晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-2025年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)

考向18晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

至典翼祠

【2022?山東】C%.xSe是一種鈉離子電池正極材料，充放電過(guò)程中正極材料立方晶胞(示意

圖)的組成變化如圖所示，晶胞內(nèi)未標(biāo)出因放電產(chǎn)生的0價(jià)Cu原子。下列說(shuō)法正確的是

Cu2TseNa,Cu2TseNaCuSeNa?Se

oSe2-ONa+、Cu\Cu?+可能占據(jù)的位置ONa+

A,每個(gè)C%一xSe晶胞中Ci?+個(gè)數(shù)為x

B.每個(gè)Na?Se晶胞完全轉(zhuǎn)化為C%.xSe晶胞，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8

C.每個(gè)NaCuSe晶胞中0價(jià)Cu原子個(gè)數(shù)為1-x

D.當(dāng)NayC%-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe時(shí)，每轉(zhuǎn)移(l-y)mol電子，產(chǎn)生(l-x)molCu原子

【答案】D

【解析】

【詳解】A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個(gè)數(shù)為8x、+6x；=4,位于體內(nèi)的

銅離子和亞銅離子的個(gè)數(shù)之和為8,設(shè)晶胞中的銅離子和亞銅離子的個(gè)數(shù)分別為a和b,則

a+b=8-4x,由化合價(jià)代數(shù)和為0可得2a+b=4x2,解得a=4x,故A錯(cuò)誤；

B.由題意可知，NazSe轉(zhuǎn)化為Cu2*Se的電極反應(yīng)式為Na2Se-e-+(2-x)Cu=Cu2-xSe+Na+,由

晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個(gè)數(shù)為8x1+6x；=4,則每個(gè)晶胞中含有4個(gè)

82

Na2Se,轉(zhuǎn)移電子數(shù)為4,故B錯(cuò)誤；

+

C.由題意可知，Cu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為Cu2-xSe+e+Na=NaCuSe+(1-x)Cu,

由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個(gè)數(shù)為8x^+6x；=4,則每個(gè)晶胞中含有4個(gè)

82

NaCuSe,晶胞中0價(jià)銅而個(gè)數(shù)為(4-4x),故C錯(cuò)誤；

D.由題意可知，NayCu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為NayCu2.xSe+(l-y)e-+

Na+=NaCuSe+(1-x)Cu,所以每轉(zhuǎn)移(l?y)電子，產(chǎn)生(l-x)mol銅，故D正確；

故選De

1.晶體與非晶體

⑴晶體與非晶體的比較

晶體非晶體

結(jié)構(gòu)特征原子在三維空間里呈周期性有序排列原子排列相對(duì)無(wú)序

自范性無(wú)

性質(zhì)特征熔點(diǎn)固定不固定

異同表現(xiàn)各向異性各向同性

二者區(qū)別間接方法看是否有固定的熔點(diǎn)或根據(jù)某些物油t性質(zhì)的各向異性

方法科學(xué)方法對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)

(2)獲得晶體的途徑

①熔融態(tài)物質(zhì)凝固。

②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固（凝華）。

③溶質(zhì)從溶液中析出。

2.晶胞

⑴概念：晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元，是從晶體中“截取”出來(lái)具有代表性的最小重復(fù)單

7Lo

（2）晶體中晶胞的排列——無(wú)隙并置

①無(wú)隙：相鄰晶胞之間沒(méi)有任何間隙。

②并置：所有晶胞平行排列、取向相同。

（3）晶胞中微粒數(shù)的計(jì)算方法——均攤法

①長(zhǎng)方體（包括立方體）晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算：如某個(gè)粒子為N個(gè)晶胞所共有，則

該粒子有:屬于這個(gè)晶胞。中學(xué)中常見(jiàn)的晶胞為立方晶胞，立方晶胞中微粒數(shù)的計(jì)算方法如

圖lo

②非長(zhǎng)方體晶胞

在六棱柱（如圖2）中，頂角上的原子有|屬于此晶胞，面上的原子有:屬于此晶胞，因此六棱

62

柱中鎂原子個(gè)數(shù)為叱+2,餐，硼原子個(gè)數(shù)為6。

位于有1/8屬于

頂角該立方體

而有1/4屬于

棱上該立方體

礪有1/2屬于

面上該立方體

祈完全屬于OMg?B

內(nèi)部該立方體

圖1圖2

考點(diǎn)二晶體類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1.四種晶體類型的比較

類型

分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體

比較

構(gòu)成粒子分子原子金屬陽(yáng)離子、自由電子陰、陽(yáng)離子

粒子間的相互范德華力（某些

共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵

作用力含氫鍵）

硬度較小很大有的很大，有的很小較大

熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高

難溶于一般一般不溶于水，少數(shù)與大多易溶于水

溶解性相似相溶

溶劑水反應(yīng)等極性溶劑

一般不具有晶體不導(dǎo)電，

一般不導(dǎo)電，溶

導(dǎo)電、傳熱性導(dǎo)電性，個(gè)別電和熱的良導(dǎo)體水溶液或熔融

于水后有的導(dǎo)電

為半導(dǎo)體態(tài)導(dǎo)電

2.過(guò)渡晶體

大多數(shù)晶體是這四種晶體類型之間的過(guò)渡晶體，以離子晶體和共價(jià)晶體之間的過(guò)渡為例，如

Na?。、AI2O3中既有離子鍵成分，也有共價(jià)鍵成分，Na?。中離子鍵成分占62%,因而通常

當(dāng)作離子晶體來(lái)處理，AL03中離子鍵成分占41%,因而通常當(dāng)作共價(jià)晶體來(lái)處理。

3.常見(jiàn)晶體結(jié)構(gòu)模型

⑴共價(jià)晶體

金剛石二氧化硅

①金剛石晶體中，每個(gè)C與相鄰生個(gè)C形成共價(jià)鍵，C—C—C夾角是109。28，，最小的環(huán)是

六元環(huán)。含有1molC的金剛石中，形成的共價(jià)鍵是2mol。

②SiO2晶體中，每個(gè)Si原子與生個(gè)0原子成鍵，每個(gè)。原子與爰個(gè)Si原子形成共價(jià)鍵，

最小的環(huán)是十二元環(huán),在“硅氧”四面體中，處于中心的是用原子，1molSiCh中含有4moi

Si—Oo

(2)分子晶體

①干冰晶體中，每個(gè)C02分子周圍等距且緊鄰的C02分子有12_個(gè)。

干冰的結(jié)構(gòu)模型(晶胞)冰的結(jié)構(gòu)模型

②冰晶體中，每個(gè)水分子與相鄰的生個(gè)水分子以氫鍵相連接，含ImolHzO的冰中，最多可

形成2mol氫鍵。

(3)離子晶體

+y-

oCr^Na~Cs+

①NaCl型：在晶體中，每個(gè)Na卡同時(shí)吸引a個(gè)C廣，每個(gè)C「同時(shí)吸引6個(gè)Na卡,配位數(shù)為

6o每個(gè)晶胞含生個(gè)Na+和生個(gè)C「。

②CsCl型：在晶體中，每個(gè)C「吸引區(qū)個(gè)Cs+,每個(gè)Cs+吸引區(qū)個(gè)C「，配位數(shù)為8。

(4)混合型晶體

石墨層狀晶體中，層與層之間的作用是分子間作用力,平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)

是2,C原子采取的雜化方式是他。

1.下列有關(guān)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A.石墨晶體中，層內(nèi)導(dǎo)電性強(qiáng)于層間導(dǎo)電性

B.工業(yè)鹽酸中，因含有［FeC、］而呈亮黃色

C.氟的電負(fù)性大于氯，所以三氟乙酸的pKa比三氯乙酸大

D.干冰中CO?的配位數(shù)大于冰中水分子的配位數(shù)，這與水分子間形成氫鍵有關(guān)

2.有一種氮化鈦晶體的晶胞如圖所示，該晶胞中N、Ti之間的最近距離為apm,下列說(shuō)法

錯(cuò)誤的是

A.該物質(zhì)的化學(xué)式為TiNB.Ti與Ti的最近距離是*qpm

C.Ti的配位數(shù)為6D.與N距離相等且最近的N有12個(gè)

3.金剛石、石墨烯和石墨烘的局部結(jié)構(gòu)如圖所示。

金剛石石墨場(chǎng)

下列有關(guān)敘述正確的是

A.三者互為同分異構(gòu)體B.石墨煥的化學(xué)性質(zhì)比金剛石更穩(wěn)定

C.金剛石中原子數(shù)和共價(jià)鍵數(shù)之比為1：4D.石墨烯中碳原子數(shù)與六元環(huán)數(shù)之比為2：1

4.（1）鈉、鉀、鋁、車目、鴇等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個(gè)體心立方

晶胞的金屬原子數(shù)目是。氯化鈉晶體的晶胞如圖1,則Cs+位于該晶胞的,

而C「位于該晶胞的,Cs+的配位數(shù)是o

（2）銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，寫(xiě)出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式：

（3）圖3為F-與Mg2+、K+形成的某種離子晶體的晶胞,其中“?！北硎镜碾x子是（填

離子符號(hào)）。

（4）實(shí)驗(yàn)證明：KC1、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似（如圖4

所示），已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：

離子晶體NaClKC1CaO

晶格能/（k『mo「）7867153401

則這4種離子晶體（不包括NaCl）熔點(diǎn)從高到低的順序是。其

中MgO晶體中一個(gè)Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg?+有個(gè)。

圖1圖2圖3圖4

5.現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)（七）數(shù)據(jù):

A組B組C組D組

金剛石：3550℃Li：181℃HF：—83℃NaCl：801℃

硅晶體：1410℃Na：98℃HC1：一115℃KC1：776℃

硼晶體：2300℃K：64℃HBr：—89℃RbCl：718℃

二氧化硅：1723℃Rb：39℃HI：—51℃CsCl：645℃

據(jù)此回答下列問(wèn)題：

(1)A組屬于晶體，其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是o

(2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是(填序號(hào))。

①有金屬光澤②導(dǎo)電性③導(dǎo)熱性④延展性

(3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于__________________________________________________

(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是(填序號(hào))。

①硬度?、谒芤耗軐?dǎo)電③固體能導(dǎo)電④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電

(5)D組晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹aCl>KCl>RbCl>CsCl,其原因?yàn)?/p>

1.(2022?重慶巴蜀中學(xué)高三階段練習(xí))化學(xué)與生產(chǎn)、生活、科技、環(huán)境等關(guān)系密切。下列

說(shuō)法正確的是

A.汽車尾氣催化轉(zhuǎn)化器可有效減少CO2,的排放，實(shí)現(xiàn)“碳中和”

B.制造焊錫時(shí)，把鉛加入錫，形成原電池，從而增加錫的抗腐蝕能力

C.2022年冬奧會(huì)衣物采用石墨烯紡織物柔性發(fā)熱材料，石墨烯屬于混合型晶體

D.聚氯乙烯塑料通過(guò)加聚反應(yīng)制得，可用于制作不粘鍋的耐熱涂層

2.(2022?湖北?高三階段練習(xí))碑化錢是繼硅之后研究最深入、應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料,

其結(jié)構(gòu)與硫化鋅相似，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖1所示，圖2為晶胞沿z軸的1：1平面投影圖，

己知圖中囚球的原子坐標(biāo)參數(shù)為(0,0,0),回球?yàn)?1,1,1),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A.Ga的配位數(shù)是4

B.晶胞參數(shù)為2亞apm

C.晶胞中離As原子距離最近且相等的As原子有8個(gè)

D.晶胞中離回球距離最遠(yuǎn)的黑球的坐標(biāo)參數(shù)為(；，；，；)

3.(2022?重慶巴蜀中學(xué)高三階段練習(xí))螢石是制作光學(xué)玻璃的原料之一，其主要成分氟化

鈣的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A.F位于元素周期表p區(qū)B.該晶體屬于離子晶體

產(chǎn)位于Ca2+構(gòu)成的四面體空隙D.每個(gè)Ca?+周圍距離最近且等距的戶有4

下面是一些晶體的結(jié)構(gòu)示意圖。

(1)下列關(guān)于晶體的說(shuō)法正確的是(填字母)。

A.晶體的形成與晶體的自范性有關(guān)

B.可以用X-射線衍射儀區(qū)分晶體和非晶體

C.石蠟是非晶體，但有固定的熔點(diǎn)

D.晶胞就是晶體

(2)圖甲表示的是晶體的二維平面示意圖，a、b中可表示化學(xué)式為AX3的化合物的是

(填“a”或"b”)。

(3)圖乙表小的是金屬銅的晶胞。

①該晶胞“實(shí)際”擁有的銅原子數(shù)是,銅原子的配位數(shù)為。

②該晶胞稱為(填字母)。

A.六方晶胞B.體心立方晶胞C.面心立方晶胞

(4)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)相同，且r(Fe2+)>r(Ni2+),NiO的熔點(diǎn)為1960℃,則FeO的

熔點(diǎn)(填“>”或“<")1960℃,判斷的依據(jù)是

5.(1)A12O3,SiC、Si、金剛石中屬于原子(共價(jià))晶體的有,

其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?理由是=

(2)干冰、冰二者的熔點(diǎn)較高的是________,其理由是-

(3)CS2熔、沸點(diǎn)高于CO2的理由是__________________________________________

（4）BN、MgB"、SiCk的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?/p>

（5）NaF的熔點(diǎn)（填“>”"=”或“<"）［=」BF7的熔點(diǎn)，其原因是

［）題練）

1.（2022江蘇）下列說(shuō)法正確的是

A.金剛石與石墨烯中的C-C-C夾角都為120。

B.SiH4.SiCl,都是由極性鍵構(gòu)成的非極性分子

C.錯(cuò)原子QGe）基態(tài)核外電子排布式為4s24P2

D.WA族元素單質(zhì)的晶體類型相同

2.（2021廣東節(jié)選）理論計(jì)算預(yù)測(cè)，由汞（Hg）、楮（Ge）、睇（Sb）形成的一種新物質(zhì)

X為潛在的拓?fù)浣^緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體（晶胞如圖9a所示）中部分Ge原子

被Hg和Sb取代后形成。

①圖9b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu)，它不是晶

胞單元，理由是。

②圖9c為X的晶胞，X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為；該晶胞中

粒子個(gè)數(shù)比Hg：Ge：Sb=o

③設(shè)X的最簡(jiǎn)式的式量為M,則X晶體的密度為g/cm3（列出算式）。

3.（2020?全國(guó)H卷節(jié)選）Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示，TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，

自TiCk至TiL熔點(diǎn)依次升高，原因是

化合物

TiF4TiCl4TiBr4Til4

熔點(diǎn)/℃377-24.1238.3155

4.(2020?全國(guó)I卷節(jié)選)LiFePCU的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如(a)所示。其中O圍繞Fe和P分別

形成正八面體和正四面體，它們通過(guò)共頂點(diǎn)、共棱形成空間鏈結(jié)構(gòu)。每個(gè)晶胞中含有LiFePCM

的單元數(shù)有個(gè)。

電池充電時(shí),LiFePCU脫出部分Li+,形成LiiFePCh，結(jié)構(gòu)示意圖如(b)所示，則x=,

n(Fe2+):n(Fe3+)=。

5.(2020?全國(guó)III卷節(jié)選)氨硼烷(NH3BH3)含氫量高、熱穩(wěn)定性好，是一種具有潛力的固

體儲(chǔ)氫材料。研究發(fā)現(xiàn)，氨硼烷在低溫高壓條件下為正交晶系結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)分別為apm、

6pm、cpm,a=￡=y=90。。氨硼烷的2*2*2超晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

氨硼烷晶體的密度/>=g-cnT3(列出計(jì)算式，設(shè)以為阿伏加德羅常數(shù)的值)。

修考看翦

基礎(chǔ)練

I.【答案】C

【詳解】A.石墨晶體中每一層會(huì)形成大兀鍵產(chǎn)生可以自由移動(dòng)的電子使得石墨可以導(dǎo)電,

因此層內(nèi)導(dǎo)電性強(qiáng)于層間導(dǎo)電性，A正確；

B.工業(yè)鹽酸中含有部分鐵離子，鐵離子和氯離子生成［FeClJ,因含有［FeCl,「而呈亮黃色,

B正確；

C.氟的電負(fù)性大于氯，使得三氟乙酸酸性強(qiáng)于三氯乙酸，三氟乙酸的Ka值較大，故三氟

乙酸的P七比三氯乙酸更小，C錯(cuò)誤；

D.干冰是面心立方堆積，水配位數(shù)與生成氫鍵有關(guān)，干冰中CO2的配位數(shù)大于冰中水分子

的配位數(shù)，這與水分子間形成氫鍵有關(guān)，D正確；

故選C。

2.【答案】B

【詳解】A.該晶胞中，Ti（黑球）的個(gè)數(shù)為1+12'!=4,N（白球）的個(gè)數(shù)為8X^+6X1=4,

482

則Ti和N的個(gè)數(shù)比為1:1,該物質(zhì)的化學(xué)式為TiN,A正確；

B.該晶胞中N、Ti之間的最近距離為apm,則Ti與Ti的最近距離是血apm,B錯(cuò)誤；

C.如圖所示，與Ti距離相等且最近的N有6個(gè)，則Ti的配位數(shù)為6,C正確；

D.與N距離相等且最近的N有12個(gè)，D正確；

故選B。

3.【答案】D

【詳解】A.同分異構(gòu)體是分子式相同、結(jié)構(gòu)不同的化合物；三者不是互為同分異構(gòu)體，A

錯(cuò)誤；

B.石墨煥中含碳碳叁鍵，化學(xué)性質(zhì)較活潑，金剛石中碳原子均是飽和鍵，化學(xué)性質(zhì)在常溫

下非常穩(wěn)定，B錯(cuò)誤；

C.金剛石中1個(gè)碳原子與4個(gè)碳原子相連形成4個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為相鄰2個(gè)碳原子

共用，故原子數(shù)和共價(jià)鍵數(shù)之比為1：（4x1）=1:2,C錯(cuò)誤；

D.石墨烯中1個(gè)碳原子被相鄰3個(gè)環(huán)共用，每個(gè)環(huán)上有6個(gè)碳原子，則碳原子數(shù)與六元環(huán)

數(shù)之比為為（6x；）：1=2：1,D正確；

故選D。

4.【答案】（1）2體心頂點(diǎn)8

占燃

（2）2CuH+3C12=^^2CUC12+2HC1

（3）F"（4）TiN>MgO>CaO>KCl12

【解析】（1）體心立方晶胞中，1個(gè)原子位于體心，8個(gè)原子位于立方體的頂點(diǎn)，故1個(gè)

晶胞中金屬原子數(shù)為8XL+1=2；氯化鈉晶胞中，Cs+位于體心，C「位于頂點(diǎn)，Cs+的配位

8

數(shù)為8。（2）由晶胞可知，微粒個(gè)數(shù)比為1：1,化學(xué)式為CuH,CuH與CL反應(yīng)，產(chǎn)物為CuCl2

和HC1,化學(xué)方程式為2CuH+3cL3點(diǎn)^燃2CuC12+2HCl。（3）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，黑球有1個(gè),

灰球有1個(gè)，白球有3個(gè)，由電荷守恒可知"（Mg2+）：〃（K+）：或『）=1：1：3,故白球?yàn)镕

，（4）從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道，離子所帶電荷越多、離子半徑越小，離子晶體的

晶格能越大，離子所帶電荷數(shù)：Ti3+>Mg2\離子半徑：Mg2+<Ca2+,所以熔點(diǎn)：

TiN>MgO>CaO>KCl；MgO晶體中一個(gè)Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+有12個(gè)。

5.【答案】（1）原子共價(jià)鍵（2）①②③④

（3）HF分子間能形成氫鍵，其熔化時(shí)需要消耗的能量更多（只要答出HF分子間能形成氫

鍵即可）（4）②④（5）D組晶體都為離子晶體，廠（Na+）5K+）5Rb+）<r（Cs+）,在離子所帶電

荷數(shù)相同的情況下，半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)就越高

【解析】（1）A組熔點(diǎn)很高，為原子晶體，是由原子通過(guò)共價(jià)鍵形成的。（2）B組為金屬

晶體，具有①②③④四條共同的物理性質(zhì)。（3）HF中含有分子間氫鍵，故其熔點(diǎn)反常。（4）D

組屬于離子晶體，具有②④兩條性質(zhì)。（5）D組屬于離子晶體，其熔點(diǎn)與晶格能有關(guān)。

提升練

1.【答案】C

【詳解】A.汽車尾氣催化轉(zhuǎn)化器可將CO轉(zhuǎn)化為CO?不能減少CO2的排放，A錯(cuò)誤；

B.錫比鉛活潑，兩者形成原電池，錫做負(fù)極，加速錫的腐蝕，B錯(cuò)誤；

C.石墨烯可導(dǎo)電，具有金屬晶體的性質(zhì)，原子間形成共價(jià)鍵，具有共價(jià)晶體的性質(zhì)，石墨

烯屬于混合型晶體，C正確；

D.聚氯乙烯塑料中加入增塑劑會(huì)釋放有毒物質(zhì)，不可用于制作不粘鍋的耐熱涂層，D錯(cuò)誤;

故答案選C。

2.【答案】C

【詳解】A.由碎化線的晶胞可知，晶胞中與Ga原子距離最近且相等的As原子的個(gè)數(shù)為4,

則Ga原子的配位數(shù)為4,選項(xiàng)A正確；

B.圖中白球與黑球的投影距離為apm,則晶胞體邊長(zhǎng)為2x7^apm,晶胞參數(shù)為2及pm,

選項(xiàng)B正確；

C.晶胞中離As原子距離最近且相等的As原子共有12個(gè)（同層4個(gè)，上層4個(gè)，下層4

個(gè)），選項(xiàng)C錯(cuò)誤；

D.根據(jù)各個(gè)原子的相對(duì)位置可知，晶胞中離回球距離最遠(yuǎn)的黑球即和因球直接相連的黑球,

其原子坐標(biāo)參數(shù)為（5，!，!）,選項(xiàng)D正確；

444

答案選C。

3.【答案】D

【詳解】A.F位于第二周期VHA族，為元素周期表p區(qū)，故A正確；

B.由圖可知，該晶胞由Ca2+和F-組成，為離子晶體，故B正確；

C.由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，F(xiàn)距離最近且等距的Ca2+為4個(gè)，所以F-位于Ca2+構(gòu)成的四面體

空隙，故C正確；

D.由面心的Ca2+可知，每個(gè)Ca2+周圍距離最近且等距的b有8個(gè)，故D錯(cuò)誤；

故答案選D。

4.【答案】（1）AB（2）b（3）?412②C（4）<兩者均為離子晶體，且陰、陽(yáng)離子電荷

數(shù)均為2,但Fe?+的離子半徑較大，F(xiàn)eO的晶格能小，因此FeO的熔點(diǎn)較低

【解析】（1）在一定條件下，物質(zhì)能形成具有幾何形狀的晶體，這個(gè)過(guò)程與晶體的自范

性有關(guān)，A項(xiàng)正確；區(qū)別晶體與非晶體最可靠的方法是對(duì)固體進(jìn)行X-射線衍射實(shí)驗(yàn)，B項(xiàng)

正確；非晶體沒(méi)有固定的組成，沒(méi)有固定的熔點(diǎn)，C項(xiàng)錯(cuò)誤；晶體是由數(shù)量龐大的晶胞無(wú)隙

并置而成的，D項(xiàng)錯(cuò)誤。（2）a中每個(gè)黑球周圍有6個(gè)白球，而每個(gè)白球周圍有3個(gè)黑球，故

黑球與白球數(shù)目之比為1：2,b中每個(gè)黑球周圍有6個(gè)白球，而每個(gè)白球周圍有2個(gè)黑球，

故黑球與白球數(shù)目之比為1：3,a所示物質(zhì)的化學(xué)式為AX2、b所示物質(zhì)的化學(xué)式為AX3。

（3）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)和均攤法知，該晶胞中Cu原子個(gè)數(shù)=8x：+6x；=4；在銅的晶胞中，頂

點(diǎn)上的銅原子被8個(gè)晶胞共有，每個(gè)晶胞中與1個(gè)頂點(diǎn)上銅原子距離最近的銅原子數(shù)是3,

每個(gè)面上的銅原子被2個(gè)晶胞共有，所以銅原子的配位數(shù)是3/8x1=12。②晶胞中銅原子位

2

于頂點(diǎn)和面心，即該晶胞稱為面心立方晶胞，C項(xiàng)正確。（4）NiO和FeO均為離子晶體，且

晶體中陰、陽(yáng)離子所帶電荷數(shù)均相同，由于半徑：Fe2+>Ni2+,則晶格能：FeO<NiO,由此

判斷熔點(diǎn)：NiO>FeO=

5.【答案】（l）SiC、Si、金剛石金剛石〉SiOSiC—C鍵、C—Si鍵、Si—Si鍵的鍵長(zhǎng)依

次增大，鍵能依次減小，熔點(diǎn)依次降低

（2）冰冰晶體中分子間存在氫鍵

（3）CS2和C02均為分子晶體，CS2的相對(duì)分子質(zhì)量大，分子間作用力大，因此CS2熔、沸點(diǎn)

iWj于CO2

（4）BN>MgBr2>SiCl4

（5）>兩者均為離子化合物，且離子所帶電荷數(shù)均為1,但后者離子半徑大，離子鍵較弱，

因此熔點(diǎn)較低

【解析】（l）SiC、Si、金剛石為原子晶體，原子晶體中共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔、沸

點(diǎn)越高。（2）冰晶體中含有氫鍵，熔點(diǎn)比干冰高。（3）CS2、C02均為分子晶體，組成、結(jié)構(gòu)相

似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔、沸點(diǎn)越高。（4）BN為原子晶體，MgBr2為離子

晶體，SiC14為分子晶體，故熔點(diǎn)：BN>MgBr2>SiCl4=

真題練

1.【答案】B

【詳解】

A.金剛石中的碳原子為正四面體結(jié)構(gòu)，C-C-C夾角為109。28，，故A錯(cuò)誤；

B.SiH’的化學(xué)鍵為Si-H,為極性鍵，為正四面體，正負(fù)電荷中心重合，為非極性分子；SiCl4

的化學(xué)鍵為Si-Cl,為極性鍵，為正四面體，正負(fù)電荷中心重合，為非極性分子，故B正確；

C.銘原子QGe)基態(tài)核外電子排布式為內(nèi)］3不。4s24P2,故C錯(cuò)誤；

D.WA族元素中的碳元素形成的石墨為混合晶體，而硅形成的晶體硅為原子晶體，故D錯(cuò)

誤；

故選B。

2.【答案】由圖9c可知，圖9b中Sb、Hg原子取代位置除圖9b外還有其它形式41：

2xM

1.2-----------r

301xx2y

【詳解】

(6)①對(duì)比圖9b和圖9c可得X晶體的晶胞中上下兩個(gè)單元內(nèi)的原子位置不完全相同，不符

合晶胞晶胞是晶體的最小重復(fù)單位要求，故答案為：由圖9c可知，圖9b中Sb、Hg原子取

代位置除圖9b外還有其它形式。

②以晶胞上方立方體中右側(cè)面心中Hg原子為例，同一晶胞中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為

2,右側(cè)晶胞中有2個(gè)Sb原子與Hg原子距離最近，因此X的晶體中與Hg距離最近的Sb

的數(shù)目為4；該晶胞中Sb原子均位于晶胞內(nèi)，因此1個(gè)晶胞中含有Sb原子數(shù)為8,Ge原子

位于晶胞頂點(diǎn)、面心、體心，因此1個(gè)晶胞中含有Ge原子數(shù)為1+8X!+4XJ=4,Hg原子

82

位于棱邊、面心，因此1個(gè)晶胞中含有Hg原子數(shù)為+4x^=4,則該晶胞中粒子個(gè)數(shù)

24

比Hg：Ge：Sb=4：4：8=1：1：2,故答案為：4；1：1：2。

4xM

③1個(gè)晶胞的質(zhì)量m=