三次作業(yè)組調(diào)研報告七組

HeatingCarriers不穩(wěn)定性（NegativeGateBiasTemperatureInstability，NBTI）和可動離子IosHeatingCarriers不穩(wěn)定性（NegativeGateBiasTemperatureInstability，NBTI）和可動離子Ios1nTFT2nTFTIon∝W/L，P=Ion∝W/L，P=Ion·Vds也同樣正比于W/L，W/L=100Lm/100Lm70.6℃，W/L=10Lm/10Lm用AtlasMutsumiKimuraTFT模式的測量，自加熱退化還會表現(xiàn)出不同的特性。Ching-WeiLin2的H+時就減小了漏極（原來鈍化的源極）PN鈍化（depassivation12IoffIonIoffV12IoffIonIoffVtSS（1所示VtSS不是很大。這在Toshiyu-kiYoshida（ChargePump，CP）CP化不是很大。KowMingChangR1RchannelR1Vd3象。KowMingChangVdTFTTFT3象的研究也是十分重要的。YukiharuUraokan3象的研究也是十分重要的。YukiharuUraokanVtPVtn型器件相反的是，PIon損傷，引起器件性能退化。KowMingChangNBTINBTI（NegativeGateBiasTemperatureInstability，負偏置溫度不穩(wěn)定性）MOSFETNBTINBTI（NegativeGateBiasTemperatureInstability，負偏置溫度不穩(wěn)定性）MOSFETMOS現(xiàn)象就越嚴重，并且通常表現(xiàn)為和應(yīng)力的時間成冪指數(shù)關(guān)系，和溫度（125~320e嚴重pPSi-H區(qū)曲線的負向偏移與SSMOS-FET（2）NBTI①典型的直流NBTIVth往負向不斷漂移。同時，IoffVg時稍微增加。然而，SS（4pMOSFET中，NBTISi/SiO2SiNBTI應(yīng)力過程中，Si-HVSiNBTI應(yīng)力過程中，Si-HVthnI-VVth2×104s之后，Vth電流5I-VNBTVgNBTNBTIVthhump現(xiàn)象（hump現(xiàn)象humphumpTFThump6VthVthIon6VthVthIonhump圖 TFT結(jié)構(gòu)示意圖以及溝道邊緣剖面C-V在第一階段C-V曲線持續(xù)向正向漂移，在20000s時曲線開始往回向負向漂移。C-I-VC-VVgVfb7C-V（3）TFT的性能影響（（3）TFT的性能影響（電子運動的平均自由程遠大于原子間距,NFMott、MHCohen、HFritzscheSR.Ovshinsky[1]內(nèi)維爾?弗朗西斯?莫特（NevillFrancisMott,1905-1996）是一位英國物理學家，因為貢獻“磁和無序系1977年諾貝爾物理獎。Si4Si4相關(guān)能的設(shè)想,提出了MDSUMottD+、D0、D（-意味著2D0→D++DD+、DD0D+、DUMottD+、D0、D（-意味著2D0→D++DD+、DD0D+、D8鍵密度會顯著減小。研究表明，Ha-Si：HSi-H（SiH-HSi）n、分子氫SiHSi9Si：H109Si：H10圖 圖 Si-HSi-SiSi-Hx（x=1，2）實驗上發(fā)現(xiàn)，a-Si：HEg（eV）CH（2）a-IGZOIGZO，IGZOZnO在非晶態(tài)的IGZO,Ga3+G3+能夠抑制電子的注入,也就是說,Ga3+12IGZOX(HX-PES)，a-IGZOVBM1.5eV12IGZOX(HX-PES)，a-IGZOVBM1.5eV13(a)Zn、MgOa-IGZOFETa-Si:HTFT13X(HX-PES)3.2eV)a-IGZOVGSIoffIoff13(b)所示，在VBMsubgapDOSIoff的解釋。subgapDOS VBM1.5eVa-IGZO10(cm?受VGS(＜1018(cm-3))TFTNe～CG·VGS/e受VGS(＜1018(cm-3))TFTNe～CG·VGS/eHX-PES10-19(cm-3)TFTa-IGZO5×10[1p20116[2ChineseofElectron 20059[3]2006[4]（PROGRESSINPHYSICS）.2013HosonoPresentsta