GeMOS界面鈍化與MOSFET器件制備研究任務(wù)書

GeMOS界面鈍化與MOSFET器件制備研究任務(wù)書任務(wù)書題目：GeMOS界面鈍化與MOSFET器件制備研究任務(wù)概述：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，MOSFET器件在集成電路中扮演越來(lái)越關(guān)鍵的角色。GeMOS是一種新型的MOSFET器件，它采用Ge材料作為襯底，實(shí)現(xiàn)高速，低功耗，強(qiáng)散熱等多種優(yōu)異性能。但同時(shí)，Ge襯底的高表面密度會(huì)帶來(lái)電子表面態(tài)（DOS）的增加，從而影響MOSFET器件的電學(xué)性能和穩(wěn)定性。因此，如何鈍化GeMOS界面，提高M(jìn)OSFET器件的性能，成為了我們需要進(jìn)行研究的問(wèn)題。具體任務(wù)：1.鈍化GeMOS界面的原理2.采用E-beam蒸發(fā)技術(shù)，制備MOSFET器件3.測(cè)量器件的電學(xué)性能和穩(wěn)定性，分析襯底和界面缺陷對(duì)器件性能的影響4.優(yōu)化制備工藝，提高M(jìn)OSFET器件的性能任務(wù)要求和考核：1.需要具備材料物理，固體電子學(xué)方面的基礎(chǔ)知識(shí)，了解MOSFET器件的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能。2.熟悉E-beam蒸發(fā)技術(shù)，具有制備MOSFET器件的實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)。3.熟練掌握器件測(cè)試工具，如半導(dǎo)體分析儀等。4.能夠獨(dú)立思考和解決問(wèn)題，具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神。5.書寫清晰，結(jié)論明確，報(bào)告詳細(xì)。參考文獻(xiàn)：1.K.Rimetal.,“EffectivesurfacepassivationofaGemetal–oxide–semiconductorfield-effecttransistorusingadepositionmethodofathinatomic-layer-depositedAl2O3interfaciallayer,”J.Appl.Phys.,vol.125,no.4,2019.2.M.R.Visokayetal.,“ProgressongermaniumMOSFETs,”Solid-StateElectron.,vol.47,no.9,2003.3.郭洪濤等，數(shù)字集成電路CAD，北京：清華大學(xué)出版社，2012。任務(wù)執(zhí)行時(shí)間：2個(gè)月任務(wù)執(zhí)行地點(diǎn)：實(shí)驗(yàn)室任務(wù)經(jīng)費(fèi)預(yù)算：5000元任務(wù)組織者：XXXXX大學(xué)半導(dǎo)體研究所任務(wù)執(zhí)行者：張三，李四，王五經(jīng)費(fèi)使用情況：用途|總預(yù)算（元）|使用情況（元）|結(jié)余（元）--|--|--|--儀器材料|4000|3800|200文獻(xiàn)資料|800|700|100差旅費(fèi)|200|0|200其他|1000|500|500總計(jì)|6000|5000|1000任務(wù)進(jìn)度安排：時(shí)間|任務(wù)|負(fù)責(zé)人--|--|--第1周|調(diào)研材料，制定實(shí)驗(yàn)方案和進(jìn)度安排|張三第2-4周|進(jìn)行E-beam蒸發(fā)試驗(yàn)，制備MOSFET器件，并測(cè)試性能|李四第5-6周|分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，撰寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告|王五任務(wù)完成標(biāo)準(zhǔn)：1.完成實(shí)驗(yàn)方案，制備符合要求