭角。一些本土企業(yè)積極投入存儲(chǔ)器研發(fā)和制造領(lǐng)域，努力實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主創(chuàng)新。這種趨勢(shì)有助于降低國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的對(duì)外依賴，提升本土產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？傮w呈現(xiàn)上漲態(tài)勢(shì)，2019年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模受全球存儲(chǔ)器行業(yè)的影響，市場(chǎng)規(guī)模有所下降，2022年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為7801.19億元，產(chǎn)值約為5026.39億元。從中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)供需情況來(lái)看，產(chǎn)量與需求量逐年上漲，2019年，由于全球2019年上半年原廠和品牌廠都面臨著很大的庫(kù)存和出貨壓力，導(dǎo)致帶動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)需求下降，2020年開始恢復(fù)供需平衡狀態(tài)，2022年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)量約為32.55億塊，需求量約為36.8億塊。從市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看，中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，占比第一的存儲(chǔ)器為DRAM存儲(chǔ)器，占比為35.33%。其次為機(jī)械硬盤，占比32.54%，第三為NRAMFlash存儲(chǔ)器，占比為27.18%。六、全球存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局在存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局中，呈現(xiàn)出三足鼎立的競(jìng)爭(zhēng)格局，三星、美光、海力士，三家占比近96%的市場(chǎng)份額，目前，三星是消費(fèi)級(jí)固態(tài)領(lǐng)域的標(biāo)桿品牌，各方面的性能都是比較領(lǐng)先的。三星所有的固態(tài)產(chǎn)品，都是使用自己生產(chǎn)的閃存顆粒，自己生產(chǎn)的主控芯片，自己生產(chǎn)的緩存以及自己生產(chǎn)的固件。三星采用的閃存顆粒是V-NAND，這是一種3DNAND閃存顆粒，采用的是三星獨(dú)有的電荷擷取技術(shù)(CTF，ChargeTrapFlash)生產(chǎn)的。這種CTF技術(shù)最大的優(yōu)勢(shì)，就是可以將代表數(shù)據(jù)的電荷存儲(chǔ)在絕緣層，電荷不容易逃逸。這種技術(shù)相比其它廠家最常用的浮柵技術(shù)（將電荷存儲(chǔ)在半導(dǎo)體里），數(shù)據(jù)穩(wěn)定性更高，而且保存的時(shí)間也更長(zhǎng)。其三星在儲(chǔ)存器行業(yè)占比為43.20%。七、未來(lái)中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)目前我國(guó)已成為全球最大的消費(fèi)類電子市場(chǎng)，其龐大的消費(fèi)群體及旺盛的消費(fèi)需求，吸引全球集成電路產(chǎn)業(yè)向中國(guó)市場(chǎng)轉(zhuǎn)移，提升并豐富了我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)，產(chǎn)業(yè)政策的支持吸引一大批高端人才回國(guó)發(fā)展，人才聚集使得國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步積累了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和核心技術(shù)，為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)替代提供了產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，推動(dòng)自給率提升，為行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。而未來(lái)隨著行業(yè)的技術(shù)升級(jí)，行業(yè)研發(fā)出新型存儲(chǔ)器：PCM將向更高層數(shù)的三維集成發(fā)展。目前,唯一商用的PCM產(chǎn)品英特爾傲騰存儲(chǔ)器第一代僅僅實(shí)現(xiàn)了二層三維集成,2020年發(fā)布的第二代也僅僅做到了四層堆疊。PCM在隨機(jī)讀寫速度和壽命方面相比于NANDFlash都有數(shù)量級(jí)上的優(yōu)勢(shì),三維集成層數(shù)是制約其容量快速發(fā)展的主要瓶頸。英特爾已經(jīng)在著手研發(fā)相關(guān)三維制造技術(shù)。MRAM將更加廣泛地運(yùn)用于嵌入式系統(tǒng)中。目前獨(dú)立式的MRAM由于容量難以進(jìn)一步增長(zhǎng),成本較高,市場(chǎng)應(yīng)用空間有限。未來(lái)MRAM將主要針對(duì)嵌入式市場(chǎng),逐步替代現(xiàn)有的嵌入式閃存技術(shù),將成為嵌入式系統(tǒng)中的主流存儲(chǔ)器。RRAM將與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算深度結(jié)合發(fā)展全新的計(jì)算架構(gòu)。RRAM在傳統(tǒng)存儲(chǔ)領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)并不明顯,新的存儲(chǔ)架構(gòu)將會(huì)是RRAM的發(fā)展機(jī)會(huì)。例如,將RRAM作為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中突觸節(jié)點(diǎn)的權(quán)重存儲(chǔ)單元,或是應(yīng)用于存算一體架構(gòu),從而大幅度提升神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的性能并降低功耗。以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（）發(fā)布的《中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略及發(fā)展趨向分析報(bào)告》。智研咨詢是中國(guó)產(chǎn)業(yè)咨詢領(lǐng)域的信息與情報(bào)綜合提供商。公