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第52講洛倫茲力與現(xiàn)代科技(模擬精練+真題演練)1.(2023·北京西城·北師大實驗中學(xué)??既#┤鐖D所示為質(zhì)譜儀的原理圖,一束粒子以速度v沿直線穿過相互垂直的勻強(qiáng)電場(電場強(qiáng)度為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為SKIPIF1<0)的重疊區(qū)域,然后通過狹縫SKIPIF1<0垂直進(jìn)入另一勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為SKIPIF1<0),最后打在照相底片上的三個不同位置,粒子的重力可忽略不計,則下列說法正確的是()
A.該束粒子帶負(fù)電B.SKIPIF1<0板帶負(fù)電C.粒子的速度v滿足關(guān)系式SKIPIF1<0D.在SKIPIF1<0的勻強(qiáng)磁場中,運動半徑越大的粒子,荷質(zhì)比SKIPIF1<0越小【答案】D【詳解】A.根據(jù)粒子在右側(cè)磁場中的運動,利用左手定則,可判斷出該束粒子帶正電,故A錯誤;B.根據(jù)粒子在左側(cè)運動可知,洛倫茲力方向向上,則電場力方向向下,P1板帶正電,故B錯誤;C.由粒子做直線運動,根據(jù)受力平衡可得qvB1=qE解得粒子的速度為SKIPIF1<0故C錯誤;D.在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的磁場中,由洛倫茲力提供向心力得SKIPIF1<0可得SKIPIF1<0運動半徑越大的粒子,荷質(zhì)比SKIPIF1<0越小,故D正確。故選D。2.(2023·河南鄭州·統(tǒng)考模擬預(yù)測)如圖甲所示為質(zhì)譜儀工作的原理圖,已知質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子,從容器A下方的小孔飄入電勢差為U的加速電場,其初速度幾乎為0,經(jīng)電場加速后,由小孔S沿著與磁場垂直的方向,進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中。粒子在S點的速度與磁場邊界垂直,最后打在照相底片上的P點,且SKIPIF1<0。忽略粒子的重力,通過測量得到x與SKIPIF1<0的關(guān)系如圖乙所示,已知斜率為k=0.5,勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B為SKIPIF1<0,SKIPIF1<0,則下列說法中正確的是()
A.該粒子帶負(fù)電B.該粒子比荷為SKIPIF1<0C.該粒子在磁場中運動的時間約為SKIPIF1<0D.若電壓U不變,打到Q點的粒子比荷大于打到P點的粒子【答案】C【詳解】A.粒子進(jìn)入磁場后向左偏轉(zhuǎn),根據(jù)左手定則可知,該粒子帶正電,故A錯誤;B.粒子經(jīng)過加速電場過程,根據(jù)動能定理可得SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0粒子在磁場中由洛倫茲力提供向心力可得SKIPIF1<0可得SKIPIF1<0則有SKIPIF1<0可知SKIPIF1<0圖像的斜率SKIPIF1<0可得粒子的比荷為SKIPIF1<0故B錯誤;C.該粒子在磁場中運動的時間為SKIPIF1<0故C正確;D.根據(jù)SKIPIF1<0若電壓SKIPIF1<0不變,可知打到Q點的粒子比荷小于打到P點的粒子比荷,故D錯誤。故選C。3.(2023·重慶沙坪壩·重慶一中??寄M預(yù)測)實驗中,將離子束從回旋加速器中引出可以采用磁屏蔽通道法。使用磁屏蔽通道法引出離子的原理如圖所示:離子從P點以速度v進(jìn)入通道時,由于引出通道內(nèi)的磁場強(qiáng)度發(fā)生改變,離子運動軌跡半徑增大,可使離子引出加速器。已知回旋加速器D型盒的半徑為R,圓心在O點,D型盒區(qū)域中磁場垂直紙面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,引出通道外側(cè)末端Q點到O點距離為L,OQ與OP的夾角為θ,離子帶電為q,質(zhì)量為m,則()
A.離子經(jīng)過引出通道后的速度大于vB.引出通道內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大于BC.若離子恰能從引出通道的Q點引出,引出通道中的磁感應(yīng)強(qiáng)度SKIPIF1<0D.若引出通道中磁場為SKIPIF1<0時,該離子能引出加速器,則此時將一帶電量2q,質(zhì)量為2m的離子一定不能從加速器中引出【答案】C【詳解】A.洛倫茲力不做功,離子經(jīng)過引出通道后的速度等于v,故A錯誤;B.根據(jù)洛倫茲力提供向心力得SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0設(shè)離子在引出通道內(nèi)的軌道半徑為SKIPIF1<0,同理可得SKIPIF1<0由于離子在引出通道內(nèi)的軌道半徑大于D型盒半徑,可知引出通道內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度小于D型盒內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度B,故B錯誤;C.若離子恰能從引出通道的Q點引出,設(shè)圓弧半徑為SKIPIF1<0,軌跡如圖所示
則有SKIPIF1<0,SKIPIF1<0,SKIPIF1<0根據(jù)幾何關(guān)系得SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0由洛倫茲力提供向心力可得SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0聯(lián)立可得SKIPIF1<0故C正確;D.由C中分析可知,離子能否離開加速器與粒子的電量和質(zhì)量無關(guān),若引出通道中磁場為SKIPIF1<0時,該離子能引出加速器,則此時將一帶電量SKIPIF1<0,質(zhì)量為2m的離子也一定能從加速器中引出,故D錯誤。故選C。4.(2023·福建南平·統(tǒng)考模擬預(yù)測)回旋加速器工作原理如圖所示,置于真空中的兩個半圓形金屬盒半徑為R,兩盒間留有一狹縫接有頻率為f的高頻交流電,加速電壓為U,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場與盒面垂直。若A處粒子源產(chǎn)生的氘核SKIPIF1<0在狹縫中被加速,不考慮相對論效應(yīng)和重力的影響,不計粒子在電場中的加速時間。則()A.氘核離開回旋加速器時的最大速率隨加速電壓U增大而增大B.氘核被加速后的最大速度可能超過SKIPIF1<0C.氘核第n次和第SKIPIF1<0次經(jīng)過兩金屬盒間狹縫后的軌道半徑之比為SKIPIF1<0D.不改變磁感應(yīng)強(qiáng)度B和交流電頻率f,該回旋加速器也能加速SKIPIF1<0粒子【答案】D【詳解】A.根據(jù)SKIPIF1<0可得SKIPIF1<0可知氘核離開回旋加速器時的最大速率與加速電壓U無關(guān),故A錯誤;B.氘核被加速后的最大速度時的半徑為R,則SKIPIF1<0故氘核被加速后的最大速度不可能超過SKIPIF1<0,故B錯誤;C.氘核第n次和第SKIPIF1<0次經(jīng)過兩金屬盒間狹縫后的分別有SKIPIF1<0;SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0;SKIPIF1<0又SKIPIF1<0則SKIPIF1<0則氘核第n次和第SKIPIF1<0次經(jīng)過兩金屬盒間狹縫后的軌道半徑之比為SKIPIF1<0故C錯誤;D.回旋加速器的周期為SKIPIF1<0由于氘核SKIPIF1<0和SKIPIF1<0粒子SKIPIF1<0的比荷相等,所以不改變磁感應(yīng)強(qiáng)度B和交流電頻率f,該回旋加速器也能加速SKIPIF1<0粒子,故D正確。故選D。5.(2023·北京東城·北京市廣渠門中學(xué)??既#┤鐖D所示,速度選擇器的兩平行導(dǎo)體板之間有方向互相垂直的勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場,磁場方向垂直紙面向里。一電荷量為+q的粒子以速度v從S點進(jìn)入速度選擇器后,恰能沿圖中虛線通過。不計粒子重力,下列說法可能正確的是()
A.電荷量為-q的粒子以速度v從S點進(jìn)入后將向下偏轉(zhuǎn)B.電荷量為+2q的粒子以速度v從S點進(jìn)入后將做類平拋運動C.電荷量為+q的粒子以大于v的速度從S點進(jìn)入后動能將逐漸減小D.電荷量為-q的粒子以大于v的速度從S點進(jìn)入后動能將逐漸增大【答案】C【詳解】A.電荷量為+q的粒子以速度v進(jìn)入后受力平衡,即有SKIPIF1<0由左手定則可知,洛倫茲力豎直向上,電場力豎直向下,即電場強(qiáng)度的方向豎直向下,且有SKIPIF1<0當(dāng)電荷量為-q的粒子以速度v從S點進(jìn)入后,由左手定則可知,粒子所受的洛倫茲力豎直向下,電場力豎直向上,且有SKIPIF1<0則粒子受力平衡,將沿著圖中虛線通過,故A錯誤;B.電荷量為+2q的粒子以速度v從S點進(jìn)入后,向下的電場力為SKIPIF1<0向上的洛倫茲力為SKIPIF1<0由于SKIPIF1<0,所以粒子受力平衡,將沿著圖中虛線通過,故B錯誤;C.電荷量為+q的粒子以大于v的速度從S點進(jìn)入后,向下的電場力為SKIPIF1<0向上的洛倫茲力為SKIPIF1<0由于SKIPIF1<0,所以SKIPIF1<0,即粒子剛從S點進(jìn)入后所受合力豎直向上,粒子的運動軌跡將向上彎曲,此過程中電場力對粒子做負(fù)功,粒子的動能將逐漸減小,故C正確;D.電荷量為-q的粒子以大于v的速度從S點進(jìn)入后,向上的電場力為SKIPIF1<0向下的洛倫茲力為SKIPIF1<0由于SKIPIF1<0,所以SKIPIF1<0,即粒子剛從S點進(jìn)入后所受合力豎直向下,粒子的運動軌跡將向下彎曲,此過程中電場力對粒子做負(fù)功,粒子的動能將逐漸減小,故D錯誤。故選C。6.(2023·江蘇·模擬預(yù)測)目前,世界上正在研究一種新型發(fā)電機(jī)叫磁流體發(fā)電機(jī),立體圖如圖甲所示,側(cè)視圖如圖乙所示,其工作原理是燃燒室在高溫下將氣體全部電離為電子與正離子,即高溫等離子體,高溫等離子體經(jīng)噴管提速后以速度SKIPIF1<0進(jìn)入矩形發(fā)電通道,發(fā)電通道有垂直于噴射方向的勻強(qiáng)磁場(圖乙中垂直紙面向里),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小SKIPIF1<0,等離子體在發(fā)電通道內(nèi)發(fā)生偏轉(zhuǎn),這時兩金屬薄板上就會聚集電荷,形成電勢差。已知發(fā)電通道從左向右看長SKIPIF1<0,寬SKIPIF1<0,高SKIPIF1<0,等離子體的電阻率SKIPIF1<0,電子的電荷量SKIPIF1<0。不計電子和離子的重力以及微粒間的相互作用,則以下判斷正確的是()A.發(fā)電機(jī)的電動勢為2500VB.若電流表示數(shù)為16A,則1s內(nèi)打在下極板的電子有1010個C.當(dāng)外接電阻為12Ω時,電流表的示數(shù)為5AD.當(dāng)外接電阻為8Ω時,發(fā)電機(jī)輸出功率最大【答案】D【詳解】A.由等離子體所受的電場力和洛倫茲力平衡得qvB0=SKIPIF1<0則得發(fā)電機(jī)的電動勢為E=B0dv=1000V故A錯誤;B.由電流的定義可知SKIPIF1<0,代入數(shù)據(jù)解得n=1020個故B錯誤;C.發(fā)電機(jī)的內(nèi)阻為r=ρSKIPIF1<0=8Ω由閉合電路歐姆定律I=SKIPIF1<0=50A故C錯誤;D.當(dāng)電路中內(nèi)、外電阻相等時發(fā)電機(jī)的輸出功率最大,此時外電阻為R=r=8Ω故D正確。故選D。7.(2023·北京東城·統(tǒng)考一模)工業(yè)上常用電磁流量計來測量高黏度及強(qiáng)腐蝕性流體的流量Q(單位時間內(nèi)流過管道橫截面的液體體積),原理如圖甲所示,在非磁性材料做成的圓管處加一磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場,當(dāng)導(dǎo)電液體流過此磁場區(qū)域時,測出管壁上下M、N兩點間的電勢差U,就可計算出管中液體的流量。為了測量某工廠的污水排放量,技術(shù)人員在充滿污水的排污管末端安裝了一個電磁流量計,如圖乙所示,已知排污管和電磁流量計處的管道直徑分別為20SKIPIF1<0和10SKIPIF1<0。當(dāng)流經(jīng)電磁流量計的液體速度為10SKIPIF1<0時,其流量約為280SKIPIF1<0,若某段時間內(nèi)通過電磁流量計的流量為70SKIPIF1<0,則在這段時間內(nèi)(
)A.M點的電勢一定低于N點的電勢B.通過排污管的污水流量約為140SKIPIF1<0C.排污管內(nèi)污水的速度約為2.5SKIPIF1<0D.電勢差U與磁感應(yīng)強(qiáng)度B之比約為0.25SKIPIF1<0【答案】D【詳解】A.根據(jù)左手定則可知,正電荷進(jìn)入磁場區(qū)域時會向上偏轉(zhuǎn),負(fù)電荷向下偏轉(zhuǎn),所以M點的電勢一定高于N點的電勢,故A錯誤;BC.某段時間內(nèi)通過電磁流量計的流量為70SKIPIF1<0,通過排污管的污水流量也是70m3/h,由SKIPIF1<0知此段時間內(nèi)流經(jīng)電磁流量計的液體速度為2.5m/s,流量計半徑為r=5cm=0.05m,排污管的半徑R=10cm=0.1m,流經(jīng)電磁流量計的液體速度為v1=2.5SKIPIF1<0,則SKIPIF1<0可得排污管內(nèi)污水的速度約為SKIPIF1<0故BC錯誤;D.流量計內(nèi)污水的速度約為v1=2.5m/s,當(dāng)粒子在電磁流量計中受力平衡時,有SKIPIF1<0可知SKIPIF1<0故D正確。故選D。8.(2023·天津紅橋·統(tǒng)考二模)為監(jiān)測某化工廠的含有離子的污水排放情況,技術(shù)人員在排污管中安裝了監(jiān)測裝置,該裝置的核心部分是一個用絕緣材料制成的空腔,其寬和高分別為SKIPIF1<0和SKIPIF1<0,左、右兩端開口與排污管相連,如圖所示。在垂直于上、下底面加磁感應(yīng)強(qiáng)度為SKIPIF1<0向下的勻強(qiáng)磁場,在空腔前、后兩個側(cè)面上各有長為SKIPIF1<0的相互平行且正對的電極SKIPIF1<0和SKIPIF1<0,SKIPIF1<0和SKIPIF1<0與內(nèi)阻為SKIPIF1<0的電流表相連。污水從左向右流經(jīng)該裝置時,電流表將顯示出污水排放情況。下列說法中正確的是()A.SKIPIF1<0板比SKIPIF1<0板電勢高B.污水中離子濃度越高,則電流表的示數(shù)越小C.污水流量大小,對電流表的示數(shù)無影響D.若只增大所加磁場的磁感強(qiáng)度,則電流表的示數(shù)也增大【答案】D【詳解】A.根據(jù)左手定則,正離子往N板偏,負(fù)離子往M板偏,最終M板帶負(fù)電,N板帶正電,M板電勢比N板電勢低,故A錯誤;BCD.最終正負(fù)離子在電場力和洛倫茲力的作用下處于平衡,可得SKIPIF1<0污水的流量SKIPIF1<0則MN兩端間的電勢差為SKIPIF1<0污水流量越大,電勢差越大,電流表示數(shù)越大;增加磁感應(yīng)強(qiáng)度,電勢差增大,電流表示數(shù)也增大;污水中離子濃度越大,導(dǎo)線性能越好,即電阻率減小,M、N間污水的電阻r越小,其他條件不變時,回路中的電流越大,故BC錯誤,D正確。故選D。9.(2023秋·山東淄博·高三??奸_學(xué)考試)電磁流量計是隨著電子技術(shù)的發(fā)展而迅速發(fā)展起來的新型流量測量儀表。主要有直流式和感應(yīng)式兩種。如圖所示直流式電磁流量計,外加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場垂直于管軸,在豎直徑向a、b處裝有兩個電極,用來測量含有大量正,負(fù)離子的液體通過磁場時所產(chǎn)生的電勢差大小U。液體的流量Q可表示為SKIPIF1<0,其中d為管道直徑,k為修正系數(shù),用來修正導(dǎo)出公式時未計及的因素(如流量計管道內(nèi)的流速并不均勻等)的影響。那么A應(yīng)該為()
A.恒定常數(shù) B.管道的橫截面積C.液體的流速 D.液體中單位時間內(nèi)流過某一橫截面的電荷量【答案】B【詳解】由圖可知,含有大量正,負(fù)離子的液體從入口進(jìn)入管道,根據(jù)左手定則可知,帶正電的離子向上偏轉(zhuǎn),帶負(fù)電的離子向下偏轉(zhuǎn),當(dāng)顯示器的示數(shù)穩(wěn)定時,則在管道內(nèi)形成向下的勻強(qiáng)電場,則有SKIPIF1<0而SKIPIF1<0流量SKIPIF1<0聯(lián)立解得SKIPIF1<0所以SKIPIF1<0式中的A應(yīng)該為管道的橫截面積SKIPIF1<0。故選B。10.(2023·北京通州·潞河中學(xué)??既#┐琶粼谠絹碓蕉嗟碾娮赢a(chǎn)品中被使用,市場上看到的帶皮套的智能手機(jī)就是使用磁性物質(zhì)和霍爾元件等起到開關(guān)控制的,當(dāng)打開皮套,磁體遠(yuǎn)離霍爾元件,手機(jī)屏幕亮;當(dāng)合上皮套,磁體靠近霍爾元件,屏幕熄滅,手機(jī)進(jìn)入省電模式。如圖所示,一塊寬度為SKIPIF1<0、長為SKIPIF1<0、厚度為SKIPIF1<0的矩形半導(dǎo)體霍爾元件,元件內(nèi)的導(dǎo)電粒子是電荷量為SKIPIF1<0的自由電子,通入水平向右大小為SKIPIF1<0的電流時,當(dāng)手機(jī)套合上時元件處于垂直于上表面、方向向上且磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為SKIPIF1<0的勻強(qiáng)磁場中,于是元件的前、后表面產(chǎn)生穩(wěn)定電勢差SKIPIF1<0;以此來控制屏幕熄滅,則下列說法正確的是()
A.前表面的電勢比后表面的電勢高B.自由電子所受洛倫茲力的大小為SKIPIF1<0C.用這種霍爾元件探測某空間的磁場時,霍爾元件的擺放方向?qū)KIPIF1<0無影響D.若該元件單位體積內(nèi)的自由電子個數(shù)為SKIPIF1<0,則發(fā)生霍爾效應(yīng)時,元件前后表面的電勢差為SKIPIF1<0【答案】D【詳解】A.元件內(nèi)的導(dǎo)電粒子是電荷量為e的自由電子,通入水平向右大小為I的電流時,電子向左運動,由左手定律可得電子受洛倫茲力的作用往前表面偏轉(zhuǎn),故前表面的電勢比后表面的電勢低,故A錯誤;BC.元件的前、后表面產(chǎn)生穩(wěn)定電勢差時,電子受到的洛倫茲力與電場力平衡SKIPIF1<0整理得SKIPIF1<0SKIPIF1<0為垂直于上表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,故霍爾元件的擺放方向?qū)KIPIF1<0有影響,故BC錯誤;D.元件單位體積內(nèi)的自由電子個數(shù)為n,根據(jù)電流的微觀表達(dá)式SKIPIF1<0整理得SKIPIF1<0電子受到的洛倫茲力與電場力平衡SKIPIF1<0聯(lián)立得元件前后表面的電勢差為SKIPIF1<0,D正確。故選D。11.(2023·浙江寧波·??既#├没魻杺鞲衅骺蓽y量自行車的運動速率,如圖所示,一塊磁鐵安裝在前輪上,霍爾傳感器固定在前叉上,離輪軸距離為r,輪子每轉(zhuǎn)一圈,磁鐵就靠近霍爾傳感器一次,傳感器就會輸出一個脈沖電壓。當(dāng)磁鐵靠霍爾元件最近時,通過元件的磁場可視為勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,在導(dǎo)體前后表面間出現(xiàn)電勢差U。已知霍爾元件沿磁場方向的厚度為d,載流子的電荷量為SKIPIF1<0,電流I向左。下列說法正確的是()A.前表面的電勢高于后表面的電勢B.若車速越大,則霍爾電勢差U越大C.元件內(nèi)單位體積中的載流子數(shù)為SKIPIF1<0D.若單位時間內(nèi)霍爾元件檢測到m個脈沖,則自行車行駛的速度大小SKIPIF1<0【答案】C【詳解】A.根據(jù)左手定則可知載流子受到的洛倫茲力指向前表面,所以載流子會在前表面聚集,載流子帶負(fù)電,所以霍爾元件的前表面電勢低于后表面電勢,故A錯誤;B.設(shè)霍爾元件的寬為b,穩(wěn)定后電荷所受電場方和洛倫茲力平衡,即SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0設(shè)單位體積內(nèi)自由移動的載流子數(shù)為n,由電流微觀表達(dá)式SKIPIF1<0整理得SKIPIF1<0由于電流強(qiáng)度I和磁感強(qiáng)度B不變,因此霍爾電勢差U與車速大小無關(guān),故B錯誤;C.由B可知,單位體積內(nèi)自由移動的載流子數(shù)為SKIPIF1<0故C正確;D.若單位時間內(nèi)霍爾元件檢測到m個脈沖,周期為SKIPIF1<0角速度為SKIPIF1<0自行車行駛的速度大小SKIPIF1<0故D錯誤。故選C。12.(2023·福建寧德·??既#┤鐖D所示為一種質(zhì)譜儀的簡化結(jié)構(gòu),粒子源釋放出初速度可忽略不計的帶電粒子P1和P2,粒子經(jīng)加速電壓為SKIPIF1<0的直線加速器加速后由通道入口的中心縫SKIPIF1<0垂直于邊界進(jìn)入磁場區(qū)。該通道的上下表面是內(nèi)半徑為R、外半徑為SKIPIF1<0的半圓環(huán)。該通道置于豎直向上的勻強(qiáng)磁場B中,正對著通道出口處放置一塊照相底片,能記錄粒子從出口射出時的位置。已知帶電粒子P1的電荷量為q,質(zhì)量為m,粒子P2的電荷量為SKIPIF1<0,質(zhì)量為SKIPIF1<0,粒子P1恰好能擊中照相底片的正中間位置,下列說法正確的是(
)A.照相底片上P1和P2所擊中位置間的距離為SKIPIF1<0B.照相底片上P1和P2所擊中位置間的距離為SKIPIF1<0C.若加速電壓在SKIPIF1<0到SKIPIF1<0之間波動,則粒子P1和P2在底片上剛好沒有重疊區(qū)域D.若加速電壓在SKIPIF1<0到SKIPIF1<0之間波動,則粒子P1和P2在底片上剛好沒有重疊區(qū)域【答案】BC【詳解】AB.設(shè)粒子P1和P2經(jīng)過加速后獲得的速度大小分別為SKIPIF1<0,根據(jù)動能定理有SKIPIF1<0,SKIPIF1<0根據(jù)牛頓第二定律有SKIPIF1<0,SKIPIF1<0聯(lián)立解得SKIPIF1<0,SKIPIF1<0則照相底片上P1和P2所擊中位置間的距離SKIPIF1<0故B正確,A錯誤;CD.在相同的電壓下粒子P2的偏轉(zhuǎn)半徑大于粒子P1的偏轉(zhuǎn)半徑,若要P1和P2在底片上沒有重疊區(qū)域,則只需P2粒子的最小偏轉(zhuǎn)距離大于P1粒子的最大偏轉(zhuǎn)距離即可,則對于P2粒子有SKIPIF1<0,SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0對于P1粒子有SKIPIF1<0,SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0沒有重疊區(qū)域則SKIPIF1<0即SKIPIF1<0故C正確,D錯誤。故選BC。13.(2023·黑龍江哈爾濱·哈爾濱三中??寄M預(yù)測)2022年12月28日我國中核集團(tuán)全面完成了230MeV超導(dǎo)回旋加速器自主研制的任務(wù),標(biāo)志著我國已全面掌握小型化超導(dǎo)回旋加速器的核心技術(shù),進(jìn)入國際先進(jìn)行列。如圖所示,圖甲為該回旋加速器的照片,圖乙為回旋加速器工作原理示意圖,置于真空中的D形金屬盒半徑為R,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場與盒面垂直,交流加速電壓為U。圓心A處粒子源產(chǎn)生初速度為零,質(zhì)量為m,電荷量為q的質(zhì)子,質(zhì)子在加速器中被加速。忽略質(zhì)子穿過兩金屬盒間狹縫的時間,忽略相對論效應(yīng)和重力的影響,下列說法正確的是()
A.保持B、R、U及交流電頻率均不變,該裝置也可用于加速氘核和氚核B.若增大加速電壓U,質(zhì)子從D型盒出口射出的動能增大C.質(zhì)子從D型盒出口射出時,加速次數(shù)SKIPIF1<0D.質(zhì)子第n次加速后和第SKIPIF1<0次加速后的運動半徑之比為SKIPIF1<0【答案】CD【詳解】A.此加速器加速粒子時的周期與粒子在磁場中的運動周期相同為SKIPIF1<0氘核和氚核的比荷與質(zhì)子的比荷不同,即氘核和氚核與質(zhì)子在磁場中運動的周期不同,所以,保持B、R、U及交流電頻率均不變,該裝置不能用于加速氘核和氚核,故A錯誤;B.設(shè)質(zhì)子從D型盒出口射出的速度為vm,則有SKIPIF1<0;SKIPIF1<0則質(zhì)子從D型盒出口射出的動能SKIPIF1<0與加速電壓無關(guān),故B錯誤;C.設(shè)質(zhì)子從D型盒出口射出時加速了n次,則由動能定理SKIPIF1<0得SKIPIF1<0故C正確;D.由動能定理SKIPIF1<0;SKIPIF1<0得第n次加速后和第SKIPIF1<0次加速后的速度分別為SKIPIF1<0;SKIPIF1<0再由質(zhì)子在磁場中做圓周運動洛倫茲力提供向心力SKIPIF1<0;SKIPIF1<0同理可得,質(zhì)子第n次加速后和第SKIPIF1<0次加速后的運動半徑分別為SKIPIF1<0;SKIPIF1<0所以SKIPIF1<0故D正確。故選CD。14.(2023·全國·二模)速度選擇器可以使一定速度的粒子沿直線運動,如圖甲所示?;魻栐墓ぷ髟砼c速度選擇器類似,某載流子為電子的霍爾元件如圖乙所示。下列說法正確的是()A.圖甲中,電子以速度大小SKIPIF1<0從Q端射入,可沿直線運動從P點射出B.圖甲中,電子以速度大小SKIPIF1<0從P端射入,電子向下偏轉(zhuǎn),軌跡為拋物線C.圖乙中,僅增大電流I,其他條件不變,MN之間的霍爾電壓將增大D.圖乙中,穩(wěn)定時霍爾元件M側(cè)的電勢低于N側(cè)的電勢【答案】CD【詳解】A.當(dāng)電子從Q→P時,所受電場力向上,洛倫茲力向上,合力不會為零,電子不能做直線運動,A錯誤;B.電子以速度大小SKIPIF1<0從P端射入,則SKIPIF1<0電子向下偏轉(zhuǎn),所受合力為變力,軌跡不可能為拋物線,故B錯誤;C.圖乙中,設(shè)霍爾元件厚度為h,寬為d,由SKIPIF1<0;SKIPIF1<0;SKIPIF1<0可得SKIPIF1<0僅增大電流I,其他條件不變,SKIPIF1<0將增大,故C正確;D.根據(jù)左手定則可判斷電子受到的洛倫茲力向左,所以M側(cè)電勢低,N側(cè)電勢高,故D正確。故選CD。15.(2023·湖南·統(tǒng)考模擬預(yù)測)如圖所示為研究某種帶電粒子的裝置示意圖,粒子源射出的粒子束以一定的初速度沿直線射到熒光屏上的SKIPIF1<0點,出現(xiàn)一個光斑。在垂直紙面向里的方向上加一寬度為SKIPIF1<0、磁感應(yīng)強(qiáng)度為SKIPIF1<0的勻強(qiáng)磁場后,粒子束發(fā)生偏轉(zhuǎn),沿半徑為SKIPIF1<0的圓弧運動,最后打在距磁場右側(cè)距離為SKIPIF1<0的熒光屏上的SKIPIF1<0點?,F(xiàn)在磁場區(qū)域再加一豎直方向、電場強(qiáng)度大小為SKIPIF1<0的勻強(qiáng)電場,光斑從SKIPIF1<0點又回到SKIPIF1<0點,不計粒子重力,則()A.粒子帶正電B.粒子的初速度大小為SKIPIF1<0C.粒子的比荷為SKIPIF1<0D.SKIPIF1<0兩點之間的距離為SKIPIF1<0【答案】AC【詳解】A.由題圖可知,粒子在加上磁場后向上偏,磁場方向為垂直于平面向里,根據(jù)左手定則可知,粒子帶正電,故A項正確;B.由題意可知,粒子在電場和磁場的疊加場內(nèi)做直線運動,有SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0故B項錯誤;C.在只有磁場時,對粒子有SKIPIF1<0解得SKIPIF1<0故C項正確;D.由幾何關(guān)系,粒子在磁場中偏轉(zhuǎn)的距離為SKIPIF1<0由幾何關(guān)系有SKIPIF1<0粒子出磁場后豎直方向的位移為SKIPIF1<0所以O(shè)P兩點之間的距離為SKIPIF1<0故D項錯誤。故選AC。16.(2023·河北滄州·河北省吳橋中學(xué)??寄M預(yù)測)如圖所示的磁流體發(fā)電機(jī)由彼此正對的兩水平且彼此平行的金屬板M、N構(gòu)成,M、N間存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B1,兩金屬板與兩平行且水平放置的金屬導(dǎo)軌相連,金屬板M、N及兩平行金屬導(dǎo)軌間的距離均為d,平行金屬導(dǎo)軌間存在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場,磁場的方向與豎直方向成θ角,在兩平行金屬導(dǎo)軌上放有一長為d的直導(dǎo)體棒PQ,直導(dǎo)體棒PQ與兩平行金屬導(dǎo)軌垂直,其電阻為R,其余電阻不計。在兩平行金屬板M、N間垂直于磁場方向噴入一束速度大小為v0的等離子體,PQ仍靜止在導(dǎo)軌上,已知導(dǎo)體棒的質(zhì)量為m,它與金屬導(dǎo)軌間的動摩擦因數(shù)為μ,重力加速度為g,下列說法正確的是()A.通過導(dǎo)體棒的電流方向為P→QB.導(dǎo)體棒受到的安培力大小為SKIPIF1<0C.金屬導(dǎo)軌對導(dǎo)體棒的支持力大小為SKIPIF1<0D.導(dǎo)體棒受到金屬導(dǎo)軌的摩擦力大小為SKIPIF1<0【答案】CD【詳解】A.由左手定則知M板聚集負(fù)電荷,N板聚集正電荷,即M板為磁流體發(fā)電機(jī)的負(fù)極,N板為正極,通過導(dǎo)體棒的電流方向為Q→P,故A錯誤;B.當(dāng)洛倫茲力與電場力相等時形成穩(wěn)定的電勢差,即SKIPIF1<0由歐姆定律可得導(dǎo)體棒上的電流為SKIPIF1<0所以導(dǎo)體棒受到的安培力大小為SKIPIF1<0故B錯誤;CD.如圖對導(dǎo)體棒進(jìn)行受力分析豎直方向上有SKIPIF1<0水平方向上有SKIPIF1<0聯(lián)立解得SKIPIF1<0,SKIPIF1<0故C、D正確。故選CD。17.(2023·全國·模擬預(yù)測)2023年1月《力學(xué)學(xué)報》發(fā)表了標(biāo)題為《爆轟驅(qū)動惰性氣體磁流體發(fā)電試驗研究》的文章,文中論述了基于爆轟驅(qū)動激波管技術(shù)的惰性氣體磁流體發(fā)電的可能性。發(fā)電原理示意圖如圖所示,平行金屬板A、B之間有一個很強(qiáng)的磁場,將爆轟驅(qū)動獲得的高速等離子體沿垂直于磁場的方向射入磁場,則金屬板A、B間便產(chǎn)生強(qiáng)電壓。已知A、B板間距為d,板間磁場可視為勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,以速率v進(jìn)入磁場的等離子流截面積為S,穩(wěn)定工作時,進(jìn)、出極板的離子流單位體積內(nèi)正、負(fù)離子的個數(shù)均為n,正負(fù)離子電荷量均為q,外電路接電阻R形成閉合回路獲得強(qiáng)電流,則()A.所能形成的持續(xù)穩(wěn)定的電流為SKIPIF1<0 B.磁流體發(fā)電機(jī)的穩(wěn)定輸出功率為SKIPIF1<0C.極板間電離氣體的電阻率為SKIPIF1<0 D.發(fā)電通道兩端的壓強(qiáng)差SKIPIF1<0【答案】BD【詳解】AB.正、負(fù)離子在磁場中受到洛倫茲力的作用,分別向兩極板偏移,穩(wěn)定時等離子體所受的洛倫茲力與電場力恰好平衡,則有SKIPIF1<0即A、B兩板間的電壓SKIPIF1<0設(shè)t時間內(nèi)噴入的正、負(fù)離子到達(dá)下、上兩極板的個數(shù)均為N,則所能形成持續(xù)穩(wěn)定的電流SKIPIF1<0磁流體發(fā)電機(jī)的穩(wěn)定輸出功率SKIPIF1<0故A錯誤,B正確;C.設(shè)A、B板的正對面積為S0,根據(jù)閉合電路歐姆定律有SKIPIF1<0得板間電離氣體的電阻率SKIPIF1<0故C錯誤;D.設(shè)發(fā)電機(jī)離子流入口和出口的壓強(qiáng)分別為p1和p2,發(fā)電機(jī)消耗的機(jī)械功率SKIPIF1<0發(fā)電機(jī)的總電功率SKIPIF1<0所以發(fā)電通道兩端的壓強(qiáng)差SKIPIF1<0故D正確。故選BD。18.(2023·山西陽泉·統(tǒng)考三模)如圖為利用霍爾元件進(jìn)行微小位移測量的實驗裝置。在兩塊磁感應(yīng)強(qiáng)度相同,同極相對放置的磁體狹縫中放入金屬材料制成的霍爾元件,當(dāng)霍爾元件處于中間位置時磁感應(yīng)強(qiáng)度為0,霍爾電壓SKIPIF1<0(霍爾元件上下兩表面的電勢差)也為0。將
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