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PAGEPAGE1PCB設(shè)計(jì)測試試卷1姓名:______班級:____考試日期:____一、原理庫設(shè)計(jì)(共計(jì)20分)【操作要求】1.在AltiumDesigner6窗口中創(chuàng)建一個(gè)名為“P89V51RD2BN”的新元件,如圖1所示。要求:(1)建立名為“NewSchlib.SchLib”的原理圖庫文件;(2)在該庫中創(chuàng)建名為“P89V51RD2BN”的新元件;(3)設(shè)置元件默認(rèn)編號為“U?”,元件型號為“P89V51RD2BN”,封裝為“DIP40B”;(4)進(jìn)行元件規(guī)則檢查;(5)保存文件,推出操作環(huán)境。圖1元件“P89V51RD2BN”二、PCB庫設(shè)計(jì)(共計(jì)30分)【操作要求】在AltiumDesigner6窗口中創(chuàng)建一個(gè)名為“TRAN”的變壓器新元件,如圖2所示。要求:(1)在開關(guān)電源電路元件庫中添加名為TRAN”的新元件;(2)設(shè)置元件默認(rèn)編號為“T?”,元件型號為“TRAN”;(3)進(jìn)行元件規(guī)則檢查;(4)新建PCB封裝庫文件,命名為“new.PCBLib”;(5)繪制名為“TRAN”的變壓器封裝,參考圖3具體信息如下:①外框大?。?200mil×710mil;②通孔尺寸為30mil,焊盤均為矩形,大小為100mil×48mil;③焊盤縱向間距為150mil,橫向間距為1000mil;④邊緣焊盤與絲印層的距離為50mil-100mil之間。⑤絲印層線寬采用默認(rèn)的10mil。(6)設(shè)計(jì)完成進(jìn)行規(guī)則檢查;(7)添加封裝至元件庫屬性;(8)保存文件,推出操作環(huán)境。圖2元件“TRAN”圖3元件“TRAN”封裝三、原理圖與PCB板設(shè)計(jì)(共計(jì)50分)【操作要求】1.繪制圖4所示“開關(guān)電源電路”,要求:(1)在桌面下建立以“開關(guān)電源電路”命名的文件夾。(2)以“開關(guān)電源電路”為名字建立工程文件,保存在上述“開關(guān)電源電路”文件夾中。(3)在上述工程中建立原理圖文件,命名為“開關(guān)電源電路”(擴(kuò)展名為.SchDoc),建立PCB文件,命名為“開關(guān)電源電路”(擴(kuò)展名為.PcbDoc)。(4)參照圖4在原理圖中放置元件,并按照表1工程元件清單相應(yīng)設(shè)置各元件參數(shù)。(5)正確連線及放置網(wǎng)絡(luò)標(biāo)識。(6)本設(shè)計(jì)需要制作變壓器、保險(xiǎn)絲與MOSFET元件及其封裝,制作過程參照詳見項(xiàng)目六實(shí)訓(xùn)制作。(7)運(yùn)行編譯命令,若有錯(cuò)誤則進(jìn)行修正。(8)使用雙層板進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)。(9)參考PCB大小為3472mil×2200mil,采用雙面布線。(10)布線安全間距為15mil,交流布線寬度為25mil,直流部分為15mil,地線寬為50mil,導(dǎo)線拐彎應(yīng)為圓角。(11)布局采用自動(dòng)與手動(dòng)相結(jié)合,布線采用自動(dòng)布線為主。(12)進(jìn)行未布線區(qū)域的敷銅操作,要求敷銅在頂層且與GND相連。(13)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)密度分析,確定布局的合理性。(14)設(shè)計(jì)完成后進(jìn)行規(guī)則檢查,若有錯(cuò)誤則進(jìn)行修正。(15)在板子四周制作3mm安裝孔四個(gè)。(16)添加標(biāo)注與尺寸標(biāo)識,并輸出3D效果。(17)保存所構(gòu)建的電路,推出操作環(huán)境。圖4開關(guān)電源電路原理圖CommentDesignatorFootprintLibRefQuantityCapC1,C2,C3,C4,C5,C6,C7,C8,C9,C10,C11,C12,C13,C14,C15RAD-0.3Cap15Bridge1D1-4D-38Bridge1111DQ03D5DIODE-0.7DZener11N4002D6,D7,D8DO-41Diode1N40023UXD1120D9DO-201ADDiode1N54041FR107D10,D11DO-201ADDiode1N54002IN4004D12DO-201ADDiode1N54041FUNFUNFUNFUN1InductorL1,L2,L30402-AInductor3Header2HP1,P2HDR1X2HMHDR1X22Header3HP3HDR1X3HMHDR1X31MOSFET-NQ1Q1MOSFET-N1Res2R1,R2,R3,R4,R7,R8,R9,R10,R11AXIAL-0.4Res29Res2R5,

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