GB∕ T 4937.42-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第42部分：溫濕度貯存（正式版）

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會IGB/T4937.42—2023/IEC6——第1部分：總則——第11部分：快速溫度變化雙液槽法； 本文件等同采用IEC60749-42:2014《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第42部分：溫濕度ⅡGB/T4937.42—2023/IEC60749-42:2014——第1部分：總則。目的在于規(guī)定半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法的通用準(zhǔn)則?！?部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAS ——第9部分：標(biāo)志耐久性。目的在于檢測半導(dǎo)體器件上的標(biāo)志耐久——第10部分：機(jī)械沖擊。目的在于檢測半導(dǎo)體器件和印制板組件承受中等嚴(yán)酷程度沖擊的適應(yīng)—第11部分：快速溫度變化雙液槽法。目的在于規(guī)定半導(dǎo)體器件的快速溫度變化(雙液槽法)—-第13部分：鹽霧。目的在于檢測半導(dǎo)體器件耐腐蝕的能力。 —第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱。目的在于檢測通孔安裝的固態(tài)封裝半導(dǎo)體器件承受 第16部分：粒子碰撞噪聲檢測(PIND)。目的在于規(guī)定空腔器件內(nèi)存在自由粒子的檢測 第18部分：電離輻射(總劑量)。目的在于規(guī)定評估低劑量率電離輻射對半導(dǎo)體器件作用的 第19部分：芯片剪切強(qiáng)度。目的在于檢測半導(dǎo)體芯片安裝在管座或基板上所使用的材料和 第20部分：朔封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響。目的在于通過模擬貯存在倉庫或 ⅢGB/T4937.42—2023/IEC6——第24部分：加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)。目的在于檢測非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕——第27部分：靜電放電(ESD)敏感度測試機(jī)器模型(MM)。目的在于規(guī)定可靠、可重復(fù)的——第28部分：靜電放電(ESD)敏感度測試帶電器件模型(CDM)器件級。目的在于規(guī)定可 VGB/T4937.42—2023/IEC60749-42:2014 GB/T4937(所有部分)均為一一對應(yīng)采用IEC60749(所有部分),以保證半導(dǎo)體器件試驗(yàn)方法與國1半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法IEC60749-20半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part20:Resistanceof2器件應(yīng)放入采購文件規(guī)定的高溫高濕試驗(yàn)箱中。將器件放入和移出試驗(yàn)箱溫濕度條件應(yīng)從表1中選取。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，應(yīng)使用條件C。對規(guī)定條件D、E和F,除相度進(jìn)行控制。宜注意，現(xiàn)場使用中不會發(fā)生的外引線電鍍金屬間短路(漏電),在條件C(85℃、相對濕度85%)和條件D、E和F(不飽和高壓蒸汽試驗(yàn))下，可能會發(fā)生而造成失效。在相關(guān)文件中記錄并增加加速和擴(kuò)散模型，該模型用來估計(jì)使用條件下的水汽暴露持續(xù)時(shí)間。在條件表1溫濕度貯存試驗(yàn)條件℃%試驗(yàn)時(shí)間hABCDEF3℃室內(nèi)溫度相對濕度溫度<3h試驗(yàn)時(shí)間