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文檔簡介
ICS19.100
J04
團體標(biāo)準(zhǔn)
T/CSTMXXXXX-202X
型鋼缺陷檢測
第6部分相控陣超聲法
SectionSteelDefectTesting-Part6:PhasedArrayUltrasound
202X-XX-XX發(fā)布202X-XX-XX實施
中關(guān)村材料試驗技術(shù)聯(lián)盟發(fā)布
前言
本文件參照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)
則》,GB/T20001.4-2015《標(biāo)準(zhǔn)編寫規(guī)則第4部分:試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》的規(guī)定起草。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。
本文件由中國材料與試驗團體標(biāo)準(zhǔn)委員會綜合標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)域委員會(CSTM/FC99)提出。
本文件由中國材料與試驗團體標(biāo)準(zhǔn)委員會綜合標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)域委員會(CSTM/FC99)歸口。
本文件為首次發(fā)布。
I
型鋼缺陷檢測第6部分相控陣超聲法
重要提示(危險或警告或注意):使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實驗室工作的實踐經(jīng)驗。
本文件并未指出所有可能的安全問題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧⒈WC符
合國家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件。
1范圍
本文件適用于厚度不小于6mm熱軋型鋼(包括H型鋼、工字鋼等)的相控陣超聲檢測,
包含檢測人員、檢測系統(tǒng)、檢測要求、檢測溫度、檢測系統(tǒng)的設(shè)置和校準(zhǔn)、缺陷的測定與評
定、質(zhì)量分級和檢測報告。供需雙方協(xié)商后也可使用液浸法檢測的機械化掃查方法。
本文件規(guī)定了利用手工掃查或自動(半自動)掃查的一維線陣相控陣超聲技術(shù)檢測型鋼
時工藝參數(shù)的選用規(guī)則,以及確定缺陷位置及尺寸的方法。
使用二維面陣相控陣超聲探頭進行檢測,也可參照本文件。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的
引用文件,僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的
修改單)適用于本文件。
ISO9712無損檢測人員資格鑒定和認(rèn)證(Non-destructivetesting—Qualification
andcertificationofpersonnel)
注:GB/T9445-2015無損檢測人員資格鑒定和認(rèn)證(ISO9712:2012,IDT)
GB/T11259無損檢測超聲檢測用鋼參考試塊的制作和校驗方法
GB/T11345焊縫無損檢測超聲檢測技術(shù)、檢測等級和評定
GB/T12604.1無損檢測術(shù)語超聲檢測
JJF1338相控陣超聲探傷儀校準(zhǔn)規(guī)范
ISO18563-1無損檢測超聲相控陣設(shè)備的特性和驗證第1部分儀器
ISO18563-2無損檢測超聲相控陣設(shè)備的特性和驗證第2部分探頭
ISO18563-3無損檢測超聲相控陣設(shè)備的特性和驗證第3部分組合系統(tǒng)
GB/T32563無損檢測超聲檢測相控陣超聲檢測方法
JB/T11731無損檢測超聲相控陣探頭通用技術(shù)條件
JB/T13463無損檢測超聲檢測用斜入射試塊的制作與檢驗方法
3術(shù)語和定義
GB/T12604.1和GB/T32563界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
當(dāng)量面積equivalentarea
通過當(dāng)量平底孔直徑計算的面積稱為當(dāng)量面積。
3.2
等效工件工藝equivalentworkpieceprocess
制作的對比試塊與工件材料相同聲學(xué)性能,且應(yīng)與被檢驗工件相同或相似(聲學(xué)衰減差別
1
應(yīng)在±25%以內(nèi))的工藝,稱為等效工件工藝。
4檢測人員
4.1從事相控陣檢測的人員至少應(yīng)符合ISO9712或等效標(biāo)準(zhǔn)的要求,應(yīng)通過有關(guān)相控陣檢測技
術(shù)的專門培訓(xùn)并取得相應(yīng)證書。
4.2相控陣檢測人員應(yīng)熟悉所使用的檢測設(shè)備。
4.3相控陣檢測人員應(yīng)具有實際檢測經(jīng)驗并掌握一定的金屬材料及加工的基礎(chǔ)知識。
5檢測設(shè)備
5.1總則
相控陣檢測設(shè)備包括儀器、軟件、探頭、掃查裝置、試塊和耦合劑,上述各項應(yīng)成套或單
獨具有產(chǎn)品合格證或制造廠出具的合格文件。
5.2相控陣儀器
5.2.1相控陣儀器應(yīng)為計算機控制的含有多個獨立的脈沖發(fā)射/接收通道的脈沖反射型儀器,其
放大器的增益調(diào)節(jié)步進不應(yīng)大于1dB。
5.2.2相控陣儀器應(yīng)配備與其硬件相匹配的延時控制單元和成像軟件。
5.2.3-3dB帶寬下限不高于1MHz,上限不低于15MHz的發(fā)射/接收電路。
5.2.4采樣頻率不應(yīng)小于探頭中心頻率的5倍。
5.2.5超聲信號模數(shù)轉(zhuǎn)換位數(shù)應(yīng)不小于8位。
5.2.6各通道的發(fā)射脈沖延遲精度不大于5ns。
5.2.7相鄰?fù)ǖ篱g的串?dāng)_應(yīng)不大于-30dB。
5.2.8儀器校準(zhǔn)
5.2.8.1相控陣設(shè)備應(yīng)定期校準(zhǔn),校準(zhǔn)周期為1年。
5.2.8.2相控陣儀器校準(zhǔn)結(jié)果應(yīng)符合以下要求:
a)儀器的水平線性誤差不超過±1%,垂直線性誤差不超過±2%;
b)衰減器誤差每1dB不超過±0.5dB,每20dB不超過±1dB,每60dB不超過±2dB;
5.3軟件
5.3.1軟件至少應(yīng)有A、B、C、S型顯示的功能,且具有在掃描圖像上對缺陷定位、定量及分析
功能。
5.3.2能夠存儲、調(diào)出A、B、C、S圖像,并能將存儲的檢測數(shù)據(jù)復(fù)制到外部存儲空間中。
5.3.3儀器軟件應(yīng)具有聚焦法則計算功能、ACG及TCG校準(zhǔn)功能。
5.3.4儀器的數(shù)據(jù)采集和掃查裝置的移動同步,掃查步進值應(yīng)可調(diào),其最小值應(yīng)不大于1mm。
5.3.5儀器應(yīng)能存儲和分辨各掃描信號之間相對位置的信息,如編碼器位置。
5.3.6離線分析軟件中應(yīng)能對檢測時關(guān)鍵參數(shù)設(shè)置進行查看。
5.4相控陣探頭
5.4.1相控陣探頭應(yīng)符合JB/T11731。相控陣探頭應(yīng)由多個晶片組成陣列,采用線型掃查的相控
陣探頭晶片應(yīng)不少于64片,采用扇型掃查相控陣探頭晶片不少于8片。
5.4.2探頭可加裝用以輔助聲束偏轉(zhuǎn)的楔塊或延遲塊。楔塊型號中的字母“L”為縱波楔塊,“S”
為橫波楔塊,楔塊型號選擇儀器內(nèi)置的型號,楔塊與探頭需完全匹配使用。
5.4.3探頭實測中心頻率與標(biāo)稱頻率間的誤差應(yīng)不超過±10%。
5.4.4探頭-6dB相對頻帶寬度不小于55%。
5.4.5采購驗收相控陣探頭時,同一探頭晶片間靈敏度最大差值不超過±2dB,且不應(yīng)存在壞晶
2
片。
5.4.6使用中的相控陣探頭如出現(xiàn)壞晶片,可在選擇激發(fā)孔徑范圍時設(shè)法避開壞晶片;如無法避
開,則要求在掃查使用的每個聲束組中,損壞晶片不應(yīng)超過總使用晶片數(shù)的12.5%,且沒有連續(xù)
損壞晶片;如果晶片的損壞超過上述規(guī)定,可通過仿真軟件計算且通過試塊測試,確認(rèn)壞晶片對
聲場和檢測靈敏度、信噪比無明顯不利影響,才允許使用。
5.5掃查裝置
5.5.1掃查裝置應(yīng)具有確定探頭位置的功能,可通過步進電機或位置傳感器實現(xiàn)對位置的探
測與控制,位置分辨力應(yīng)符合工藝要求。
5.5.2夾持部分應(yīng)確保探頭與位置傳感器同步運動。
5.5.3為提高探頭運動軌跡與擬掃查軌跡的一致性和數(shù)據(jù)采集的一致性,應(yīng)盡可能使用導(dǎo)向
裝置。
5.5.4驅(qū)動部分可以采用電機或人工驅(qū)動。
5.6對比試塊
5.7.1對比試塊材質(zhì)、聲學(xué)性能應(yīng)與被檢測工件相同或相似,并應(yīng)保證內(nèi)部不存在影響檢測
的缺陷。
5.7.2對比試塊應(yīng)進行定期校驗。
5.7.3檢測厚度不大于20mm的型鋼時,可采用如圖1所示的階梯平底試塊。
單位為毫米
圖1階梯平底試塊
5.7.4檢測厚度大于20mm時,可采用如圖2所示的平底孔試塊。對比試塊形狀和尺寸應(yīng)符合圖
2和表1的規(guī)定,對比試塊人工反射體為Φ5mm平底孔,反射體個數(shù)至少為3個。
3
表1平底孔試塊尺寸
單位為毫米
試塊最小寬
試塊編號檢測厚度t檢測面到平底孔距離S試塊厚度T
度b
1>20~4010、20、304040
2>20~4015、30、456040
3>60~10015、30、45、60、8010040
4>100~15015、30、45、60、80、100、120、14015060
注1:檢測厚度大于40mm時,試塊可用厚代薄。
注2:為減輕單個試塊尺寸和重量,聲學(xué)性能相同或相似的試塊上的平底孔可加工在不同厚度試塊
上。
單位為毫米
說明:
T——試塊厚度;
S——檢測面到平底孔的距離;
B——試塊寬度。
圖2平底孔對比試塊
5.7.5對比試塊也可選取被檢工件部分制作。如圖3所示,對比試塊形狀和人工傷類型應(yīng)符合圖
4的規(guī)定,對比試塊人工傷為Φ5mm平底孔(FBH)和Φ1.8mm橫孔(SDH)構(gòu)成,平底孔至少3
個,分別為T/4、T/2、3T/4深,橫孔至少3個,分別為皮下2mm,T/2、3T/4深。FBH1距端部
10mm,F(xiàn)BH1、FBH2、FBH3相距40mm,SDH2居于中心位置,其它兩個與SDH2相距40mm。
單位為毫米
4
圖3H型鋼對比試塊
5.7耦合劑
耦合劑應(yīng)正確使用。在校驗、設(shè)定靈敏度,掃查和不連續(xù)評定時,應(yīng)使用相同型號的耦合劑。
檢測結(jié)束后,如果耦合劑的存在會影響后道生產(chǎn)檢測工序或成品的完整性,則應(yīng)清除干凈。
注:可使用合適的耦合劑:如水(有或沒有防腐蝕劑或軟化劑)、油脂、油、甘油和水質(zhì)漿糊。
6檢測要求
6.1被檢型鋼表面應(yīng)平整、光滑,不應(yīng)有液滴、油污、腐蝕和其他污染物或任何其他引起耦合
失效,阻礙探頭自由移動及引起判斷錯誤的物質(zhì)。
6.2被檢型鋼內(nèi)部組織不應(yīng)在檢測時產(chǎn)生影響檢測的干擾回波。
6.3檢測場地應(yīng)避開強光、強磁場、強振動、腐蝕性氣體、嚴(yán)重粉塵等影響超聲波探傷儀穩(wěn)定
性和檢測人員可靠觀察的因素。
7檢測溫度
7.1采用常規(guī)探頭和耦合劑時,工件的表面溫度范圍為0℃~60℃。
7.2系統(tǒng)校準(zhǔn)與實際檢測間的溫度差應(yīng)控制在±14℃之內(nèi)。
7.3若檢測過程中工件溫度變化超出上述范圍,應(yīng)評價溫度變化對檢測結(jié)果的影響。
7.4若檢測前發(fā)現(xiàn)工件溫度超出上述范圍,應(yīng)通過實驗驗證設(shè)備的適用性,同時驗證檢測的可
操作性和可靠性。
8檢測系統(tǒng)的設(shè)置和校準(zhǔn)
8.1扇掃描的校準(zhǔn)
8.1.1采用扇掃描檢測前,應(yīng)對扇掃描角度范圍內(nèi)的每一條聲束校準(zhǔn),校準(zhǔn)的聲程范圍應(yīng)包含檢
測擬使用的聲程范圍。
8.1.2可采取TCG修正方法進行校準(zhǔn),也可采取ACG曲線方法進行校準(zhǔn)。
5
8.1.3為避免角度靈敏度差異,在校準(zhǔn)前可先進行TCG修正。
8.1.4TCG修正采用帶有圓弧的等效工件厚度的試塊。鍛件檢測時,ACG曲線和TCG修正可
采用GB/T11345或JB/T13463標(biāo)準(zhǔn)橫孔試塊,也可采用其他斜入射的平底孔或橫孔試塊。
8.1.5扇掃描TCG修正后不同深度處相同反射體回波波幅應(yīng)基本一致,且經(jīng)最大補償?shù)穆暿鴮?/p>
最大聲程處反射體回波的信噪比不應(yīng)小于6dB。
8.1.6扇型掃描,校準(zhǔn)模式采用“聲程”進行深度方向的圖形一致性校準(zhǔn)。
8.1.7縱波扇掃最大角度為楔塊的折射角±30°之間,橫波扇掃最大角度為楔塊的折射角±20°之
間。
8.2線掃描的校準(zhǔn)
8.2.1采用線掃描檢測前,應(yīng)對線掃描角度范圍內(nèi)的每一個聲束校準(zhǔn),校準(zhǔn)的聲程范圍應(yīng)包含檢
測擬使用的聲程范圍。
8.2.2可采取TCG修正方法進行校準(zhǔn),也可采取ACG曲線方法進行校準(zhǔn)。
8.2.3在校準(zhǔn)前也可先對激發(fā)孔徑位置不同導(dǎo)致的靈敏度差異進行修正。
8.2.4對于孔徑位置靈敏度差異修正,0°聲束可使用相控陣平底孔試塊或相控陣橫孔試塊進行修
正,也可使用GB/T11345或JB/T13463標(biāo)準(zhǔn)試塊上不同深度相同直徑橫孔進行修正,以及使用
GB/T11259標(biāo)準(zhǔn)試塊上不同深度相同直徑平底孔進行修正。
8.2.5線掃描TCG修正后不同深度處相同反射體回波波幅應(yīng)一致,且經(jīng)最大補償?shù)穆暿鴮ψ畲?/p>
聲程處回波的信噪比不應(yīng)小于6dB。
8.2.6線性掃描,校準(zhǔn)模式采用“深度”進行深度方向的圖形一致性校準(zhǔn)。
8.3掃查設(shè)置
8.3.1掃查分區(qū)
8.3.1.1應(yīng)根據(jù)工件厚度、所選擇掃查面,以及靈敏度、分辨力﹑信噪比要求等,決定是否
采用分區(qū)掃查,以及各區(qū)的覆蓋范圍。
8.3.1.2一般通過起始和終止陣元設(shè)定孔徑,孔徑的最大值為系統(tǒng)的物理通道數(shù)。
8.3.2掃查面
8.3.2.1應(yīng)結(jié)合訂單的具體要求,選擇以下一種方式進行掃查(如圖4所示):
a)平面A:探測腹板兩側(cè)末端;
b)平面B:探測翼緣兩側(cè)末端;
c)平面C:探測整個腹板;
d)平面D:探測整個翼緣;
e)或者平面A,B,C,D相結(jié)合。
6
圖4掃查面示意圖
8.3.2.2以上5種掃查方式均采用線掃描、縱波垂直入射法進行檢測;對于腹板和翼緣連接處,也
可補充采用扇掃描探頭橫波斜入射法進行檢測。
8.3.2.3探頭掃查位置如圖5所示。
圖5相控陣探頭掃查位置圖
8.3.3掃查方式
8.3.3.1探頭移動方向應(yīng)與軋制方向垂直。相鄰掃查線之間的距離應(yīng)小于探頭的最大激發(fā)孔徑,
且兩次相鄰掃查區(qū)域應(yīng)有10%重疊。
8.3.3.2當(dāng)有需求時,H型鋼兩端各至少75mm范圍內(nèi)應(yīng)進行全面掃查。
8.3.4掃查速度
探頭掃查速度應(yīng)不影響檢測結(jié)果,一般應(yīng)不大于150mm/s。
8.4聲速校準(zhǔn)
8.4.1相控陣檢測采用扇型掃描,進行聲速校準(zhǔn)時,應(yīng)采用等效工件工藝的刀型試塊(見附錄A),
利用刀型試塊近似相等工件R聲程圓弧作為反射參考體。
8.4.2相控陣檢測采用線型掃描,進行聲速校準(zhǔn)時,應(yīng)采用等效工件工藝的相控陣矩形試塊(見
附錄A),利用相控陣矩形試塊的不同厚度進行聲速的校準(zhǔn)。如果沒有不同厚度,也可采用同樣
厚度,利用超聲波的一次回波作為第一參考點,二次回波作為第二參考點。
8.4.3第一參考點設(shè)置需與試塊厚度近似相等,第二參考點設(shè)置需與試塊厚度的二倍相等。
7
8.5全聲束延時校準(zhǔn)
8.5.1相控陣采用扇型掃查,進行全聲束延時校準(zhǔn)時應(yīng)采用等效工件工藝的刀型試塊的近似相等
工件R聲程圓弧作為反射參考體。
8.5.2相控陣采用線性掃查,進行全聲束延時校準(zhǔn)時應(yīng)采用等效工件工藝的相控陣矩形試塊的近
似相等工件厚度H底面作為反射參考體。
8.5.3應(yīng)選擇“深度”為線掃垂直入射的校準(zhǔn)模式,選擇“聲程”為扇掃斜入射的校準(zhǔn)模式。
8.5.4校準(zhǔn)方式為線掃時,每條聲束最高回波需都低于90%。
8.5.5校準(zhǔn)方式為扇掃時,需移動探頭使得中心聲束回波聲程讀數(shù)數(shù)值等于刀型試塊的圓弧半
徑。
8.6TCG校準(zhǔn)
8.6.1相控陣采用扇型掃查,進行TCG校準(zhǔn)時應(yīng)采用相控陣橫孔試塊(見附錄A)的不同深度
孔作為反射參考體,也可參照GB/T11345附錄E的表E.1試塊。
8.6.2相控陣采用線性掃查,進行TCG校準(zhǔn)時應(yīng)采用相控陣橫孔試塊或相控陣平底孔試塊(見
附錄A)的不同深度孔作為反射參考體,也可采用相控陣矩形試塊的不同厚度底面作為反射參考
體。
8.6.3校準(zhǔn)并尋找參考反射體回波時,每條聲束需均能達到最高回波,且最高回波都低于80%。
8.7ACG校準(zhǔn)
8.7.1相控陣采用扇型掃查,進行ACG校準(zhǔn)時,采用刀型試塊R聲程圓弧作為反射參考體。
8.7.2相控陣采用線性掃查,進行ACG校準(zhǔn)時,采用相控陣矩形試塊厚度H底面作為反射參考
體。
8.7.3校準(zhǔn)并尋找參考反射體回波時,每條聲束需均能達到最高回波,且最高回波都低于80%。
8.8靈敏度設(shè)置
8.8.1靈敏度設(shè)置有平底孔、橫孔兩種類型的人工傷等效工件工藝的對比試塊。
8.8.2根據(jù)當(dāng)量波高、或當(dāng)量直徑調(diào)整靈敏度
8.8.2.1根據(jù)當(dāng)量波高進行人工傷試塊靈敏度設(shè)置
將最大深度的人工傷等效工件工藝的試塊回波調(diào)至滿屏的適當(dāng)高度(例如GB/T11259標(biāo)準(zhǔn)
平底孔試塊或JB/T13463標(biāo)準(zhǔn)橫孔試塊的回波調(diào)至80%),作為檢測靈敏度,掃查靈敏度提高6dB。
8.8.2.2根據(jù)當(dāng)量直徑進行靈敏度調(diào)整
將最大深度的人工傷等效工件工藝的試塊回波調(diào)至滿屏的適當(dāng)高度(例如GB/T11259標(biāo)準(zhǔn)
平底孔試塊或JB/T13463標(biāo)準(zhǔn)橫孔試塊調(diào)至實際人工傷直徑),通過調(diào)試線掃或扇掃圖形的人工
傷尺寸為實際的人工傷直徑的增益作為檢測靈敏度,掃查靈敏度提高6dB。
8.8.3曲面工件檢測時,檢測面曲率半徑R≤W2/4時,TCG或ACG校準(zhǔn)應(yīng)在與檢測面曲率相同
或相近(試塊曲率在工件曲率的0.9~1.5倍范圍內(nèi))的對比試塊上進行。
8.8.4鍛件的增益及聲程修正可通過相應(yīng)的模擬試塊測定,也可通過仿真軟件計算實現(xiàn)。
8.8.5工件的表面耦合損失和材質(zhì)衰減應(yīng)與試塊相同,否則應(yīng)進行傳輸損失補償。在所采用的最
大聲程內(nèi)最大傳輸損失差小于或等于2dB時可不進行補償。
9缺陷測定與評定
9.1缺陷記錄
在檢測過程中,在檢測靈敏度下發(fā)現(xiàn)下列情況應(yīng)記錄:
a)缺陷第一次反射波(F1)波高大于或等于滿刻度的50%,即F1≥50%。
b)當(dāng)?shù)酌娴谝淮畏瓷洳?B1)波高未達到滿刻度時,缺陷第一次反射波(F1)波高與底面第一次
8
反射波(B1)波高之比大于或等于50%,即B1<100%,F(xiàn)1/B1≥50%。
c)當(dāng)?shù)酌?或板端部)第一次反射波(B1)波高低于滿刻度的50%,即B1<50%。
9.2缺陷指示長度的評定規(guī)則
單個缺陷按其表現(xiàn)的最大長度作為該缺陷的指示長度,若指示長度小于40mm時,則
其長度可不作記錄。
9.3單個缺陷指示面積的評定規(guī)則
9.3.1單個缺陷按其表現(xiàn)的面積作為該缺陷的單個指示面積。
9.3.2當(dāng)多個缺陷的相鄰間距小于100mm或間距小于相鄰缺陷(以指示長度來比較)的指示
長度(取其較大值)時,其各塊缺陷面積之和作為單個缺陷指示面積。
9.4缺陷密集度的評定規(guī)則
在任一1m×1m檢測面積內(nèi),按缺陷面積占的百分比來確定。
10質(zhì)量分級
H型鋼的質(zhì)量分級見表2和表3。在具體進行質(zhì)量分級時,表1和表2應(yīng)獨立使用。
表2H型鋼質(zhì)量分級
最大允許單個缺陷的指示長在檢測面積內(nèi)最大允許存在的
最大可允許單個
度或?qū)挾萢缺陷面積百分比,%
質(zhì)量等級缺陷的指示面積,
任意1m2的檢整個檢測面積
寬度,mm長度,mmmm2
測面積內(nèi)內(nèi)
1815500105
210251000105
320503000105
4201006000105
a長度或?qū)挾确较蛉毕輵?yīng)同時考慮,并以等級較低的為準(zhǔn)
表3H型鋼兩側(cè)檢測區(qū)域質(zhì)量分級a
最大允許單個缺陷的最大允許單個缺陷的最大可允許單個缺陷
質(zhì)量等級
指示寬度,mm指示長度,mm的指示面積,mm2
11050500
220701500
aH型鋼兩側(cè)檢測區(qū)域按9.1a)要求
11檢測報告
檢測報告至少應(yīng)包括如下內(nèi)容:
a)委托單位;
b)檢測標(biāo)準(zhǔn);
c)被檢工件:名稱、編號、規(guī)格、材質(zhì)和熱處理狀況等;
d)檢測設(shè)備:儀器型號及編號、掃查裝置包括編碼器、試塊、耦合劑;
e)檢測條件:檢測工藝卡編號、探頭參數(shù)及楔塊選擇、掃查方式、聚焦法則的設(shè)定、檢測
使用的波型、檢測系統(tǒng)的設(shè)置、角度增益修正文件、溫度;
f)檢測示意圖:探頭掃查表面、檢測區(qū)域以及所發(fā)現(xiàn)的缺陷位置和分布;
g)檢測數(shù)據(jù):缺陷位置與尺寸、質(zhì)量級別及缺陷部位的圖像;
9
h)檢測結(jié)論;
i)檢測人員和責(zé)任人員簽字;
j)檢測日期。
10
附錄A
(規(guī)范性)
相控陣校準(zhǔn)試塊
A.1進行相控陣校準(zhǔn)時,采用的試塊類型如下:
A.1.1具有R1和R2圓弧的試塊,R1大約為1/2R,R2=R,R為近似工件的圓弧半徑(聲程),
零位刻度線位于試塊的上端面中心線處。W為試塊的寬度,其中W不小于40mm,如
圖A.1所示。
圖A.1校準(zhǔn)試塊1——刀型試塊
A.1.2具有不同厚度的階梯試塊,H1大約為1/2H,H2=H,H為近似工件的厚度(深度),
W為試塊的寬度,其中W不小于40mm,如圖A.2所示。
.
圖A.2校準(zhǔn)試塊2——相控陣矩形試塊
A.1.3具有三種不同深度、相同橫孔的試塊,1號橫孔離檢測面距離為1/3H,2號橫孔離檢
測面距離為2/3H,3號橫孔離檢測面距離為H,H為近似工件的厚度(深度),W為試塊
的寬度,其中W不小于40mm,如圖A.3所示。
11
圖A.3校準(zhǔn)試塊3——相控陣橫孔試塊
A.1.4具有三種不同高度、相同平底孔徑的試塊,1號平底孔離檢測面距離為1/3H,2號平
底孔離檢測面距離為2/3H,3號平底孔離檢測面距離為H,H為工件的厚度(深度),W為
試塊的寬度,其中W不小于40mm,如圖A.4所示。
圖A.4校準(zhǔn)試塊4——相控陣平底孔試塊
12
附錄B
(資料性)
起草單位和主要起草人
本文件負(fù)責(zé)起草單位:鋼研納克檢測技術(shù)股份有限公司。
本文件參與起草單位:南京迪威爾高端制造股份有限公司、汕頭超聲電子股份有限公司、
上海珉瑞教育科技有限公司等。
本文件主要起草人:齊英豪、張建衛(wèi)、陳昌華、付汝龍、楊貴德、高宇豪、丁偉臣、時
飛揚、徐正茂、陳慶勇、胡家豪、張廣新。
13
目次
前言.................................................................................................................................................I
1范圍....................................................................................................................................................................1
2規(guī)范性引用文件.............................................................................................................................................1
3術(shù)語和定義.......................................................................................................................................................1
4檢測人員...........................................................................................................................................................2
5檢測設(shè)備...........................................................................................................................................................2
5.1總則................................................................................................................................................................2
5.2相控陣儀器..................................................................................................................................................2
5.3軟件................................................................................................................................................................2
5.4相控陣探頭..................................................................................................................................................2
5.5掃查裝置........................................................................................................................................................3
5.6對比試塊.......................................................................................................................................................3
5.7耦合劑...........................................................................................................................................................5
6檢測要求...........................................................................................................................................................5
7檢測溫度...........................................................................................................................................................5
8檢測系統(tǒng)的設(shè)置和校準(zhǔn)...............................................................................................................................5
8.1扇掃描的校準(zhǔn).............................................................................................................................................5
8.2線掃描的校準(zhǔn).............................................................................................................................................6
8.3掃查設(shè)置.......................................................................................................................................................6
8.8靈敏度設(shè)置..................................................................................................................................................8
9缺陷測定與評定.............................................................................................................................................8
9.1缺陷記錄.......................................................................................................................................................8
9.2缺陷指示長度的評定規(guī)則......................................................................................................................9
9.3單個缺陷指示面積的評定規(guī)則.............................................................................................................9
9.4缺陷密集度的評定規(guī)則...........................................................................................................................9
10質(zhì)量分級.........................................................................................................................................................9
11檢測報告.........................................................................................................................................................9
附錄A................................................................................................................................................11
(規(guī)范性)................................................................................................................................................................11
相控陣校準(zhǔn)試塊..................................................................................................................................................11
型鋼缺陷檢測第6部分相控陣超聲法
重要提示(危險或警告或注意):使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實驗室工作的實踐經(jīng)驗。
本文件并未指出所有可能的安全問題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧?,并保證符
合國家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件。
1范圍
本文件適用于厚度不小于6mm熱軋型鋼(包括H型鋼、工字鋼等)的相控陣超聲檢測,
包含檢測人員、檢測系統(tǒng)、檢測要求、檢測溫度、檢測系統(tǒng)的設(shè)置和校準(zhǔn)、缺陷的測定與評
定、質(zhì)量分級和檢測報告。供需雙方協(xié)商后也可使用液浸法檢測的機械化掃查方法。
本文件規(guī)定了利用手工掃查或自動(半自動)掃查的一維線陣相控陣超聲技術(shù)檢測型鋼
時工藝參數(shù)的選用規(guī)則,以及確定缺陷位置及尺寸的方法。
使用二維面陣相控陣超聲探頭進行檢測,也可參照本文件。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的
引用文件,僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的
修改單)適用于本文件。
ISO9712無損檢測人員資格鑒定和認(rèn)證(Non-destructivetesting—Qualification
andcertificationofpersonnel)
注:GB/T9445-2015無損檢測人員資格鑒定和認(rèn)證(ISO9712:2012,IDT)
GB/T11259無損檢測超聲檢測用鋼參考試塊的制作和校驗方法
GB/T11345焊縫無損檢測超聲檢測技術(shù)、檢測
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