TIAWBS 021-2024 碳化硅晶片邊緣輪廓檢測方法

H80/84團體標準碳化硅晶片邊緣輪廓檢測方法中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟發(fā)布T/IAWBS021—2024 II 12規(guī)范性引用文件 3術(shù)語和定義 14方法提要 15干擾因素 16儀器設(shè)備 27試樣 28測試程序 29精密度 310測試報告 3T/IAWBS021—2024本文件按照GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件中的某些內(nèi)容可能涉及專利，本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任。本文件由中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟標委會歸口。本文件起草單位：北京天科合達半導體股份有限公司、江蘇天科合達半導體有限公司、中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、山東有研半導體材料有限公司本文件主要起草人：佘宗靜、彭同華、王大軍、劉祎晨、王波、趙寧、張平、楊建、鄭紅軍、蔡麗艷本文件為首次制定。1碳化硅晶片邊緣輪廓檢測方法本文件規(guī)定了碳化硅晶片邊緣輪廓(包含切口)的檢測方法。本文件適用于檢測倒角后碳化硅晶片的邊緣輪廓(包含切口),其他材料晶片邊緣輪廓的檢測可參照本文件執(zhí)行。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T14264半導體材料術(shù)語3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4方法提要將碳化硅晶片放置在LED光源下，光源照在碳化硅晶片邊緣，CCD相機將碳化硅晶片邊緣(不包括參考面)或切口輪廓形狀的圖像導入電腦，進行二值化(即將圖像上的像素點的灰度值設(shè)置為0或255,將整個圖像呈現(xiàn)出明顯的黑白效果的過程)處理后，通過曲率及直線切點計算得出邊緣輪廓長度，測試原理如電腦顯示(包含圖像處理軟件)光源電腦顯示(包含圖像處理軟件)光源碳化硅晶片載物臺圖1所示。電腦顯示(包含圖像處理軟碳化硅晶片載物臺光源圖1(a)檢測晶片邊緣圖1輪廓儀測試原理圖5干擾因素5.1已倒角碳化硅晶片邊緣的表面顆?；蛘次?，會掩蓋晶片的輪廓形狀，對測試結(jié)果產(chǎn)生誤差，因此應(yīng)保證潔凈的環(huán)境。5.2碳化硅晶片的翹曲度會對測試結(jié)果產(chǎn)生誤差。5.3碳化硅晶片厚度的變化會對測試結(jié)果產(chǎn)生誤差，因此應(yīng)保證晶片厚度均勻。26.1LED光源：提供邊緣輪廓的光照亮度，最大額定電流0.07A。6.2CCD相機：在2倍/4倍鏡頭下采集碳化硅晶片邊緣輪廓(切口)形貌，2倍鏡頭測量晶片厚度范圍6.3載物臺：它是支撐測量碳化硅晶片的平臺，通過旋轉(zhuǎn)6.4數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)：圖像二值化處理后，提取邊緣輪廓(切口)形貌，通過及直線切點計算得出邊緣輪7試樣8測試程序差應(yīng)在標準誤差范圍(≤1μm)。8.2.1根據(jù)晶片尺寸調(diào)整載物臺導柱位置，并將碳化硅8.2.2根據(jù)晶片類型及測試要求，選擇CCD相機類型(Edge相機和Notch相機)及磨石樣式(T型磨石和R型磨石)。8.2.3根據(jù)CCD相機提取靜止圖像并進行二值化圖像處理，開始測量。邊緣輪廓形狀和測試結(jié)果會顯示型(見圖3)、切口(見圖4)3不t碳化硅晶片厚度；圖4切口偏差不大于20%;半徑(R)的單個實驗室標準偏差不大于15%,多個實驗室再現(xiàn)性標準偏差不大于20%;測試報告應(yīng)至少包括以下內(nèi)容：4T/IAWBS021—2024d)測試類型（R型、T型、切口）；e)碳化硅晶