數(shù)字電子技術(shù) 第六版 課件 3ch2 分立元件門電路_第1頁
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文檔簡介

3.2

分立元件門電路3.2.1三極管的開關(guān)特性3.2.2二極管門電路3.2.3三極管非門電路第3章集成邏輯門電路

當(dāng)輸入uI為低電平UIL時,使

uBE<Uth時,三極管截止。

iB

0,iC

0,C、E間相當(dāng)于開關(guān)斷開。

1.三極管截止?fàn)顟B(tài)和等效電路一、靜態(tài)開關(guān)特性

uBE<UthBEC三極管截止?fàn)顟B(tài)等效電路uI=UILuBE+-

三極管的門限電壓Uth約為0.5v﹐為保證三極管可靠截止,要求:

uBE≤0V。

3.2.1三極管的開關(guān)特性

三極管臨界飽和時的主要參數(shù)有:

一、靜態(tài)開關(guān)特性

IB(sat)—臨界飽和基極電流IC(sat)—臨界飽和集電極電流,為最大集電極電流UBE(sat)—臨界飽和基射電壓,約為0.7VUCE(sat)—臨界飽和集射電壓,約為0.1-0.3VuI=UIH2.三極管飽和條件和等效電路

設(shè)輸入

uI為高電平UIH時,三極管工作在臨界飽和狀態(tài),此后iB增大,iC不變,三極管飽和,UBE(sat)≈0.7V,UCE(sat)≈0.3V都很小,可忽略不計(jì),

C、E間相當(dāng)于開關(guān)合上。uBE+-三極管飽和狀態(tài)等效電路一、靜態(tài)開關(guān)特性

臨界飽和時基極電流為IB(sat)為確保三極管飽和。要求

iB≥iB(sat)iB愈大于IB(Sat),則飽和愈深。

三極管開關(guān)工作的條件截止條件

飽和條件uBE<

UthiB≥

IB(Sat)

可靠截止條件為uBE≤0

IC(sat)OOOuIiCuOtttUIHUILVCCUCE(sat)0.9IC(sat)ton0.1IC(sat)toff從uI正跳變開始到iC上升到

0.9IC(sat)所需的時間ton稱為三極管開通時間。

通常工作頻率不高時,可忽略開關(guān)時間,而工作頻率很高時,必須考慮開關(guān)速度是否合適,否則導(dǎo)致不能正常工作。從uI負(fù)跳變開始到iC下降到

0.1IC(sat)所需的時間toff稱為三極管關(guān)斷時間。通常

toff>ton開關(guān)時間主要由于電荷存儲效應(yīng)引起,要提高開關(guān)速度,必須降低三極管的飽和深度,加速基區(qū)存儲電荷的消散。二、動態(tài)開關(guān)特性C

E

B

SBD

B

C

E

在普通三極管的基極和集電極之間并接一個肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)

。BCSBD抗飽和三極管的開關(guān)速度高

SBD的導(dǎo)通電壓只有0.4V而非0.7V,因此UBC=0.4V時,SBD便導(dǎo)通,使UBC鉗在0.4V上,降低了三極管的飽和深度,提高了開關(guān)速度。三、抗飽和三極管一、二極管與門電路二極管與門電路邏輯符號與門真值表

001YBA輸出輸入111010000

邏輯表達(dá)式Y(jié)=AB3.2.2二極管門電路一、二極管與門電路使能端:與門任一輸入端都可作使能端。

(a)與門;(b)輸入和輸出波形

使能端B的信號可控制A端的輸入信號能否通過與門傳送到Y(jié)輸出端。使能端B對輸入信號的控制作用:當(dāng)B=0時,輸出Y=0,輸入信號不能通過與門;當(dāng)B=1時,輸入信號通過與門,輸出Y和輸入A信號相同。二、二極管或門電路二極管或門電路邏輯符號邏輯表達(dá)式Y(jié)=A+B或門真值表

101YBA輸出輸入1111100003.2.3三極管非門電路非門真值表

YA輸出輸入0110邏輯符號邏輯表達(dá)式Y(jié)=A1﹑與非門電路復(fù)合邏輯門電路

與非門真值表

101YBA輸出輸入011110100邏輯符號邏輯表達(dá)式Y(jié)=A·B

2﹑或非門電路邏輯符號或非門真值表

001YBA輸出輸入011010100邏輯表達(dá)式Y(jié)=A+B二極管構(gòu)成門電路的缺點(diǎn):1.電平有偏移:輸出的高低電平數(shù)值與輸入的高低電平數(shù)值相差一個二極管的壓降0.7V,后級

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