安徽省亳州市渦陽縣第九中學(xué)2024-2025學(xué)年高二化學(xué)7月月考試題含解析_第1頁
安徽省亳州市渦陽縣第九中學(xué)2024-2025學(xué)年高二化學(xué)7月月考試題含解析_第2頁
安徽省亳州市渦陽縣第九中學(xué)2024-2025學(xué)年高二化學(xué)7月月考試題含解析_第3頁
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PAGE18-安徽省亳州市渦陽縣第九中學(xué)2024-2025學(xué)年高二化學(xué)7月月考試題(含解析)考試范圍:選修3第I卷(選擇題)一、選擇題(本題共20道小題,每小題3分,共20分)1.下列說法正確的是()A.離子晶體中肯定不含分子 B.分子晶體中肯定不含離子C.金屬離子肯定滿意最外層電子數(shù)為2或8 D.H2O是一種特別穩(wěn)定的化合物,這是由于氫鍵所致【答案】B【解析】【詳解】A.離子晶體中可能含分子,如FeSO4?7H2O,故A錯誤;B.分子中只存在共價鍵或不存在化學(xué)鍵(稀有氣體),即分子晶體中肯定不含有離子鍵,所以不含離子,故B正確;C.過渡元素的金屬陽離子最外層不肯定滿意8電子結(jié)構(gòu),如Fe2+的最外層電子數(shù)為14,故C錯誤;D.H2O是一種特別穩(wěn)定的化合物,這是由于O-H鍵能很大,很穩(wěn)定,與氫鍵無關(guān),氫鍵確定水的熔沸點,故D錯誤;綜上所述答案為B。2.下列分子中,全部原子不是處于同一平面的是A.H2O B.CH4 C.C2H4 D.【答案】B【解析】【詳解】A.H2O的分子構(gòu)型為V型,三點可以確定一個面,即H2O的三個原子共處一面,A不符合題意;B.CH4的分子構(gòu)型為正四面體,則其5個原子中,最多有3個原子共平面,B符合題意;C.C2H4的空間構(gòu)型為矩形,由于碳碳雙鍵不行扭轉(zhuǎn),其6個原子形成了平面矩形,C不符合題意;D.苯環(huán)可以看成是單雙鍵交替的六元環(huán),由于碳碳雙鍵不行扭轉(zhuǎn),所以6個C共平面,則6個H也在該平面上,即苯環(huán)的12個原子共平面,D不符合題意;故合理選項為B?!军c睛】對于原子共平面的問題,要先想象并熟記分子的空間結(jié)構(gòu),再去推斷有幾個原子共平面。其中碳碳雙鍵、碳碳三鍵、苯環(huán)的構(gòu)成原子及與其干脆相連的原子肯定共平面。3.下列說法正確的是A.3p2表示3p能級有兩個軌道B.同一原子中,1s、2s、3s電子的能量漸漸減小C.每個周期中最終一種元素的第一電離能最大D.短周期中,電負(fù)性(稀有氣體未計)最大的元素是Na【答案】C【解析】【詳解】A.3p2表示3p軌道上有兩個電子,故A錯誤;B.同一原子中,1s、2s、3s電子的能量漸漸上升,故B錯誤;C.同周期中從左向右,元素的非金屬性增加,第一電離能增加,且同周期中稀有氣體元素的第一電離能最大,故C正確;D.在元素周期表中,同周期中從左向右,元素的非金屬性增加,電負(fù)性增加;同主族元素從上向下,元素的非金屬性減弱,電負(fù)性減弱;在元素周期表中,電負(fù)性最大的元素是F,故D錯誤;綜上所述,本題正確答案為C?!军c睛】推斷依據(jù):同周期中從左向右,元素的非金屬性增加,第一電離能增加,同周期中稀有氣體元素的第一電離能最大;在元素周期表中,同周期中從左向右,元素的非金屬性增加,電負(fù)性增加,同主族元素從上向下,元素的非金屬性減弱,電負(fù)性減弱。4.依據(jù)下列電子排布式推斷,處于激發(fā)態(tài)的原子是A.1s22s22p6 B.1s22s22p63s1 C.1s22s23s1 D.[Ar]3d14s2【答案】C【解析】【詳解】原子的電子排布是使整個原子的能量處于最低狀態(tài),處于最低能量的原子叫基態(tài)原子,所以A、B、D都是基態(tài)原子,C原子沒有排2p軌道干脆排了3s軌道,不是能量最低,所以是激發(fā)態(tài)。所以符合條件的為1s22s23s1;所以,正確答案選C。5.下列敘述正確的是A.離子晶體中,只存在離子健,不行能存在其它化學(xué)鍵B.可燃冰中甲烷分子與水分子之間存在氫鍵C.Na2O2、NaHSO4晶體中的陰、陽離子個數(shù)比均為12D.晶體熔點:金剛石>食鹽>冰>干冰【答案】D【解析】【詳解】A.離子晶體中,肯定存在離子鍵,可能會含共價鍵,如氯化銨晶體中既有離子鍵又有共價鍵,A不正確。B.甲烷分子與水分子之間不行能存在氫鍵,因為碳原子半徑較大、電負(fù)性較小不具備形成氫鍵的條件,所以B不正確。C.NaHSO4晶體中陰、陽離子個數(shù)比為1:1,所以C不正確。D.金剛石是原子晶體,氯化鈉是離子晶體,而冰和干冰都是分子晶體。比較不同類型晶體的熔點,一般原子晶體>離子晶體>分子晶體,冰和干冰都是分子晶體,可以依據(jù)常溫下水為液態(tài),而二氧化碳為氣態(tài)推斷冰的熔點高于干冰,所以D正確。答案選D。6.下列說法正確的是()A.將過量的氨水加入到CuSO4溶液中,最終得到藍(lán)色沉淀B.由于氫鍵的作用,H2O的穩(wěn)定性強于H2SC.在核電荷數(shù)為26元素原子核外價電子排布圖為D.核外電子數(shù)為奇數(shù)的基態(tài)原子,其原子軌道中可能不含“未成對電子”【答案】C【解析】【詳解】A.將過量的氨水加入到CuSO4溶液中,首先生成氫氧化銅藍(lán)色沉淀,然后沉淀漸漸溶解形成深藍(lán)色溶液,故A錯誤;B.氫鍵與物質(zhì)的穩(wěn)定性無關(guān),H2O的穩(wěn)定性強于H2S,是因為H-O比H-S鍵堅固,故B錯誤;C、依據(jù)能量最低原理、保里不相容原理、洪特規(guī)則知,F(xiàn)e原子3d能級上有6個電子,4s能級上有2個電子,該原子最穩(wěn)定、能量最低,因此價電子排布圖為,故C正確;D.奇數(shù)族元素的基態(tài)原子,則原子最外層電子數(shù)為奇數(shù),若最外層為nsx,則x=1,含有未成對電子;若最外層為ns2npy,則y=1或3或5,np軌道肯定含有未成對電子,故D錯誤;故選C。7.固體熔化時必需破壞非極性共價鍵的是()A.冰 B.晶體硅C.溴單質(zhì) D.二氧化硅【答案】B【解析】【詳解】A.冰屬于分子晶體,熔化時破壞范德華力和分子間氫鍵,A不選;B.晶體硅屬于原子晶體,熔化時破壞Si—Si非極性共價鍵,B選;C.溴單質(zhì)屬于分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,C不選;D.二氧化硅屬于原子晶體,熔化時破壞Si—O極性共價鍵,D不選;答案選B。8.下列敘述正確的是()A.鉻原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d44s2B.Na、Mg、Al的第一電離能漸漸增大C.碳原子的軌道表示式:D.N、O、F的電負(fù)性漸漸增大【答案】D【解析】【詳解】A.鉻原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d54s1,選項A錯誤;B.Mg的最外層為3s電子全滿,穩(wěn)定結(jié)構(gòu),難以失去電子,第一電離能最大,Na的最小,選項B錯誤;C.碳原子的軌道表示式:,選項C錯誤;D.元素非金屬性越強電負(fù)性越強,故N、O、F電負(fù)性依次增大,選項D正確。答案選D。9.下列對一些試驗事實的理論說明正確的是選項試驗事實理論說明A碘單質(zhì)在CCl4中溶解度比在水中大CCl4和I2都是非極性分子,而H2O是極性分子BCO2為直線形分子CO2分子中C═O是極性鍵C金剛石的熔點低于石墨金剛石是分子晶體,石墨是原子晶體DHF的沸點高于HClHF的相對分子質(zhì)量小于HClA.A B.B C.C D.D【答案】A【解析】【詳解】A.CCl4和I2都是非極性分子,而H2O是極性分子,依據(jù)相像相溶原理可知碘單質(zhì)在水中的溶解度很小,但在CCl4中溶解度很大,故A正確;B.理論說明不對,CO2分子是直線型,中心C原子雜化類型為sp雜化,分子構(gòu)型與鍵的極性無關(guān),故B錯誤;C.金剛石是原子晶體,故C錯誤;D.理論說明不對,HF分子中間含有氫鍵,故HF的沸點高于HCl,故D錯誤;答案選A。10.下列有關(guān)化學(xué)用語表示正確的是()A.35Cl和37Cl的原子結(jié)構(gòu)示意圖均為B.HC1O的電子式:C.CO2的比例模型:D.HCl的電子式:【答案】A【解析】【詳解】A.35Cl與37Cl核外電子數(shù)均為17,二者的原子結(jié)構(gòu)示意圖相同均為,A正確;B.HClO的電子式為,B錯誤;C.二氧化碳分子中,C的原子半徑大于O原子半徑,所以CO2的比例模型為:,C錯誤;D.HCl的電子式為,D錯誤;答案選A.【點睛】HC1O的結(jié)構(gòu)式為H-O-Cl,因此次氯酸的電子式為。11.下列物質(zhì)的沸點改變依次正確的是A.CH4>SiH4>GeH4>SnH4B.NH3<PH3<AsH3<SbH3C.H2O>H2S>H2Se>H2TeD.HCl<HBr<HI<HF【答案】D【解析】【詳解】A.這幾種氫化物結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相像,且相對分子質(zhì)量隨著原子序數(shù)增大而增大,所以其熔沸點依次為CH4<SiH4<GeH4<SnH4,故A錯誤;B.這幾種氫化物結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相像,且相對分子質(zhì)量隨著原子序數(shù)增大而增大,但氨中含有氫鍵,所以其熔沸點最高,則熔沸點依次為PH3<AsH3<SbH3<NH3,故B錯誤;C.這幾種氫化物結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相像,且相對分子質(zhì)量隨著原子序數(shù)增大而增大,但水中含有氫鍵,所以其熔沸點最高,則熔沸點依次為H2S<H2Se<H2Te<H2O,故C錯誤;D.這幾種氫化物結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相像,且相對分子質(zhì)量隨著原子序數(shù)增大而增大,但HF中含有氫鍵,所以其熔沸點最高,則熔沸點依次為HCl<HBr<HI<HF,故D正確;故答案為D。12.下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是()A.K+1s22s22p63s23p6B.F1s22s22p5C.S2-1s22s22p63s23p4D.Ar1s22s22p63s23p6【答案】C【解析】【詳解】s能級最多可容納2個電子,p能級最多可容納6個電子;依據(jù)構(gòu)造原理,電子總是從能量低的能層、能級到能量高的能層、能級依次排列,其中S2-是在S原子得到兩個電子后形成的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),所以S2-的電子排布式為1s22s22p63s23p6,答案選C。13.下列有關(guān)化學(xué)用語運用正確的是()A.石英的分子式:SiO2B.NH4Cl的電子式:C.Cr原子的基態(tài)簡化電子排布式為[Ar]3d54s1D.S原子的外圍電子排布圖為【答案】C【解析】【詳解】A.石英SiO2是原子晶體,不存在分子,SiO2為化學(xué)式,不是分子式,故A錯誤;B.NH4Cl的電子式為,故B錯誤;C.Cr的核電荷數(shù)為24,其原子的基態(tài)簡化電子排布式為[Ar]3d54s1,故C正確;D.電子排布在同一能級的不同軌道時,總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道,且自旋狀態(tài)相同,所以3p能級上電子排布圖違反洪特規(guī)則,S原子的外圍電子排布圖為,故D錯誤;答案為C。14.共價鍵、離子鍵和范德華力是粒子之間的三種作用力。下列晶體①Na2O2、②SiO2、③石墨、④金剛石、⑤NaCl、⑥白磷中,含有以上其中兩種作用力的是()A.①②③ B.①③⑥ C.②④⑥ D.①②③⑥【答案】B【解析】【詳解】①Na2O2含有共價鍵、離子鍵;②SiO2含有共價鍵;③石墨含有共價鍵和范德華力;④金剛石含有共價鍵;⑤NaCl含有離子鍵;⑥白磷中含有共價鍵和范德華力;含有以上其中兩種作用力的是①③⑥,故選B。15.某物質(zhì)的晶體中,含A、B、C三種元素,其排列方式如右圖所示(其中前后兩面心上的B原子不能畫出),晶體中A、B、C的原子個數(shù)比依次為()A.1:3:1 B.2:3:1C.2:2:1 D.1:3:3【答案】A【解析】【詳解】依據(jù)圖片知,該小正方體中A原子個數(shù)=8×=1,B原子個數(shù)=6×=3,C原子個數(shù)=1,所以晶體中A、B、C的原子個數(shù)比為1:3:1,故答案為A?!军c睛】考查晶胞的計算,側(cè)重于學(xué)生的分析實力的考查,明確頂點、棱、面心上每個原子被幾個晶胞占有是解本題關(guān)鍵,利用均攤法可知:頂點上的原子被8個小正方體共用,面心上的原子被2個小正方體共用,體心上的原子被1個小正方體占有。16.下列說法中錯誤的是:A.SO2、SO3都是極性分子 B.在NH4+和[Cu(NH3)4]2+中都存在配位鍵 C.元素電負(fù)性越大的原子,吸引電子的實力越強 D.原子晶體中原子以共價鍵結(jié)合,具有鍵能大、熔點高、硬度大的特性【答案】A【解析】【詳解】A項,三氧化硫分子非極性分子,它是由一個硫原子和三個氧原子通過極性共價鍵結(jié)合而成,分子形態(tài)呈平面三角形,硫原子居中,鍵角120°,故A項錯誤;B項,在NH4+和[Cu(NH3)4]2+中都存在配位鍵,前者是氮原子供應(yīng)配對電子對給氫原子,后者是銅原子供應(yīng)空軌道,故B項正確;C項,元素的原子在化合物中把電子吸引向自己的本事叫做元素的電負(fù)性,所以電負(fù)性越大的原子,吸引電子的實力越強,故C項正確;D項,原子晶體中原子以共價鍵結(jié)合,一般原子晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)鍵能都比較大、熔沸點比較高、硬度比較大,故D項正確。答案選A。17.下列分子中含有“手性碳原子”的是()A.CBr2F2 B.CH3CH2CH2OH C.CH3CH2CH3 D.CH3CH(NO2)COOH【答案】D【解析】【詳解】在有機物分子中,當(dāng)一個碳原子連有4個不同的原子或原子團(tuán)時,這種碳原子被稱為“手性碳原子”,題目所給4個選項中,只有CH3CH(NO2)COOH的第2個C原子連接了4個不同的原子或原子團(tuán)(分別是—CH3、—NO2、—COOH和H原子),故答案選D。18.下列各離子的電子排布式錯誤的是()A.Na+1s22s22p6 B.F-1s22s22p6 C.N3+1s22s22p6 D.O2-1s22s22p6【答案】C【解析】【分析】基態(tài)原子或離子電子應(yīng)處于能量最低的狀態(tài),結(jié)合能量最低原理解答。【詳解】A.核外電子數(shù)為10,其電子排布式為:1s22s22p6,符合能量最低原理,故A正確;B.F-,核外電子總數(shù)為10,電子排布式為:1s22s22p6,符合能量最低原理,故B正確;C.N3+核外含有4個電子,其電子排布式為:1s22s22p2,故C錯誤;D.O2-電子排布式為:1s22s22p6,符合能量最低原理,故D正確;故答案為C。19.A元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),有關(guān)兩元素的下列敘述:①原子半徑A<B;②離子半徑A>B;③原子序數(shù)A>B;④原子最外層電子數(shù)A<B;⑤A的正價與B的負(fù)價肯定值肯定相等;⑥A的電負(fù)性小于B的電負(fù)性;⑦A的第一電離能大于B的第一電離能。其中正確的組合是()A.③④⑥ B.①②⑦ C.③⑤ D.③④⑤⑥⑦【答案】A【解析】【分析】A元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則A在B的下一周期,且A為金屬元素,在反應(yīng)中易失去電子,具有較強的金屬性,B為非金屬元素,在反應(yīng)中易得到電子,具有較強的非金屬性,據(jù)此分析解答?!驹斀狻緼元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),A在B的下一周期,則①A在B的下一周期,依據(jù)“層多徑大”,原子半徑A>B,①錯誤;②A在B的下一周期,原子序數(shù)A>B,A元素的陽離子與B元素的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),依據(jù)“序大徑小”,則離子半徑A<B,②錯誤;③A在B的下一周期,原子序數(shù)A>B,③正確;④當(dāng)原子最外層電子數(shù)<4時易失去最外層電子形成陽離子,當(dāng)原子最外層電子>4時,易得到電子形成陰離子,則原子最外層電子數(shù)A<B,④正確;⑤A、B原子最外層電子數(shù)不能確定,則元素化合價關(guān)系不能確定,如Na+與F-時A的正價與B的負(fù)價的肯定值相等,而Mg2+與F-時A的正價與B的負(fù)價的肯定值不相等,⑤錯誤;⑥A能形成陽離子,說明A易失去電子,具有較強的金屬性,電負(fù)性較小,B能形成陰離子,說明B易得到電子,具有較強的非金屬性,電負(fù)性較大,則A的電負(fù)性小于B的電負(fù)性,⑥正確;⑦A能形成陽離子,說明A易失去電子,具有較強的金屬性,第一電離能較小,B能形成陰離子,說明B易得到電子,具有較強的非金屬性,第一電離能較大,故A的第一電離能小于B的第一電離能,⑦錯誤;正確的有③④⑥,答案選A。20.下列各組表述中,兩個微粒肯定不屬于同種元素原子的是()A.3p能級有一個空軌道的基態(tài)原子和核外電子排布為1s22s22p63s23p2的原子B.M層全充溢而N層為4s2的原子和核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2的原子C.最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的的原子和價電子排布為4s24p5的原子D.2p能級有一個未成對電子的基態(tài)原子和價電子排布為2s22p5的原子【答案】B【解析】【詳解】A.3p能級有一個空軌道的基態(tài)原子和核外電子排布為1s22s22p63s23p2的原子都是指Si原子,故不選A;B.M層全充溢而N層為4s2的原子是Zn原子,核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2的原子是Fe原子,故選B;C.最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的的原子是Br,Br原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s24p5,價電子排布式為4s24p5,屬于同種元素原子,故不選C;D.2p能級有一個未成對電子的基態(tài)原子可能是B或F,價電子排布為2s22p5的原子是F,故不選D;故答案選B。第II卷(非選擇題)二、填空題(本題共4道小題,每小題10分,共40分)21.隨新能源汽車的發(fā)展,新能源電池技術(shù)也在不斷創(chuàng)新,典型的鋰離子電池一般以LiCoO2或LiFePO4等為正極材料,以石墨碳為負(fù)極材料,以溶有LiPF6等的有機溶液為電解質(zhì)溶液。(1)P原子的電子排布式為_________。Fe2+中未成對電子數(shù)為___________。(2)N、O、F原子的第一電離能由小到大的依次為_______。(3)等電子體具有相像的化學(xué)鍵特征,它們的很多性質(zhì)是相近的。ClO4-與PO43-互為等電子體,ClO4-的立體構(gòu)型為_______,中心原子的雜化軌道類型為________。(4)烷烴同系物中,CH4的沸點最低,緣由是______________。(5)向CuSO4溶液中加入氨水,首先形成藍(lán)色沉淀,接著加氨水,沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,在此溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色的晶體。由藍(lán)色沉淀得到深藍(lán)色溶液的離子方程式為_______________;深藍(lán)色晶體中存在的化學(xué)鍵類型有__________。(填代號)A.離子鍵B.σ鍵C.非極性共價鍵D.配位鍵E.金屬鍵F.氫鍵(6)如圖所示為Co的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)圖,則該氧化物的化學(xué)式為______;若該晶胞的棱長為apm,則該晶體的密度為_____________g/cm3。(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)【答案】(1).1s22s22p63s23p3(2).4(3).O<N<F(O、N、F)(4).正四面體形(5).sp3(6).相對分子質(zhì)量最小,分子間作用力(范德華力)最弱(7).Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-(8).ABD(9).CoO(10).【解析】【詳解】(1)該原子核外有15個電子,依據(jù)構(gòu)造原理書寫其核外電子排布式為1s22s22p63s23p3;Fe2+中未成對電子數(shù)為3d能級上4個電子,;(2)同一周期元素,元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素,N、O、F元素位于同一周期,分別位于第VA族、第VIA族、第VIIA族,所以第一電離能從小到大依次是O<N<F;(3)ClO4-原子價層電子對個數(shù)為=4,孤電子對數(shù)為0,依據(jù)價層電子對互斥理論推斷其空間構(gòu)型為正四面體、中心原子的雜化軌道類型為sp3;(4)結(jié)構(gòu)相像的分子晶體中,熔沸點與分子間作用力成正比,分子間作用力與相對分子質(zhì)量成正比,烷烴都屬于分子晶體,其相對分子質(zhì)量隨著碳原子個數(shù)增大而增大,所以范德華力隨著碳原子個數(shù)增大而增大,則熔沸點最小的是甲烷;(5)向CuSO4溶液中加入氨水,首先形成藍(lán)色沉淀,該沉淀為氫氧化銅,接著加氨水,沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,是因為Cu(OH)2和氨氣反應(yīng)生成[Cu(NH3)4]2+、OH-,離子方程式為Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-;該深藍(lán)色晶體為[Cu(NH3)4]SO4,SO42-與[Cu(NH3)4]2+離子鍵,氨氣分子與銅離子之間為配位鍵,氨氣分子中N-H鍵為σ鍵,所以選ABD;(6)該晶胞中O原子個數(shù)=4,Co原子個數(shù)=8×+6×=4,O、Co原子個數(shù)之比=4:4=1:1,其化學(xué)式為CoO;晶體體積V=a3pm3=a3×10-30cm3,晶胞密度=?!军c睛】同一周期元素,元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢,但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素;有關(guān)晶胞的計算要留意單位的換算,1cm=107nm=1010pm。22.鈷、銅及其化合物在工業(yè)上有重要用途,回答下列問題:(1)請補充完基態(tài)Co的簡化電子排布式:[Ar]_________,Co2+有_______個未成對電子。(2)Na3[Co(NO2)6]常用作檢驗K+的試劑,配位體NO2-的中心原子的雜化形式為________,空間構(gòu)型為_____。大π鍵可用符號表示,其中m代表參加形成大π鍵的原子數(shù),n為各原子的單電子數(shù)(形成σ鍵的電子除外)和得電子數(shù)的總和(如苯分子中的大π鍵可表示為),則NO2-中大π鍵應(yīng)表示為____________。(3)協(xié)作物[Cu(En)2]SO4的名稱是硫酸二乙二胺合銅(Ⅱ),是銅的一種重要化合物。其中En是乙二胺(H2NCH2CH2NH2)的簡寫。①該協(xié)作物[Cu(En)2]SO4中N、O、Cu的第一電離能由小到大的依次是______________。②乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,且相對分子質(zhì)量相近,但乙二胺比三甲胺的沸點高得多,緣由是______________________________________________________。(4)金屬Cu晶體中的原子積累方式如圖所示,其配位數(shù)為______,銅的原子半徑為anm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,Cu的密度為_________g/cm3(列出計算式即可)?!敬鸢浮?1).3d74s2(2).3(3).sp2(4).V型(5).(6).Cu<O<N(7).乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵(8).12(9).【解析】【分析】(1)Co元素核外有27個電子,依據(jù)構(gòu)造原理書寫;(2)NO2-中心原子N原子價層電子對數(shù)為3,故雜化軌道數(shù)為3,所以N原子的雜化方式為sp2雜化,空間構(gòu)型為V型;NO2-中參加形成大π鍵的原子個數(shù)為3個,每個原子供應(yīng)一個單電子,得電子數(shù)為1個,所以NO2-的大π鍵可以表示為。(3)①同一周期主族原素從左到右,原子半徑漸漸減小,第一電離能有增大趨勢,但I(xiàn)IA和VA元素例外,O的第一電離能小于N,O和N為非金屬元素,Cu為金屬元素,Cu比O、N易失電子;②乙二胺(H2NCH2CH2NH2)分子中含有氮氫鍵,分子間能形成氫鍵,三甲胺[N(CH3)3]分子中不含氮氫鍵,分子間不能形成氫鍵;(4)由圖可知,距每個Cu原子最近的Cu原子有12個,即配位數(shù)為12;晶胞中實際含有的Cu為4個,其質(zhì)量為464g/NA;依據(jù)=計算密度?!驹斀狻浚?)Co為27號元素,依據(jù)電子構(gòu)造原理可知其電子排布式為[Ar]3d74s2,Co2+電子排布式為[Ar]3d7,3d7軌道上有3個未成對的電子。故答案為3d74s2;3;(2)NO2-中心原子N原子價層電子對數(shù)為3,故雜化軌道數(shù)為3,所以N原子的雜化方式為sp2雜化,空間構(gòu)型為V型;NO2-中參加形成大π鍵的原子個數(shù)為3個,每個原子供應(yīng)一個單電子,得電子數(shù)為1個,所以NO2-的大π鍵可以表示為;故答案為sp2;V型;;(3)①同一周期主族原素從左到右,原子半徑漸漸減小,第一電離能有增大趨勢,但I(xiàn)IA和VA元素例外,O的第一電離能小于N,O和N為非金屬元素,Cu為金屬元素,Cu比O、N易失電子,所以第一電離能由小到大的依次是Cu<O<N;②乙二胺(H2NCH2CH2NH2)分子中含有氮氫鍵,分子間能形成氫鍵,三甲胺[N(CH3)3]分子中不含氮氫鍵,分子間不能形成氫鍵,因而乙二胺比三甲胺的沸點高得多,故答案為Cu<O<N;乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵;(4)由圖可知,距每個Cu原子最近的Cu原子有12個,即配位數(shù)為12;晶胞中實際含有的Cu為4個,其質(zhì)量為464g/NA;已知銅的原子半徑為anm,由圖可知,晶胞中面對角線長為4anm,晶胞的棱長為2anm,則晶胞的體積為(2a×10-7)3cm3,所以有(2×10-7)3×=464g/NA,解得=g/cm3,故答案為。23.硅及其化合物有很多用途,回答下列問題:(1)基態(tài)Si原子價層電子的排布圖(軌道表達(dá)式)為_________,含有長硅鏈的化合物不是氫化物,而是氯化物。主要緣由是F比H多了一種形態(tài)的原子軌道,該原子軌道的形態(tài)為___________。(2)SiF4分子的立體構(gòu)型為_______形,SiCl4的熔、沸點均高于SiF4,主要緣由是________________。(3)SiF4可KF反應(yīng)得K2SiF6晶體,該晶體可用于制取高純硅,K2SiF6晶體中微觀粒子之間的作用力有______。a.離子鍵b.共價鍵c.配位鍵d.分子間作用力e.氫鍵(4)H4SiO4的結(jié)構(gòu)簡式如圖(1),中心原子Si的軌道雜化類型為_________,H4SiO4在常溫下能穩(wěn)定存在,但H4CO4不能,會快速脫水生成H2CO3,最終生成CO2,主要緣由是___________。(5)硅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖(2)所示,若該立方晶胞的邊長為anm,阿伏伽德羅常數(shù)的數(shù)值為NA,則距離最近的兩個硅原子間的距離為_____nm,晶體硅密度的計算表達(dá)式為_____g/cm3?!敬鸢浮?1).(2).啞鈴形(3).正四面體(4).SiCl4的的相對分子質(zhì)量大于SiF4,分子間作用力更大(5).abc(6).sp3雜化(7).Si的原子半徑大于C(8).(9).【解析】【分析】(1)依據(jù)構(gòu)造原理結(jié)合洪特規(guī)則書寫Si的軌道表達(dá)式;結(jié)合F、H原子核外電子排布式及各個軌道電子云的空間形態(tài)推斷;(2)依據(jù)價層電子對數(shù)推斷空間形態(tài);依據(jù)分子間作用力與相對分子質(zhì)量的關(guān)系分析比較;(3)K2SiF6晶體為離子晶體,結(jié)合離子的結(jié)構(gòu)分析;(4)H4SiO4中的Si原子最外層電子排布為3s23p2,全形成共價鍵,為sp3雜化;同一主族的元素形成化合物結(jié)構(gòu)相像,但原子半徑大小不同,從二者的不同分析;(5)最近的兩個Si原子處于晶胞對角線的處;用均攤法計算一個晶胞中含有的Si的原子個數(shù),然后利用密度公式計算密度大小。【詳解】(1)Si是14號元素,依據(jù)構(gòu)造原理可知其其核外電子排布式為1s22s22p63s23p2,結(jié)合洪特規(guī)則可知Si原子的價層電子的排布圖為;F是9號元素,核外電子排布式為:1s22s22p5;H核外只有1個電子,電子排布式為1s1,可見二者的區(qū)分在于F原子核外有p電子,p軌道為啞鈴形;(2)SiF4分子中的中心原子Si的價層電子對數(shù)為4,所以其立體構(gòu)型為正四面體;SiCl4的熔、沸點均高于SiF4,主要緣由是二者都是分子晶體,結(jié)構(gòu)相像,對于結(jié)構(gòu)相像的物質(zhì)來說,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,克服分子間作用力使物質(zhì)熔化、氣化須要的能量更多,物質(zhì)的熔沸點就越高。由于SiCl4的的相對分子質(zhì)量于SiF4,分子間作用力更大;(3)K2SiF6晶體為離子晶體,陽離子K+與陰離子SiF62-通過離子鍵結(jié)合,在陰離子SiF62-中中心原子Si原子與6個F形成共價鍵,其中2個為配位鍵,因此含有的作用力為離子鍵、共價鍵、配位鍵,合理選項是abc;(4)H4SiO4中的Si原子最外層電子排布為3s23p2,全形成共價鍵,為sp3雜化;C、S都是第IVA的元素,原子最外層都有4個電子,但Si原子可組成H4SiO4,而C元素只能形成H2CO3,是由于Si的原子半徑大于C,電子對的排斥力小,而C原子的成鍵電子對排斥力強;(5)晶胞參數(shù)為anm,晶胞的對角線為,晶胞中最近的兩個Si原子處于晶胞對角線的處,因此距離最近的兩個硅原子間的距離為;在一個晶胞中含有的Si原子個數(shù)為×8+×6+4=8,則晶胞的密度ρ==g/cm3?!军c睛】本題綜合考查了物質(zhì)結(jié)構(gòu)的學(xué)問。涉及原子的軌道表達(dá)式、電子云、價層電子對互斥理論、原子的雜化、晶體結(jié)構(gòu)、晶胞計算等,留意原子核外電子排布與物質(zhì)穩(wěn)定性的關(guān)系。24.黃銅礦是工業(yè)冶煉銅的原料,主要成分為CuFeS2。試回答下列問題:(1)基態(tài)硫原子核外電子有_____種不同運動狀態(tài),能量最高的電子所占據(jù)的原子軌道形態(tài)為_________。(2)基態(tài)Cu原子的價層電子排布式為_________;Cu、Zn的其次電離能大小I2(Cu)_________I2(Zn)(填“>”“<”或“=”)。(3)SO2分子中S原子的軌道雜化類型為_________,分子空間構(gòu)型為_________;與SO2互為等電子體的分子有_________(寫一種)。(4)請從結(jié)構(gòu)角度說明H2SO3的酸性比H2SO4酸性弱的緣由_________。(5)Cu(CH3CN)4比四氨合銅離子穩(wěn)定,其配離子中心原子配位數(shù)為_________,配位體中σ鍵與π鍵個數(shù)之比為________

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