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文檔簡介

半導(dǎo)體的雜化的原子雜化發(fā)生前，原子最外層s軌道中的一個(gè)電子被激發(fā)至p軌道，使將要發(fā)生雜化的原子進(jìn)入激發(fā)態(tài)；之后，該層的s軌道與三個(gè)p軌道發(fā)生雜化。此過程中，能量相近的s軌道和p軌道發(fā)生疊加，不同類型的原子軌道重新分配能量并調(diào)整方向。硅重疊處雜化軌道形成反成鍵態(tài)成鍵態(tài)sp3雜化是指一個(gè)原子同一電子層內(nèi)由一個(gè)ns軌道和三個(gè)np軌道發(fā)生雜化的過程。原子發(fā)生sp3雜化后，上述ns軌道和np軌道便會(huì)轉(zhuǎn)化成為四個(gè)等價(jià)的原子軌道，稱為“sp3雜化軌道”。四個(gè)sp3雜化軌道的對稱軸兩兩之間的夾角相同，皆為109°28′。原來在ns和np軌道上的4個(gè)電子，分別處在這4個(gè)雜化軌道上，成為未配對電子，和頂角原子相應(yīng)的電子形成共價(jià)鍵。4.半導(dǎo)體材料概述最重要的半導(dǎo)體是硅Si:基于雜化軌道，反成鍵態(tài)產(chǎn)生導(dǎo)帶，反成鍵態(tài)產(chǎn)生價(jià)帶，完全的共價(jià)鍵,室溫下金剛石結(jié)構(gòu)晶體(鍺Ge也是),間接半導(dǎo)體.灰錫Sn：半金屬，金剛石結(jié)構(gòu).SiC:間接半導(dǎo)體,帶隙約為3eV.(足球烯):半導(dǎo)體隨著同一族原子序數(shù)增加,帶隙寬度減小.●

Ⅲ-Ⅴ族化合物：AlN,GaN為寬帶半導(dǎo)體,InSb為窄帶半導(dǎo)體，閃鋅礦晶體.氮化物：纖鋅礦晶體.

族半導(dǎo)體由Zn,CdorHg和O,S,SeorTe組成化合物.

ZnS,ZnOandCdS為寬帶半導(dǎo)體,通常是閃鋅礦晶體或纖鋅礦晶體(個(gè)別除外).這兩類部分晶體

半導(dǎo)體由共價(jià)鍵逐漸轉(zhuǎn)化為離子鍵聯(lián)。的能量相差可能很小.如閃鋅礦ZnS能隙為3.78eV,而纖鋅礦ZnS能隙為3.91eV.

●

I–VII族化合物關(guān)于氟化物和

鹵化物的半導(dǎo)體性質(zhì)了解甚少.一般情況下,在同一周期內(nèi),隨著原子序數(shù)的增加,

減小.●

IV–VI族化合物（稱為鉛鹽）由Pb或Sn和S,Se和Te

組成，部分可以用于制作IR激光二極管。●

S,Se,Te以及P或I的轉(zhuǎn)變，這些元素也是半導(dǎo)體●半導(dǎo)體氧化物：●有機(jī)半導(dǎo)體晶體：蒽

;并五苯硫芴●混晶（2,3,4種成分）

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