江豐電子首次覆蓋：超高純?yōu)R射靶材領(lǐng)軍者半導體零部件強勁成長

目錄3公司概況：濺射靶材起家，平臺化布局初現(xiàn)雛形濺射靶材：超高純金屬靶材市場廣闊，優(yōu)勢卡位深耕產(chǎn)業(yè)鏈半導體零部件：國產(chǎn)零部件蓬勃發(fā)展，多元化發(fā)展新品迭出盈利預測與投資建議風險提示華福證券資料來源：江豐電子公司官網(wǎng)，江豐電子招股說明書（申報稿），1.1.1

江豐電子發(fā)展大事記射靶材的研發(fā)生產(chǎn)，其發(fā)展歷程主要有三個階段：資源積累期：公司專精高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，進行核心技術(shù)沉淀并積累相關(guān)行業(yè)資源，同時布局全球銷售網(wǎng)絡(luò)。2023階段一：2005-2012資源積累期階段三：2020至今加速成長期確立初步發(fā)展方向，布局全球銷售網(wǎng)絡(luò)，建立完善靶材研發(fā)體系積極推進半導體零部件業(yè)務(wù)發(fā)展，攻堅關(guān)鍵技術(shù)，為產(chǎn)品創(chuàng)新和市場推廣打好堅實的基礎(chǔ)并提供驅(qū)動力2005年8月，公司成立。公司承擔國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（“863計劃”）引導項目。第一塊中國制造靶材研發(fā)成功。2009年，董事長姚力軍博士入選“國家海外人才計劃”專家。200920052017階段二：2013-2019市場拓展期2016年，公司獲得"浙江省技術(shù)發(fā)明一等獎"。2016年6月，公司的部分科技成果參加了國家“

十二五”

重大科技成果展。2017年，

公司首次公開發(fā)行股票并在A股創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。2016深耕高純?yōu)R射靶材質(zhì)量，持續(xù)推進技術(shù)創(chuàng)新，積極開拓國際市場，擴大生產(chǎn)規(guī)模20192018年，江豐電子海外（馬來西亞）工廠開業(yè)。2019年，北京江豐、武漢江豐、湖南江豐相繼成立，廣東江豐破土動工；控股公司臺灣江豐注冊成立。201820152020年，江豐電子熱等靜壓聯(lián)合工程技術(shù)中心成立揭牌儀式順利舉行。2021年，江豐電子"超高純鋁鈦銅鉭金屬濺射靶材制備技術(shù)及應(yīng)用項目"榮獲2020年度國家技術(shù)發(fā)明二等獎。2022年，公司榮獲“制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)”。202020212010年，全球銷售網(wǎng)絡(luò)形成，第一屆銷售商大會成功召開。2012年，液晶平板用靶材通過客戶使用評價，標志著平板顯示器靶材事業(yè)發(fā)展的里程碑。公司粉末冶金分廠成立。201220102013年，公司引進GDMS設(shè)備；二號新廠房落成啟用。2014年，公司承擔的國家"十一五"02重大專項通過驗收。2015年，公司三期新廠房落成。201420132023年，江豐同芯開業(yè)投產(chǎn)，武漢江豐開業(yè)。2023年，公司榮獲“中國標準創(chuàng)新貢獻獎”、“第九屆浙江省人民政府質(zhì)量管理創(chuàng)新獎”。2024年，公司與韓國牙山市成功簽約，共建現(xiàn)代化半導體材料生產(chǎn)基地。2022 2024市場拓展期：公司持續(xù)推進技術(shù)創(chuàng)新，超高純金屬濺射靶材產(chǎn)品能夠應(yīng)用于世界著名半導體廠商的先端制造工藝，進行大規(guī)模的國際市場開拓，市場份額進一步擴大。加速成長期：公司持續(xù)擴展業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在超高純金屬濺射靶材基礎(chǔ)上，半導體精密零部件業(yè)務(wù)新品迭出。當前公司已成為國內(nèi)高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先者，精密零部件業(yè)務(wù)逐漸迎來收獲期。圖表1：江豐電子發(fā)展歷程4華福證券資料來源：江豐電子募集說明書，江豐電子2023年報、2024年半年報，江豐電子官網(wǎng)，江豐電子公司公告，IFinD，其中，超高純金屬材料及濺射靶材占比約65%，居國內(nèi)市場份額第一，全球市場第二。零部件占比約25%，產(chǎn)品線迅速拓展，有望描繪第二成長曲線。三大下游領(lǐng)域：公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示，覆蓋了太陽能電池領(lǐng)域。具體而言，其客戶包含臺積電、聯(lián)華電子、格羅方德、中芯國際、索尼、京東方、華星光電、SUNPOWER等國內(nèi)外知名企業(yè)。五大核心競爭力：從技術(shù)、客戶、產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)能、工藝制程等多方面高筑企業(yè)護城河。公司發(fā)展了從材料提純到最終產(chǎn)品的全產(chǎn)業(yè)鏈。同時，公司建立了擁有完整自主知識產(chǎn)權(quán)、基于國產(chǎn)設(shè)備的生產(chǎn)基地；全面覆蓋先進制程、成熟制程和特色工藝領(lǐng)域。圖表2：公司產(chǎn)品矩陣超高純金屬濺射靶材

-

占比約65%主營業(yè)務(wù)下游客戶太陽能電池平板顯示超大規(guī)模集成電路芯片核心競爭力精密零部件

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占比約25%覆蓋PVD、CVD、刻蝕、離子注入等領(lǐng)域材料種類：金屬類

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不銹鋼、鋁合金、鈦合金非金屬類

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陶瓷、石英、硅、高分子材料設(shè)備制造零部件出售給設(shè)備制造商用于設(shè)備生產(chǎn)工藝消耗零部件出售給晶圓制造商作為設(shè)備使用耗材超高純鋁靶材常用于制備導電層薄膜超高純鈦靶材及環(huán)件常用于制備半導體阻擋層薄膜超高純鉭靶材及環(huán)件常用于90nm以下技術(shù)節(jié)點的先端芯片中，制造技術(shù)難度較高、品質(zhì)保證要求嚴。超高純銅靶材及環(huán)件常用于90nm以下技術(shù)節(jié)點的先端芯片中，使用最為廣泛的先端半導體導電層薄膜材料之一。各種超高純金屬及其合金靶材產(chǎn)業(yè)鏈垂直布局安全可控覆蓋全面技術(shù)基礎(chǔ)深厚持續(xù)創(chuàng)新新品迭出客戶廣泛認可合作穩(wěn)定高定制化生產(chǎn)基地持續(xù)擴張裝備自主全球分布工藝制程3nm節(jié)點世界先端全面覆蓋51.1.2

超高純金屬濺射靶材國內(nèi)領(lǐng)先，半導體精密零部件快速發(fā)展兩大主營業(yè)務(wù)：超高純金屬濺射靶材、精密零部件。華福證券資料來源：江豐電子2023年年報，江豐電子招股說明書，江豐電子公司公告，iFinD，華福證券研究所姓名職位經(jīng)歷博士研究生學歷，教授級高級工程師?，F(xiàn)任公司董事長、首姚力軍董事長、首席技術(shù)官席技術(shù)官、核心技術(shù)人員。姚力軍先生2009年入選國家“千人計劃”，是享受“國務(wù)院特殊津貼”的專家，浙江省第十二屆人民代表大會代表。博士研究生學歷，高級工程師?，F(xiàn)任公司董事、總經(jīng)理，兼任邊逸軍董事、總經(jīng)理寧波芯豐精密科技有限公司和武漢芯豐精密科技有限公司執(zhí)行董事、武漢沐陽電子材料有限公司董事。本科學歷，高級工程師。曾任錢紅兵董事、副總經(jīng)理上海松下電工有限公司品質(zhì)科長、上海藤澤電工有限公司質(zhì)量主管，現(xiàn)任公司董事、品質(zhì)部總監(jiān)。寧波江豐電子材料股份有限公司哈爾濱江豐湖南江豐科技杭州江豐電子研究院嘉興江豐上海江豐芯創(chuàng)科技上海江豐半導體湖南江豐武漢江豐北京江豐寧波江豐同芯廣東江豐江豐熱等靜壓寧波江豐鎢鉬合肥江豐日本江豐100%

100%

100% 100% 100% 100%100% 100% 100%

100%

100% 100%100%55%96.31%

90%寧波江復合材料70%上海睿昇60%1.99%1.35%1.32%1.16%1.14%4.33%3.14%控制 控制21.39%2.08%2.08%25.55%寧波拜耳克管理咨詢有限公司上海智鼎博能投資合伙企業(yè)(有限合伙)謝立新張輝陽上海智興博輝投資合伙企業(yè)(有限合伙)中國人民財產(chǎn)保險股份有限公司中國工商銀行股份有限公司寧波江閣實業(yè)投資合伙企業(yè)(有限合伙)姚力軍寧波宏德實業(yè)投資合伙企業(yè)(有限合伙)61.1.3

公司股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，團隊技術(shù)實力高，股權(quán)激勵彰顯信心公司董事長兼首席技術(shù)官姚力軍先生持股比例為21.39%，通過江閣實業(yè)投資和宏德實業(yè)投資總共控股25.55%。姚力軍先生長期從事超高純金屬材料及濺射靶材的研究，是掌握超高純金屬材料及濺射靶材核心技術(shù)的少數(shù)華人專家之一，兼任同創(chuàng)普潤等多家材料公司董事。公司技華福證券

術(shù)團隊由多位具有金屬材料、集成電路制造專業(yè)背景和豐富產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗的歸國博士、外籍專家及資深業(yè)內(nèi)人士組成，具有十余年的半導體行業(yè)從業(yè)經(jīng)歷。為激發(fā)員工創(chuàng)造力，公司使用自有資金回購股份用于股權(quán)激勵，截至2024年7月31日，回購股份占總股本比例達0.3845%。圖表3：江豐電子股權(quán)結(jié)構(gòu)圖（截至2024年10月23日） 圖表4：公司核心管理人員1.2.1

營收凈利快速增長，零部件業(yè)務(wù)打開全新增長空間2019年以來，公司營收規(guī)模逐年擴大，歸母凈利潤快速增長。盡管2023年受到全球經(jīng)濟環(huán)境、半導體行業(yè)周期等外部因素影響，公司仍實現(xiàn)營收26.02億元，同比增長11.95%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤2.55億元。受益于市場復蘇以及新品布局，24年H1公司收入同比提升35.91%，歸母凈利潤同比提升5.32%，彰顯公司競爭力。公司盈利能力改善，經(jīng)營狀況穩(wěn)中向好。2019到2023年，公司的銷售毛利率在25%-32%之間波動，2024年H1銷售毛利率達31.00%；2024年H1，隨著市場需求恢復以及費用優(yōu)化，公司扣非后歸母凈利率大幅提升至10.45%。資料來源：iFinD，江豐電子公司公告，華福證券研究所圖表5：

2019-2024H1公司營業(yè)收入和歸母凈利潤及增速 圖表6：

2019-2024H1公司銷售毛利率和扣非后歸母凈利率（%）26.98%41.41%36.64%45.80%11.95%9.14%129.28%148.72%-3.67%35.91%5.32%-50%-30%-10%10%30%50%70%90%110%130%150%051015202530352019 2020-27.55%2021 202220232024H1營業(yè)總收入（億元） 歸母凈利潤（億元）營業(yè)總收入YoY（%） 歸母凈利潤YoY（%）31.06%28.10%25.56%29.93%29.20%31.00%4.12%5.23%4.77%9.38%6.00%10.45%0%5%10%15%20%25%30%35%2019 2020 2021 2022資料來源：FnD，江豐電子公司公告，華福證券研究所ii20232024H1銷售毛利率 扣非后歸母凈利率7華福證券資料來源：iFinD，江豐電子公司公告，華福證券研究所80.13%71.78%63.25%69.34%64.29%65.71%0.00%0.00%11.56%15.42%21.91%24.49%19.87%28.22%25.19%15.24%13.80%9.80%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2019 2020 2021 2022資料來源：FnD，江豐電子公司公告，華福證券研究所ii20232024H1超高純靶材 零部件 其他30.49%31.86%30.47%30.38%28.45%30.33%23.93%23.78%27.08%34.64%35.20%20.96%13.99%34.12%36.08%26.38%10%15%20%25%30%35%40%201920202021202220232024H1超高純靶材 零部件 其他81.2.2

分產(chǎn)品線來看，濺射靶材營收穩(wěn)健提升，半導體零部件成長迅速從收入結(jié)構(gòu)看，超高純靶材業(yè)務(wù)是公司主要業(yè)務(wù)，營收規(guī)模年年提升，營收占比穩(wěn)定在60%-70%；2023年，超高純靶材業(yè)務(wù)營收達16.73億元，同比增長3.79%。半導體設(shè)備精密零部件業(yè)務(wù)增長迅速，2023年該業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收5.70億元，同比增長59.14%；收入占比逐年提升，2023年占比近華福證券

22%，為公司打開全新增長空間。從產(chǎn)品的毛利率看，超高純?yōu)R射靶材毛利率穩(wěn)定，雖因2023年下游需求弱，毛利率結(jié)構(gòu)性承壓，但隨著2024H1景氣復蘇，半導體靶材市場恢復，毛利率回升至30.33%。零部件毛利率為34.64%，穩(wěn)中有升，同比增長3.21pct，主要得益于半導體精密零部件加速放量、規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)。圖表7：

2019-2024H1公司分產(chǎn)品收入結(jié)構(gòu)（%） 圖表8：2019-2024H1公司分產(chǎn)品毛利率（%）資料來源：iFinD，江豐電子公司公告，江豐電子2023年年報，華福證券研究所0.600.740.981.241.7228.27%23.55%33.13%25.73%39.03%40%35%30%25%20%15%10%5%0%1.81.61.41.21.00.80.60.40.20.02019 2020202120222023圖表9：2019-2023年江豐電子研發(fā)費用（億元）研發(fā)費用 YoY圖表10：

2019-2024H1公司主要費用率（%） 圖表11：2023年江豐電子部分研發(fā)項目銷售費用率管理費用率研發(fā)費用率主要研發(fā)項目名稱項目目的項目進展預計對公司未來發(fā)展的影響12%10%8%6%9.94%7.27%6.42%7.80%6.34%8.18%7.21%6.15%5.34%8.72%6.61%6.27%6.58%超高純金屬材料內(nèi)部組織均勻化技術(shù)研發(fā)提高超高純金屬材料內(nèi)部組織均勻化技術(shù)，滿足市場先端制程對靶材組織結(jié)構(gòu)的要求量產(chǎn)階段打破國外的壟斷，提升金屬材料內(nèi)部組織控制技術(shù)，開拓公司在先端制程靶材業(yè)務(wù)新的市場半導體用HCM系列靶材開發(fā)開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的半導體用

HCM系列靶材量產(chǎn)階段打破國際壟斷，提升公司在半導體濺射靶材市場的競爭力14nm及以下技術(shù)節(jié)自主研制和生產(chǎn)滿足建立可靠的超高純

W粉原材料的4%點集成電路靶材用超14nm

集成電路先進工研發(fā)階段供應(yīng)，提升高純

W靶材的市場2%3.77%3.58% 3.31%3.38%3.01%高純W粉的研發(fā)藝用關(guān)鍵高純鎢粉競爭力14nm及以下技術(shù)節(jié)自主研制和生產(chǎn)滿足完善公司在半導體先進制程的產(chǎn)0%201920202021 202220232024H1點集成電路靶材用超高純Ta、Mn、W靶14nm

及以下集成電路用高純

Ta

靶、CuMn量產(chǎn)階段品群，突破國外技術(shù)壟斷，保證在高端制程各類靶材的全面自主材驗證靶、W

靶材供應(yīng)91.2.3

研發(fā)費用持續(xù)加碼，費用優(yōu)化初見成效公司不斷增加研發(fā)投入，以保持產(chǎn)品的創(chuàng)新性和技術(shù)領(lǐng)先。2022年公司研發(fā)費用為1.24億元，2023年為1.72億元，同比增長39.03%，2024年上半年，研發(fā)投入為1.02億華福證券

元，投入力度行業(yè)領(lǐng)先，研發(fā)項目進展順利。截至2024年6月30日，公司及子公司共取得國內(nèi)有效授權(quán)專利827項。另外，公司取得中國臺灣地區(qū)發(fā)明專利1項、海外發(fā)明專利9項。公司三大費用率呈現(xiàn)出穩(wěn)中有降的趨勢。在2024年上半年，受益于公司營收增長迅速以及成本控制得當，銷售費用率、管理費用率以及研發(fā)費用率均有所下降。資料來源：iFinD，華福證券研究所圖表12：江豐電子部分控股子公司業(yè)務(wù)公司名稱主要經(jīng)營地持股比例主營業(yè)務(wù)寧波江豐芯創(chuàng)科技有限公司浙江余姚100%半導體器件和集成電路專用設(shè)備及零部件的研究、制造、銷售，電子元器件、金屬制品、塑料制品、陶瓷制品、石英制品、五金件的制造、批發(fā)、零售寧波江豐銅材料有限公司浙江余姚100%高純銅、高分子材料的研發(fā)，金屬制品、陶瓷制品制造余姚康富特電子材料有限公司浙江余姚100%半導體、元器件專用材料開發(fā)、生產(chǎn)，新型電子元器件制造，金屬材料的批發(fā)江西江豐特種材料有限公司江西景德鎮(zhèn)100%特種陶瓷制品制造，電子專用材料制造，金屬材料制造寧波江豐鎢鉬材料有限公司浙江余姚96.31%鎢鉬材料、高分子材料的研發(fā)，金屬制品、陶瓷制品制造寧波江豐熱等靜壓技術(shù)有限公司浙江余姚90%鍛件及粉末冶金制品制造和銷售，金屬基復合材料和陶瓷基復合材料銷售，電子專用材料研發(fā)和制造寧波江豐同芯半導體材料有限公司浙江余姚55%電子專用材料、金屬基復合材料和陶瓷基復合材料的研發(fā)晶豐芯馳(上海)半導體科技有限公司上海51%電子專用材料研發(fā)和銷售52.04%51.85%48.62%45%50%55%70%66.22%65%61.54%60%圖表13：2019-2023年江豐電子前五大供應(yīng)商占采購比例（%）2019 2020 2021 2022 2023資料來源：江豐電子2019-2023年年報，華福證券研究所

101.3.1

多元化的供應(yīng)鏈管理措施，控股子公司助力戰(zhàn)略化布局公司采取多種措施建立穩(wěn)定、安全的供應(yīng)鏈體系。公司通過商業(yè)合作、股權(quán)投資等多種方式垂直布局供應(yīng)鏈，成效顯著。近五年來，采購結(jié)構(gòu)趨向分散化，前五大供應(yīng)商占采購總額比例持續(xù)下降。2023年，韓國孫公司KFAM

CO.,

LTD.完成登記注冊，海外半導體靶材生華福產(chǎn)證券 工廠蓄勢待發(fā)，形成全球化布局。至此，公司構(gòu)建了安全穩(wěn)定的海內(nèi)外供應(yīng)鏈體系，護城河不斷拓寬。江豐電子設(shè)立相關(guān)子公司，深入布局產(chǎn)業(yè)鏈。在金屬材料層面，公司設(shè)立了多個主營金屬提純和材料研發(fā)的子公司，保障了上游材料的質(zhì)量以及供貨穩(wěn)定性，有利于公司深度參與到客戶的產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計中，滿足客戶多樣化、定制化的需求。得益于此，公司不斷形成市場競爭優(yōu)勢，順利進入下游產(chǎn)品配套市場。資料來源：江豐電子2023年度報告，關(guān)于部分募集資金投資項目延期的公告，華福證券研究所1.3.2

積極推動產(chǎn)能建設(shè)，抓住國產(chǎn)替代機遇超高純金屬濺射靶材業(yè)務(wù)方面，公司向特定對象發(fā)行股票的募投項目之“寧波江豐電子年產(chǎn)5.2萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產(chǎn)業(yè)化項目”、“浙江海寧年產(chǎn)1.8萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產(chǎn)業(yè)化項目”正在積極建設(shè)中，未來募投項目的投產(chǎn)將有助著提升半導體靶材產(chǎn)能，進一步提升公司的市場份額和競爭地位。投資項目募集資金投資總額截至期末累計投入金額截至期末投資進度（%）項目達到預定可使用狀態(tài)日期惠州基地平板顯示用高純金屬靶材及部件建設(shè)項目11,925.9610,662.3489.402023年7月28日武漢基地平板顯示用高純金屬靶材及部件建設(shè)項目24,619.1213,446.7354.622025年4月30日浙江海寧年產(chǎn)1.8

萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產(chǎn)業(yè)化項目31,696.1011,225.5335.422025年12月31日寧波江豐電子年產(chǎn)5.2萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產(chǎn)業(yè)化項目78,139.0023,513.8530.092025年12月31日寧波江豐電子半導體材料研發(fā)中心建設(shè)項目7,192.60114.001.582025年12月31日半導體精密零部件業(yè)務(wù)方面，2023年，公司積極推動余姚、上海、杭州、沈陽等基地的產(chǎn)能建設(shè)，全面布局金屬和非金屬類半導體精密零部件，氣體分配（Shower

head）、Si電極等核心功能零部件迅速放量，填補了國產(chǎn)化空白，為工藝設(shè)備上游的零部件國產(chǎn)化做出了重要貢獻，市場認可度不斷提高。2024年8月1日，江豐電子控股公司杭州睿昇半導體科技有限公司的年產(chǎn)15萬片集成電路核心零部件產(chǎn)業(yè)化項目舉行開工儀式。項目將專注于石英、硅、陶瓷、碳化硅等集成電路核心零部件的生產(chǎn)，旨在為國內(nèi)外設(shè)備廠及晶圓廠提供高質(zhì)量、定制化的產(chǎn)品和服務(wù)。圖表14：公司向不特定對象及特定對象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券募集資金使用情況（單位：

人民幣萬元）11于公司顯華福證券目錄12公司概況：濺射靶材起家，平臺化布局初現(xiàn)雛形濺射靶材：超高純金屬靶材市場廣闊，優(yōu)勢卡位深耕產(chǎn)業(yè)鏈半導體零部件：國產(chǎn)零部件蓬勃發(fā)展，多元化發(fā)展新品迭出盈利預測與投資建議風險提示華福證券資料來源：歐萊新材招股說明書，華福證券研究所靶材類型材料示例應(yīng)用領(lǐng)域或特性單質(zhì)金屬/非金屬靶材銅靶、鋁靶、鉬靶、鈦靶、硅靶、石墨靶、硼靶制備電極布線膜、阻擋膜、粘合膜、反射膜等合金靶材鈦鋁靶、鎳鉻靶、鉬靶優(yōu)于單質(zhì)靶材的特異性質(zhì)，新型功能膜系設(shè)計開發(fā)陶瓷化合物靶材ITO靶、IZO靶、AZO靶高強度、高熔點、化學穩(wěn)定性好、耐腐蝕，但易脆性破壞圖表15：磁控濺射工作原理示意圖2.1.1

濺射靶材是制備電子薄膜的關(guān)鍵材料，作用重大電子薄膜是現(xiàn)代電子工業(yè)不可或缺的一部分，濺射靶材是其關(guān)鍵材料。電子薄膜在提高材料性能、實現(xiàn)特定功能以及創(chuàng)新科技和工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。磁控濺射技術(shù)制備的電子薄膜具有純度高，致密性好，化學穩(wěn)定性高，結(jié)合力強的優(yōu)勢。其原因在于：濺射靶材被離子束流高速碰撞時，濺射出的原子能夠均勻地沉積在被鍍膜體表面，形成電子薄膜。從構(gòu)成看，濺射靶材主要由靶坯、背板（用于固定濺射靶材）等部分構(gòu)成。靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分。從材料看，濺射靶材可以分為單質(zhì)金屬靶材、非金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材等。各種材料的濺射靶材以其不同的特性，適配多元應(yīng)用領(lǐng)域。圖表16：基于原材料的靶材類型劃分13華福證券應(yīng)用領(lǐng)域金屬材料主要用途性能要求半導體芯片超高純度鋁、鈦、銅、鉬等制備集成電路技術(shù)要求最高、超高純度金屬、高精度尺寸、高集成度平面顯示器高純度鋁、銅、鉬等，ITO高清晰電視、筆記本電腦等技術(shù)要求高、高純度材料、材料面積大、均勻性程度高太陽能電池高純度鋁、銅、鉬、鉻等，ITO薄膜太陽能電池技術(shù)要求高、應(yīng)用范圍大信息存儲鉻基、鈷基合金等光驅(qū)、光盤等高儲存密度、高傳輸速度工具改性純金屬鉻、鉻鋁合金等工具、模具等表面強化性能要求較高、使用壽命延長電子器件鎳鉻合金、鉻硅合金等薄膜電阻、薄膜電容等電子器件尺寸小、穩(wěn)定性好、電阻溫度系數(shù)小其他領(lǐng)域純金屬鉻、鈦、鎳等裝飾鍍膜、玻璃鍍膜等技術(shù)要求一般，主要用于裝飾、節(jié)能等資料來源：江豐電子招股說明書，深圳市平板顯示行業(yè)協(xié)會，歐萊新材招股說明書，華福證券研究所示器、太陽能電池、信息存儲、工具改性等下游領(lǐng)域，其所用金屬類別以及性能要求各有千秋。超高純金屬濺射靶材的提純與制造涵蓋眾多技術(shù)難點。超高純金屬濺射靶材的純度和元素分布對于產(chǎn)業(yè)鏈中的靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)影響重大，關(guān)乎電子薄膜的性能表現(xiàn)。因此，純度作為單質(zhì)金屬濺射靶材的關(guān)鍵指標，一般要求在99.99%-99.9999%（即4N-6N）；而不同下游的合金靶材的元素分布需求也各有千秋，進一步加厚了高端金屬濺射靶材提純和制造的技術(shù)壁壘。圖表17：金屬濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域以及性能要求金屬原材料高純金屬濺射靶材鍍膜設(shè)備光電薄膜導電薄膜電阻薄膜半導體薄膜磁電薄膜光學薄膜圖表18：金屬濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖金屬提純 靶材制造、濺射鍍膜提純半導體集成電路平面顯示太陽能電池信息存儲低輻射玻璃其他領(lǐng)域終端應(yīng)用靶材制造鍍膜142.1.2

超高純金屬濺射靶材應(yīng)用廣泛，靶材提純與制造關(guān)乎性能難度頗大金屬是薄膜沉積的理想材料，下游應(yīng)用多元。金屬靶材以其出色的導電性、熱穩(wěn)定性、沉積速度快、濺射率低的特點，成為薄膜沉積的不二選擇。金屬薄膜可以廣泛應(yīng)用于半導體芯片、平面顯華福證券51.855.66770.8602031E2032E2022 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E資料來源：RepotsandDaa，歐萊新材招股說明書，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，華福證券研究所tr圖表19：2022-2032年全球濺射靶材市場規(guī)模及預測（億美元）圖表20：全球靶材市場企業(yè)份額圖908070 59.4 63.250 4874.678.482.28620%30%日礦金屬霍尼韋爾4010%東曹302020% 20%普萊克斯10其他0152.2.1

國內(nèi)外濺射靶材市場持續(xù)增長，國產(chǎn)企業(yè)初露鋒芒隨著各類濺射薄膜材料的廣泛應(yīng)用，國內(nèi)外濺射靶材需求不斷增加，市場規(guī)模日益擴大。根據(jù)Report

and

Data的數(shù)據(jù)，預計從2022年到2032年，全球濺射靶材市場將從48億美元增長到86億美元，期間CAGR為6.5%。其中，中國因本土化生產(chǎn)和應(yīng)用的增加，在全球濺射靶材行華福證券業(yè)中的地位越來越重要。海外龍頭長期壟斷，國企初露頭角。美國和日本企業(yè)憑借專利先發(fā)優(yōu)勢占據(jù)了約80%的全球濺射靶材市場份額。但中國企業(yè)如江豐電子、阿石創(chuàng)等，在國家政策支持和自主研發(fā)的推動下，已經(jīng)開始打破海外企業(yè)的市場壟斷，市場份額逐步提升。細分板塊中，金屬濺射靶材市場茁壯成長。據(jù)Research

and

markets預測，2021年全球金屬濺射靶材市場規(guī)模約為31.54億美元，2030年該市場規(guī)模將達54.73億美元，2022-2030年CAGR達6.56%。資料來源：歐萊新材招股說明書，中華人民共和國全國人民代表大會、國務(wù)院、國家發(fā)改委、工信部、科技部、財政部等官方政策公告，華福證券研究所發(fā)布時間發(fā)布單位政策名稱相關(guān)內(nèi)容2023年工信部、財政部《電子信息制造業(yè)2023-2024年穩(wěn)增長行動方案》面向數(shù)字經(jīng)濟等發(fā)展需求，優(yōu)化集成電路、新型顯示等產(chǎn)業(yè)布局并提升高端供給水平，增強材料、設(shè)備及零配件等配套能力2023年工信部、教育部、科技部、市場監(jiān)管總局《制造業(yè)可靠性提升實施意見》在基礎(chǔ)產(chǎn)品可靠性“筑基”工程中提高高頻高速印刷電路板及基材、新型顯示專用材料、新型顯示電子功能材料、先進陶瓷基板材料、芯片先進封裝材料等電子材料性能2022年工業(yè)和信息化部辦公廳、國資委辦公廳、市場監(jiān)管總局辦公廳、知識產(chǎn)權(quán)局辦公室《原材料工業(yè)“三品”實施方案》支持鼓勵光刻膠、光電顯示材料、工業(yè)氣體、靶材等關(guān)鍵基礎(chǔ)材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，加強前沿新材料的質(zhì)量性能研發(fā)，完善新材料生產(chǎn)應(yīng)用平臺，優(yōu)化上下游合作機制2021年工信部、科技部、自然資源部《“十四五”原材料工業(yè)發(fā)展規(guī)劃》提出推動超高純金屬及靶材制備等新技術(shù)研發(fā)；突破關(guān)鍵材料中提出圍繞集成電路、信息通信和能源產(chǎn)業(yè)等重點應(yīng)用領(lǐng)域，攻克包括靶材在內(nèi)的一批關(guān)鍵材料2021年全國人民代表大會《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》聚焦新一代信息技術(shù)、生物技術(shù)、新能源、新材料、高端裝備、新能源汽車、綠色環(huán)保以及航空航天、海洋裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，加快關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用，增強要素發(fā)展保障能力，培育壯大產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動能2020年國家發(fā)改委、科技部、工信部、財政部《關(guān)于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長的指導意見》加快新材料產(chǎn)業(yè)強弱項，實現(xiàn)光刻膠、高純靶材等關(guān)鍵材料領(lǐng)域的突破2017年國家發(fā)改委《新材料關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)業(yè)化實施方案》明確大尺寸高純鉬靶材材料技術(shù)指標：鉬靶材純度≥99.99%，板狀靶材長度≥2000mm，管狀靶材外徑≥150mm，長度>1500mm162.2.2

政策予以全產(chǎn)業(yè)鏈、全方位指引，產(chǎn)業(yè)發(fā)展走上快車道目前國務(wù)院、國家發(fā)改委、工信部等政府部門通過各類文件多層次、多角度、多領(lǐng)域?qū)Ω咝阅転R射靶材行業(yè)予以全產(chǎn)業(yè)鏈、全方位的指導，為行業(yè)內(nèi)企業(yè)的經(jīng)營發(fā)展提供了有力的支持和良好的環(huán)境。2023年6月，我國工業(yè)和信息化部等五部門印發(fā)了《制造業(yè)可靠性提升實施意見》，華福證券強調(diào)提高新型顯示專用材料、新型顯示電子功能材料、先進陶瓷基板材料、芯片先進封裝材料等電子材料性能。同年9月，我國工信部、財政部發(fā)布了《電子信息制造業(yè)2023-2024年穩(wěn)增長行動方案》，建議增強材料、設(shè)備及零配件等配套能力。圖表21：近年出臺有關(guān)高性能濺射靶材行業(yè)的支持性政策資料來源：歐萊新材招股說明書，中芯國際官網(wǎng)、中芯國際公司公告，華虹半導體官網(wǎng)、華虹半導體公司公告，明通集團，華福證券研究所晶圓 晶圓 金屬 涂布制造 裸片 濺鍍 光阻刻蝕光阻取出電鍍芯片 電路 設(shè)計 制作設(shè)計 設(shè)計 版圖 光罩芯片 晶圓 貼片 塑封 電鍍封裝 切割 焊線 工藝 成形芯片 成品 芯片測試 測試 成品圖表22：半導體集成電路用濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈 圖表23：主要晶圓廠產(chǎn)能利用率趨勢（%）65%70%75%80%85%90%95%105%100%110%115%2017Q12017Q22017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q22023Q32023Q42024Q1圖表標題中芯國際華虹半導體產(chǎn)能指標12英寸8英寸6英寸5/4/3英寸建成數(shù)量（座）45344863規(guī)劃產(chǎn)能（萬片）238168264730裝機產(chǎn)能（萬片）/152206/實際產(chǎn)能（萬片）125-140140180/建成數(shù)量（座）2454/規(guī)劃產(chǎn)能（萬片）1252021/規(guī)劃興建/改造數(shù)量（座）13116/規(guī)劃產(chǎn)能（萬片）573234/總產(chǎn)能（萬片）420220319730其中外資產(chǎn)能（萬片）7735//圖表24：2023年中國晶圓制造產(chǎn)線和產(chǎn)能情況172.2.3

半導體細分市場：短期受益于稼動率修復，晶圓制造與封裝驅(qū)動未來成長半導體集成電路用濺射靶材廣泛應(yīng)用于晶圓制造鍍膜與封裝鍍膜環(huán)節(jié)。據(jù)歐萊新材招股說明書轉(zhuǎn)引SEMI數(shù)據(jù)，濺射靶材在全球半導體制造材料和封裝測試材料市場占比均接近3%。當前，半導體用濺射靶材受益于行業(yè)復蘇，迎來機遇；而隨著半導體重資產(chǎn)行業(yè)的發(fā)展與擴張，其成長性無虞。短期華福證券

看，濺射靶材將受益于半導體行業(yè)景氣度回升，晶圓廠的產(chǎn)能利用率逐步修復。2024年以來，在AI算力及多家大廠急單的推動下，出現(xiàn)量大且覆蓋面廣的產(chǎn)品需求，頭部晶圓廠出現(xiàn)產(chǎn)能緊張的狀況。根據(jù)公司2024年一季報披露，中芯國際和華虹半導體產(chǎn)能利用率分別增長至80.8%及91.70%。受益于晶圓廠稼動率的提升，半導體集成電路用濺射靶材有望承接客戶強力訂單，有所裨益。長期看，晶圓制造以及封裝行業(yè)的產(chǎn)能擴張，將推動濺射靶材市場健康成長。據(jù)SEMI預測，全球半導體產(chǎn)能2024年增長6%，2025年增長7%。中國芯片制造商增長更快，預計2024年增15%，2025年增14%，將占全球產(chǎn)能近三分之一。因而，半導體集成電路用濺射靶材市場將受益于晶圓與封測廠的穩(wěn)步擴張，成長性無虞。資料來源：歐萊新材招股說明書，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，華福證券研究所10 10121415 15171821232629331051520253002014 2015 2016 2017 2018 2019 20202021E2022E2023E2024E2025E

2026E圖表26：中國半導體集成電路用濺射靶材行業(yè)市場情況（億元）3563802018-082019-022019-082020-022020-082021-022021-082022-022022-082023-02資料來源：EDA創(chuàng)新中心，圖表25：美國商務(wù)部實體清單中我國企業(yè)與機構(gòu)數(shù)目700600500400300200100182.2.3

半導體細分市場：國企自主可控打破海外龍頭長期壟斷，我國半導體濺射靶材市場實現(xiàn)“雙輪驅(qū)動”在大型集成電路制造方面，底層技術(shù)的自主可控已形成共識。美國商務(wù)部實體清單中我國企業(yè)與機構(gòu)數(shù)目持續(xù)上升，海外對華半導體行業(yè)的限制日益加深。雖然近幾年的國產(chǎn)替代取得一定成效，但是在產(chǎn)業(yè)鏈最上游的核心領(lǐng)域，依然有較大差距。半導體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)國產(chǎn)化落地已然進入攻華福證券

堅期和深水區(qū)，國內(nèi)廠商自主可控進程加速推進。我國集成電路濺射靶材技術(shù)不斷突破。在濺射靶材的細分市場中，集成電路對于靶材的技術(shù)要求最高，難度最大。因而，在過去全球半導體靶材行業(yè)的市場格局體現(xiàn)為海外寡頭競爭態(tài)勢。隨著半導體下游產(chǎn)業(yè)逐步向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，國內(nèi)集成電路濺射靶材行業(yè)實現(xiàn)了快速發(fā)展，技術(shù)不斷成熟。國產(chǎn)半導體濺射靶材廠商，如江豐電子和有研新材等，正逐步打破海外壟斷局面。中國市場規(guī)模增長及進口替代“雙輪”驅(qū)動，本土半導體濺射靶材行業(yè)蓬勃發(fā)展。根據(jù)歐萊新材招股說明書轉(zhuǎn)引前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計，2020年，中國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模為17億元，預計2026年該規(guī)模將達到33億元，2020-2026年CAGR為11.69%。與此同時，國企對境外廠商在國內(nèi)的市場份額形成了進口替代，滲透率不斷提升，并實現(xiàn)了部分出口，全球市占率亦有所突破。2.2.3

平面顯示與太陽能電池細分市場：中國平面顯示活水注入，太陽能電池市場穩(wěn)步增長隨著下游需求增長以及中高端屏顯的滲透，平面顯示市場穩(wěn)中向好。濺射靶材主要應(yīng)用于顯示面板和觸控屏的生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)。據(jù)Linkedin轉(zhuǎn)引IndustryCompetent

Reports預測，全球平板顯示濺射靶材2023年市場規(guī)模為18.83億美元，2030年將達23.32億美元，期間CAGR為3.1%。在顯示面板領(lǐng)域，隨著工藝改進，OLED

在性能和成本方面均有突破，市場規(guī)模將持續(xù)提升。中國逐漸了形成以京東方、TCL華星、天馬、維信諾等龍頭面板企業(yè)為核心，輻射至上游材料、裝備投資不斷擴大的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。2）在觸控屏領(lǐng)域，MLED和OLED技術(shù)的發(fā)展為行業(yè)注入了新鮮血液，市場規(guī)模持續(xù)增長。在地域分布上，中國在全球觸控屏市場中占據(jù)顯著地位，市場份額基本保持在70%至80%之間。隨著中高端屏顯在中國滲透率的提升，有望帶動上游濺射靶材行業(yè)的價值提升。隨著光伏累計裝機容量的持續(xù)提升，中國太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模亦有望穩(wěn)步增長。根據(jù)歐萊新材招股說明書轉(zhuǎn)引前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)顯示，2020年中國太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模為32億元，預計2026年增長至83億元，2020-2026年CAGR為17.22%。電視、電腦、儀表顯示屏等智能手機、觸控筆記本電腦、平板電腦、車載觸控顯示屏等玻璃基板觸控屏觸控顯示一體化濺射鍍膜、加工組裝濺射鍍膜、加工組裝圖表28：2021-2027年全球OLED面板材料收入與預測 圖表29：平面顯示領(lǐng)域濺射靶材應(yīng)用環(huán)節(jié)（億美元）5273852884154795145341,1111,1651,4131,6431,7091,8011,93205001000150020002500 顯示面板30002027EWOLED/QDOLED FMM

OLED05101520圖表27：全球平面顯示用濺射靶材市場情況（億美元）252023

2024E

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2026E資料來源：ndusryCompeentRepots，Lnkedn，歐萊新材招股說明書，Omda，集微網(wǎng)，華福證券研究所iiirttI191華福）證券資料來源：江豐電子公司官網(wǎng)，江豐電子2023年年報，華福證券研究所應(yīng)用領(lǐng)域靶材類別產(chǎn)品具體介紹性能介紹工藝制程半導體用超高純金屬濺射靶材高純鋁及鋁合金靶材Al、Al30ppmSi、Al0.5Si、Al0.75Si、Al0.8Si、Al1Si、Al0.5Cu、AlSiCu等使用最為廣泛的半導體芯片配線薄膜材料之一。提供不同晶粒晶向/可特制長壽命的靶材。純度4N~5N5-高純鈦靶材及鈦環(huán)4N5鈦、5N鈦、低氧鈦等廣泛應(yīng)用的阻擋層薄膜材料之一。提供不同晶粒晶向/可特制長壽命的靶材及環(huán)件。純度4N5、5N，低氧130-5nm高純銅及銅合金靶材4N銅、4N5銅、5N銅、6N銅、銅鋁、銅錳等合金靶材、CuP陽極材料、純銅環(huán)件使用最廣泛的先端半導體導電層薄膜材料之一。覆蓋多種銅及銅合金靶材、純銅環(huán)件。純度4N~6N，合金種類多樣90-3nm高純鉭靶材及鉭環(huán)各種純度鉭靶材、鉭環(huán)先進制程中必需的阻擋層薄膜材料。另提供鉭環(huán)翻新服務(wù)以節(jié)約成本。純度3N5~5N90-3nm特殊金屬及合金靶材高純鎢、鎢鈦、鎢硅、高純硅、高純鎳、鎳合金、高純鉻及鉻合金、鈷靶材等用于特殊應(yīng)用的高純度金屬和合金靶材高純度，特殊合金-液晶平板顯示器用靶材高純金屬濺射靶材超高純鋁、銅、鉬、鈦靶材可應(yīng)用于不同代線超高純度，適用于G4.5、G5、G5.5、G6、G8.5、G10.5代參上太陽能電池平板顯示器超大規(guī)模集成電路芯片圖表30：江豐電子濺射靶材業(yè)務(wù)客戶矩陣202.3.1

超高純金屬濺射靶材領(lǐng)軍者，打破海外廠商壟斷格局江豐電子扎根超高純金屬濺射靶材領(lǐng)域，填補國產(chǎn)空白。經(jīng)過多年的技術(shù)研發(fā)與突破，其超高純金屬濺射靶材全面覆蓋了先進制程、成熟制程和特色工藝領(lǐng)域。其產(chǎn)品主要應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示器、太陽能電池制造的PVD工藝，用于制備電子薄膜材料。華福證券獲國際一流芯片制造廠商認證，積極參與國際市場競爭。公司根據(jù)下游客戶對濺射靶材產(chǎn)品質(zhì)量、技術(shù)指標和規(guī)格尺寸等方面的要求進行定制化產(chǎn)品生產(chǎn)和技術(shù)服務(wù)，成為臺積電、中芯國際、SK

海力士、聯(lián)華電子等全球知名芯片制造企業(yè)的核心供應(yīng)商，打破了美、日跨國公司的壟斷格局。據(jù)江豐電子2023年年報轉(zhuǎn)引弗若斯特沙利文報告，2022

年江豐電子在全球晶圓制造濺射靶材市場份額排名第二。此外，據(jù)黑龍江新聞網(wǎng)報道，公司2023年全球市占率超過38%，居全球第二，中國第一。圖表31：江豐電子金屬濺射靶材產(chǎn)品介紹2.3.2

深度關(guān)聯(lián)金屬提純環(huán)節(jié)，供應(yīng)鏈保障原材料質(zhì)與量影響力。與此同時，江豐電子公司對寧波創(chuàng)潤新材料的持股比例達到了4%。江豐電子及關(guān)聯(lián)公司金屬提煉達到國內(nèi)領(lǐng)先乃至國際先進水平，覆蓋了鋁、銅、鉭、鈦、鉬的提純。關(guān)聯(lián)公司中，同創(chuàng)普潤是一家靶材關(guān)鍵原材料高純（5N、6N）金屬材料生產(chǎn)商，專注于新材料服務(wù)領(lǐng)域，主要從事靶材關(guān)鍵原材料高純（5N、6N）金屬材料生產(chǎn)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品線涵蓋高純和超高純鋁、銅、鉭和先進鋁合金。寧波微泰以超高純電解銅為原料，采用高真空感應(yīng)熔煉爐制備純度大于6N（99.9999%）的超高純銅和銅合金鑄錠，系同創(chuàng)普潤新材料全資子公司。關(guān)聯(lián)公司采購額占比顯著提升，全球布局保障原料供應(yīng)。2024年H1，江豐電子向同創(chuàng)普潤新材料采購材料3.18億元，占同類采購額的29.04%；2020年該比例僅為6.24%。與此同時，2024年上半年創(chuàng)潤新材的原材料較上期采購發(fā)生額提升195.63%，增長迅速。隨著在韓孫公司半導體靶材工廠的建設(shè)，江豐電子日韓產(chǎn)業(yè)鏈體系的日益完善，產(chǎn)業(yè)線護城河不斷拓寬。資料來源：居炎鵬,李心然.淺談集成電路用金屬濺射靶材研究現(xiàn)狀[J].有色金屬加工，華福證券研究所高純鋁高純銅新疆眾和 年產(chǎn)能5萬t4N至6N高純鋁包頭鋁業(yè) 年產(chǎn)能5萬t4N以上高純鋁天山鋁業(yè) 偏析法生產(chǎn)年產(chǎn)能2萬t4N5以上高純鋁有研億金 超高純銅最高達7N寧波建錫（關(guān)聯(lián)公司）實現(xiàn)了5N~6N高純銅的批量生產(chǎn)寧波微泰（關(guān)聯(lián)公司）年產(chǎn)300t純度大于6N的超高純銅江豐電子實現(xiàn)年產(chǎn)200t高純鉭粉產(chǎn)能高純鉭東方鉭業(yè)國內(nèi)最大的鉭生產(chǎn)基地，掌握3N5~4N5高純鉭生產(chǎn)技術(shù)同創(chuàng)普潤（關(guān)聯(lián)公司）年產(chǎn)400t4N~5N5高純鉭材料產(chǎn)能高純鈦寧波創(chuàng)潤（持股4%）

年產(chǎn)250t3N5~5N高純鈦材料有研億金 擁有5N高純鈦生產(chǎn)技術(shù)高純鉬江豐電子金鉬股份擁有年產(chǎn)400t平板顯示器用高純鉬產(chǎn)能計劃擁有3N5~4N高純鉬生產(chǎn)技術(shù)圖表32：國內(nèi)主要高純金屬生產(chǎn)情況對比高純金屬 企業(yè) 高純金屬發(fā)展情況江豐電子 年產(chǎn)300t電子級超高純鋁生產(chǎn)項目建成21垂直整合靶材供應(yīng)鏈，建立從金屬提純到最終產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)鏈。公司實際控制人姚力軍先生兼任同創(chuàng)普潤、寧波建錫等多家新材料公司法人，對其擁有實質(zhì)性華福證券資料來源：江豐電子公司官網(wǎng)，江豐電子2023年年報，華福證券研究所2.3.3

生產(chǎn)裝備技術(shù)先進，產(chǎn)品性能表現(xiàn)優(yōu)異逐步實現(xiàn)生產(chǎn)裝備自主可控和生產(chǎn)線國產(chǎn)化。公司堅持自主創(chuàng)新，主導并聯(lián)合國內(nèi)設(shè)備廠商研發(fā)定制了高純金屬濺射靶材關(guān)鍵制造裝備，建造了現(xiàn)代化的高純金屬濺射靶材和半導體精密零部件生產(chǎn)廠房。公司全面攻克了半導體用超高純靶材的晶粒晶向精細調(diào)控技術(shù)、缺陷焊接技術(shù)、精密機械加工技術(shù)等高難度技術(shù)。此外，公司產(chǎn)品實現(xiàn)了3nm先進制程領(lǐng)域超高純金屬濺射靶材在客戶端的規(guī)?；慨a(chǎn)。濺射靶材純度達到國際先進水平，高純度鉭、銅靶材筑起技術(shù)壁壘。超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度通常要求達到6N以上，平板顯示器、太陽能電池領(lǐng)域純度分別要求達到5N、4N5以上。江豐電子各類濺射靶材純度均達到國際先進水準，掌握了技術(shù)難度最高的鉭（5N）、銅靶材（6N）及環(huán)件的核心技術(shù)，滿足先端半導體制造的嚴格要求。目前，公司銅錳合金靶材已經(jīng)在國內(nèi)外量產(chǎn)，全面進入國際著名芯片制造企業(yè)。隨著高端芯片需求的增長，鉭靶材及環(huán)件和銅錳合金靶材的需求大幅增長，全球供應(yīng)鏈極其緊張，將強有力提拉營收。圖表33：江豐電子核心技術(shù)矩陣晶粒晶向控制技術(shù)金屬材料塑性變形加工生產(chǎn)線及內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)檢測設(shè)備，能夠?qū)Я＞驅(qū)嵤┚_的控制。高純金屬純度控制及提純技術(shù)生產(chǎn)超高純度的濺射靶材用金屬材料異種金屬大面積焊接技術(shù)擴散焊接、電子束焊接、釬焊等不同焊接方式的完整產(chǎn)線和先進技術(shù)，產(chǎn)品平均焊接結(jié)合率可達99%以上金屬的精密加工及特殊處理技術(shù)國內(nèi)外頂尖的數(shù)控車床、加工中心等大型精密加工設(shè)備，能夠?qū)Π胁牡母黜棾叽邕M行精準控制靶材的清洗包裝技術(shù)自主設(shè)計的靶材全自動清洗機，進行反復的產(chǎn)品清洗半導體用濺射靶材表面潔凈度能夠達到電子級水平22大面積無華福證券目錄23公司概況：濺射靶材起家，平臺化布局初現(xiàn)雛形濺射靶材：超高純金屬靶材市場廣闊，優(yōu)勢卡位深耕產(chǎn)業(yè)鏈半導體零部件：國產(chǎn)零部件蓬勃發(fā)展，多元化發(fā)展新品迭出盈利預測與投資建議風險提示華福證券資料來源：iFind，美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會，華福證券研究所資料來源：iFind，日本半導體制造裝置協(xié)會，華福證券研究所-60-40-200204060010203040502000/1/12000/11/12001/9/12002/7/12003/5/12004/3/12005/1/12005/11/12006/9/12007/7/12008/5/12009/3/12010/1/12010/11/12011/9/12012/7/12013/5/12014/3/12015/1/12015/11/12016/9/12017/7/12018/5/12019/3/12020/1/12020/11/12021/9/12022/7/12023/5/12024/3/160 80全球半導體銷售額（十億美元） 環(huán)比（%） 同比（%）-40-20020406080100120051015202530352017-032017-062017-092017-122018-032018-062018-092018-122019-032019-062019-092019-122020-032020-062020-092020-122021-032021-062021-092021-122022-032022-062022-092022-122023-032023-062023-092023-122024-03全球半導體設(shè)備銷售額（十億美元）YoY（全球，%）中國半導體設(shè)備銷售額（十億美元）YoY（中國，%）243.1.1

全球/中國半導體銷售額走出下行區(qū)間，呈現(xiàn)穩(wěn)步上升態(tài)勢2023年11月至2024年4月，全球半導體銷售額持續(xù)保持同比正增長，整體呈現(xiàn)出穩(wěn)步上升的態(tài)勢。據(jù)IFinD轉(zhuǎn)引美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）報告指出，2024年4月全球半導體行業(yè)銷售額總計464億美元，環(huán)比增長1.1%，同比增長15.8%。華福證券半導體設(shè)備市場方面，23Q2開始中國大陸半導體設(shè)備銷售額出現(xiàn)明顯回暖，23Q2-24Q1已實現(xiàn)連續(xù)四個季度的同比正增長，且增幅持續(xù)攀升。2024年第一季度，中國大陸半導體設(shè)備銷售額達125.2億美元，同比增長113.0%，反映出中國大陸半導體設(shè)備旺盛需求。圖表34：全球半導體銷售額及增速 圖表35：全球/中國半導體設(shè)備銷售額及增速資料來源：第一財經(jīng)資訊，華福證券研究所資料來源：麒芯說，華福證券研究所67%17%10%6%晶圓制造IC設(shè)計IC封測設(shè)備與材料70.0%10.0%0.5%10.0%晶圓制造設(shè)備與材料IC設(shè)計其他253.1.2

大基金三期啟航，資本開支提速，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)迎來新機遇2024年5月24日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司成立。大基金三期投資規(guī)模為3440億元，約為前兩期的總和，按歷史撬動比例預估，華福證券三期有望撬動資金超萬億，體量龐大。在資本投向方面，大基金一期聚焦于晶圓制造，流向晶圓廠的投資占比達67%，而二期進一步加大了對晶圓制造的投入，IC制造投資占比增至70%。考慮到往期投資流向和對巨量資金的承接能力，晶圓制造領(lǐng)域或?qū)⑷哉既谕顿Y額的最大比例，并推動晶圓廠資本開支的提升和擴產(chǎn)節(jié)奏的加快。圖表36：大基金一期投資額占比 圖表37：大基金二期投資額占比3.1.3

晶圓廠資本開支提速，產(chǎn)能擴張加碼SEMI在《300mm晶圓廠展望報告——至2026年》中指出，繼2023年的下降之后，從2024年開始全球前端的300mm晶支出將恢復增長。2024年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預計將增長12%至820億美元，2025年增長24%至1019億資料來源：SEMI，華福證券研究所資料來源：SEMI，AI芯天下，華福證券研究所美元，預計2026年將達到1188億美元的歷史新高。而全球200mm晶圓廠設(shè)備支出也預計將在2024年提速增長。對高性能計算的強勁需求和對存儲器需求的提升將推動支出增長。圖表38：全球12寸晶圓廠資本開支 圖表39：全球8寸晶圓廠資本開支26圓廠設(shè)備華福證券0.250.10.150.10.10.10.080.07光刻設(shè)備刻蝕設(shè)備薄膜沉積設(shè)備切割設(shè)備前端測試設(shè)備包裝設(shè)備測試封裝設(shè)備清洗設(shè)備離子注入設(shè)備晶體生長設(shè)備資料來源：屹唐股份招股說明書，Gartner，華福證券研究所廠房建設(shè)20%-30%設(shè)備投資70%-80%設(shè)計2%-7%土建設(shè)施30%-40%潔凈室分工50%-70%%硅片制造1%-3%封裝測試18%-20%芯片制造78%-80%長晶&切磨拋設(shè)備2%薄膜沉積設(shè)備20%光刻設(shè)備20%刻蝕&去膠設(shè)備20%退火/擴散/注入設(shè)備5%工藝控制設(shè)備11%清洗&CMP設(shè)備8%其他加工設(shè)備8%封裝設(shè)備40%-45%CP&FP設(shè)備測試設(shè)備55%-60%機電系統(tǒng)25%-35%潔凈室系統(tǒng)25%-35%資料來源：Utmel，華福證券研究所273.1.4

半導體設(shè)備占集成電路制造領(lǐng)域資本開支比重高從晶圓制造廠資本開支上看，根據(jù)屹唐股份招股說明書轉(zhuǎn)引Gartner數(shù)據(jù)，集成電路制造設(shè)備投資一般占集成電路制造領(lǐng)域資本性支出的70%-80%，且隨著工藝制程的提升，設(shè)備投資占比也將相應(yīng)提高，而其中芯片制造和封裝測試投資也是最主要部分。根據(jù)U華福證券

tmel數(shù)據(jù)顯示，典型的集成電路制造產(chǎn)線設(shè)備投資中，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設(shè)備、離子注入設(shè)備、測試設(shè)備、清洗設(shè)備等投資額占比較高，是集成電路制造設(shè)備投資中的最主要部分。圖表40：集成電路制造領(lǐng)域典型資本開支結(jié)構(gòu) 圖表41：產(chǎn)線中晶圓制造設(shè)備投資額占比資料來源：富創(chuàng)精密招股說明書，華福證券研究所游各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模呈現(xiàn)指數(shù)級增長趨勢。供應(yīng)鏈上承材料下啟設(shè)備，供給短缺阻礙設(shè)備交付。半導體零部件在產(chǎn)業(yè)鏈中處于原材料與半導體設(shè)備之間，直接客戶為設(shè)備廠商、晶圓廠或IDM客戶。在景氣上行階段，零部件的短缺往往制約著設(shè)備廠商能否按時交貨。根據(jù)芯智訊轉(zhuǎn)引TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2022年上半年，半導體設(shè)備交期面臨延長至18-30個月不等的困境，究其原因，零部件的短缺是重要痛點。圖表42：

半導體設(shè)備及零部件產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上游原材料半導體設(shè)備零部件（按功能分）半導體設(shè)備IDM客戶鋁合金材料其他金屬非金屬原材料機械類電氣類機電一體類氣體/液體/真空系統(tǒng)類儀器儀表類光學類其他光刻設(shè)備刻蝕設(shè)備清洗設(shè)備薄膜沉積設(shè)備離子注入設(shè)備機械拋光設(shè)備封裝、測試設(shè)備三星英特爾晶圓制造和封裝測試臺積電中芯國際半導體設(shè)備&零部件產(chǎn)業(yè)鏈半導體零部件支撐各產(chǎn)業(yè)發(fā)展年產(chǎn)值幾十萬億美元電子信息、移動互聯(lián)網(wǎng)、5G、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、新能源年產(chǎn)值幾萬億美元智能硬件終端年產(chǎn)值幾千億美元半導體制造年產(chǎn)值近千億美元半導體設(shè)備年產(chǎn)值上百億美元半導體零部件283.2.1

半導體設(shè)備零部件直接決定著設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性，是半導體設(shè)備的核心與基石半導體零部件是支撐下游產(chǎn)業(yè)指數(shù)增長的關(guān)鍵。半導體設(shè)備對于零部件的材料、結(jié)構(gòu)、工藝、品質(zhì)和精度、可靠性及穩(wěn)定性等性能均有所要求。半導體精密零部件不僅是半導體設(shè)備制造環(huán)節(jié)中難度較大、技術(shù)含量較高的環(huán)節(jié)之一，更是國內(nèi)半導體設(shè)備企業(yè)“卡脖子”的環(huán)節(jié)之一。半導體零部件作為半導體設(shè)備核心技術(shù)演進的關(guān)鍵，支撐著芯片制造行業(yè)和智能硬件終端，繼而支撐整個現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)值上，零部件年產(chǎn)值達上百億美元，推動下華福證券資料來源：芯謀研究，華福證券研究所圖表43：

2020年中國晶圓廠采購設(shè)備零部件結(jié)構(gòu)(8-12寸)11%10%10%9%9%8%6%3%1%2%2%29%石英件閥邊緣環(huán)Ceramic射頻電源吸盤GaugeO形圈泵反應(yīng)腔噴淋頭MFC其他3.2.2

半導體零部件具有精度高、批量小、多品種、工藝復雜等特性，技術(shù)門檻高29半導體零部件產(chǎn)業(yè)通常具有高技術(shù)密集、學科交叉融合、市場規(guī)模占比小且分散，但在價值鏈上卻舉足輕重等特點。半導體華福證券

零部件領(lǐng)域一般具備以下特點：技術(shù)密集，對精度和可靠性要求較高：由于半導體零部件應(yīng)用于精密的半導體制造，所以相較其他行業(yè)的基礎(chǔ)零部件，其尖端技術(shù)密集的特性尤其明顯，有著精度高、批量小、多品種、尺寸特殊、工藝復雜、要求極為苛刻等特點。半導體零部件企業(yè)生產(chǎn)過程往往需要兼顧強度、應(yīng)變、抗腐蝕、電子特性、電磁特性、材料純度等復合功能要求，造成極高的技術(shù)門檻。多學科交叉融合，對復合型技術(shù)人才要求高：半導體零部件種類多，覆蓋范圍廣，產(chǎn)業(yè)鏈很長，其研發(fā)設(shè)計、制造和應(yīng)用涉及到材料、機械、物理、電子、精密儀器等跨學科、多學科的交叉融合，因此對于復合型人才有很大需求。市場碎片化特征明顯：相比半導體設(shè)備市場，半導體零部件市場碎片化特征明顯，單一產(chǎn)品的市場空間很小，同時技術(shù)門檻高。因此，國際領(lǐng)軍的半導體零部件企業(yè)通常以跨行業(yè)多產(chǎn)品線發(fā)展策略為主，且不斷進行并購和整合是國際領(lǐng)軍半導體零部件企業(yè)擴張的主要方式。半導體設(shè)備具有多品種、小批量、定制化的特點，而半導體零部件也有類似特征，細分種類極多、批量小、精度高且工藝復雜。據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)顯示，大陸晶圓廠采購零部件中金額占比較大的主要有石英件（Quartz）、射頻電源（RF

Generator）、各種泵（Pump）等，占比在

10%及以上，此外各種閥門（Valve）、吸盤（Chuck）、反應(yīng)腔噴淋頭（Shower

Head）、邊緣環(huán)（Edge

Ring）等零部件的采購占比也較高。半導體市場回溫拉升上游設(shè)備市場的市場景氣度。據(jù)SEMI預測，2024年全球半導體制造在前后端市場的推動下，預計2025年該銷售額將創(chuàng)下1280億美元的新高。分地區(qū)看，中國半導體設(shè)備市場占全球份額不斷提升。SEMI預計，2025年中國大陸、中國臺灣和韓國仍將是設(shè)備支出的前三大目的地。并且，中國將在預測期內(nèi)保持領(lǐng)先地位。圖表44：全球半導體設(shè)備規(guī)模及預測(億美元)3.2.3

高資本投入支撐長期增長，零部件市場規(guī)模廣闊半導體零部件市場規(guī)模有望超過600億美元零部件按使用場景分，可以分為設(shè)備用零部件，及晶圓廠用作耗材和備件類的零部件?；诖?，半導體零部件市場的分類和測算如下：設(shè)備制造用：半導體零部件在半導體設(shè)備成本中價值占比較高，根據(jù)富創(chuàng)精密招股書援引及國內(nèi)外半導體廠商披露，原材料（不同類型的零部件）價值量占設(shè)備成本比例一般為90%以上。而半導體設(shè)備市場CR4超過60%，據(jù)龍頭財報披露，2024年第一季度毛利率均在40%-50%左右。據(jù)此，可推算半導體零部件市場規(guī)模約占半導體設(shè)備市場規(guī)模的45%-50%。根據(jù)SEMI預測的全球半導體制造設(shè)備市場數(shù)據(jù)推算，2024年全球半導體零部件市場規(guī)模約500億美元。晶圓廠耗材用：據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)，2020年中國大陸8寸及12寸晶圓廠對前道設(shè)備零部件的采購金額超10億美元。而晶圓廠使用的耗材零部件與晶圓代工市場規(guī)模、晶圓廠出貨量強相關(guān)。據(jù)我們估算，2020年全球晶圓廠耗材用零部件的采購金額為132億美元，2024年達近150億美元。市場份額占比（2023年）毛利率（24年Q1）AMAT20%47.2%ASML24%51.4%Lam

Research11%47.5%Tokyo

Electron9%41.4%75.262.7 67.387.7956.1941 983.11127.81400120010008006004002000應(yīng)用和工藝設(shè)備 測試設(shè)備 晶圓廠設(shè)備圖表45：全球半導體設(shè)備龍頭市占率及毛利率 圖表46：全球晶圓廠出貨量歷史數(shù)據(jù)與預期（億平方英寸）140171456512512135781533216214180001600014000 122851200010000800060004000200002022 2023 2024E 2025E 2020 2021 2022資料來源：SEM，YoeGoup，各公司公告，（注：估算數(shù)據(jù)來源：Cinsghs、思瀚研究院、產(chǎn)城觀察網(wǎng)、SEM、芯謀研究）ItiIrlI2023 2024E 2025E 2026E30設(shè)備市場將華福證券

達到1090億美元，同比增長3.4%。3.2.4

設(shè)備迭代之關(guān)鍵，零部件國產(chǎn)化迫在眉睫半導體設(shè)備的升級迭代很大程度上依賴于精密零部件技術(shù)的突破。隨著中美科技大戰(zhàn)持續(xù)升級，關(guān)鍵零部件成為國產(chǎn)半導體發(fā)展的掣肘，技術(shù)自主可控訴求強烈，國產(chǎn)替代為大勢所趨。與設(shè)備整機市場相比，零部件市場規(guī)模不大，但起著以小制大的關(guān)鍵作用。據(jù)芯，中國晶圓廠采購的設(shè)備零部件主要包括石英、射頻發(fā)生器、泵類、閥門和吸盤等，采購金額占比均高于8%。其中，僅石英資料來源：芯謀研究，華福證券研究所件、反應(yīng)腔噴淋頭、邊緣環(huán)的國產(chǎn)化率超過10%，其余零部件自給率均不足10%，閥門、泵類、密封圈基本依賴進口。圖表47：8-12吋晶圓設(shè)備部分零部件供應(yīng)商及自給率情況零部件種類海外供應(yīng)商本土供應(yīng)商國產(chǎn)化率石英件（Quartz）Ferrotec，Heraeus菲利華、太平洋石英>10%反應(yīng)腔噴淋頭（Shower

head）新鶴靖江先鋒、江豐電子>10%邊緣環(huán)（Edge

ring）TokaiCarbon，EPP珍寶、神工半導體>10%泵類（Pump）Alcatel，Pfeiffer，Edwards，Ebara，Ulvac，Leybold，Varian沈陽科儀、京儀5-10%陶瓷件（Ceramic）-蘇州柯瑪5-10%射頻發(fā)生器（RF

generator）AE，MKS，Kyosan，Daihen北廣科技、中科院微電子1-5%流量計（MFC）Brooks，MKS，F(xiàn)ujikin，Horiba，CDK北方華創(chuàng)1-5%機器人（Robot）Brooks，Yaskawa，Kawasaki，JEL，Rorze，Sankyo，Robostar，RND，Kostek新松機器人1-5%閥門（Valve）Fujikin，VAT，MKS，Swagelok，Hamlet-<1%壓力計（Gauge）MKS，Inficon-<1%O型密封圈（O-ring）Dupont-<1%31謀研究華福證券金屬材料精密機械制造不銹鋼板材碳鋼板材碳鋼型材鋁型材鋁板材晶圓刻蝕氣體輸送設(shè)備晶圓刻蝕設(shè)備晶圓檢測設(shè)備氣相沉積設(shè)備PECVD加工件電子標準件機械標準件電器元件傳感器等金屬管路密封圈等輔材表面處理特種工藝焊接精密鈑金加工精密機械加工結(jié)構(gòu)設(shè)計精密焊接/多種材料焊接裝配及售后維護半導體設(shè)備新能源及電力設(shè)備通用設(shè)備軌交、醫(yī)療等3.3.1

公司生產(chǎn)的零部件產(chǎn)品主要用于超大規(guī)模集成電路芯片領(lǐng)域，初顯平臺化布局從應(yīng)用場景看，公司生產(chǎn)的零部件產(chǎn)品包括設(shè)備制造零部件和工藝消耗零部件。主要出售給晶圓制造商作為設(shè)備周期性更換的耗材或者給設(shè)備制造商用于設(shè)備生產(chǎn)，可廣泛應(yīng)用于

PVD（物理氣相沉積），CVD（化學氣相沉積），蝕刻機，CMP（化學機械平坦化）等半導體設(shè)備中。看，公司全面布局金屬和非金屬類半導體精密零部件。半導體金屬零部件原材料主要是鋁、不銹鋼、碳鋼、銅等金屬材料，產(chǎn)品主要為“小批量、多品種、工藝復雜、精密度高”的定制化精密金屬結(jié)構(gòu)件。金屬零部件產(chǎn)品對金屬材料精密制造技術(shù)、表面處理特種工藝等技術(shù)要求極高，其性能與毛利率與上游金屬材料高度相關(guān)，具有明顯的規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)。公司發(fā)揮其在金屬濺射靶材積累的工藝與技術(shù)，順利布局多品類的金屬零部件產(chǎn)品。非金屬類零部件中，包含陶瓷、石英、硅、高分子材料等。往年積累的品質(zhì)保障能力、客戶理解能力，幫助公司迅速拓展該產(chǎn)品線。圖表48：公司精密零部件可應(yīng)用于多種設(shè)備 圖表49：半導體金屬零部件產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)PVD設(shè)備 CVD設(shè)備 半導體金屬零部件上游 半導體金屬零部件中游 半導體金屬零部件下游蝕刻機

CMP設(shè)備資料來源：德儀科技官網(wǎng)、中微公司官網(wǎng)、北方華創(chuàng)官網(wǎng)、特思迪官網(wǎng)、華亞智能招股說明書、富創(chuàng)精密招股說明書、華福證券研究所32從原材料華福證券23.93%23.78%27.08%25%24%23%22%28%27%26%20232021 2022資料來源：Fnd，江豐電子公司公告，華福證券