器件檢驗方法

電阻

導(dǎo)電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用k。、MQ表

示。

一、電阻的型號命名方法：

國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻）

第一部分：主稱，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。

第二部分：材料，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，上碳膜、H-合成碳膜、S-有機實心、N-無機實

心、J-金屬膜、丫-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。

第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。普通、2-普通、3-超高

頻、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、廠可調(diào)。

第四部分:序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標等

例如:RT11型普通碳膜電阻型｝

二、電阻器的分類

1、線繞電阻器：通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。

2、薄膜電阻器：碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積膜電阻

器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。

3、實心電阻器：無機合成實心碳質(zhì)電阻器、有機合成實心碳質(zhì)電阻器。

4、敏感電阻器：壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。

三、主要特性參數(shù)

1、標稱阻值：電阻器上面所標示的阻值。

2、允許誤差：標稱阻值與實際阻值的差值跟標稱阻值之比的百分數(shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。

允許誤差與精度等級對應(yīng)關(guān)系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1（或00）、±2%-0.2（或0）、±5%-I級、

士10%-11級、±20%TH級

3、額定功率：在正常的大氣壓力90T06.6KPa及環(huán)境溫度為-55℃?+70℃的條件下，電阻器長期工作

所允許耗散的最大功率。

線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、

100、150、250、500

非線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100

4、額定電壓：由阻值和額定功率換算出的電壓。

5、最高工作電壓：允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時，，最高工作電壓較低。

6、溫度系數(shù)：溫度每變化1C所引起的電阻值的相對變化。溫度系數(shù)越小，電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨

溫度升高而增大的為正溫度系數(shù)，反之為負溫度系數(shù)。

7、老化系數(shù)：電阻器在額定功率長期負荷下，阻值相對變化的百分數(shù)，它是表示電阻器壽命長短的參

數(shù)。

8、電壓系數(shù)：在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，電壓每變化1伏，電阻器的相對變化量。

9、噪聲：產(chǎn)生于電阻器中的?種不規(guī)則的電壓起伏，包括熱噪聲和電流噪聲兩部分，熱噪聲是由于導(dǎo)體

內(nèi)部不規(guī)則的電子自由運動，使導(dǎo)體任意兩點的電壓不規(guī)則變化。

四、電阻器阻值標示方法

1、直標法：用數(shù)字和單位符號在電阻器表面標出阻值，其允許誤差直接用百分數(shù)表示，若電阻上未注偏

差,則均為±20%。

2、文字符號法：用阿拉伯數(shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，其允許偏差也用文字符號

表示。符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。

表示允許誤差的文字符號

文字符號DFGJKM

允許偏差±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%

3、數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標稱值的標志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三

位為指數(shù)，即零的個數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號表示。

4、色標法：用不同顏色的帶或點在電阻器表面標出標稱阻值和允許偏差。國外電阻大部分采用色標法。

黑-0、棕T、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無色-±20%

當電阻為四環(huán)時，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數(shù)字，第三位為乘方數(shù)，第四位為偏差。當電阻

為五環(huán)時，最彳奏?環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字，第四位為乘方數(shù)，第五位為偏差。

五、常用電阻器

1、電位器

電位器是一種機電元件，他靠電刷在電阻體上的滑動，取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。

1.1合成碳膜電位器

電阻體是用經(jīng)過研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基體表面而成，該工藝簡單，是口前應(yīng)用最廣泛

的電位器。特點是分辯力高耐磨性好，壽命較長。缺點是電流噪聲，非線性大，耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。

1.2有機實心電位器

有機實心電位器是一種新型電位器，它是用加熱塑壓的方法，將有機電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。有機實

心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的優(yōu)點。但溫度系數(shù)大、動噪聲大、

耐潮性能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可靠、高耐磨性的電r設(shè)備以及交、直流電路中用

作調(diào)節(jié)電壓、電流。

1.3金屬玻璃鈾電位器

用絲網(wǎng)印刷法按照?定圖形，將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。特點是：阻值

范圍寬，耐熱性好，過我能力強，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的電位器品種，缺點是接觸電阻和甩流

噪聲大。

1.4繞線電位器

繞線電位器是將康銅絲或銀鋁合金絲作為電阻體，并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點是接觸電

陽小，精度高，溫度系數(shù)小，其缺點是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中

調(diào)零和工作點等。

1.5金屬膜也位器

金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點是分辯力高、耐高溫、溫度系

數(shù)小、動噪聲小、平滑性好。

1.6導(dǎo)電塑料電位器

用特殊工藝將DAP（鄰苯二甲酸二稀丙脂）電阻漿料覆在絕緣機體上，加熱聚合成電阻膜，或?qū)AP電阻

粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的實心體作為電阻體。特點是：平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長、

動噪聲小、可靠性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)彈、飛機雷達天線的伺服系統(tǒng)等。

1.7帶開關(guān)的電位器

有旋轉(zhuǎn)式開關(guān)電位器、推拉式開關(guān)電位器、推推開關(guān)式電位器

1.8預(yù)調(diào)式電位器

預(yù)調(diào)式電位器在電路中，一旦調(diào)試好，用蠟封住調(diào)節(jié)位置，在一般情況下不再調(diào)節(jié)。

1.9直滑式電位器

采用直滑方式改變電阻值。

1.10雙連電位器

有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器

1.11無觸點電位器

無觸點電位器消除了機械接觸，壽命長、可靠性高，分光電式電位器、磁敏式電位器等。

2、實芯碳質(zhì)電阻器

用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個實體的電阻器。

特點：價格低廉，但其阻值誤差、噪聲電壓都大，穩(wěn)定性差，目前較少用。

3、繞線電阻器

用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。

繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高，穩(wěn)定性好?，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點是

高頻性能差，時間常數(shù)大。

4、薄膜電阻器

用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下：

4.1碳膜電阻器

將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)

低，是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。

4.2金屬膜電阻器。

用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。

金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲，溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。

4.3金屬氧化膜電阻器

在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。山于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負載能力強。

4.4合成膜電阻

將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。

由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu)，所以其噪聲大，精度低，主要用他制造高壓，高阻，小型電阻器。

5、金屬玻璃鈾電阻器

將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板ho

耐潮濕，高溫，溫度系數(shù)小，主要應(yīng)用于厚膜電路。

6、貼片電阻SMT

片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，他的電阻體是高可靠的釘系列玻璃鈾材料經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成，電

極采用銀鈿合金漿料。體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能好。

7、敏感電阻

敏感電阻是指器件特性對溫度，電壓，濕度，光照，氣體，磁場，壓力等作用敏感的電阻器。

敏感電阻的符號是在普通電阻的符號中加一斜線，并在旁標注敏感電阻的類型，如：t.v等。

7.1、壓敏電阻

主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻，氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。

7.2、濕敏電阻

由感濕層，電極，絕緣體組成，濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻，碳濕敏電阻，氧化物濕敏電阻。氯

化鋰濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小，缺點為測試范圍小，特性重復(fù)性不好，受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點

為低溫靈敏度低，阻值受溫度影響大，由老化特性，較少使用。

氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越，可長期使用，溫度影響小，阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。有氧化錫，銀鐵酸鹽，

等材料。

7.3、光敏電阻

光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當某種物質(zhì)受到光照時，載流子的濃度增加從而

增加了電導(dǎo)率，這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。

7.4、氣敏電阻

利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應(yīng)制成，主要成分是金屬氧化物，主要品種有：金屬氧化

物氣敏泡阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。

7.5、力敏電阻

力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻，國外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo)體材料的

電阻率隨機械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)?？芍瞥筛鞣N力矩計，半導(dǎo)體話筒，壓力傳感器等。主要品種有硅力敏

電阻器，硒暗合金力敏電阻器，相對而言，合金甩阻器具有更高靈敏度。

電容

電容是甩子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)

換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉

（pF）,lF=10^6uF=10^12pF

一、電容器的型號命名方法

國產(chǎn)電容器的型號一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、

分類和序號。

第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。

第二部分：材料，用字母表示。

第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別用字母表示。

第四部分：序號，用數(shù)字表示。

用字母表示產(chǎn)品的材料：A-銅電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-

合金電解、卜復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、＞金屬化紙、L-滌綸等極性行機薄膜、N-鋸電解、0-玻璃膜、Q-漆膜、T-

低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介

二、電容器的分類

1、按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。

2、按電解質(zhì)分類有：有機介質(zhì)電容器、無機介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介

質(zhì)電容器等。

3、按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型

電容器。

4、頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容

器。

5、低頻旁路：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解甩容器、滌綸電容器。

6、濾波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鋰電容器。

7、調(diào)諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。

8、高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。

9、低耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體笆電容

器。

10、小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁FR解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鋁電容器、玻璃釉

電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。

三、常用電容器

1、鋁電解電容器

用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因為氧化膜有單

向?qū)щ娦再|(zhì)，所以電解甩容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動電流容量誤差大，泄漏電流大：普通的不適于

在高頻和低溫下應(yīng)用，不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波

2、鋰電解電容器

而燒結(jié)的鋁塊作正極，電解質(zhì)使用固體二氧化鎰溫度特性、頻率特性和可靠性均優(yōu)于普通電解電容器，特

別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對

脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可靠機件中

3、薄膜電容器

結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損耗小不能做成大的

容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路

4、瓷介電容器

穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗

小，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路

5、獨石電容器

（多層陶瓷電容器）在若干片陶寬薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外

面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)

定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路

6、紙質(zhì)電容器

?般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008?0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡

單.，價格便宜，能得到較大的電容量

一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于3?4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高，穩(wěn)定性

也好，適用于高壓電路

7、微調(diào)電容器

電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個電容值。瓷介微調(diào)電容器的Q值高，體積也

小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡單，但穩(wěn)定性較

差。線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復(fù)調(diào)試的場

合使用

8、陶瓷電容器

用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鐵一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在

陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振

蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，

或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路L「，因為它們易于被脈

沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路

9、玻璃釉電容器

由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質(zhì)再以銀層也極經(jīng)燒結(jié)而成〃獨石〃結(jié)構(gòu)性能可與云

母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200C或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V,損耗

tg50.0005-0.008

四、電容器主要特性參數(shù)

1、標稱電容量和允許偏差

標稱電容量是標志在電容器上的電容量。

電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。

精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00(01)-±1%、0(02)-±2%、I-±5%.II-±10%.III-±20%.IV-

(+20%-10%)、V-(+50%-20%)、VI-(+50%-30%)

一般電容器常用I、II、in級，電解電容器用N、v、VI級，根據(jù)用途選取。

2、額定電壓

在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標注在電容器外殼

上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。

3、絕緣電阻

直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.

當電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉0.luf時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越大越好。

電容的時間常數(shù)：為恰當?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的

乘積。

4、損耗

電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損

耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。

在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不

僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。

5、頻率特性

隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。

五、電容器容量標示

1、直標法

用數(shù)字和單位符號直接標出。如OluF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數(shù)點，如R56表示0.56微

法。

2、文字符號法

用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如plO表示0.IpF,IpO表示IpF,6P8表示6.8pF,2u2表示

2.2uF.

3、色標法

用色環(huán)或色點表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標法與電阻相同。

電容器偏差標志符號：+100%-0—IK+100%-10%—R.+50%-10%—T.+30210%—Q、+50%-20%—S.+80舟-20%—

Zo

電感線圈

電感線圈是由導(dǎo)線一圈靠一圈地繞在絕緣管匕導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以

包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用L表示，單位有亨利（H）、亳亨利（mH）、微亨利（uH）,lH=l（/3niH=10%uH。

一、電感的分類

按電晟形式分類：固定電感、可變電感。

按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。

按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。

按繞線結(jié)構(gòu)分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。

二、電感線圈的主要特性參數(shù)

1、電感量L

電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般

不與門標注在線圈上，而以特定的名稱標注。

2、感抗XL

電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系

為XL=2nfL

3、品質(zhì)因素Q

品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/Ro線圈

的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，

高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。

4、分布電容

線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線

圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。

三、常用線圈

1、單層線圈

單層線圈是用絕緣導(dǎo)線?圈挨?圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機中波天線線圈。

2、蜂房式線圈

如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉(zhuǎn)而平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而

其旋轉(zhuǎn)?周，導(dǎo)線來回彎折的次數(shù)，常稱為折點數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點是體積小，分布電容小，而且電感量

大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機來繞制，折點越多，分布電容越小

3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈

線圈的電感量大小與有無磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)

因素。

4、銅芯線圈

銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多，利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量，這種調(diào)整比較方便、

耐用。

5、色碼電感器

色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標志方法同電阻?樣以色環(huán)來標記。

6、阻流圈（扼流圈）

限制交流電通過的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。

7、偏轉(zhuǎn)線圈

偏轉(zhuǎn)線圈是電視機掃描電路輸出級的負載，偏轉(zhuǎn)線圈要求：偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場均勻、Q值高、體積

小、價格低。

變壓器

變壓器是變換交流電壓、甩流和阻抗的器件，當初級線圈中通有交流電流時，鐵芯（或磁芯）中便產(chǎn)

生交流磁通，使次級線圈中感應(yīng)出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個或兩個

以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級線圈，其余的繞組叫次級線圈。

一、分類

按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。

按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。

按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵

芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。

按電源相數(shù)分類：單相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。

按用途分類：電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。

二、電源變壓器的特性參數(shù)

1、工作頻率

變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大，故應(yīng)根據(jù)使用頻率來設(shè)計和使用，這種頻率稱工作頻率。

2、額定功率

在規(guī)定的頻率和電壓下，變壓器能長期工作，而不超過規(guī)定溫升的輸出功率。

3、額定電壓

指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓，工作時不得大于規(guī)定值。

4、電壓比

指變壓器初級電壓和次級電壓的比值，有空載電壓比和負載電壓比的區(qū)別。

5、空載電流

變壓器次級開路時，初級仍有一定的電流，這部分電流稱為空載電流?？蛰d電流由磁化電流（產(chǎn)生磁

通）和鐵損電流（由鐵芯損耗引起）組成。對于50Hz電源變壓器而言，空載電流基本上等于磁化電流。

6、空載損耗

指變壓器次級開路時，在初級測得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗，其次是空載電流在初級線圈銅阻

上產(chǎn)生的損耗（銅損），這部分損耗很小。

7、效率

指次級功率P2與初級功率P1比值的百分比。通常變壓器的額定功率愈大，效率就愈高。

8、絕緣電阻

表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的性

能、溫度高低和潮濕程度有關(guān)。

三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)

1、頻率響應(yīng)

指變壓器次級輸出電壓隨工作頻率變化的特性。

2、通頻帶

如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0,當輸出電壓（輸入電壓保持不變）下降到0.707U0時的頻

率范圍，稱為變壓器的通頻帶B。

3、初、次級阻抗比

變壓器初、次級接入適當?shù)淖杩筊o和Ri,使變壓器初、次級阻抗匹配，則R。和Ri的比值稱為初、

次級阻抗比。在阻抗匹配的情況下，變壓器工作在最佳狀態(tài)，傳輸效率最高。

繼電器

一、繼電器的工作原理和特性

繼電器是?種電子控制器件?，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通

常應(yīng)用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自

動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。

1、電磁繼電器的工作原理和特性

電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定的電壓，線圈

中就會流過一定的電流，從而產(chǎn)生電磁效應(yīng)，銜鐵就會在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯，

從而帶動銜鐵的動觸點與靜觸點（常開觸點）吸合。當線圈斷電后，電磁的吸力也隨之消失，銜鐵就會在彈簧

的反作用力返回原來的位置，使動觸點與原來的靜觸點（常閉觸點）吸合。這樣吸合、釋放，從而達到了在電

路中的導(dǎo)通、切斷的目的。對于繼電器的“常開、常閉”觸點，可以這樣來區(qū)分：繼電器線圈未通電時處于斷

開狀態(tài)的靜觸點，稱為“常開觸點”；處于接通狀態(tài)的靜觸點稱為“常閉觸點”。

2、熱敏干簧繼電器的工作原理和特性

熱敏干簧繼電器是一種利用熱敏磁性材料檢測和控制溫度的新型熱敏開關(guān)。它由感溫磁環(huán)、恒磁環(huán)、

干簧管、導(dǎo)熱安裝片、塑料襯底及其他一些附件組成。熱敏干簧繼電器不用線圈勵磁，而由恒磁環(huán)產(chǎn)生的磁力

驅(qū)動開關(guān)動作。恒磁環(huán)能否向干簧管提供磁力是山感溫磁環(huán)的溫控特性決定的。

3、固態(tài)繼電器（SSR）的工作原理和特性

固態(tài)繼電器是一種兩個接線端為輸入端，另兩個接線端為輸出端的四端器件，中間采用隔離器件實現(xiàn)

輸入輸出的電隔離。

固態(tài)繼電器按負載電源類型可分為交流型和直流型。按開關(guān)型式可分為常開型和常閉型。按隔離型式可分為混

合型、變壓器隔離型和光電隔離型，以光電隔離型為最多。

二、繼電器主要產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

1、額定工作電壓

是指繼電器正常工作時線圈所需要的電壓。根據(jù)繼電器的型號不同，可以是交流電壓，也可以是直流電

壓。

2、直流電阻

是指繼電器中線圈的直流電阻，可以通過萬能表測量。

3、吸合電流

是指繼電器能夠產(chǎn)生吸合動作的最小電流。在正常使用時，給定的電流必須略大于吸合電流，這樣繼電器

才能穩(wěn)定地工作。而對于線圈所加的工作電壓，一般不要超過額定工作電壓的L5倍，否則會產(chǎn)生較大的電流

而把線圈燒毀。

4、釋放電流

是指繼電器產(chǎn)生釋放動作的最大電流。當繼電器吸合狀態(tài)的電流減小到一定程度時，繼電器就會恢復(fù)

到未通電的釋放狀態(tài)。這時的電流遠遠小于吸合電流。

5、觸點切換電壓和電流

是指繼電器允許加載的電壓和電流。它決定了繼電器能控制電壓利電流的大小，使用時不能超過此

值，否則很容易損壞繼電器的觸點。

三、繼電器測試

1、測觸點電阻

用萬曲表的電阻檔，測量常閉觸點與動點電阻，其阻值應(yīng)為0;而常開觸點與動點的阻值就為無窮大。由

此可以區(qū)別出那個是常閉觸點，那個是常開觸點。

2、測線圈電阻

可用萬能表RX10C檔測量繼電器線圈的阻值，從而判斷該線圈是否存在著開路現(xiàn)象。

3、測量吸合電壓和吸合電流

找來可調(diào)穩(wěn)壓電源和電流表，給繼電器輸入?組電壓，且在供電問路中串入電流表進行監(jiān)測。慢慢調(diào)高電

源電壓，聽到繼電器吸合聲時:記下該吸合電壓和吸合電流。為求準確，可以試多幾次而求平均值。

4、測量釋放電壓和釋放電流

也是像上述那樣連接測試，當繼電器發(fā)生吸合后，再逐漸降低供電電壓，當聽到繼電器再次發(fā)生釋放聲音

時，記下此時的電壓和電流，亦可嘗試多幾次而取得平均的釋放電壓和釋放電流。?般情況下，繼電器的釋放

電壓約在吸合電壓的10~50%,如果釋放電壓太?。ㄐ∮?/10的吸合電壓），則不能正常使用了，這樣會對

電路的穩(wěn)定性造成威脅，工作不可靠。

四、繼電器的電符號和觸點形式

繼電器線圈在電路中用一個長方框符號表示，如果繼電器有兩個線圈，就畫兩個并列的長方框。同時

在長方框內(nèi)或長方框旁標上繼電器的文字符號“J”。繼電器的觸點有兩種表示方法：一種是把它們直接畫在

長方框側(cè)，這種表示法較為直觀。另利是按照電路連接的需要，把各個觸點分別畫到各自的控制電路中，

通常在同一繼電器的觸點與線圈旁分別標注上相同的文字符號，并將觸點組編上號碼，以示區(qū)別。繼電器的觸

點有三種基本形式：

1.動合型（H型）線圈不通電時兩觸點是斷開的，通電后，兩個觸點就閉合。以合字的拼音字頭“H”表示。

2.動斷型（D型）線圈不通電時兩觸點是閉合的，通電后兩個觸點就斷開。用斷字的拼音字頭“D”表示。

3.轉(zhuǎn)換型（Z型）這是觸點組型。這種觸點組共有三個觸點，即中間是動觸點，上下各一個靜觸點。線圈不通

電時，動觸點和其中?個靜觸點斷開和另?個閉合，線圈通電后，動觸點就移動，使原來斷開的成閉合，原來

閉合的成斷開狀態(tài)，達到轉(zhuǎn)換的目的。這樣的觸點組稱為轉(zhuǎn)換觸點。用“轉(zhuǎn)”字的拼音字頭“z”表示。

五、繼電器的選用

1.先了解必要的條件

①控制電路的電源電壓，能提供的最大電流；

②被控制電路中的電壓和電流；

③被控電路需要幾組、什么形式的觸點。選用繼電器時，一般控制電路的電源電壓可作為選用的依

據(jù)。控制電路應(yīng)能給繼電器提供足夠的工作電流，否則繼電器吸合是不穩(wěn)定的。

2.查閱有關(guān)資料確定使用條件后，可查找相關(guān)資料，找出需要的繼電器的型號和規(guī)格號。若手頭已有繼電器，

可依據(jù)資料核對是否可以利用。最后考慮尺寸是否合適。

3.注意器具的容積。若是用于一般用電器，除考慮機箱容積外，小型繼電器主要考慮電路板安裝布局。對于小

型電器，如玩具、遙控裝置則應(yīng)選用超小型繼電器產(chǎn)品。

半導(dǎo)體器件

一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法

半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命

名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型銘材料、B-P型銘材料、C-N

型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型錯材料、B-NPN型錯材料、C-PNP型硅材料?、D-NPN型硅材

料。

第1部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、z-整流管、

L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管（F〈3MHz,Pc〈lW）、G-高頻小功率管

（f>3MHz,Pc<lW）.D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>lW）>A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>lW）.『半導(dǎo)體晶閘管

（可控整流器）、丫-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合

管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用數(shù)字表示序號

第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號

例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

二、日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

口本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如

下：

第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、『二

極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、--一依此類

推。

第二部分：日本甩子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器

件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN

型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管、K-N溝道場效應(yīng)

管、M-雙向可控硅。

第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本

電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)

品。

第五部分：用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)

品。

三、美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電r工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAW軍級、JANTX-#軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）

-非軍用品。

第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2二三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。

第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國用子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。

第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國甩子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、——同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅

高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國

家，大都采用國際電廣聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符

號及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=O.6~1.OcV如錯、B-器件使用材料的

Eg=l.O^1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如碎化綠、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如鏢化錮、E-器件

使用復(fù)合材料及光電池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的類型及主耍特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極

管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-

開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功

率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極

管0

第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)

字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。

第四部分：用字母對同…類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E——表示同?型號的器件按某一參數(shù)進行分檔

的標志。

除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下：

1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、

C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%.±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標稱穩(wěn)定電壓

的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V,代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷出壓中數(shù)值較小的那個電壓

值。

如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239s-表示PNP錯高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。

第一部分：。-表示半導(dǎo)體器件

第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。

第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。

第四部分：A、B、C——表示同?型號器件的變型產(chǎn)品。

俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法山于使用少，在此不介紹。

一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義

CT-一勢壘電容

Cj-—結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，錯檢波二極管的總電容

Cjv—偏壓結(jié)電容

Co—零偏壓電容

Cjo-一零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn—―結(jié)電容變化

Cs--管殼電容或封裝電容

Ct—總電容

CTV-—電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC-—電容溫度系數(shù)

Cvn--標稱電容

IF-—正向直流電流（正向測試電流）。錯檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流：硅整流管、

硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的城大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率

下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF（AV）-—正向平均電流

IFM（IM）—-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二

極管極限電流。

IH-恒定電流、維持電流。

Ti-一發(fā)光二極管起輝電流

TFRM-一正向重復(fù)峰值電流

IFSM-—正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）

To--整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF（ov）--正向過載電流

IL-—光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID-一暗電流

IB2-一單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM--發(fā)射極峰值電流

IEB10—-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

1EB20-一雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

ICM—-最大輸出平均電流

IFMP-一正向脈沖電流

IP-一峰點電流

IV-一谷點電流

TGT-一晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD—-晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM-—控制極正向峰值電流

TR（AV）—反向平均電流

1R（In）-一反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載

電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓

二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流：整流管在正弦半波最高反向工作阻壓下的漏電流。

IRM--反向峰值電流

IRR-—晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR-—晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

IRRM--反向重復(fù)峰值電流

IRSM-—反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）

Irp---反向恢復(fù)電流

Iz-—穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk-一穩(wěn)壓管膝點電流

10M—-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電

路中允許連續(xù)通過楮檢波二極管的最大工作電流

IZSM-—穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM--最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF-—正向總瞬時電流

iR--反向總瞬時電流

ir-反向恢復(fù)電流

lop---工作電流

Is-一穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f-頻率

n-—電容變化指數(shù)；電容比

Q-—優(yōu)值(品質(zhì)因素)

5Vz-—穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt——通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt—一通態(tài)電壓臨界上升率

PB-一承受脈沖燒毀功率

PFT(AV)--正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/p>

PFTM-—正向峰值耗散功率

PFT--正向?qū)偹矔r耗散功率

Pd-—耗散功率

PG-一門極平均功率

PGM-—門極峰值功率

PC-—控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi——輸入功率

PK—最大開關(guān)功率

PM-—額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP--最大漏過脈沖功率

PMS--最大承受脈沖功率

Po-一輸出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot-—總耗散功率

Pomax--最大輸出功率

Psc--連續(xù)輸出功率

PSM-—不重復(fù)浪涌功率

PZM-—最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF(r)--正向微分電阻。在正向?qū)〞r，甩流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓

下，電壓增加微小量△▽,正向電流相應(yīng)增加△【，則△',/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RE-—射頻電阻

RL—-負載電阻

Rs(rs)——串聯(lián)電阻

Rth——熱阻

R(th)ja---結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)—動態(tài)電阻

R(th)jc—-結(jié)到殼的熱阻

r8--衰減電阻

r(th)—瞬態(tài)電阻

Ta-—環(huán)境溫度

Tc—殼溫

td-一延遲時間

tf-下降時間

tfr--正向恢復(fù)時間

tg—電路換向關(guān)斷時間

tgt—-門極控制極開通時間

Tj-一結(jié)溫

Tjm—最高結(jié)溫

ton—開通時間

toff--關(guān)斷時間

tr--上升時間

trr-—反向恢復(fù)時間

ts-—存儲時間

tstg-—溫度補償二極管的貯成溫度

a-—溫度系數(shù)

入P—-發(fā)光峰值波長

△A--光譜半寬度

n--單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB--反向峰值擊穿電壓

Vc--整流輸入電壓

VB2B1--基極間電壓

VBE10--發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB-一飽和壓降

VFM—最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF--正向壓降（正向直流電壓）

△VF--正向壓降差

VDRM-一斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT—門極觸發(fā)電壓

VGD--門極不觸發(fā)電壓

VGFM--門極正向峰值電壓

VGRM--門極反向峰值電壓

VF（AV）—正向平均電壓

Vo—交流輸入電壓

V0M--最大輸出平均電壓

Vop"工作電壓

Vn—中心電壓

Vp-一峰點電壓

VR--反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM--反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）—擊穿電壓

Vth-一閥電壓（門限電壓）

VRRM—反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRW--反向工作峰值電壓

Vv-一谷點電壓

Vz--穩(wěn)定電壓

△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs--通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av—電壓溫度系數(shù)

Vk--膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL—極限電壓

二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義

Cc--集電極電容

Ccb-一集電極與基極間電容

Cce--發(fā)射極接地輸出電容

Ci——輸入電容

Cib—共基極輸入電容

Cie---共發(fā)射極輸入電容

Cies---共發(fā)射極短路輸入電容

Cieo-一共發(fā)射極開路輸入電容

Cn-中和電容（外電路參數(shù)）

Co—輸出電容

Cob-一共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容

Coe—共發(fā)射極輸出電容

Coeo-一共發(fā)射極開路輸出電容

Cre--共發(fā)射極反饋電容

Cic---集電結(jié)勢壘電容

CL--負載電容（外電路參數(shù)）

Cp-一并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）

BVcb。--發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓

BVceo-一基極開路，CE結(jié)擊穿電壓

BVebo-一集電極開路EB結(jié)擊穿電壓

BVces-—基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓

BVcer-一基極與發(fā)射極串接?電阻，CE結(jié)擊穿電壓

D—占空比

fT--特征頻率

fmax-—最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率

hFE--共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)

hlE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗

hOE-—共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)

hRE-—共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)

hie---共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗

hre—-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)

hfe-一共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)

hoe—-共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納

1B-—基極直流電流或交流電流的平均值

Ic-—集電極直流電流或交流電流的平均值

IE-—發(fā)射極直流電流或交流「電流的平均值

Icbo-—基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流

Iceo-—發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Iebo—-基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流

leer--基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向

截止電流

Ices—-發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Icex-—發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截

止電流

ICM-—集電極最大允許電流或交流甩流的最大平均值。

IBM-—在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值

ICMP-一集Ftl極最大允許脈沖電流

ISB~二次擊穿電流

1AGC-—正向自動控制電流

Pc—集電極耗散功率

PCM--集電極最大允許耗散功率

Pi輸入功率

Po-一輸出功率

Pose-—振蕩功率

Pn——噪聲功率

Ptot-—總耗散功率

ESB——二次擊穿能量

rbb'-—基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）

rbb，Cc-一基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積

rie-一發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻

roe-—發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或1E、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻

RE-—外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）

RB-—外接基極電阻（外電路參數(shù)）

Rc-一外接集電極電阻（外電路參數(shù)）

RBE-—外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）

RL--負載電阻（外電路參數(shù)）

RG-—信號源內(nèi)阻

Rth-一熱阻

Ta--環(huán)境溫度

Tc-一管殼溫度

Ts—結(jié)溫

Tjm--最大允許結(jié)溫

Tstg-一貯存溫度

td一一延遲時間

tr上升時間

ts-—存貯時間

tf-—下降時間

ton-—開通時間

toff--關(guān)斷時間

VCB-—集電極-基極（直流）電壓

VCE-一集電極-發(fā)射極（直流）電壓

VBE-一基極發(fā)射極（直流）電壓

VCB0-—基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VEB0—-基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VCE0-—發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCER-—發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓

VCES—-發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEX-—發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓

Vp----穿通電壓。

VSB-二次擊穿電壓

VBB-一基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vcc-—集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VEE--發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VCE（sat）--發(fā)射極接地，規(guī)定lc、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降

VBE（sat）-—發(fā)射極接地,規(guī)定"、IB條件下,基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）

VAGC-一正向自動增益控制電壓

Vn（p~p）----輸入端等效噪聲電壓峰值

Vn----噪聲電壓

Cj—―結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，錯檢波二極管的總電容

Cjv-一偏壓結(jié)電容

Co—零偏壓電容

Cjo-一零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn-一結(jié)電容變化

Cs--管殼電容或封裝電容

Ct—總電容

CTV一%壓溫度系數(shù)，在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC—-電容溫度系數(shù)

Cvn—標稱電容

IF-—正向直流電流（正向測試電流）。錯檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、

硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率

下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

TF（AV）——正向平均電流

IFM（IM）—―正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二

極管極限電流。

IH-恒定電流、維持電流。

li--發(fā)光二極管起輝電流

TFRM--正向重復(fù)峰值電流

IFSM-一正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）

I。一-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

TF（ov）—正向過載;電流

IL-—光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID-一暗電流

IB2-一單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM-一發(fā)射極峰值電流

IEB10——雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

1EB20--雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

1CM--最大輸出平均電流

IFMP-—正向脈沖電流

IP-一峰點電流

IV-一谷點電流

IGT-—晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD-—晶閘管控制極不觸發(fā)電流

1GEM-—控制極正向峰值電流

IR(AV)—反向平均電流

IR(In)--反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時，給定的反向電流：硅堆在正弦半波電阻性負載

電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓

二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

TRM-一反向峰值電流

1RR—-晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR-—晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

TRRM-一反向重復(fù)峰值電流

1RSM-一反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)

Irp--反向恢復(fù)電流

口一-穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk-一穩(wěn)壓管膝點電流

IOM--最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時Fil流；在電阻性負荷的正弦半波整流電

路中允許連續(xù)通過錯檢波二極管的最大工作甩流

1ZSM-—穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM-—最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF--正向總瞬時電流

iR--反向總瞬時電流

ir—反向恢復(fù)電流

lop一-工作電流

Is-一穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f-一頻率

n--電容變化指數(shù)；電容比

Q-—優(yōu)值(品質(zhì)因素)

Svz--穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt--通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt—一通態(tài)電壓臨界上升率

PB-一承受脈沖燒毀功率

PFT(AV)--正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/p>

PFTM-—正向峰值耗微功率

PFT—-正向?qū)偹矔r耗散功率

Pd-一耗散功率

PG—門極平均功率

PGM-一門極峰值功率

PC-—控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi-一輸入功率

PK—最大開關(guān)功率

PM-—額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP—-最大漏過脈沖功率

PMS—一坡大承受脈沖功率

Po-一輸出功率

PR-一反向浪涌功率

Ptot-一總耗散功率

Pomax--最大輸出功率

Psc--連續(xù)輸出功率

PSM—-不重復(fù)浪涌功率

PZM—-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF(r)-一正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的泮線性特性。在某一正向電壓

下，電壓增加微小量4V,正向電流相應(yīng)增加△1，則△▽/△1稱微分電阻

RBB--雙基極晶體管的基極間電阻

RE-—射頻電阻

RL--負載電阻

Rs(rs)一一串聯(lián)電阻

Rth——熱阻

R(th)ja一一結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)—動態(tài)電阻

R（th）jc—結(jié)到殼的熱阻

r8—衰減電阻

r（th）-一瞬態(tài)電阻

Ta--環(huán)境溫度

Tc—殼溫

td—延遲時間

tf-—下降時間

tfr--正向恢復(fù)時間

tg--電路換向關(guān)斷時間

tgt-一門極控制極開通時間

Tj—結(jié)溫

Tjm--最高結(jié)溫

ton---開通時間

toff-—關(guān)斷時間

tr—上升時間

trr---反向恢復(fù)時間

ts-—存儲時間

tstg-—溫度補償二極管的貯成溫度

a--溫度系數(shù)

入P--發(fā)光峰值波長

△入一一光譜半寬度

n--單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB-—反向峰值擊穿電壓

Vc—整流輸入電壓

VB2B1—-基極間電壓

VBElO-—發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB-—飽和壓降

VFM—最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF—-正向壓降（正向直流電壓）

△VF-一正向壓降差

VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT-—門極觸發(fā)電壓

VGD-一門極不觸發(fā)電壓

VGFM-一門極正向峰值電壓

VGRM-—門極反向峰值電壓

VF（AV）——正向平均電壓

Vo-一交流輸入電壓

V0M--最大輸出平均電壓

Vop-—工作電壓

Vn--中心電壓

Vp—峰點電壓

VR-—反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM--反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）-—擊穿電壓

Vth一一閥電壓（門限電壓）

VRRM—反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM-—反向工作峰值電壓

Vv—-谷點電壓

Vz穩(wěn)定電壓

△Vz--穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs-—通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av—-電壓溫度系數(shù)

Vk-—膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL—-極限電壓

三、場效應(yīng)管參數(shù)符號意義

Cds—漏-源電容

Cdu-一漏-襯底電容

Cgd-—柵-源電容

Cgs-—漏-源電容

Ciss--柵短路共源輸入電容

Coss-—柵短路共源輸出電容

Crss—-柵短路共源反向傳輸電容

D--占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）

di/dt—-電流上升率（外電路參數(shù)）

dv/dt--電壓上升率（外電路參數(shù)）

TD-一漏極電流（直流）

1DM-一漏極脈沖電流

ID（on）-一通態(tài)漏極電流

IDQ--靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

IDS--漏源電流

IDSM-—最大漏源電流

IDSS-—柵-源短路時，漏極電流

IDS（sat）--溝道飽和電流（漏源飽和電流）

IG-—柵極電流（直流）

IGF--正向柵電流

TGR--反向柵電流

IGDO-—源極開路時，截止柵電流

IGSO-—漏極開路時，截止柵電流

IGM-一柵極脈沖電流

IGP-—柵極峰值電流

IF-一二極管正向電流

IGSS-—漏極短路時截止柵電流

IDSS1-—對管第一管漏源飽和電流

IDSS2-一對管第二管漏源飽和電流

lu-一襯底電流

IPL—電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）

gfs-—正向跨導(dǎo)

Gp--功率增益

Gps-—共源極中和高頻功率增益

GpG-—共柵極中和高頻功率增益

GPD—一共漏極中和高頻功率增益

ggd-—柵漏電導(dǎo)

gds-一漏源電導(dǎo)

K--失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku—傳輸系數(shù)

L-一負載電感（外電路參數(shù)）

LD-—漏極電感

Ls--源極電感

rDS-—漏源電阻

rDS（on）-一漏源通態(tài)電阻

rDS（of）-—漏源斷態(tài)電阻

rGD-一柵漏電阻

rGS-—柵源電阻

Rg-—柵極外接電阻（外電路參數(shù)）

RL-—負載電阻（外電路參數(shù)）

R（th）jc—結(jié)殼熱阻

R（th）ja-—結(jié)環(huán)熱阻

PD-一漏極耗散功率

PDM-—漏極最大允許耗散功率

PIN一輸入功率

POUT-一輸出功率

PPK-一脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）

to（on）—開通延遲時間

td（off）—關(guān)斷延遲時間

ti-—上升時間

ton—開通時間

toff-一關(guān)斷時間

tf-—下降時間

trr--反向恢復(fù)時間

Tj—結(jié)溫

Tjm—-最大允許結(jié)溫

Ta-—環(huán)境溫度

Tc——管殼溫度

Tstg-一貯成溫度

VDS-—漏源電壓（直流）

VGS--柵源電壓（直流）

VGSF-正向柵源電壓（直流）

VGSR-—反向柵源電壓（直流）

VDD-—漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGG—-柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vss—-源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGS（th）—-開啟電壓或閥電壓

V（B