GaN肖特基勢(shì)壘二極管ATLAS仿真與實(shí)驗(yàn)研究的任務(wù)書(shū)

AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管ATLAS仿真與實(shí)驗(yàn)研究的任務(wù)書(shū)任務(wù)書(shū)任務(wù)目標(biāo)：本任務(wù)旨在研究AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的ATLAS仿真與實(shí)驗(yàn)特性，探究其電性能、電流傳輸特性、熱性能以及光性能等方面。任務(wù)內(nèi)容：1.理論研究（1）介紹AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的基本原理及其制備工藝。（2）分析AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的電性能，包括正向、反向電流-電壓特性、漏電流、截止頻率、電容等特性。（3）研究AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的熱性能，包括溫升、熱阻等特性。（4）探究AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的光學(xué)性能，包括光電轉(zhuǎn)換效率、發(fā)光特性等。2.仿真模擬（1）采用ATLAS軟件對(duì)AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管進(jìn)行仿真模擬，模擬其電性能、熱性能、光性能等特性。（2）分析仿真結(jié)果，與理論計(jì)算結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，并進(jìn)一步驗(yàn)證理論計(jì)算的正確性。3.實(shí)驗(yàn)研究（1）制備AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的樣品，實(shí)現(xiàn)樣品的制備工藝參數(shù)優(yōu)化。（2）利用自制的測(cè)試系統(tǒng)對(duì)樣品的正向、反向電流-電壓特性、漏電流、截止頻率、電容等特性進(jìn)行測(cè)試，并與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。（3）利用光譜儀對(duì)樣品的發(fā)光特性進(jìn)行測(cè)試，得到其光電轉(zhuǎn)換效率等數(shù)據(jù)，并與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。4.結(jié)果分析（1）對(duì)于理論分析、仿真模擬和實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到的結(jié)果進(jìn)行比對(duì)分析，探討其差異和原因。（2）分析并討論AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的特性?xún)?yōu)勢(shì)和局限性，為其在電子器件、光電器件等方面的應(yīng)用提供理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。任務(wù)計(jì)劃：第一期：1.完成對(duì)AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管理論的研究，并編寫(xiě)一份詳細(xì)的理論研究報(bào)告，包括其電性能、熱性能、光性能等分析。2.利用ATLAS軟件對(duì)AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管進(jìn)行仿真模擬，并得到仿真數(shù)據(jù)。3.備貨和制備AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的樣品，為實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。第二期：1.對(duì)AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的樣品進(jìn)行制備，實(shí)現(xiàn)樣品的制備工藝參數(shù)優(yōu)化。2.建立自制的測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)樣品的正向、反向電流-電壓特性、漏電流、截止頻率、電容等特性進(jìn)行測(cè)試，并記錄測(cè)試結(jié)果。第三期：1.利用光譜儀對(duì)樣品的發(fā)光特性進(jìn)行測(cè)試，得到其光電轉(zhuǎn)換效率等數(shù)據(jù)，記錄其測(cè)試結(jié)果。2.對(duì)本項(xiàng)任務(wù)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和比對(duì)，編寫(xiě)出詳細(xì)的結(jié)果分析報(bào)告。3.準(zhǔn)備任務(wù)的總結(jié)報(bào)告，總結(jié)研究任務(wù)的完成情況，討論研究結(jié)果的意義和展望，提出下一步的研究方向和建議。任務(wù)總結(jié)：本次任務(wù)研究了AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管的ATLAS仿真和實(shí)驗(yàn)特性，分析了其電性能、熱性能、光性能等特性，通過(guò)理論計(jì)算、仿真模擬和實(shí)驗(yàn)測(cè)試的方式來(lái)驗(yàn)證其特性，為其在電子器