材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)_第1頁
材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)_第2頁
材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)_第3頁
材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)_第4頁
免費預(yù)覽已結(jié)束,剩余6頁可下載查看

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年山東理工大學(xué)常見的兩種擴散機構(gòu)為()。

答案:空位機構(gòu);間隙機構(gòu)影響溶質(zhì)在置換型固溶體的溶解度的因素是()。

答案:離子尺寸;離子電價的影響;電負性;晶體的結(jié)構(gòu)類型化合物能否形成玻璃與其鍵能和鍵型都有關(guān)。()

答案:對在三元相圖中,相應(yīng)的副三角形的數(shù)量一定等于無變量點的數(shù)量。()

答案:錯石英的位移型轉(zhuǎn)變不涉及晶體結(jié)構(gòu)中鍵的破裂和重建,轉(zhuǎn)變過程迅速而可逆。()

答案:對擴散進行的方向一定是物質(zhì)從高濃度處流向低濃度處。()

答案:錯蒙脫石的顯著特點是C軸吸水后易膨脹。()

答案:對低價陽離子占據(jù)高價陽離子位置時,該位置帶有負電荷,為了保持電中性,會產(chǎn)生陰離子空位或間隙陽離子。()

答案:對一致熔化合物是一種穩(wěn)定的化合物。()

答案:對在三元相圖中,不一致熔二元化合物的組成點不在其初晶區(qū)的范圍內(nèi)。()

答案:對CaZr"示Ca2+離子占據(jù)Zr4+離子位置,且此缺陷帶有二個單位負電荷。()

答案:對蒙脫石屬于1:1型的層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu)。()

答案:錯晶界擴散系數(shù)>表面擴散系數(shù)>晶格擴散系數(shù)。()

答案:錯位置關(guān)系強調(diào)形成缺陷時,基質(zhì)晶體中正負離子結(jié)點數(shù)之比保持不變,并非原子個數(shù)比保持不變。()

答案:對弗倫克爾缺陷的特點是正離子空位與負離子空位成對產(chǎn)生,晶體體積增加。()

答案:錯固溶體是一種單相均一的晶態(tài)固體。()

答案:對高嶺石屬于2:1型的層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu)。()

答案:錯常用γGB/γSV(γGB:晶界能,γSV:表面能)來衡量燒結(jié)難易,若YGB/YSV愈大愈容易燒結(jié)。()

答案:錯在離子晶體中,圍繞每一陽離子,形成一個陰離子配位多面體,陰陽離子的間距決定于它們的半徑之和。()

答案:對一級相變與二級相變都具有相變前后化學(xué)勢的一階偏微分相等的特點。()

答案:錯在離子晶體中,被極化的主要是正離子,負正離子為極化者,正離子作為被極化者。()

答案:錯在離子晶體中,陽離子的配位數(shù)完全取決于正負離子的半徑比。()

答案:錯擴散傳質(zhì)時,對于雙球模型,空位濃度最大的區(qū)域是()。

答案:頸部表面關(guān)于玻璃的性質(zhì)的說法,正確的是()。

答案:Li2O,Na2O和K2O對粘度的影響能力和O/Si有關(guān)蒙脫石屬于層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)特征是()。

答案:三層型二八面體結(jié)構(gòu)CaCl2加入NaCl晶體時,若Ca2+離子位于Na+離子位置上,那么該缺陷所帶電荷為()。

答案:一個單位正電荷燒結(jié)過程中,只改變氣孔形狀而不引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是()。

答案:蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)在晶體材料TiO2-X中,Ti4+位置的數(shù)目與O2-位置的數(shù)目之比為(注意:位置數(shù)目指的是某種離子所在的正常格點的數(shù)目()。

答案:1:2硅酸鹽熔體中聚合物的種類、數(shù)量與熔體的組成O/Si有關(guān),O/Si比值增大,則熔體中()。

答案:高聚物數(shù)量減少根據(jù)缺陷產(chǎn)生的原因進行劃分,點缺陷可以分為三種,下面哪個選項不屬于這三種類型()。

答案:空位關(guān)于點缺陷,以下說法錯誤的是()。

答案:高價陽離子取代低價陽離子,會產(chǎn)生陽離子間隙或陰離子空位關(guān)于位錯,下面說法正確的是()。

答案:刃型位錯和螺型位錯是兩種最基本的位錯對燒結(jié)與晶粒生長說法錯誤的是()。

答案:二者的推動力相同在氧化鈦的非化學(xué)計量化合物中,Ti3+/Ti4+=0.1,則其化學(xué)式為()。

答案:TiO1.955非化學(xué)計量化合物Cd1+xO中存在那種類型晶格缺陷()。

答案:陽離子填隙Na2O·K2O·Al2O3·2SiO2玻璃的四個結(jié)構(gòu)參數(shù)為()。

答案:Z=4R=2.25X=0.5Y=3.5本征缺陷是由于什么形成的?()。

答案:原子的熱運動根據(jù)3T曲線,某種玻璃的形成難度很大,表明其臨界冷卻速率()。

答案:較大在合成鎂鋁尖晶石時,根據(jù)相關(guān)理論可以推斷出固相反應(yīng)速度最快的組合是()。

答案:γ-Al2O3,MgCO3關(guān)于形成填隙固溶體的條件中,下列說法正確的是()。

答案:形成填隙型固溶體的次序是:沸石>CaF2>TiO2>MgO。;也必須保持結(jié)構(gòu)中的電中性;通過形成空位或補償電子缺陷,以及復(fù)合陽離子置換來達到電中性;溶質(zhì)原子的半徑小或溶劑晶格的結(jié)構(gòu)空隙大高嶺石的性能特點是()。

答案:易理解成片狀小晶體;化學(xué)組成較純凈;陽離子交換容量小;離子的取代很少(對)陷產(chǎn)生和消滅的過程可以用化學(xué)反應(yīng)方程式來表示,這種反應(yīng)式的寫法必須滿足以下規(guī)則()。

答案:位置關(guān)系;質(zhì)量守恒;電荷守恒;表面位置對于陰離子空位型的非化學(xué)計量結(jié)構(gòu)缺陷,下面說法正確的是()。

答案:在缺氧的氣氛中形成;TiO2-x與ZrO2-x屬于這種類型;屬于n型半導(dǎo)體;電導(dǎo)率隨氧分壓升高而降低在配位結(jié)構(gòu)中,圍繞高電價、低配位數(shù)的陽離子的陰離子多面體之間完全可以共用棱、共用面。()

答案:錯本征擴散的溫度比雜質(zhì)擴散的溫度低。()

答案:錯楊德爾方程可適用于粉狀物料固相反應(yīng)的全過程。()

答案:錯形成玻璃的物質(zhì)必須具有極性共價鍵或金屬共價鍵型。()

答案:對在一個晶體中,本質(zhì)不同的結(jié)構(gòu)組元的種類趨向于最多。()

答案:錯高嶺石具有較高的陽離子交換容量。()

答案:錯靜電價規(guī)則不可以用來確定陰離子配位數(shù)。()

答案:錯微晶學(xué)說和無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說都承認玻璃是具有近程有序、遠程無序結(jié)構(gòu)特點的無定形物質(zhì)。()

答案:對晶體結(jié)構(gòu)缺陷對能造成晶格點陣的畸變,因此對材料的性能有著非常明顯的影響,因為晶體結(jié)構(gòu)缺陷。()

答案:對在硅酸鹽晶體中,會同時出現(xiàn)[SiO4]和[Si2O7]雙四面體。()

答案:錯對液-固相變過程,若相變過程吸熱,即△H>0,則相變推動力過冷度△T<0。()

答案:對硅酸鹽層狀結(jié)構(gòu)中,2:1型(三層型層狀結(jié)構(gòu))指的是一層四面體層和一層八面體層相連。()

答案:錯硅酸鹽熔體粘度的大小是由熔體中硅氧四面體的網(wǎng)絡(luò)連接程度決定的。()

答案:對固體和液體相互接觸后,若潤濕則體系自由能降低。()

答案:對硅酸鹽晶體的基本單元不是SiO4]四面體。()

答案:錯過冷度越大,晶胚的臨界半徑越小。()

答案:對一個晶體的結(jié)構(gòu),主要取決于其組成單位的數(shù)目、相對大小以及極化性質(zhì)。()

答案:對對硅酸鹽熔體,堿金屬氧化物對粘度的影響能力為Li2O>Na2O>K2O()

答案:錯固相反應(yīng)開始于較高的溫度,但反應(yīng)速度非???。()

答案:錯一般說來,價數(shù)愈低及半徑越大,越易被極化。()

答案:對高溫熔體結(jié)構(gòu)具有近程無序的特點()

答案:錯在正常的結(jié)點位置上有一個結(jié)點位置是空著的,這個空結(jié)點就是空位。()

答案:對硅酸鹽熔體是由低聚物、高聚物、“三維碎片”、吸附物、游離堿等不同聚合程度的各種聚合體的混合物。()

答案:對在氧化鋁晶體中,如果氧離子遷移到固體表面后在原來的位置上留下空位,那么該空位帶2個單位的負電荷。()

答案:錯硅酸鹽晶體中的Si-O鍵不是純離子鍵,有相當(dāng)?shù)墓矁r鍵成分。()

答案:對在三元相圖中,處于相應(yīng)副三角形的交叉位的無變量點是雙轉(zhuǎn)熔點。()

答案:錯固溶體的晶體結(jié)構(gòu)和固體“溶劑”無關(guān)。()

答案:錯離子晶體中,極化可能會導(dǎo)致鍵長縮短。()

答案:對靜電價規(guī)則可以用來判斷晶體結(jié)構(gòu)是否穩(wěn)定(滿足靜電平衡)。()

答案:對B2O3一定使硅酸鹽玻璃的粘度降低。()

答案:錯離子化合物和固溶體都是在原子尺度形成的,它們中的各種原子或離子的數(shù)量比(摩爾比)都不是固定的。()

答案:錯固溶體是一種溶解了雜質(zhì)原子的非晶態(tài)固體。()

答案:錯對于低共熔混合物,從液相中析出幾種晶體,即產(chǎn)生幾種新相。()

答案:對肖特基缺陷的特點是間隙原子和空位成對產(chǎn)生。()

答案:錯熔體析晶遵循成核-長大機理,I、U曲線峰值的大小及位置直接影響析晶過程及制品性質(zhì)。當(dāng)I-U曲線重疊面積大且過冷度大時,容易得到()

答案:晶粒多、尺寸小的細晶。三元系統(tǒng)相圖中,等溫線分布疏松,表明隨溫度變化()。

答案:液相量變化大以下哪種缺陷的產(chǎn)生和環(huán)境的氣氛有關(guān)()。

答案:非化學(xué)計量缺陷關(guān)于熱缺陷,下面說法錯誤的是()。

答案:體積都沒有變化當(dāng)在晶格中存在陽離子空位時,為了保持電中性,在正離子空位周圍捕獲電子空穴,它屬于()。

答案:p型半導(dǎo)體下面那個選項不屬于影響形成置換型固溶體的主要因素()。

答案:密堆積方式可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越大,形成玻璃就()。

答案:越難在離子化合物中,晶界擴散系數(shù)Qg、表面擴散系數(shù)Qs以及晶格擴散系數(shù)Qb的大小關(guān)系一般為()。()

答案:Qs>Qg>Qb在Al2O3中摻加0.5mol%NiO和0.02mol%Cr2O3所制成的人造黃玉,經(jīng)分析認為是形成了置換型(空位)固溶體,則此人造黃玉的化學(xué)式為()。

答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975對于x(0<x<1)mol的Al2O3溶解到1molZrO2形成固溶體,如果形成空位型缺陷,則固溶體的化學(xué)式為()。

答案:Zr1-2xAl2xO2-X某熔體析晶區(qū)較寬,在冷卻析晶時若控制△T大,則得到的產(chǎn)品()。

答案:晶粒多而尺寸小擴散的一般推動力為()。

答案:化學(xué)位梯度關(guān)于硅酸高溫玻璃熔體,下列說法錯誤的是()。

答案:降溫一定不能析出晶體。0.03mol%TiO2固溶于Al2O3中形成空位型有限固溶體,該固溶體分子式為()。

答案:Al1.9997Ti0.0003O3關(guān)于高嶺石和蒙脫石,下面說法錯誤的是()。

答案:兩者吸水后C軸都易膨脹.當(dāng)有n個等大球體緊密堆積時,會形成八面體空隙和四面體空隙,則球體個數(shù)與八面體空隙、四面體空隙的個數(shù)比為()。

答案:1:1:2某晶體AB,A—的電荷數(shù)為1,A—B鍵的S=1/6,則A+的配位數(shù)為()。

答案:6關(guān)于在M2O-SiO2高溫熔體中,關(guān)于Li2O,Na2O,K2O對其粘度的影響,說法正確的是()。

答案:當(dāng)O/Si比很大時,按照熔體粘度按照Li2O,Na2O,K2O次序減小關(guān)于固體材料中的擴散,下面說法正確的是()。

答案:根據(jù)鮑林規(guī)則,[SiO4]四面體中的某一個O2-可以同時被這個[SiO4]四面體和幾個[Fe2+O6]八面體所共用()。

答案:3下列硅酸鹽礦物中是1:1型層狀結(jié)構(gòu)是()。

答案:高嶺石下列性質(zhì)中哪個不是晶體的基本性質(zhì)()。

答案:有限性在硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中硅氧四面體只能以何種方式相連,否則結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定()。

答案:共頂方式在硅酸鹽熔體中,當(dāng)R=O/Si減小時,相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化,熔體析晶能力、熔體的黏度、低聚物數(shù)量如何變化?()。

答案:減小;增大;減小硅酸鹽玻璃的結(jié)構(gòu)是以硅氧四面體為結(jié)構(gòu)單元形成的何種聚集體()。

答案:近程有序,遠程無序下面各項,不屬于形成連續(xù)置換型固溶體的條件是()。

答案:電負性相差大于1Na2O·CaO·Al2O3·3SiO2玻璃的四個結(jié)構(gòu)參數(shù)為()。

答案:Z=4R=2.2X=0.4Y=3.6關(guān)于晶界,下面說法錯誤的是()。

答案:晶界處熔點高于晶粒二級相變的特點是()。

答案:相變時兩相的化學(xué)勢相等;相變時兩相的體積相等;相變時兩相的熵相等相變過程的推動力表現(xiàn)為()。

答案:過冷度;過飽和濃度;過飽和蒸汽壓馬氏體相變的特點是()。

答案:伴隨馬氏體相變的宏觀變形-浮凸效應(yīng);存在習(xí)性平面;相變往往以很高的速度進行,有時高達聲速;無擴散性關(guān)于液-固相變中的關(guān)于晶坯的臨界半徑的說法正確的是()。

答案:過冷度愈大,則rk值就愈小;rk是新相可以長大而不消失的最小晶胚半徑關(guān)于亞穩(wěn)區(qū),說法正確的是()。

答案:在亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)雖然不能自發(fā)產(chǎn)生新相;亞穩(wěn)區(qū)具有不平衡狀態(tài)的特征;在亞穩(wěn)區(qū)內(nèi),物系不能自發(fā)產(chǎn)生新相;在外界能量影響下,也有可能在亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)形成新相,此時使亞穩(wěn)區(qū)縮小以什么為主要傳質(zhì)手段的燒結(jié),用延長時間難以達到坯體致密化的目的()。

答案:蒸發(fā)—凝聚;以擴散傳質(zhì)為主的燒結(jié)初期擴散傳質(zhì)時空位由(),擴散原子或離子由()擴散()。

答案:凸表面向凹表面;凹表面向凸表面燒結(jié)時加入外加劑可以促進燒結(jié),外加劑作用是()。

答案:擴大燒結(jié)溫度范圍;與燒結(jié)主體生成化合物;與燒結(jié)主體形成固溶體;與燒結(jié)主體形成液相下列哪個過程能使燒結(jié)產(chǎn)物強度增大而不產(chǎn)生致密化過程()。

答案:蒸發(fā)—凝聚常用γGB/γSV來衡量燒結(jié)難易,若YGB/YSV愈大,說明燒結(jié)推動力()。

答案:越大關(guān)于金斯特林格方程和楊德爾方程,以下說法正確的是()。

答案:金斯特林格方程適用范圍比楊德爾方程更大。;金斯特林格方程和楊德爾方程都是以穩(wěn)定擴散為假設(shè)條件。;金斯特林格方程沒有考慮體積效應(yīng)。對于間隙空位機構(gòu):間隙擴散活化能包括()。

答案:間隙遷移能對于本征空位機構(gòu):空位擴散活化能包括()。

答案:空位形成能;空位遷移能固體材料中的擴散特點是()。

答案:遷移速率十分緩慢;晶體中的質(zhì)點擴散具有各向異性;明顯的質(zhì)點擴散常開始于較高的溫度;需克服一定勢壘非穩(wěn)定擴散的描述正確的是()。

答案:是菲克第二定律的適用條件;擴散物質(zhì)在擴散層內(nèi)的濃度分布隨時間而變化氧化鋁固溶到氧化鋯中形成的晶態(tài)固體屬于()。

答案:單相相應(yīng)副三角形的數(shù)量()無變量點的數(shù)量()。

答案:≤單轉(zhuǎn)熔點處于相應(yīng)副三角形的什么位()。

答案:交叉位不一致熔融的化合物的特點是()。

答案:加熱后到一定溫度下分解;不穩(wěn)定;在二元系統(tǒng)中,化合物組成位于其液相線的范圍之外用于判斷結(jié)晶產(chǎn)物和結(jié)晶終點的規(guī)則是()。

答案:三角形規(guī)則當(dāng)表面形成雙電層后,它將向內(nèi)層發(fā)生作用,并引起內(nèi)層離子的極化和重排,表面效應(yīng)所能達到的深度,與陰、陽離子的半徑差有關(guān),差愈大深度愈深。()

答案:對黏土在下列哪種溶液中的陽離子交換容量最大()。

答案:

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論