GB/T 44517-2024微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)MEMS膜殘余應(yīng)力的晶圓曲率和懸臂梁撓度試驗(yàn)方法

ICS3108099

CCSL.59.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)MEMS膜殘

()

余應(yīng)力的晶圓曲率和懸臂梁撓度試驗(yàn)方法

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—Wafercurvatureand

y()gy

cantileverbeamdeflectiontestmethodsfordeterminingresidual

stressesofMEMSfilms

IEC62047-162015Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

(:,

Part16TestmethodsfordetermininresidualstressesofMEMSfilms—

:g

WafercurvatureandcantileverbeamdeflectionmethodsIDT

,)

2024-09-29發(fā)布2025-04-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

試驗(yàn)方法

4…………………1

概述

4.1…………………1

晶圓曲率法

4.2…………………………2

懸臂梁撓度法

4.3………………………3

參考文獻(xiàn)

………………………6

Ⅰ

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件第部分膜殘余應(yīng)力

IEC62047-16:2015《16:MEMS

試驗(yàn)方法晶圓曲率和懸臂梁撓度試驗(yàn)方法

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)膜殘余應(yīng)力的晶圓

———,《(MEMS)MEMS

曲率和懸臂梁撓度試驗(yàn)方法

》;

為了便于理解增加了的注刪除了正文中未出現(xiàn)的實(shí)體的定義增加了撓度的

———,3.2“2”,“”,“”

定義

;

增加了對(duì)公式中字符σhκ的說(shuō)明

———(1)f、s、;

更正了原文Eν缺少下標(biāo)的錯(cuò)誤

———、;

增加了對(duì)公式中字符Lδ的說(shuō)明

———(3)、;

增加了圖圖中注

———1、2“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本文件起草單位合肥美的電冰箱有限公司中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司紹興中芯集成電路制

:、、

造股份有限公司中國(guó)科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院蘇州大學(xué)國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司蘇州慧聞

、、、、

納米科技有限公司無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司無(wú)錫芯感智半導(dǎo)體有限公司微納感知合肥技術(shù)有

、、、()

限公司深圳市美思先端電子有限公司寧波科聯(lián)電子有限公司美的集團(tuán)股份有限公司東南大學(xué)

、、、、、

工業(yè)和信息化部電子第五研究所深圳市速騰聚創(chuàng)科技有限公司華東電子工程研究所中國(guó)電子科技

、、(

集團(tuán)公司第三十八研究所北京晨晶電子有限公司南京高華科技股份有限公司武漢高德紅外股份有

)、、、

限公司安徽北方微電子研究院集團(tuán)有限公司廣東澗宇傳感器股份有限公司無(wú)錫韋感半導(dǎo)體有限公

、、、

司明石創(chuàng)新煙臺(tái)微納傳感技術(shù)研究院有限公司

、()。

本文件主要起草人馬卓標(biāo)李根梓曹詩(shī)亮謝波余慶孫立寧王軍波梁先鋒孫旭輝胡永剛

:、、、、、、、、、、

楊紹松許磊宏宇王雄偉錢(qián)峰周再發(fā)董顯山楊旸張森張紅旗湯一蘭之康黃晟張勝兵

、、、、、、、、、、、、、、

李海全萬(wàn)蔡辛高峰陳林

、、、。

Ⅲ

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)MEMS膜殘

()

余應(yīng)力的晶圓曲率和懸臂梁撓度試驗(yàn)方法

1范圍

本文件描述了測(cè)量厚度范圍為的膜殘余應(yīng)力的方法包含晶圓曲率法和

0.01μm~10μmMEMS,

懸臂梁撓度法

。

本文件適用于沉積在已知楊氏模量和泊松比等力學(xué)性質(zhì)襯底上的膜

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條件其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件微電機(jī)器件第部分薄膜材料泊松比試驗(yàn)方法

IEC62047-2121:MEMS(Semi-

conductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part21:TestmethodforPoisson’sratioofthin

filmMEMSmaterials)

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

殘余應(yīng)力residualstress

σ

f

外部載荷力熱去除后仍然存在的應(yīng)力

(、)。

32

.

曲率curvature

κ

幾何物體晶圓偏離平面的量

()