SiC MOSFET閾值電壓測(cè)試方法-征求意見稿

1碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiCMOSFET）閾值電壓測(cè)試方法3.1漏源電壓drain-source3.2柵源電壓gate-sourcevo3.33.4漏極電流drain-sourceIDS3.5Ith3.6柵極預(yù)偏置電壓gatepre-conditionvo3.7柵極預(yù)偏置時(shí)間gatepre-conditio3.8進(jìn)行柵極預(yù)偏置后與開始閾值電壓測(cè)試前之間的時(shí)間間3.9閾值電壓測(cè)試時(shí)間thresholdvolt3.10閾值電壓掃描方向thresholdvolta3.11使用電壓源步進(jìn)掃描法測(cè)試閾值電壓時(shí)由柵-3.123.13DrainA卡3DrainDrainSMU2ASourceOSMU1GateSMU2ASourceOA在如圖2所示的雙電壓源掃描法測(cè)試電路中，SMU1仍為帶有電流表的可變直流電壓源；SMU2為帶有兩個(gè)電路間能進(jìn)行電氣切換，并能按照如圖5所示的時(shí)序向被測(cè)器件的柵極和漏極施加預(yù)偏置電壓4.1.3測(cè)試步驟a)采用如圖1所示的柵預(yù)偏置電路對(duì)被測(cè)件進(jìn)行預(yù)偏置，由SMU1施加規(guī)定的柵極預(yù)偏置b)預(yù)偏置完成后切斷柵極預(yù)偏置電壓，經(jīng)過規(guī)定的間隔時(shí)間tfloat；4閾值電壓掃描方向、掃描范圍、測(cè)試時(shí)間施加?xùn)艠O掃描電壓，如圖3所示，同時(shí)由SMU2施加4.1.4規(guī)定條件注1：柵極預(yù)偏置時(shí)間tcon可取1-100ms之間；間隔時(shí)間可取tfloat＜10ms；閾值電壓測(cè)試時(shí)間在掃描步長滿足精度需掃描步長取0.1V，宜使tVT10ms×掃描點(diǎn)數(shù)如掃描步長取0.01V，宜使tVT1ms×掃描點(diǎn)數(shù)以此注2：柵極預(yù)偏置電壓可以選擇柵源電壓的最大（或負(fù)值的最?。╊~定值，或選擇一個(gè)略高于預(yù)期的閾值電壓的值（如高出0.5V），當(dāng)采用后者時(shí)，柵極預(yù)偏置時(shí)間tcon、間隔時(shí)間tfloat、閾值電壓測(cè)試時(shí)間tVT可適當(dāng)延長。DrainGateSMU1SourceGateSMU1SourceA5兩個(gè)電路間能進(jìn)行電氣切換，并能按照如圖5所示的時(shí)序向被測(cè)器件的柵極和漏極施加預(yù)偏置電壓4.2.3測(cè)試步驟a)采用如圖1所示的柵預(yù)偏置電路對(duì)被測(cè)件進(jìn)行預(yù)偏置，由SMU1施加規(guī)定的柵極預(yù)偏置b)預(yù)偏置完成后切斷柵極預(yù)偏置電壓，經(jīng)過規(guī)定的間隔時(shí)間tfloat；注：見4.1.3注1、注2。4.2.4規(guī)定條件注：見4.1.4注1、注2。DrainGateSMU1SourceVthIDSGateSMU1SourceVthIDSVV 兩個(gè)電路間能進(jìn)行電氣切換，并能按照如圖7所示的時(shí)序向被測(cè)器件的柵極和漏極施加預(yù)偏置電壓注：預(yù)偏置電路和電流源法測(cè)試電路可使用同一臺(tái)電源-測(cè)量單元（SMU1如果單臺(tái)電功能，也可使用兩臺(tái)不同的電源-測(cè)量單元，并通過4.3.3測(cè)試步驟a)采用如圖1所示的柵預(yù)偏置電路對(duì)被測(cè)件進(jìn)行預(yù)偏置，由SMU1施加規(guī)定的柵極預(yù)偏置b)預(yù)偏置完成后切斷柵極預(yù)偏置電壓，經(jīng)過規(guī)定的間隔時(shí)間tfloat；7注：見4.1.3注1。4.3.4規(guī)定條件注1：柵極預(yù)偏置時(shí)間tcon可取1-100ms之間；間隔時(shí)間可取tfloat＜50ms；閾值電壓測(cè)試時(shí)間應(yīng)足夠使柵極電壓達(dá)到穩(wěn)A.1常用導(dǎo)通電阻RDS(on)與閾值電流Ith如表A.1。表A.1常用導(dǎo)通電阻RDS(on)與閾值電流I45mΩ4.8mA40mΩ45mΩ91234567…[1]IEC60747-1-1983半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分：總則（Semiconductordevices-Discretedevices-P[2]IEC60747-8-