電網(wǎng)招聘-電子電路基礎(chǔ)知識點講義

電子電路基礎(chǔ)知識點講義

電路根底知識（1）——電阻

導(dǎo)電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號R表示，單位為歐姆、干歐、兆歐，分別用Q、KQ、MQ表示。

一、電阻的型號命名方法：

國產(chǎn)電阻器的型號由四局部組成（不適用敏感電阻）

第一局部：主稱，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。

第二局部：材料，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機實心、N-無機實心、

J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、「玻璃釉膜、X-線繞。

第三局部：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高

頻、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。

第四局部:序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標等

例如：RT11型普通碳膜電阻al}

二、電阻器的分類

1、線繞電阻器：通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。

2、薄膜電阻器：碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積膜電阻器、玻璃

釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。

3、實心電阻器：無機合成實心碳質(zhì)電阻器、有機合成實心碳質(zhì)電阻器。

4、敏感電阻器：壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。

三、主要特性參數(shù)

1、標稱阻值：電阻器上面所標示的阻值。

2、允許誤差：標稱阻值與實際阻值的差值跟標稱阻值之比的百分數(shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。

允許誤差與精度等級對應(yīng)關(guān)系如下：±0.5%-0.05,土M-0.1（或00）、±2%-0.2（或0）、±5%制級、±10方11級、

±2096-111級

3、額定功率：在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為-55℃?+70C的條件下，電阻器長期工作所允許

耗散的最大功率。

線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、

250、500

非線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100

4、額定電壓：由阻值和額定功率換算出的電壓。

5、最高工作電壓：允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時，最高工作電壓較低。

6,溫度系數(shù)：溫度每變化1℃所引起的電阻值的相對變化。溫度系數(shù)越小，電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨溫度升

高而增大的為正溫度系數(shù)，反之為負溫度系數(shù)。

7、老化系數(shù)：電阻器在額定功率長期負荷下，阻值相對變化的百分數(shù)，它是表示電阻器壽命長短的參數(shù)。

8、電壓系數(shù)：在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，電壓每變化1伏，電阻器的相對變化量。

9、噪聲：產(chǎn)生于電阻器中的一種不規(guī)那么的電壓起伏，包括熱噪聲和電流噪聲兩局部，熱噪聲是由于導(dǎo)體內(nèi)部

不規(guī)那么的電子自由運動，使導(dǎo)體任意兩點的電壓不規(guī)那么變化。

四、電阻器阻值標示方法

1、直標法：用數(shù)字和單位符號在電阻器外表標出阻值，其允許誤差直接用百分數(shù)表示，假設(shè)電阻上未注偏差，

那么均為±20%。

2、文字符號法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，其允許偏差也用文字符號表示。

符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。

表示允許誤差的文字符號

文字符號DFGJKM

允許偏差士0.5%±1%±2%±5%±10%±20%

3、數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標稱值的標志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指

數(shù)，即零的個數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號表示。

4、色標法：用不同顏色的帶或點在電阻器外表標出標稱阻值和允許偏差。國外電阻大局部采用色標法。

黑-0、棕T、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無色-±20%

當(dāng)電阻為四環(huán)時，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數(shù)字，第三位為乘方數(shù)，第四位為偏差。當(dāng)電阻

為五環(huán)時，最彳爰一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字，第四位為乘方數(shù)，第五位為偏差。

五、常用電阻器

1、電位器

電位器是一種機電元件，他*電刷在電阻體上的滑動，取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。

1.1合成碳膜電位器

電阻體是用經(jīng)過研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基體外表而成，該工藝簡單，是目前應(yīng)用最廣泛的電位

器。特點是分辯力高耐磨性好，壽命較長。缺點是電流噪聲，非線性大，耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。

1.2有機實心電位器

有機實心電位器是一種新型電位器，它是用加熱塑壓的方法，將有機電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。有機實心電

位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可*性高、耐磨性好的優(yōu)點。但溫度系數(shù)大、動噪聲大、耐潮性

能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可*、高耐磨性的電子設(shè)備以及交、直流電路中用作調(diào)節(jié)電

壓、電流。

1.3金屬玻璃鈾電位器

用絲網(wǎng)印刷法按照一定圖形，將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。特點是：阻值范圍

寬，耐熱性好，過載能力強，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的電位器品種，缺點是接觸電阻和電流噪聲大。

1.4繞線電位器

繞線電位器是將康銅絲或鍥銘合金絲作為電阻體，并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點是接觸電阻小,

精度高，溫度系數(shù)小，其缺點是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分壓器、變阻淵、儀器中調(diào)零和工

作點等。

1.5金屬膜電位器

金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點是分辯力高、耐高溫、溫度系數(shù)小、

動噪聲小、平滑性好。

1.6導(dǎo)電塑料電位器

用特殊工藝將DAP（鄰苯二甲酸二稀丙脂）電阻漿料覆在絕緣機體上，加熱聚合成電阻膜，或?qū)AP電阻粉熱

塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的實心體作為電阻體。特點是：平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長、動噪聲

小、可*性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)彈、飛機雷達天線的伺服系統(tǒng)等。

1.7帶開關(guān)的電位器

有旋轉(zhuǎn)式開關(guān)電位器、推拉式開關(guān)電位器、推推開關(guān)式電位器

1.8預(yù)調(diào)式電位器

預(yù)調(diào)式電位器在電路中，一旦調(diào)試好，用蠟封住調(diào)節(jié)位置，在一般情況下不再調(diào)節(jié)。

1.9直滑式電位器

采用直滑方式改變電阻值。

1.10雙連電位器

有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器

1.11無觸點電位器

無觸點電位器消除了機械接觸，壽命長、可*性高，分光電式電位器、磁敏式電位器等。

2、實芯碳質(zhì)電阻器

用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個實體的電阻器。

特點：價格低廉，但其阻值誤差、噪聲電壓都大，穩(wěn)定性差，目前較少用。

3、繞線電阻器

用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。

繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高，穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點是高

頻性能差，時間常數(shù)大。

4、薄膜電阻器

用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料外表制成。主要如下：

4.1碳膜電阻器

將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器本錢低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是

目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。

4.2金屬膜電阻器。

用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架外表。

金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲，溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。

4.3金屬氧化膜電阻器

在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負載能力強。

4.4合成膜電阻

將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。

由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu)，所以其噪聲大，精度低，主要用他制造高壓，高阻，小型電阻器。

5、金屬玻璃鈾電阻器

將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。

耐潮濕，高溫，溫度系數(shù)小，主要應(yīng)用于厚膜電路。

6、貼片電阻SMT

片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，他的電阻體是高可*的釘系列玻璃鈾材料經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成，電極采用

銀杷合金漿料。體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能好。

7、敏感電阻

敏感電阻是指器件特性對溫度，電壓，濕度，光照，氣體，磁場，壓力等作用敏感的電阻器。

敏感電阻的符號是在普通電阻的符號中加一斜線，并在旁標注敏感電阻的類型，如：t.v等。

7.1、壓敏電阻

主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻，氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。

7.2、濕敏電阻

由感濕層，電極，絕緣體組成，濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻，碳濕敏電阻，氧化物濕敏電阻。氯化鋰濕

敏電阻隨濕度上升而電阻減小，缺點為測試范圍小，特性重復(fù)性不好，受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點為低溫靈

敏度低，阻值受溫度影響大，由老化特性，較少使用。

氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越，可長期使用，溫度影響小，阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。有氧化錫，銀鐵酸鹽，

等材料。

7.3、光敏電阻

光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時、載流子的濃度增加從而增加

了電導(dǎo)率，這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。

7.4、氣敏電阻

利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化復(fù)原反響制成，主要成分是金屬氧化物，主要品種有：金屬氧化物氣

敏電阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。

7.5、力敏電阻

力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻，國外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo)體材料的電阻

率隨機械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)?？芍瞥筛鞣N力矩計，半導(dǎo)體話筒，壓力傳感器等。主要品種有硅力敏電阻器，

硒硅合金力敏電阻器，相對而言，合金電阻器具有更高靈敏度。

電路設(shè)計根底知識（2）一一電容

電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，

控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,lF=10-6uF=10'12pF

一、電容器的型號命名方法

國產(chǎn)電容器的型號一般由四局部組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和

序號。

第一局部：名稱，用字母表示，電容器用C。

第二局部：材料，用字母表示。

第三局部：分類，一般用數(shù)字表示，個別用字母表示。

第四局部：序號，用數(shù)字表示。

用字母表示產(chǎn)品的材料：A-留電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-

合金電解、II-復(fù)合介質(zhì)、「玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機薄膜、N-鋁電解、0-玻璃膜、Q-漆膜、T-

低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介

二、電容器的分類

按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。

按電解質(zhì)分類有：有機介質(zhì)電容器、無機介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。

按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。

高頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。

低頻旁路：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。

濾波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鋰電容器。

調(diào)諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。

高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。

低頻耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體笆電容器。

小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鋰電容器、玻璃釉電容器、

金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。

三、常用電容器

1、鋁電解電容器

用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成,薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因為氧化膜有單向?qū)щ?/p>

性質(zhì)，所以電解電容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動電流容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和

低溫下應(yīng)用，不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波

2、鋰電解電容器

用燒結(jié)的鋁塊作正極，電解質(zhì)使用固體二氧化鎰溫度特性、頻率特性和可*性均優(yōu)于普通電解電容器，特別是漏

電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流

的耐受能力差，假設(shè)損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可*機件中

3、薄膜電容器

結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量,

耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路

4、瓷介電容器

穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有

溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路

5、獨石電容器

（多層陶瓷電容器）在假設(shè)干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外面

再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的

性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路

6、紙質(zhì)電容器

一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008?0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價

格廉價，能得到較大的電容量

一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于3?4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高，穩(wěn)定性

也好，適用于高壓電路

7、微調(diào)電容器

電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個電容值。

瓷介微調(diào)電容器的Q值高，體積也小，通常可分為圓管式及圓片式兩種。

8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡單，但穩(wěn)定性較差。

線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲(外電極〉來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復(fù)調(diào)試的場合使用

9、陶瓷電容器

用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋼一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷

上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。

具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器

限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合(包括高頻在內(nèi)〉。這種電

容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路

云母電容器就結(jié)構(gòu)而言，可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀

層而成，由于消除了空氣間隙，溫度系數(shù)大為下降，電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好，Q值高，溫度系數(shù)

小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中，并可用作標準電容器

10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成"獨石"結(jié)

構(gòu)性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200C或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V,

損耗tg50.0005-0.008

四、電容器主要特性參數(shù)：

1、標稱電容量和允許偏差

標稱電容量是標志在電容器上的電容量。

電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。

精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00(01)-±1%、0(02)-±2%、I-±5%>II-±10%,II1-±2O%^IV-(+20210%)、

V-(+50%-20%)、VI-(+50%-30%)

一般電容器常用I、II、III級，電解電容器用IV、V、VI級，根據(jù)用途選取。

2、額定電壓

在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標注在電容器外殼上，

如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。

3、絕緣電阻

直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.

當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的外表狀態(tài)，容量〉0.luf時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。

電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘

積。

4、損耗

電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗

允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬局部的電阻所引起的。

在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不

僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。

5、頻率特性

隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。

五、電容器容量標示

1、直標法

用數(shù)字和單位符號直接標出。如OluF表示0.01微法，有些電容用“R"表示小數(shù)點，如R56表示0.56微法。

2、文字符號法

用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如plO表示0.IpF,IpO表示IpF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.

3、色標法

用色環(huán)或色點表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標法與電阻相同。

電容器偏差標志符號：+10020—H、+100%-10%—Rs+50%-10%—Ts+30%-10%~Q>+50%-20%~S>+80%-20%—Z?

電路設(shè)計根底知識(3)——電感線圈

電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或

磁粉芯,簡稱電感。用L表示,單位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH),lH=10~3mH=10~6uH。

一、電感的分類

按電感形式分類：固定電感、可變電感。

按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。

按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。

按繞線結(jié)構(gòu)分類：單層線圈、多層線圈、峰房式線圈。

二、電感線圈的主要特性參數(shù)

1、電感量L

電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈(色碼電感)夕卜，電感量一般不專門標

注在線圈上，而以特定的名稱標注。

2、感抗XL

電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2nfL

3、品質(zhì)因素Q

品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R

線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損

耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。

4、分布電容

線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值

減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。

三、常用線圈

1、單層線圈

單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機中波天線線圈。

2、蜂房式線圈

如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一

周，導(dǎo)線來回彎折的次數(shù)，常稱為折點數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線

圈都是利用蜂房繞線機來繞制，折點越多，分布電容越小

3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈

線圈的電感量大小與有無磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。

4、銅芯線圈

銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多，利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量，這種調(diào)整比擬方便、耐用。

5、色碼電感器

色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標志方法同電阻一樣以色環(huán)來標記。

6、阻流圈（扼流圈）

限制交流電通過的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。

7、偏轉(zhuǎn)線圈

偏轉(zhuǎn)線圈是電視機掃描電路輸出級的負載，偏轉(zhuǎn)線圈要求：偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場均勻、Q值高、體積小、價格

低。

變壓器

變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當(dāng)初級線圈中通有交流電流時，鐵芯（或磁芯）中便產(chǎn)生交流磁

通，使次級線圈中感應(yīng)出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個或兩個以上的繞組，

其中接電源的繞組叫初級線圈，其余的繞組叫次級線圈。

一、分類

按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。

按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。

按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、

鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。

按電源相數(shù)分類：單相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。

按用途分類：電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。

二、電源變壓器的特性參數(shù)

1工作頻率

變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大，故應(yīng)根據(jù)使用頻率來設(shè)計和使用，這種頻率稱工作頻率。

2額定功率

在規(guī)定的頻率和電壓下，變壓器能長期工作，而不超過規(guī)定溫升的輸出功率。

3額定電壓

指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓，工作時不得大于規(guī)定值。

4電壓比

指變壓器初級電壓和次級電壓的比值，有空載電壓比和負載電壓比的區(qū)別。

5空載電流

變壓器次級開路時，初級仍有一定的電流，這局部電流稱為空載電流?？蛰d電流由磁化電流（產(chǎn)生磁通）和鐵

損電流（由鐵芯損耗引起）組成。對于50Hz電源變壓器而言，空載電流根本上等于磁化電流。

6空載損耗：指變壓器次級開路時，在初級測得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗，其次是空載電流在初級線圈

銅阻上產(chǎn)生的損耗（銅損），這局部損耗很小。

7效率

指次級功率P2與初級功率P1比值的百分比。通常變壓器的額定功率愈大，效率就愈高。

8絕緣電阻

表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的上下與所使用的絕緣材料的性能、溫度上

下和潮濕程度有關(guān)。

三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)

1頻率響應(yīng)

指變壓器次級輸出電壓隨工作頻率變化的特性。

2通頻帶

如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0,當(dāng)輸出電壓（輸入電壓保持不變）下降到0.707U0時的頻率范圍，稱

為變壓器的通頻帶B。

3初、次級阻抗比

變壓器初、次級接入適當(dāng)?shù)淖杩筊。和Ri,使變壓器初、次級阻抗匹配，那么R。和Ri的比值稱為初、次級阻抗

比。在阻抗匹配的情況下，變壓器工作在最正確狀態(tài)，傳輸效率最高。

電路設(shè)計根底知識（二）

一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法

半導(dǎo)體器件型號由五局部（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、

四、五局部）組成。五個局部意義如下：

第一局部：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

第二局部：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型錨材料、B-P型鑄材料、C-N

型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型褚材料、B-NPN型褚材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三局部：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、

『整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管（F3MHz,PclW）、A-高頻大功率管

（f>3MHz,Pc>l\V）,T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、卜階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、

BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四局部：用數(shù)字表示序號

第五局部：用漢語拼音字母表示規(guī)格號

例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七局部組成。通常只用到前五個局部，其各局部的符號意義如下：

第一局部：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、『二

極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、--一依此類推。

第二局部：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。

第三局部：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN

型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管、K-N溝道場效應(yīng)管、

M-雙向可控硅。

第四局部：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本

電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。

第五局部：用字母表示同一型號的改良型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改良產(chǎn)

品。

美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

三、美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：

第一局部：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-

非軍用品。

第二局部：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目?！憾O管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。

第三局部：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。

第四局部：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。

第五局部：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-----同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅

高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采

用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個根本局部組成,各局部的符號及意義如下：

第一局部：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~L0eV如錯、B-器件使用材料的

Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如神化錢、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如睇化鋼、E-器件使

用復(fù)合材料及光電池使用的材料

第二局部：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、

D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁

路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、

S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。

第三局部：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字

-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。

第四局部：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E——表示同一型號的器件按某一參數(shù)進行分檔

的標志。

除四個根本局部外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下：

1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一局部是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、

D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%,±5%、±10%、±15%；其后綴第二局部是數(shù)字，表示標稱穩(wěn)定電壓的整

數(shù)數(shù)值；后綴的第三局部是字母V,代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。

如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP褚高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。

第一局部：0-表示半導(dǎo)體器件

第二局部：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。

第三局部：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。

第四局部：A、B、C--一表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。

俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。

一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義

CT-一勢壘電容

Cj-一結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，錯檢波二極管的總電容

Cjv—偏壓結(jié)電容

Co—零偏壓電容

Cjo--零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn—結(jié)電容變化

Cs-—管殼電容或封裝電容

Ct--總電容

CTV--電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC—電容溫度系數(shù)

Cvn—標稱電容

IF--正向直流電流（正向測試電流）。錯檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅

堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允

許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF（AV）--正向平均電流

IFM（IM）--正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極

管極限電流。

IH-—恒定電流、維持電流。

li—發(fā)光二極管起輝電流

IFRM--正向重復(fù)峰值電流

IFSM-一正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）

Io--整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF（ov）--正向過載電流

IL--光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID-一暗電流

IB2--單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM--發(fā)射極峰值電流

IEBlO—-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20--雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

ICM--最大輸出平均電流

IFMP--正向脈沖電流

IP-一峰點電流

IV-一谷點電流

IGT--晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD--晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM--控制極正向峰值電流

IR（AV）--反向平均電流

IR（In）反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電

路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極

管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM反向峰值電流

IRR-—晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR--晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

IRRM--反向重復(fù)峰值電流

IRSM--反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）

Irp—反向恢復(fù)電流

Iz--穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

I0M-一最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電

路中允許連續(xù)通過楮檢波二極管的最大工作電流

IZSM--穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM--最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF--正向總瞬時電流

iR-反向總瞬時電流

ir—反向恢復(fù)電流

lop工作電流

Is--穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f--頻率

n--電容變化指數(shù)；電容比

Q--優(yōu)值(品質(zhì)因素)

8vz--穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt—通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt--通態(tài)電壓臨界上升率

PB--承受脈沖燒毀功率

PFT(AV)--正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/p>

PFTM--正向峰值耗散功率

PFT--正向?qū)偹矔r耗散功率

Pd--耗散功率

PG-一門極平均功率

PGM---門極峰值功率

PC--控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi—輸入功率

PK--最大開關(guān)功率

PM--額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP-—最大漏過脈沖功率

PMS--最大承受脈沖功率

Po--輸出功率

PR-反向浪涌功率

Ptot--總耗散功率

Pomax-最大輸出功率

Psc--連續(xù)輸出功率

PSM--不重復(fù)浪涌功率

PZM--最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF(r〕-一正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓

下，電壓增加微小量4V,正向電流相應(yīng)增加△：!,那么AV/aI稱微分電阻

RBB--雙基極晶體管的基極間電阻

RE--射頻電阻

RL—負載電阻

Rs(rs)——串聯(lián)電阻

Rth---熱阻

R(th)ja——結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)動態(tài)電阻

R(th)jc--結(jié)到殼的熱阻

r6-—衰減電阻

r(th)--瞬態(tài)電阻

Ta-一環(huán)境溫度

Tc--殼溫

td--延遲時間

tf--下降時間

tfr--正向恢復(fù)時間

tg電路換向關(guān)斷時間

tgt--門極控制極開通時間

Tj--結(jié)溫

Tjm--最高結(jié)溫

ton--開通時間

toff-一關(guān)斷時間

tr—上升時間

trr--反向恢復(fù)時間

ts存儲時間

tstg--溫度補償二極管的貯成溫度

a--溫度系數(shù)

XP—發(fā)光峰值波長

△X-—光譜半寬度

n--單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB-反向峰值擊穿電壓

Vc--整流輸入電壓

VB2B1--基極間電壓

VBE10發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB--飽和壓降

VFM--最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF--正向壓降（正向直流電壓）

△VF---正向壓降差

VDRM—斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT--門極觸發(fā)電壓

VGD門極不觸發(fā)電壓

VGFM-一門極正向峰值電壓

VGRM—門極反向峰值電壓

VF（AV）--正向平均電壓

Vo交流輸入電壓

V0M-最大輸出平均電壓

Vop--工作電壓

Vn-中心電壓

Vp--峰點電壓

VR--反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM--反向峰值電壓（最高測試電壓〕

V（BR）—擊穿電壓

Vth--閥電壓（門限電壓）

VRRM--反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM--反向工作峰值電壓

Vv--谷點電壓

Vz--穩(wěn)定電壓

△Vz--穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs--通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av--電壓溫度系數(shù)

Vk-一膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL--極限電壓

二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義

Cc-一集電極電容

Ccb—集電極與基極間電容

Cce--發(fā)射極接地輸出電容

Ci--輸入電容

Cib-共基極輸入電容

Cie—共發(fā)射極輸入電容

Cies-一共發(fā)射極短路輸入電容

Cie。--共發(fā)射極開路輸入電容

Cn--中和電容（外電路參數(shù)）

Co--輸出電容

Cob-一共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容

Coe—共發(fā)射極輸出電容

Coeo共發(fā)射極開路輸出電容

Cre—共發(fā)射極反響電容

Cic--集電結(jié)勢壘電容

CL--負載電容（外電路參數(shù)）

Cp--并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）

BVcbo--發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓

BVceo—基極開路，CE結(jié)擊穿電壓

BVebo-一集電極開路EB結(jié)擊穿電壓

BVces-一基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓

BVcer-一基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓

D--占空比

fT--特征頻率

fmax--最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率

hFE-一共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)

hlE—共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗

hOE—共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)

hRE--共發(fā)射極靜態(tài)電壓反響系數(shù)

hie--共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗

hre--共發(fā)射極小信號開路電壓反響系數(shù)

hfe-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)

hoe--共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納

IB―-基極直流電流或交流電流的平均值

Ic--集電極直流電流或交流電流的平均值

IE--發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值

Icbo--基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流

Iceo--發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

lebo-一基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流

leer--基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截

止電流

Ices-一發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Icex--發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止

電流

ICM--集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。

IBM--在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值

ICMP-一集電極最大允許脈沖電流

ISB-一二次擊穿電流

IAGC--正向自動控制電流

Pc—集電極耗散功率

PCM—集電極最大允許耗散功率

Pi—輸入功率

Po--輸出功率

Pose--振蕩功率

Pn--噪聲功率

Ptot--總耗散功率

ESB-二次擊穿能量

rbb''-一基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）

rbb''Cc--基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積

rie--發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻

roe--發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、1c或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻

RE--外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）

RB--外接基極電阻（外電路參數(shù)）

Rc--外接集電極電阻（外電路參數(shù)）

RBE--外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）

RL--負載電阻（外電路參數(shù)）

RG--信號源內(nèi)阻

Rth--熱阻

Ta-一環(huán)境溫度

Tc--管殼溫度

Ts—結(jié)溫

Tjm--最大允許結(jié)溫

Tstg--貯存溫度

td——延遲時間

tr--上升時間

ts-一存貯時間

tf-一下降時間

ton—開通時間

toff-一關(guān)斷時間

VCB-一集電極-基極（直流）電壓

VCE--集電極-發(fā)射極（直流）電壓

VBE--基極發(fā)射極（直流）電壓

VCBO-—基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VEBO—基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEO--發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCER―-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓

VCES--發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEX--發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓

Vp—穿通電壓。

VSB-一二次擊穿電壓

VBB-基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vcc-一集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)〕

VEE--發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)〕

VCE（sat）--發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降

VBE（sat）--發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）

VAGC-正向自動增益控制電壓

Vn（p-p）輸入端等效噪聲電壓峰值

Vn--噪聲電壓

Cj-一結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，錯檢波二極管的總電容

Cjv—偏壓結(jié)電容

Co—零偏壓電容

Cjo--零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn—結(jié)電容變化

Cs-—管殼電容或封裝電容

Ct--總電容

CTV--電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC—電容溫度系數(shù)

Cvn—標稱電容

IF--正向直流電流（正向測試電流）。錯檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅

堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允

許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF（AV）--正向平均電流

IFM(IM)—正向峰值電流(正向最大電流〕。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極

管極限電流。

IH-—恒定電流、維持電流。

li-—發(fā)光二極管起輝電流

IFRM-正向重復(fù)峰值電流

IFSM-一正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)

Io--整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)--正向過載電流

IL--光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID-一暗電流

IB2--單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM--發(fā)射極峰值電流

IEB1O—雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

ICM--最大輸出平均電流

IFMP--正向脈沖電流

IP—峰點電流

IV-一谷點電流

IGT--晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD--晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM-控制極正向峰值電流

IR(AV)—反向平均電流

IR(In)―-反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電

路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極

管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM-一反向峰值電流

IRR-—晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR--晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

IRRM--反向重復(fù)峰值電流

IRSM--反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)

Irp--反向恢復(fù)電流

Iz--穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk--穩(wěn)壓管膝點電流

IOM--最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電

路中允許連續(xù)通過錯檢波二極管的最大工作電流

IZSM--穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM--最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF--正向總瞬時電流

iR-反向總瞬時電流

ir—反向恢復(fù)電流

lop--工作電流

Is--穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f--頻率

n--電容變化指數(shù)；電容比

Q--優(yōu)值（品質(zhì)因素）

8vz--穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt—通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt--通態(tài)電壓臨界上升率

PB--承受脈沖燒毀功率

PFT（AV）--正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/p>

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT--正向?qū)偹矔r耗散功率

Pd--耗散功率

PG-一門極平均功率

PGM---門極峰值功率

PC--控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi—輸入功率

PK--最大開關(guān)功率

PM--額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP-最大漏過脈沖功率

PMS-最大承受脈沖功率

Po輸出功率

PR-一反向浪涌功率

Ptot--總耗散功率

Pomax--最大輸出功率

Psc--連續(xù)輸出功率

PSM--不重復(fù)浪涌功率

PZM--最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF(r〕-一正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓

下，電壓增加微小量4V,正向電流相應(yīng)增加△：!,那么AV/aI稱微分電阻

RBB--雙基極晶體管的基極間電阻

RE--射頻電阻

RL—負載電阻

Rs(rs)---串聯(lián)電阻

Rth---熱阻

R(th)ja——結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)--動態(tài)電阻

R(th)jc--結(jié)到殼的熱阻

r6-—衰減電阻

r(th)--瞬態(tài)電阻

Ta-一環(huán)境溫度

Tc--殼溫

td--延遲時間

tf--下降時間

tfr正向恢復(fù)時間

tg--電路換向關(guān)斷時間

tgt--門極控制極開通時間

Tj--結(jié)溫

Tjm最高結(jié)溫

ton開通時間

toff--關(guān)斷時間

tr—上升時間

trr反向恢復(fù)時間

ts—存儲時間

tstg-一溫度補償二極管的貯成溫度

a--溫度系數(shù)

XP—發(fā)光峰值波長

△人--光譜半寬度

n--單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB-—反向峰值擊穿電壓

Vc整流輸入電壓

VB2B1--基極間電壓

VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB--飽和壓降

VFM—最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF--正向壓降（正向直流電壓）

△VF--正向壓降差

VDRM—斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT--門極觸發(fā)電壓

VGD門極不觸發(fā)電壓

VGFM--門極正向峰值電壓

VGRM—門極反向峰值電壓

VF（AV）-一正向平均電壓

Vo--交流輸入電壓

V0M--最大輸出平均電壓

Vop工作電壓

Vn-中心電壓

Vp--峰點電壓

VR--反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM-一反向峰值電壓（最高測試電壓〕

V（BR）--擊穿電壓

Vth--閥電壓（門限電壓）

VRRM--反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM--反向工作峰值電壓

Vv—谷點電壓

Vz--穩(wěn)定電壓

△Vz--穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs--通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av--電壓溫度系數(shù)

Vk--膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL--極限電壓

三、場效應(yīng)管參數(shù)符號意義

Cds--漏-源電容

Cdu--漏-襯底電容

Cgd--柵-源電容

Cgs--漏-源電容

Ciss--柵短路共源輸入電容

Coss—柵短路共源輸出電容

Crss-一柵短路共源反向傳輸電容

D--占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）

di/dt--電流上升率（外電路參數(shù)〕

dv/dt-一電壓上升率（外電路參數(shù)）

ID--漏極電流（直流）

IDM--漏極脈沖電流

ID（on）--通態(tài)漏極電流

IDQ--靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

IDS—漏源電流

IDSM最大漏源電流

IDSS--柵-源短路時，漏極電流

IDS（sat）--溝道飽和電流（漏源飽和電流）

IG-一柵極電流（直流）

IGF--正向柵電流

IGR--反向柵電流

IGDO--源極開路時，截止柵電流

IGSO—漏極開路時，截止柵電流

IGM--柵極脈沖電流

IGP--柵極峰值電流

IF--二極管正向電流

IGSS--漏極短路時截止柵電流

IDSS1-一對管第一管漏源飽和電流

IDSS2--對管第二管漏源飽和電流

lu-一襯底電流

Ipr—電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）

gfs正向跨導(dǎo)

Gp--功率增益

Gps-—共源極中和高頻功率增益

GpG--共柵極中和高頻功率增益

GPD—共漏極中和高頻功率增益

ggd--柵漏電導(dǎo)

gds-一漏源電導(dǎo)

K—失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku—傳輸系數(shù)

L--負載電感（外電路參數(shù)〕

LD漏極電感

Ls-一源極電感

rDS—漏源電阻

rDS（on）--漏源通態(tài)電阻

rDS（of）--漏源斷態(tài)電阻

rGD-一柵漏電阻

rGS—柵源電阻

Rg--柵極外接電阻（外電路參數(shù)）

RL--負載電阻（外電路參數(shù)）

R（th）jc—結(jié)殼熱阻

R（th）ja--結(jié)環(huán)熱阻

PD--漏極耗散功率

PDM—漏極最大允許耗散功率

PIN一輸入功率

POUT--輸出功率

PPK--脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）

to（on）開通延遲時間

td（off）--關(guān)斷延遲時間

ti上升時間

ton--開通時間

toff—關(guān)斷時間

tf-一下降時間

trr--反向恢復(fù)時間

Tj-一結(jié)溫

Tjm—最大允許結(jié)溫

Ta--環(huán)境溫度

Tc--管殼溫度

Tstg--貯成溫度

VDS-漏源電壓（直流）

VGS--柵源電壓（直流）

VGSF—正向柵源電壓（直流）

VGSR--反向柵源電壓（直流）

VDD—漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGG--柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vss--源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGS（th）---開啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS—漏源擊穿電壓

V（BR）GSS--漏源短路時柵源擊穿電壓

VDS（on）—漏源通態(tài)電壓

VDS（sat）—漏源飽和電壓

VGD--柵漏電壓（直流）

Vsu—源襯底電壓（直流）

VDu—漏襯底電壓（直流）

VGu--柵襯底電壓（直流）

Zo--驅(qū)動源內(nèi)阻

漏極效率（射頻功率管）

Vn--噪聲電壓

alD--漏極電流溫度系數(shù)

ards--漏源電阻溫度系數(shù)

電路設(shè)計根底知識（5〕一一繼電器

一、繼電器的工作原理和特性

繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自

動控制電路中，它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種"自動開關(guān)”