高中化學(xué) 4.1.2 硅酸鹽的硅單質(zhì)隨堂練習(xí) 新人教版必修1

【創(chuàng)新設(shè)計(jì)】高中化學(xué)4.1.2硅酸鹽的硅單質(zhì)隨堂練習(xí)新人教版必修11．(對(duì)應(yīng)考點(diǎn)一)下列說法正確的是()A．硅是良好的半導(dǎo)體材料，能與鹽酸或氫氧化鈉溶液反應(yīng)B．二氧化硅不導(dǎo)電，能與鹽酸或氫氧化鈉溶液反應(yīng)C．硅酸具有多孔性結(jié)構(gòu)，可用作吸附劑或催化劑載體D．二氧化硅是酸性氧化物，能與氫氟酸反應(yīng)，也能與氫氧化鈉溶液反應(yīng)解析：硅與鹽酸不反應(yīng)，A不正確；二氧化硅與鹽酸也不反應(yīng)，B不正確；具有多孔結(jié)構(gòu)，用作吸附劑或催化劑載體的是硅膠，而不是硅酸，C不正確；D項(xiàng)正確，SiO2＋4HF=SiF4↑＋2H2O,2NaOH＋SiO2=Na2SiO3＋H2O。答案：D2．(對(duì)應(yīng)考點(diǎn)一)由下列實(shí)驗(yàn)事實(shí)得出的結(jié)論正確的是()A．由SiO2不能與水反應(yīng)生成H2SiO3，可知SiO2不是酸性氧化物B．由SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑，可知碳的非金屬性大于硅C．CO2通入Na2SiO3溶液產(chǎn)生白色沉淀，可知酸性H2CO3>H2SiO3D．SiO2可與NaOH溶液反應(yīng)，也可與氫氟酸反應(yīng)，可知SiO2為兩性氧化物解析：SiO2是酸性氧化物，A項(xiàng)錯(cuò)誤；反應(yīng)SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑不能說明碳的非金屬性比硅強(qiáng)，該反應(yīng)能發(fā)生是因?yàn)樯蒀O氣體，它的放出促進(jìn)了反應(yīng)進(jìn)行，B項(xiàng)錯(cuò)誤；CO2通入Na2SiO3溶液中生成H2SiO3膠體，符合強(qiáng)酸制弱酸的規(guī)律，證明酸性H2CO3>H2SiO3，C項(xiàng)正確；D項(xiàng)中SiO2除氫氟酸外不能與其他的酸反應(yīng)，SiO2為酸性氧化物，不具有兩性，D項(xiàng)錯(cuò)誤。答案：C3．(對(duì)應(yīng)考點(diǎn)二)下列關(guān)于硅的說法不正確的是()A．硅是非金屬元素，它的單質(zhì)是灰黑色有金屬光澤的固體B．硅的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是良好的半導(dǎo)體材料C．硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)D．加熱到一定溫度時(shí)，硅能與氯氣、氧氣等非金屬反應(yīng)解析：硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是良好的半導(dǎo)體材料；硅的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、常溫下可與F2、HF、強(qiáng)堿溶液反應(yīng)，加熱或高溫下可與O2、Cl2等一些非金屬發(fā)生反應(yīng)。答案：C4．(對(duì)應(yīng)考點(diǎn)二)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑②Si＋2Cl2eq\o(=,\s\up7(△))SiCl4③SiCl4＋2H2eq\o(=,\s\up7(△))Si＋4HCl。下列對(duì)上述三個(gè)反應(yīng)的敘述中，不正確的是()A．①③為置換反應(yīng)B．②為化合反應(yīng)C．①②③均為氧化還原反應(yīng)D．三個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被還原解析：反應(yīng)①③中硅元素被還原，反應(yīng)②中硅元素被氧化，D錯(cuò)誤。答案：D5．(熱點(diǎn)題)氮化硅高溫陶瓷材料是現(xiàn)代重要的結(jié)構(gòu)陶瓷，因其有硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注。工業(yè)上普遍用下列流程進(jìn)行生產(chǎn)：(1)SiO2和C反應(yīng)除了得到粗硅外，還有可能得到一種硬度也很大的物質(zhì)，是生成粗硅還是生成該物質(zhì)主要是由________決定的。(2)反應(yīng)①的條件是____________________________________________________。(3)寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式____________________________________________。(4)A中可能的雜質(zhì)有__________________________________________________。(5)現(xiàn)在是用四氯化硅、氮?dú)?、氫氣在稀有氣體保護(hù)下加強(qiáng)熱，得到純度較高的氮化硅，其反應(yīng)方程式為______________________________________________________________________________________________________________________________。解析：SiO2與C在高溫下反應(yīng)，會(huì)因C的用量不同而使產(chǎn)物不同：SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑或SiO2＋3Ceq\o(=,\s\up7(高溫))SiC＋2CO↑；反應(yīng)①的條件是：高溫和隔絕空氣；反應(yīng)②的化學(xué)方程式：3CuO＋2NH3eq\o(=,\s\up7(△))3Cu＋N2＋3H2O；A中可能的雜質(zhì)有：NH3和H2O；得到純度較高的氮化硅的反應(yīng)方程式為：3SiCl4＋2N2＋6H2eq\o(=,\s\up7(高溫))Si3N4＋12HCl。答案：(1)C的用量(2)高溫和