（項(xiàng)目管理）項(xiàng)目名稱表面等離子體超分辨成像光刻基礎(chǔ)研究首席科學(xué)家

項(xiàng)目名稱：羅先剛起止年限：2011.1至本項(xiàng)目以國(guó)家在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防高科技領(lǐng)域?qū)π畔⒖茖W(xué)技術(shù)中新一代微納信息器件的重大需求為牽引，研究SP超衍射光刻中的關(guān)鍵基本物理問題，結(jié)合的重大戰(zhàn)略需求，重點(diǎn)針對(duì)SP超分辨成像光刻技術(shù)中若干關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題（比如衍射極限問題、分辨極限問題、感光機(jī)制問題、損耗問題、SP超分辨成??SP光刻技術(shù)平臺(tái)。通過本項(xiàng)目研究，使我國(guó)在SP16nm10nm以下光刻線寬節(jié)點(diǎn)奠定基礎(chǔ)。建??SP16nm形成SPSPSP培養(yǎng)一支該領(lǐng)域高水平研究人才隊(duì)伍和一批學(xué)術(shù)帶頭人，建??SP超分辨成像實(shí)驗(yàn)平臺(tái)與超衍射光學(xué)光刻技術(shù)研究基地，為未來5～10年研發(fā)16nm線寬得到SP超分辨成像理論模型，建??超衍射與衍射受限光學(xué)成像一體化設(shè)建??SP超分辨光刻感光機(jī)理模型，并用于研究對(duì)比度、焦深、工作距等SP超分辨成像器件；（2）制作特征尺寸為32nm的光柵、NEFO字符等集成電路常綜合考慮衍射受限成像、超衍射成像和光刻過程，獲得16nm線寬分辨力SPSCI10010065國(guó)新一代微納光子功能材料和器件的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。題，結(jié)合國(guó)內(nèi)優(yōu)勢(shì)力量，在前期973項(xiàng)目超衍射機(jī)制、超分辨成像以及SP非線性復(fù)合材料等研究基礎(chǔ)上，以SP超衍射行為規(guī)律和物理機(jī)制入手，深入和系統(tǒng)地開展表面等離子體光學(xué)成像及光刻技術(shù)研究，解決限制SP光刻分辨力的物理SPSP成像光刻器件原理和方法以及SP超衍射光學(xué)光刻技術(shù)和工藝等關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問32nm線寬分辨力SP32nm字符等集成電路常用典型圖形結(jié)構(gòu)兩項(xiàng)標(biāo)志性成果，并建??SP超分辨成像應(yīng)用基礎(chǔ)研究的理論和技術(shù)平臺(tái)、研究基地以及人才隊(duì)伍。繼續(xù)發(fā)展矢量楊顧算法，使其能適用于分析亞波長(zhǎng)范圍的超衍射電磁行為和超分辨成像理論計(jì)算，用來指導(dǎo)研究在SP場(chǎng)的影響下，電磁波突破衍射AFMTEMSEMRaman、FTIR、紫外-可見-紅外分光光度計(jì)等各種微結(jié)構(gòu)表征手段，研究納米金屬微結(jié)構(gòu)的形貌、尺寸、周期性、介電參數(shù)等對(duì)超衍射行為的影響。類比傳統(tǒng)材料科學(xué)中原子、分子、晶胞、缺陷、復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)劃分（的影響，總結(jié)歸納結(jié)構(gòu)類型和特征規(guī)律，為單元結(jié)構(gòu)電磁振蕩模型提供思路。在超衍射材料結(jié)構(gòu)與電磁物性之間的關(guān)系模型上，主要從電偶極子、??????對(duì)比分析。面：超衍射光學(xué)材料的一般電磁特性的結(jié)構(gòu)逆向設(shè)計(jì)，例如介電常數(shù)、磁利用色散匹配的復(fù)合單元結(jié)構(gòu)等進(jìn)一步對(duì)其優(yōu)化。超衍射光學(xué)材料的損耗優(yōu)化，用高分辨力的暗場(chǎng)顯微鏡研究納米結(jié)構(gòu)對(duì)光超衍射散射，用透射顯微的SP超衍射行為特征。從單層薄膜制備技術(shù)入手，包括單一組份、多種組份共存的膜層制備成分比例控制等方面的要求，攻關(guān)相關(guān)工藝技術(shù)問題。針對(duì)曲面膜層超衍射材料結(jié)構(gòu)，發(fā)展面形可控的曲面膜層制備技術(shù)。量的薄膜沉積技術(shù)獲得特定厚度分布的薄膜結(jié)構(gòu)。（SEM（AFMX利用紫外光頻段多光譜橢偏儀精確測(cè)試超衍射材料單元膜層結(jié)構(gòu)的光采用理論分析和實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方案，從一些典型亞波長(zhǎng)金屬薄膜結(jié)構(gòu)的SP對(duì)高頻信息的傳遞和轉(zhuǎn)換能力出發(fā)，分析將不同分量高頻信息轉(zhuǎn)換到自由空????參數(shù)空間分布下的光波傳輸行為的數(shù)理公式利用多重級(jí)數(shù)展開和微擾近似理論??（??關(guān)系曲線。??建??系統(tǒng)的超衍射材料中光波匯聚的理論模型，考察理想?yún)R聚焦點(diǎn)的????在研究超分辨成像器件與傳統(tǒng)光學(xué)元件的組合成像特性和一體化分析??系的對(duì)接，為一體化成像設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)。超分辨成像器件結(jié)構(gòu)建模和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)基本平臺(tái)。在分析和歸納??本運(yùn)行環(huán)境。光線超衍射追跡方法成像分析方法和模擬計(jì)算軟件。結(jié)合超衍射行為針對(duì)分辨力、焦深、放大率、畸變等超分辨成像器件關(guān)鍵光學(xué)特性，????析方法，展開器件各種像差的數(shù)值模擬和仿真分析。建??超分辨成像器件光學(xué)設(shè)計(jì)軟件與傳統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)軟件的接口，在超根據(jù)理論模型結(jié)合自行編制的電磁計(jì)算模擬軟件，全面分析不同結(jié)構(gòu)利用高倍率鏡頭將傳統(tǒng)星點(diǎn)/分辨力檢驗(yàn)靶投影到超分辨成像器件的物面上，然后再成像到像面上，進(jìn)而檢測(cè)器件的星點(diǎn)/分辨力聚焦情況。通過高分辨圖像采集設(shè)備獲得星點(diǎn)/分辨力的光強(qiáng)信息和分布特性。此方法同時(shí)適用于等倍率和縮利用特殊設(shè)計(jì)和制作的接近式分辨力檢驗(yàn)靶檢測(cè)超分辨成像器件的實(shí)過分辨力靶的光成像在像面上。再通過高分辨圖像采集設(shè)備獲得分辨力圖像。利用特殊設(shè)計(jì)和制作的接近式星點(diǎn)檢驗(yàn)靶檢測(cè)超分辨成像器件的星點(diǎn)分布特性。超分辨成像器件的光學(xué)調(diào)制傳遞函數(shù)檢驗(yàn)采用對(duì)刀口擴(kuò)展函數(shù)進(jìn)行掃鏡、高倍率鏡頭以及被測(cè)超分辨成像器件后，直接以SNOM探針作為采樣狹縫，計(jì)算超分辨成像器件的光學(xué)傳遞函數(shù)。在減小SPSP成像光學(xué)光刻焦深和工作距的理論和技術(shù)途SP少電磁能在共振環(huán)路中的局域特性。365nm193nm材料和技術(shù)，通過在超衍射材料中嵌入有源材料實(shí)現(xiàn)SP波能量補(bǔ)償，理論和實(shí)通過在感光層與超分辨成像器件之間建??局域共振模式，利用SP成像在基于新現(xiàn)象的SP表面等離子體亞波長(zhǎng)高分辨光學(xué)成像及光刻過程中的焦深調(diào)控和能量損耗補(bǔ)償問題。結(jié)合超分辨結(jié)構(gòu)(Super-RENS)技術(shù)，引入非線性光學(xué)效應(yīng)及有建??SP發(fā)展針對(duì)高分辨光學(xué)光刻結(jié)構(gòu)的新測(cè)試手段和方法。發(fā)展如SP??掃描光刻和投影成像光刻兩種工作模式的光光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的關(guān)鍵單元技術(shù)方案主要有基于近場(chǎng)光學(xué)光纖探針納米測(cè)和光學(xué)光刻實(shí)驗(yàn)應(yīng)用研究演示。光刻工藝是SP用傳統(tǒng)長(zhǎng)波長(zhǎng)光源實(shí)現(xiàn)32nm線寬以下光刻分辨力的理論和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)在很展針對(duì)性的輔助光刻工藝，最終建??滿足光刻分辨力和圖形質(zhì)量要求的SP光學(xué)光刻工藝。本項(xiàng)目提出的SP32nm線寬分辨力的SP16nm線寬節(jié)點(diǎn)的超分辨成像設(shè)計(jì)16nm10nm項(xiàng)目提出建??衍射受限與超衍射光學(xué)成像統(tǒng)一的理論和技術(shù)體系，可以辨成像光學(xué)光刻具有重要意義。目前SP超分辨成像理論和技術(shù)研究都集中在提面地開展SP超分辨成像特性研究，并建??衍射受限與超衍射成像統(tǒng)一的理論和技術(shù)體系，從而為SP超分辨成像技術(shù)的應(yīng)用并與傳統(tǒng)光學(xué)成像技術(shù)的對(duì)接奠定理論和技術(shù)基礎(chǔ)。針對(duì)SP成像光刻技術(shù)中的具體關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，本項(xiàng)目提出了創(chuàng)新性的研究思路和解決途徑。例如，提出平面縮小SP光學(xué)光刻成像器件，采用縮放倍率的SP光學(xué)光刻成像器件能夠有效地解決掩模制備工藝中特征尺寸為32nm結(jié)構(gòu)射受限光學(xué)光刻系統(tǒng)的集成奠定了理論和技術(shù)基礎(chǔ)。目前，SP超分辨成像技術(shù)（如Hyperlens等對(duì)實(shí)際應(yīng)用帶來巨大困難。本項(xiàng)目提出平面結(jié)構(gòu)的縮小SP光學(xué)光刻成像器件，將很好地解決這一難題。此外，針對(duì)SP超分辨成像工作距短和焦深淺等關(guān)鍵技術(shù)難題，提出表面等離子體波前工程理論和技術(shù)的研究思路，建??SP超分辨成SP拓展SPSP進(jìn)一步促進(jìn)SP光學(xué)光刻技術(shù)向?qū)嵱没较虬l(fā)展。目前，這方面的研究尚未見報(bào)道。本項(xiàng)目課題的設(shè)置分為基礎(chǔ)性和應(yīng)用基礎(chǔ)性兩個(gè)層次。各個(gè)課題都緊密圍繞項(xiàng)SP質(zhì)量、光刻效率、光刻器件、光刻工藝等不同側(cè)面，或者選擇不同的理論體系，圍繞SP攻的科研目標(biāo)。SPSPSP第二課題研究SP與光刻介質(zhì)相互作用機(jī)理，建??SP與光刻介質(zhì)作用的數(shù)理模型，并分析光刻材料對(duì)光刻分辨力的影響特性。該課題是研究SP光刻工藝的理論基SPSPSPSP第四課題研究波前工程技術(shù)、SP超衍射光學(xué)光刻工藝技術(shù)等提高SP光刻圖形論和實(shí)驗(yàn)基石。SPSP4-1課題1、限制SP建??SPSP深受限的物理因素并給出理論解決途徑，研究影響SP成像和光刻分辨力極限的建??一套完整的SP描述436nm365nm248nm或193nmSP光刻的波前調(diào)制器件或預(yù)畸變器件的設(shè)計(jì)軟件，給出實(shí)現(xiàn)SP光刻長(zhǎng)焦深器件設(shè)計(jì)軟件和詳細(xì)說明。SP（>100nm@32nm）的有效方法，并為項(xiàng)目35~451010~15SPSP建??建??SPSPSP超衍射成像性能的因素，SPSP436nm、365nm、248nm193nmSP對(duì)波前調(diào)控器件的設(shè)計(jì)。建??SPSP研究各種因素對(duì)SP（1建??SP的影響，為SP光刻照明選擇提供依據(jù)；研究成像掩模質(zhì)量，如圖形深度、邊緣SPSP超分辨成像器件的設(shè)計(jì)制作提供指導(dǎo)。探索對(duì)SP成像波長(zhǎng)、振幅、位相、傳輸SP光刻質(zhì)量提供前提。探索進(jìn)一步提高SP在前面工作的基礎(chǔ)上，同課題4，5結(jié)合，研究提高SP光刻質(zhì)量的理論機(jī)制和技術(shù)途徑。研究SP超衍射成像的圖像質(zhì)量，建??相應(yīng)的表征體系，研究SP成像像差表征、描述、產(chǎn)生的原因和相應(yīng)的克服方法。研究提高SPSPSP成像質(zhì)SP擴(kuò)展SP利用SP365nm波長(zhǎng)光源條件下通過在傳統(tǒng)光刻輸入端或SP成像的特性，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)焦深成像。研發(fā)一種焦深檢測(cè)的系統(tǒng)方案并實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。學(xué)術(shù)骨干：課題2、SP與光刻介質(zhì)相互作用的機(jī)理研究本課題針對(duì)表面等離子體超分辨成像光刻中SP光場(chǎng)與光刻介質(zhì)相互作用，研究在365nm波長(zhǎng)光源條件下SP分析光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系，建??SP光刻過程SPSP光刻的分辨力和靈敏度。獲得SP與光刻介質(zhì)相互作用過程中電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制，以及光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系。建??SP與光刻介質(zhì)相互作用過程SP光刻分辨力和靈敏度的新型SP刻介質(zhì)，為32nm線寬節(jié)點(diǎn)以下SP光刻技術(shù)提供物理和技術(shù)支撐。給出32nm線告。35-506-1010-15的人才和技術(shù)隊(duì)伍。SP365nmSPSPSPSP性對(duì)SP光刻過程中電磁能量利用和轉(zhuǎn)換的影響。光刻介質(zhì)的性能參數(shù)、表面平整度與SP光刻圖形質(zhì)量的關(guān)系。研究并分析在365nm波長(zhǎng)光源條件下SP光場(chǎng)聚焦特點(diǎn)、光刻介質(zhì)性能參數(shù)、膜層參數(shù)、材料匹配以及金屬固有吸收損耗等對(duì)分辨力和圖形質(zhì)量的影響；進(jìn)行SP光刻中SPSP光刻過程的物理描述和分析方法。開展基于耦合理論描述光刻過程中SP發(fā)展用于描述SP光刻工藝過程的數(shù)值仿真方法，建??相應(yīng)的非線性時(shí)域和頻域有限差分法、嚴(yán)格耦合波（RCWA）等計(jì)算分析工具。365nmSP的影響。引入矢量光場(chǎng)、非線性光學(xué)效應(yīng)，研究徑向偏振光高效最優(yōu)SP激發(fā)過SP365nmSP簇的加入對(duì)SP光刻介質(zhì)分辨力、靈敏度焦深等性能的改進(jìn)。研究金屬納米團(tuán)簇的種類、尺寸、濃度、形狀等參數(shù)及引入方式對(duì)SP光刻介質(zhì)性能的調(diào)控。研究承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：學(xué)術(shù)骨干：課題3、影響SP光刻效率的關(guān)鍵物理問題SPSP耗的物理機(jī)制和技術(shù)途徑，建??損耗影響SP光刻效率的分析方法和提高途徑,深SP365nm193nmAg、Au、Al常數(shù)的測(cè)試結(jié)果（介電常數(shù)實(shí)部調(diào)制范圍：3~-10)，提供完整詳細(xì)可重復(fù)的工提出增益補(bǔ)償?shù)腟P傳輸、耦合多層金屬介質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)，明確該結(jié)構(gòu)樣品的工藝制備方法以及其中SP傳輸和耦合損耗特性的測(cè)試分析方法，獲得指導(dǎo)性]:20-300nm的SP（365nm193nm）SP0.]:25~401010~155SPSPSPSPSPSPSP增益補(bǔ)償方式的低損耗SP12SPSP低損耗SPSPSPSPSPSPSPSPSPSPSP（包括波長(zhǎng)、色散、能量分布、耦合等）中利用熱光效應(yīng)、電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)SP調(diào)控的有效途徑。SPSPSPSPSP承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：黃翊東學(xué)術(shù)骨干：課題4、提高SP光刻圖形質(zhì)量的原理和驗(yàn)證方法研究SPSP像光刻技術(shù)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證奠定理論基礎(chǔ)，并提供可靠的工藝技術(shù)支持。SP32nm203510~15本課題在課題一針對(duì)SP超分辨物理極限問題的研究上，主要開展鄰近效應(yīng)SP面形誤差小、高質(zhì)量光刻圖形的SP超衍射光學(xué)光刻工藝技術(shù)，搭建綜合性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，對(duì)提高SP光刻圖形質(zhì)量的波前工程技術(shù)、光刻輔助增強(qiáng)工藝等各種技術(shù)途徑進(jìn)行分析和驗(yàn)證，為課題五提供技術(shù)支持。SPSPSP提高SPSPSP研究波前照明技術(shù)對(duì)SP照明等波前照明技術(shù)對(duì)SP成像光刻質(zhì)量的影響，研究光刻掩模圖形設(shè)計(jì)優(yōu)化方法及仿真模型方式、照明偏振特性優(yōu)化方法及仿真模型及其選擇依據(jù)。提高SP分別搭建針對(duì)提高SP光刻圖形質(zhì)量的波前工程技術(shù)、光刻輔助增強(qiáng)技術(shù)的實(shí)驗(yàn)承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：姚漢民學(xué)術(shù)骨干：課題5、超分辨成像光刻器件原理和方法研究SP??搭建SP超分辨成像光刻實(shí)驗(yàn)裝置和獲得驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)結(jié)果，為新一代光學(xué)光刻技術(shù)奠定重要理論和技術(shù)基礎(chǔ)。16nmSP365nm32nmSP32nmNEFO20~303510~15本課題在前期SP超分辨SP成像的物理原理、特性和規(guī)律研究，解決與超分辨成像分辨力相關(guān)的SPSPSPSP超分辨成像光學(xué)特性的相關(guān)數(shù)理模型和計(jì)算方法。在SP超分辨成像特性和規(guī)律方面主要研究?jī)?nèi)容包括：超分辨成SP光刻分辨力的影響和關(guān)系模型；有效提高SP光刻分辨力、延伸SP可制備的超分辨成像光刻器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化方法，包括器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)依據(jù)、□超衍射材料平面膜層中的單組分膜層、多組份膜層、平面和曲面復(fù)合膜層等行為等電磁特性的測(cè)量和表征技術(shù)?？s小倍率超分辨成像器件和SP備技術(shù)；SP納米光學(xué)聚焦透鏡中可對(duì)倏逝波光波振幅和位相調(diào)制的亞波長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)、微結(jié)構(gòu)以及陣列式SP納米光學(xué)聚焦透鏡的外形結(jié)構(gòu)、金屬膜層制備、標(biāo)記加工以及保護(hù)膜層制備等方面的技術(shù)?？s小倍率超分辨成像器件和SP納米光像差分析等成像特性表征技術(shù)。SP開展超分辨成像器件與投影光學(xué)系統(tǒng)組合后實(shí)現(xiàn)縮小投影SP光學(xué)光刻的工作原的設(shè)計(jì)和制作技術(shù)研究；研究納米光學(xué)聚焦透鏡SP光學(xué)光刻實(shí)驗(yàn)分系統(tǒng)的集成和調(diào)試技術(shù)研究。承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：羅先剛學(xué)術(shù)骨干：主要涉及SPSPSPSPSPSP究SPSPSPSPSP2SP和圖形質(zhì)量的影響，SPSPSP2、金屬納米顆粒的制備。通過物理和化學(xué)方法制備獲得一定尺寸和形狀的屬納米顆粒。將非線性光學(xué)介質(zhì)與光刻介質(zhì)或金屬掩膜結(jié)構(gòu)復(fù)合，研究非線性等效應(yīng)對(duì)SP以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。3、研究分析SP模式損耗與結(jié)構(gòu)參量之間的關(guān)系；系統(tǒng)研究高質(zhì)量金屬（Ag、Au）1??SP和表征平臺(tái)，SP光刻質(zhì)量對(duì)照2SP的依賴特性，SP光刻質(zhì)量對(duì)制學(xué)性質(zhì)測(cè)試平臺(tái)。波長(zhǎng)：355nm16ns；頻365nm感光顯影數(shù)理模型和計(jì)5(Au或Ag)1％勻分散的金屬納米顆粒－光刻膠復(fù)合體系，非線性感光材料（線寬分辨力提高1.2。SPSP程和工藝參數(shù)；制備出厚度20～30nm3nm，有效陷尺寸50nm～100nm的空洞數(shù)目<20，100nm以上<5）金屬薄膜厚度和介電常數(shù)的測(cè)試方法，系統(tǒng)研究金屬薄膜質(zhì)量的量化表征參數(shù)和受工藝條件影響的規(guī)律。4、系統(tǒng)理論分析研究影響SP光刻質(zhì)量的各個(gè)因素，包括光源、照明、掩模、成像質(zhì)量、基片、感光材料、曝光顯影及處理工藝等。5、研究SP光刻中光學(xué)鄰近效應(yīng)掩模優(yōu)SP光刻掩模檢驗(yàn)的光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)和開展6成像機(jī)理；超衍射材料用于成像的理論和設(shè)計(jì)途徑，成像結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原則，研究超分辨成像器件的放大倍率、焦深、視場(chǎng)、工作距等成像特性。7SP845nm寬超分辨成像器件的制備技術(shù)研究；設(shè)計(jì)搭建用于超衍射材料和器件的成像性9、建??光學(xué)鄰近效應(yīng)修正掩模建用于檢驗(yàn)掩模質(zhì)量的實(shí)驗(yàn)系掩模技術(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，SP光刻實(shí)現(xiàn)45nm一維光刻線條圖形。10、提供5m以下線寬分辨力的SP辨成像器件的成像性能測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)小于45nm的超分辨成像器件制備和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。1125～3516～20SPSP關(guān)的波前工程理論和技術(shù)，SPSPSPSP響和實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)搭建、樣品制備，45～65nm1、研究SP超衍射成像質(zhì)量，像差分析SP征、描述、產(chǎn)生的原因和相應(yīng)的克服方法。研究提高SP以及焦深的切實(shí)可行的解決方法。器件的設(shè)計(jì)。建??SP刻技術(shù)的銜接，探索利用傳統(tǒng)光學(xué)的波前調(diào)控和預(yù)畸變技術(shù)提高SP光刻質(zhì)量3、研究光刻光源SP激發(fā)的過程和場(chǎng)分SPSP量耦合和轉(zhuǎn)換過程；研究掩模版結(jié)構(gòu)參數(shù)、膜層結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，以及光刻介質(zhì)的特性對(duì)SP的影響。1SPSPSPSP2、初步建??感光物理模型、感光材料特性影響光刻質(zhì)量的規(guī)??365nm理模型計(jì)算分析軟件方法。332nm光刻膠與金屬納米顆粒的復(fù)合給出其它相關(guān)物理化學(xué)性能的變化參數(shù)。4、給出旋涂速度與光刻膠厚度100nm，伽馬值：1.4～2，出偏振選擇性感光材料的初步試驗(yàn)效果。SP研究并分析SPSPSP5節(jié)介電常數(shù)的物理機(jī)制和規(guī)律，研究基于混合材料的SP究多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)中SP的傳輸、耦合特性，分析在多層結(jié)構(gòu)中有效激發(fā)SPSP性。實(shí)驗(yàn)研究SP7、研究光源偏振態(tài)、離軸照明對(duì)SP刻質(zhì)量的影響，設(shè)計(jì)和搭建實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，開展實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證研究，研究用于提高SP刻焦深、線寬分辨力的相移掩模設(shè)計(jì)優(yōu)化方法，以及相移掩模制備方法。SP45SP和SP1065nm的制備方法及相關(guān)工藝流程，光學(xué)方法測(cè)試超分辨成像器件的分辨力和成像質(zhì)量，研究超分辨成像器件的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證系統(tǒng)及相關(guān)單元技術(shù)。3～-106、給出有效激發(fā)真空波長(zhǎng)為365nm、248nm、193nmSP于1nm，有效薄膜區(qū)域尺寸區(qū)域內(nèi)缺陷尺寸50nm～100nm的空洞數(shù)目<10，100nm<3）SP9SP1：140nm10、提供2m超分辨成像器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)結(jié)果，完成40nm下線寬分辨力的超分辨成像器光刻線條圖形。iSP15~20研究基于相移等機(jī)理的長(zhǎng)焦深SPSP非線性等效應(yīng)對(duì)SP365nm、248nm193nmSPSPSP1于表面等離子成像的長(zhǎng)焦深成像器件、相移器件等亞波長(zhǎng)光學(xué)器件，用于改善SP成像、聚焦光刻功能器件的性能分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)。2、發(fā)展用于描述SP光刻工藝過程的數(shù)值仿真方法，建??相應(yīng)的非線性時(shí)域和頻域有限差分法、嚴(yán)格耦合波（等計(jì)算分析工具。分析感光材料特性對(duì)光刻質(zhì)量的影響。3究徑向偏振光高效最優(yōu)SP性對(duì)成像光刻空間分辨力及局域場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)的影響。研究非線性等效應(yīng)對(duì)SP刻介質(zhì)中局域光場(chǎng)分布，以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。研究金屬納米顆粒的濃度、尺寸、形狀等參數(shù)對(duì)光刻膠相關(guān)參數(shù)的影響。4、理論研究金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)及參數(shù)對(duì)SP（DOS）的影響機(jī)制和規(guī)律，Purcell1SP算法”等優(yōu)化設(shè)計(jì)算法進(jìn)行SP2Lens實(shí)現(xiàn)16nm5：1，1000nm。善建??365nm感光顯影數(shù)理模32nm線性系數(shù)3~10-10esu（3556、初步掌握利用人工控制半導(dǎo)體或相關(guān)有源材料輻射復(fù)合能量耦合到SP7膜，有效薄膜區(qū)域尺寸>Ф1mm,金屬薄膜厚度10～20nm，SiO2薄膜厚度10～20nm，總厚度>100nm數(shù)目<1。研究多層金屬介質(zhì)交替納米薄膜結(jié)構(gòu)中膜層之間物質(zhì)滲透特性，研究滲透區(qū)域的膜層光學(xué)特性和評(píng)價(jià)分析方法。5、實(shí)驗(yàn)研究多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備結(jié)構(gòu)中有效激勵(lì)波長(zhǎng)為365nm、248nm、193nm的SP模式的方法；實(shí)驗(yàn)研究多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)中SP模式的傳輸損耗特性與結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系。6、研究光刻材料處理工藝對(duì)SP量的影響，搭建用于檢測(cè)光刻材料處理工藝結(jié)果的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。7、研究SP光刻對(duì)圖形傳遞工藝的特殊要求及相互作用影響，利用光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)與超分辨成像器件進(jìn)行投影光刻，開展提高光刻圖形質(zhì)量的實(shí)驗(yàn)研究。辨成像的成像理論和像差理論，改進(jìn)32nm22nm9據(jù)光刻實(shí)驗(yàn)結(jié)果，優(yōu)化超分辨成像器件制備工藝。9、搭建針對(duì)光刻材料處理工藝的檢測(cè)系統(tǒng)（厚度、表面等，實(shí)驗(yàn)研究光刻材料處理工藝評(píng)價(jià)對(duì)SP光刻質(zhì)量的影響。10、建??SP寬比（大于2：1）的深刻蝕工11SP40nm～32nm1.112i得初步的32nm得到一維線條圖形，提供32nm像器件光刻設(shè)計(jì)和制備工藝的改進(jìn)方案。15～20拓展SP和實(shí)驗(yàn)研究，分析非線性光刻介質(zhì)性能對(duì)光刻質(zhì)量的影響，開展徑向偏振光光刻的實(shí)驗(yàn)研究工作，研究分析有源增益材料結(jié)構(gòu)SP制備增益補(bǔ)償?shù)牡蛽p耗的傳輸、耦合結(jié)構(gòu)，理論研究調(diào)控SP能量分布、耦合特性的物理機(jī)理，實(shí)驗(yàn)研究增益補(bǔ)償?shù)腟PSP32mSP超衍射16nm超32nm1SP設(shè)計(jì)軟件的銜接和數(shù)據(jù)接口和詳細(xì)說明。2、實(shí)現(xiàn)利用傳統(tǒng)光學(xué)波前工程進(jìn)行SP完成焦深檢測(cè)系統(tǒng)方案的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。3、進(jìn)一365nm4、實(shí)現(xiàn)SP光刻膠厚度：1SP光刻輸入端或SP成像時(shí)對(duì)相位進(jìn)行調(diào)制，2（薄膜厚度和陣列參數(shù)）對(duì)光刻靈敏度和分辨力的影響。3度、與光刻介質(zhì)的間距、薄膜界面質(zhì)量等材料與結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)SP光刻質(zhì)量的影響，給出優(yōu)化的理論與實(shí)驗(yàn)結(jié)果。對(duì)比研究線偏振光、軸對(duì)稱偏振光在SP刻介質(zhì)相互作用的特點(diǎn)。開展徑向偏振光光刻的實(shí)驗(yàn)研究工作。4、理論分析有源增益材料和結(jié)構(gòu)對(duì)SP模式傳輸損耗的補(bǔ)償方式，設(shè)計(jì)并制備傳輸、耦合等結(jié)構(gòu)。5、優(yōu)化多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)參數(shù)，摸索在365nm和193nm工作波長(zhǎng)有效降低SP模式傳輸損耗的方法；實(shí)驗(yàn)研究增益補(bǔ)償?shù)腟P傳輸、耦合結(jié)構(gòu)，研究SP模SP波長(zhǎng)、色散、能量分布、耦合特性的物理機(jī)理，實(shí)現(xiàn)利用熱光效應(yīng)、電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)SP調(diào)控的結(jié)構(gòu)。7、開展新型SP光刻介質(zhì)的光刻工藝研究，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證提高線寬分辨力、光刻質(zhì)量的可行性；利用搭建的SP32nm寬的光刻工藝及提高光刻圖形質(zhì)量的方法。8、理論和實(shí)驗(yàn)探索研究SP與輻射電子SP100nm，2.0～2.71.4。SPSP>Ф5mm,金屬薄膜厚度10～7、制備出多層薄膜結(jié)構(gòu)，SP5dB/mm。8、綜合應(yīng)用新型光刻膠、SP2：132nmSPNEFO916nm備工藝的32nm10、實(shí)現(xiàn)2m線寬特征尺寸的典型集成電路SP作，得到任意字符NEFO形，提供32nm像器件的像差特性的實(shí)驗(yàn)檢測(cè)結(jié)果。15～209、完善3nm及以下超分辨成像器件的像差特性及理論模型。完善傳統(tǒng)光學(xué)和SP超衍射成像系統(tǒng)的對(duì)接設(shè)計(jì)方案。設(shè)計(jì)16nm超分辨成像器件，研究32nm及以下超分辨成像器件的像差特性的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證方法及實(shí)現(xiàn)技術(shù)途徑。1032nmSP超分辨成像仿真SP成像光刻分辨力理SP成像光刻實(shí)驗(yàn)研進(jìn)一步提高軸對(duì)稱偏振光光刻的線寬分辨力，研究金屬納米團(tuán)簇對(duì)提高光刻分辨力和質(zhì)量的影響作用，設(shè)計(jì)和制備低損的SP實(shí)驗(yàn)研究光刻膠感光波長(zhǎng)下增益補(bǔ)償SP傳輸、耦合多層金屬介質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)，完善并優(yōu)化金屬/介質(zhì)多層膜的制備工藝,總結(jié)介電常數(shù)與材料和組分的關(guān)系,系統(tǒng)研究高質(zhì)量SPSP光刻分辨力和圖形質(zhì)量的方法和可行性，完善32/22/16nm的的超分辨成像器件的設(shè)計(jì)32nm248nm193nm波長(zhǎng)下實(shí)現(xiàn)超分辨成像和光刻技術(shù)。SP完成長(zhǎng)焦深SP2、綜合前期對(duì)SPSPSP365nm感光顯影數(shù)理模型和計(jì)3365nm32nm膠厚度：22～100nm，伽馬值：1.5。SP>Ф5mm,金屬薄膜厚度SiO2薄膜厚度<10nm，>500nm的分析、仿真結(jié)果，以及對(duì)光刻工藝參數(shù)的模擬分析，形成可以對(duì)光刻過程進(jìn)行計(jì)算分析的程序模塊。3、探索金屬納米團(tuán)簇的加入對(duì)SP介質(zhì)分辨力、靈敏度等性能的改進(jìn)。研究金屬納米團(tuán)簇的種類、尺寸、濃度、形狀等參數(shù)及引入方式對(duì)SP能的調(diào)控。研究金屬納米團(tuán)簇與感光顆粒的微觀結(jié)構(gòu)、分布形態(tài)對(duì)光刻靈敏度的影響。試驗(yàn)其在365nm光源下的光刻性能，測(cè)試其最小光刻分辨本領(lǐng)。繼續(xù)開展非線性光學(xué)材料輔助的超分辨光刻的實(shí)驗(yàn)研究，軸對(duì)稱偏振光源照明下的新型光刻方法研究，進(jìn)一步提高其光的線寬分辨力。SP在20300nm的SP長(zhǎng)范圍內(nèi)（工作波長(zhǎng)365nm和193nm）SP0.2dB/mm8??SPSP4SPSPSPSP6、繼續(xù)完善并優(yōu)化金屬/介質(zhì)多層膜的制備工藝；總結(jié)介電常數(shù)與材料和組分的關(guān)系，針對(duì)提高SP計(jì)材料組成。10SP32nmNEFO字符等集成電路常用典型11、發(fā)表論文30-4015-207、建??系統(tǒng)的SP光刻工藝實(shí)驗(yàn)平臺(tái)和實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量SP32nm和制備新技術(shù)，以及光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)；探索研究深紫外頻段下，提高SP力和圖形質(zhì)量的方法和可行性。32/22/16nm9、完善3nm超分辨成像器件的制備工SP對(duì)接的光刻實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證系統(tǒng)，完成高質(zhì)量的32nm線寬光刻圖形制備，實(shí)驗(yàn)探索32nm線寬以下光刻分辨力。10248nm、193nm術(shù)問題之一倏逝波的損耗始終是一個(gè)需要重點(diǎn)解決的問題目前的SPg（436nm）和i（365nm（22nm以下（如193nm157nm等10nm1nm以下水平，這對(duì)于光刻技術(shù)未來發(fā)展無疑具有重要價(jià)值。但在深紫外的SP金屬材料重點(diǎn)解決研究的問題包括深紫外頻段低損耗SPSPSP在系統(tǒng)掌握亞波長(zhǎng)超衍射材料中的超衍射行為規(guī)律和機(jī)制等方面的知識(shí)基??需要建??一套基于超衍射材料的超分辨成像理論SP慧差、像散、色差等初級(jí)像差缺乏準(zhǔn)確的物理分析、數(shù)學(xué)模型和光線追跡方法，因而尚未建??合理的SP超分辨成像像差理論。另外物像關(guān)系、畸變、焦深等成從更加宏觀層次上建??統(tǒng)一的成像統(tǒng)一的成像理論建??對(duì)于現(xiàn)代光學(xué)理論知識(shí)的完備性成像分析等方面的理論和技術(shù)接口。影響SP在實(shí)際光刻中能否實(shí)現(xiàn)這一理論極限值分辨力理論極限。SP光刻是通過操縱倏逝波的傳輸、耦合模式，實(shí)現(xiàn)空間截止頻率調(diào)制，突等因素的影響對(duì)提高SP光刻分辨力同樣至關(guān)重要，目前尚未見到相關(guān)的研究報(bào)SPSP辨力極限將面臨著以下幾個(gè)關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題需要研究：由于SP光刻分辨力的實(shí)現(xiàn)首先是通過SP技術(shù)等波前工程技術(shù)對(duì)提高SP設(shè)計(jì)方法和指導(dǎo)原則也是提高SP光刻分辨力必需解決的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題。在也是提高實(shí)際SP光刻分辨力必須面對(duì)的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題和難點(diǎn)。超衍射材料和SP超衍射材料和器件的主要制作手段目前仍是微細(xì)加工技術(shù)和化學(xué)自組裝技以及缺陷的人為引入一直是科研工作者努力解決的問題。超衍射材料和器件制備中關(guān)鍵科學(xué)問題包括納米模板技術(shù)制備金屬材料多是制約亞波長(zhǎng)金屬微納結(jié)構(gòu)光學(xué)性質(zhì)研究的關(guān)鍵因素。6、基于超分辨成像的高質(zhì)量SP光刻工藝和方法獲得高質(zhì)量的SP超分辨光刻圖形是決定SP光刻技術(shù)走向應(yīng)用的重要條件。SPSP光刻圖形質(zhì)量SPSP光刻的最佳設(shè)計(jì)和工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)高深SPSP光刻技術(shù)應(yīng)用奠定重要技術(shù)基礎(chǔ)。SPSPSP的各種匹配條件以及相關(guān)參數(shù)與超衍射光強(qiáng)定域分布的關(guān)系。研究實(shí)現(xiàn)超衍射光學(xué)行為調(diào)控手段和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原則，包括實(shí)現(xiàn)特定方向的折射/反射、電磁波空間頻譜裁剪、倏逝波與傳輸波之間的耦合轉(zhuǎn)換、電磁波沿特定方向衍射等等。針對(duì)紫外光、深紫外頻段電磁波，研究在超衍射人工結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)出的（究提供超衍射材料方面的光學(xué)宏觀描述方法。研究紫外到深紫外頻段下，實(shí)現(xiàn)特定宏觀光學(xué)介電常數(shù)、磁導(dǎo)率、表面阻抗和調(diào)控SP行為的超衍射光學(xué)材料的結(jié)構(gòu)正向和逆向設(shè)計(jì)，完成相應(yīng)的設(shè)計(jì)算法和分析軟件。研究紫外到深紫外頻段下，用于實(shí)現(xiàn)電磁波超衍射傳輸和調(diào)控的各種研究摻雜型復(fù)合金屬薄膜材料的制備方法和介電常數(shù)調(diào)節(jié)和測(cè)試，研究降低SPSP合材料和可行性研究。??分析其一般成像規(guī)律研究分析超分辨SP分辨力、放大/縮小倍率、視場(chǎng)、物距和像距、成像對(duì)比度、能量利用率等，以SP超分辨成像器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工和檢測(cè)方法提供系統(tǒng)的理論指導(dǎo)。超分辨成像的像質(zhì)評(píng)判、像差分析等方面的完整數(shù)理模型，研究各種像差（包括球差、慧差、色差等）校正和補(bǔ)償?shù)脑砗蛯?shí)現(xiàn)方法。研究超分辨成像與傳