OLED-WET工藝設(shè)備簡(jiǎn)介

OLED-WET工藝設(shè)備簡(jiǎn)介主講：朱義紅（WET）時(shí)間：7月30日Pre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperWETWetEtchingPre-depoCLNStripperDIWCleanHFCleanH2C2O4H3PO4BasePDC100PDC200PDC400PDC500PDC300SpinCLNWET100WET300STR600EQ:全稱WetEtching，即濕法刻蝕，主要是通過(guò)使用某種化學(xué)藥液，利用化學(xué)腐蝕的方法，去除玻璃基板上無(wú)光阻覆蓋區(qū)域膜層，留下光阻覆蓋區(qū)域膜層，最終形成所需PatternWET構(gòu)架：WET簡(jiǎn)介：3LayerCHDNDM1LDDILD中試線產(chǎn)品工藝流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDPDCDIWCLNPLNPASSRobotTRLDUNITULUNITEUVA/KF/RLDFISHI型結(jié)構(gòu)，分上下兩層，上層為搬送單元，下層為清洗單元

TRUNITTRLDR/B全稱Pre-depoClean，即成膜前清洗，用于清洗玻璃基板表面Particle與有機(jī)物等污漬，保證Substrate成膜前表面清潔，膜層界面結(jié)合完好。

PDCDIWCleanPDC作用：設(shè)備簡(jiǎn)介：N2inN2outLampquartzSubstrate172nmEUVHousingPurpose:

toremoveOrganicObjectandremainderPRO2O3O*CxHyOzCmHnOkCmHnOk+O*/O3CO2+H2O+CO172nm172nm172nmprinciple：N2FlowRate：75~85LPMEUV:ExcimerUltra-violet

PDCDIWClean-EUVUnitBubbleJet將CDA和DIW進(jìn)行混合，并利用高壓噴灑到Substrate表面，產(chǎn)生大量的微小氣泡。氣泡在破裂的時(shí)候產(chǎn)生沖擊力，可以打掉基板表面的大顆粒Particle。CDADIWBubbleCDAPressure：120~170KPaDIWFlowRate：45~65LPMFinalrinse,即最終清洗F/R:機(jī)理:工藝參數(shù):

PDCDIWClean-F/RUnitA/kShowerSubstrate1、風(fēng)刀干燥前需要預(yù)濕Shower，使Substrate表面形成均一的水膜，AirKnife干燥之后，不會(huì)留下殘水。2、Upper的壓力要比Lower的壓力大，否則Glass容易震動(dòng)。UpperKnifePressure:0.50~0.60MPaLowerKnifePressure:0.45~0.55MPaAirKnife，即干燥風(fēng)刀A/K:注意事項(xiàng):工藝參數(shù):

PDCDIWClean-A/KUnit3LayerCHDNDM1LDDILD中試線產(chǎn)品工藝流程PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDPDCHFCLNPLNPASSM2RobotTRLDUNITULUNITEUVA/KF/RLDFISH即氫氟酸清洗，用于清洗膜層表面氧化物

TRUNITTRLDR/BPre-ILDDepoCLN&Pre-M2DepoCLNSWRHF15~30LPM（HFFlowRate）HFCLN:涉及制程:建議參數(shù):

PDCHFClean-PDC3003LayerCHDNDM1LDDILD中試線產(chǎn)品工藝流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDSpin

HFCLNPLNPASSMS&O3DHFPre-ELACLN:ODOMPre-GICLN:ODODMPre-M1CLN:OM清洗流程:清洗目的:O3CLN:即臭氧水清洗，清洗后可生成氧化物DHFCLN：即氫氟酸清洗，用于去除氧化物MS：MegaSonic，即兆聲清洗，可有效去除Particle

SpinHFClean3LayerCHDNDM1LDDILD中試線產(chǎn)品工藝流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDWetEtchingPLNPASSEUV液刀風(fēng)簾干燥風(fēng)刀置換液刀DIWRinseEtchingZoneInCVOutCVBufferA/KWET:WetEtching，即濕法刻蝕，用于刻蝕像素電極ITO層和反射電極ITO-Ag-ITO層設(shè)備:U型結(jié)構(gòu)，WET100對(duì)應(yīng)ITO刻蝕、WET300對(duì)應(yīng)ITO-Ag-ITO刻蝕

WetEtching刻蝕帶出藥液處理風(fēng)刀水洗干燥風(fēng)刀PumpChemicalTank刻蝕藥液:ITO刻蝕液為草酸H2C2O4，ITO-Ag-ITO刻蝕液為磷酸基混酸H3PO4+HNO3+CH3COOHITO刻蝕原理:由草酸溶解銦氧化物及錫氧化物，產(chǎn)生銦及錫的金屬離子于溶液中，并隨溶液流走。蝕刻反應(yīng)式如下：H2C2O4+2H2O=2H3O++C2O4-

SnO2+4H+=Sn4++2H2OIn2O3+6H+=2In3++3H2O

Sn4++2H2C2O4=Sn(COO)2+4H+2In3++3H2C2O4=2In(COO)3+6H+工藝參數(shù):濃度：3.4～3.8wt%

溫度：44～46℃流量：45～55lpm時(shí)間：70S

WetEtching單邊CDlossGlassFilmPRGlassFilmPRCDLoss:定義：

CDLoss=CDPH–CDET影響因素：

1、刻蝕時(shí)間2、藥液濃度3、藥液溫度4、藥液流量TaperAngle:定義：

膜層斜邊與底邊夾角影響因素：

1、過(guò)刻量（OverEtching）2、膜層界面3、添加劑4、其他因素

WetEtching-關(guān)鍵指標(biāo)3LayerCHDNDM1LDDILD中試線產(chǎn)品工藝流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDStripperPLNPASSEntranceConveyorHPStripping2HPStripping1SprayStrippingH/PAA-JetRinseAirKnifeNeutralConveyorExitConveyor12002850120017501750185011001400185017501700170070018001800900UTurnRinseStrip:光刻膠剝離設(shè)備:STR600對(duì)應(yīng)中試線所有制程