2024-2025學(xué)年陜西省西安市西安南高級(jí)開中學(xué)高二（上）月考物理試卷（10月）（含答案）

第=page11頁，共=sectionpages11頁2024-2025學(xué)年陜西省西安市西安南高級(jí)開中學(xué)高二（上）月考物理試卷（10月）一、單選題：本大題共7小題，共28分。1.對(duì)研究對(duì)象或研究過程建立理想化模型，突出問題的主要方面忽略次要因素，對(duì)實(shí)際問題進(jìn)行理想化處理從而有效地解決問題，是物理學(xué)研究的常用方法。下列各組均屬于理想化模型的是(

)A.元電荷、點(diǎn)電荷 B.自由落體運(yùn)動(dòng)、重心

C.元電荷、重心 D.質(zhì)點(diǎn)、勻強(qiáng)電場2.關(guān)于材料的電阻率，下列說法中正確的是(

)A.把一根長導(dǎo)線截成等長的三段，則每段的電阻率都是原來的三分之一

B.任何材料的電阻率隨溫度的升高而增大

C.合金的電阻率大于構(gòu)成該合金的任一純金屬的電阻率

D.電阻率越大得導(dǎo)體導(dǎo)電性能越好3.兩粗細(xì)相同的同種金屬電阻絲R1、R2的電流I和電壓U的關(guān)系圖像如圖所示，可知(

)A.兩電阻的大小之比為R1:B.兩電阻的大小之比為R1:R2=1:2D.兩電阻絲的長度之比為L4.甲、乙、丙、丁四圖中的各14圓環(huán)大小相同，所帶電荷量已在圖中標(biāo)出，且電荷均勻分布，各14圓環(huán)間彼此絕緣。下列關(guān)于坐標(biāo)原點(diǎn)O處電場強(qiáng)度的說法中正確的是(

)

A.圖甲與圖丙場強(qiáng)相同

B.圖乙與圖丁場強(qiáng)相同

C.四圖中O處電場強(qiáng)度的大小關(guān)系為E乙>E丙>E5.如圖所示，內(nèi)置金屬網(wǎng)的高壓靜電防護(hù)服接地，O為防護(hù)服內(nèi)的一點(diǎn)，把一帶電量為Q的金屬小球移動(dòng)到距離O點(diǎn)的r處。金屬小球可視為點(diǎn)電荷，靜電力常量為k，無窮遠(yuǎn)處電勢(shì)為0，下列說法不正確的是(

)

A.感應(yīng)電荷在O點(diǎn)處產(chǎn)生的場強(qiáng)大小等于kQr2

B.金屬小球激發(fā)的電場在防護(hù)服內(nèi)不存在

C.防護(hù)服內(nèi)金屬網(wǎng)帶電是因?yàn)槠潆娮拥霓D(zhuǎn)移6.在與紙面平行的勻強(qiáng)電場中，a、b、c、d是一矩形的四個(gè)頂點(diǎn)，已知ad=bc=2ab=2dc=2L，其中φa=6V、φb=4V、φd=2V?，F(xiàn)有一電子以某一初速度從bc的中點(diǎn)O沿OdA. B.

C. D.7.如圖甲所示，點(diǎn)電荷Q的電場中某條電場線上有A、B兩點(diǎn)，電子沿電場線運(yùn)動(dòng)過程中的速度—時(shí)間圖像如圖乙所示，電子經(jīng)過A、B兩點(diǎn)時(shí)的速度分別為vA、vB，假設(shè)電子僅受電場力作用，則(

)A.點(diǎn)電荷Q帶負(fù)電荷，并且在B點(diǎn)的右側(cè)

B.A、B兩點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小關(guān)系為EA>EB

C.A、B兩點(diǎn)的電勢(shì)關(guān)系為φA>φB

二、多選題：本大題共3小題，共18分。8.半導(dǎo)體指紋傳感器，多用于手機(jī)、電腦、汽車等設(shè)備的安全識(shí)別，如圖所示。傳感器半導(dǎo)體基板上有大量金屬顆粒，基板上的每一點(diǎn)都是小極板，其外表面絕緣。當(dāng)手指的指紋一面與絕緣表面接觸時(shí)，由于指紋凹凸不平，凸點(diǎn)處與凹點(diǎn)處分別與半導(dǎo)體基板上的小極板形成正對(duì)面積相同的電容器，使每個(gè)電容器的電壓保持不變，對(duì)每個(gè)電容器的放電電流進(jìn)行測(cè)量，即可采集指紋。指紋采集過程中，下列說法正確的是(

)A.指紋的凹點(diǎn)處與小極板距離遠(yuǎn)，電容大

B.指紋的凸點(diǎn)處與小極板距離近，電容大

C.手指擠壓絕緣表面，電容器兩極間的距離增大，電容器帶電量增大

D.手指擠壓絕緣表面，電容器兩極間的距離減小，電容器帶電量增大9.電子墨水是一種無光源顯示技術(shù)，它利用電場調(diào)控帶電顏料微粒的分布，使之在自然光的照射下呈現(xiàn)出不同顏色．透明面板下有一層膠囊，其中每個(gè)膠囊都是一個(gè)像素．如圖所示，膠囊中有帶正電的白色微粒和帶負(fù)電的黑色微粒．當(dāng)膠囊下方的電極極性由負(fù)變正時(shí)，微粒在膠囊內(nèi)遷移(每個(gè)微粒電量保持不變)，像素由黑色變成白色．下列說法正確的有(

)

A.像素呈黑色時(shí)，黑色微粒所在區(qū)域的電勢(shì)高于白色微粒所在區(qū)域的電勢(shì)

B.像素呈白色時(shí)，黑色微粒所在區(qū)域的電勢(shì)低于白色微粒所在區(qū)域的電勢(shì)

C.像素由黑變白的過程中，電場力對(duì)白色微粒做正功

D.像素由白變黑的過程中，電場力對(duì)黑色微粒做負(fù)功10.如圖所示，將一只滿偏電流為1mA、內(nèi)阻為900Ω的表頭改裝成測(cè)電流、電壓兩用的電表，已知R1=100Ω，R2=210Ω。下列說法正確的是(

)A.接Oa端是電流表，量程為10mA B.接Ob端是電壓表，量程為3V

C.接Oa端是電流表，量程為60mA D.接Ob端是電壓表，量程為15V三、實(shí)驗(yàn)題：本大題共2小題，共18分。11.如圖1所示為多用電表的示意圖，其中S、T為可調(diào)節(jié)的部件，現(xiàn)用此電表測(cè)量一阻值約為100Ω的定值電阻，部分操作步驟如下：

(1)選擇開關(guān)應(yīng)調(diào)到電阻擋的__________(填“×1”“×10”“×100”或“×1k”)位置。(2)將紅、黑表筆分別插入“+”、“?”插孔，把兩筆尖相互接觸，調(diào)節(jié)__________(填“S”或“T”)，使電表指針指向__________(填“左側(cè)”或“右側(cè)”)的“0”位置。(3)將紅、黑表筆的筆尖分別與電阻兩端接觸，電表示數(shù)如圖2所示，該電阻的阻值約為________Ω。12.在“測(cè)定金屬絲的電阻率”的實(shí)驗(yàn)中，某同學(xué)進(jìn)行了如下操作：(1)剝開導(dǎo)線兩端的絕緣皮，用螺旋測(cè)微器測(cè)量裸線的直徑如圖1，其讀數(shù)為_________mm。(2)用10分度游標(biāo)卡尺測(cè)量金屬絲的長度時(shí)，該同學(xué)不小心使部分刻度被污跡遮住了，如圖2，則該次測(cè)量的讀數(shù)為_________cm。(3)為了準(zhǔn)確測(cè)量該金屬絲的電阻Rx電動(dòng)勢(shì)為6V的電源E、內(nèi)阻很??；電壓表V1量程為3V電壓表V2量程為5V、內(nèi)阻約5.0kΩ定值電阻R0滑動(dòng)變阻器R；開關(guān)、導(dǎo)線若干。①請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)最佳方案，在圖3方框中將電路圖補(bǔ)充完整，并標(biāo)出相應(yīng)元件的符號(hào)_________。②調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器，測(cè)得多組數(shù)據(jù)，記電壓表V1示數(shù)為U1，電壓表V2示數(shù)為U2，描繪出U1?U③若電壓表V1不能看作理想表，則由上述測(cè)量得到的Rx值比真實(shí)值_________(選填“偏大”或“偏小”)四、計(jì)算題：本大題共3小題，共36分。13.如圖甲所示的電路中，A、B間電壓恒定，R1=25Ω,R3=30Ω,(1)此時(shí)R2(2)電流表示數(shù)I。14.如圖所示，在絕緣粗糙的水平面上的A處固定一正點(diǎn)電荷，將質(zhì)量為m、電荷量為+q的帶電物塊(可視為點(diǎn)電荷)從B點(diǎn)由靜止釋放，物塊滑到C點(diǎn)時(shí)速度達(dá)到最大，物塊滑到D點(diǎn)時(shí)停止運(yùn)動(dòng)。已知A、B和B、C間的距離均為L，C、D間的距離為2L，物塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.4，重力加速度大小為g，不計(jì)空氣阻力。求：(1)B、D兩點(diǎn)間的電勢(shì)差UBD(2)物塊在B點(diǎn)釋放瞬間的加速度大小。15.如圖，圓弧軌道AB的圓心為O，半徑為R=2.5m，圓弧軌道AB的B點(diǎn)與水平地面BE相切，B點(diǎn)在O點(diǎn)的正下方，在B點(diǎn)的右側(cè)有一豎直虛線CD，B點(diǎn)到豎直虛線CD的距離為L1=2.5m，豎直虛線CD的左側(cè)有一水平向左的勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)大小為E1(大小未知)，豎直虛線CD的右側(cè)有場強(qiáng)大小為E2(大小未知)、豎直向上的勻強(qiáng)電場。豎直虛線CD的右側(cè)有一豎直墻壁EF，墻壁EF到豎直虛線CD的距離為L2=1m，墻壁EF底端E點(diǎn)與水平地面BE相連接，墻壁EF的高度也為L2=1m?，F(xiàn)將一電荷量為q=+4×10?2C、質(zhì)量為m=1kg的完全絕緣的滑塊從A點(diǎn)由靜止釋放沿圓弧軌道AB下滑，過B點(diǎn)時(shí)的速度大小為4m/s，最后進(jìn)入豎直虛線CD右側(cè)。已知滑塊可視為質(zhì)點(diǎn)，圓弧軌道AB光滑，水平地面(1)場強(qiáng)E1(2)滑塊到達(dá)豎直虛線CD時(shí)速度的大小和滑塊從B點(diǎn)到達(dá)豎直虛線CD所用時(shí)間；(3)要使滑塊與豎直墻壁EF碰撞，求E2的取值范圍。

參考答案1.D

2.C

3.D

4.D

5.B

6.B

7.B

8.BD

9.AC

10.AB

11.

×

10

T

右側(cè)

110

12.

2.000##2.001##1.999

4.18

20.0

偏大

13.解：(1)根據(jù)歐姆定律可知，流過

R3

I根據(jù)串聯(lián)電路的電流特點(diǎn)可知，結(jié)合

R2

的伏安特性曲線可知，此時(shí)

R2

兩端的電壓根據(jù)歐姆定律有R(2)根據(jù)串聯(lián)電路的電壓特點(diǎn)可知U根據(jù)歐姆定律可知，流過

R1

I電流表測(cè)量的是干路電流，根據(jù)并聯(lián)電路的電流特點(diǎn)有I=解得I=1.2A

14.解：(1)物塊從B點(diǎn)到D點(diǎn)，根據(jù)動(dòng)能定理有WBD根據(jù)電勢(shì)差的定義有UBD=W(2)設(shè)固定在A點(diǎn)的點(diǎn)電荷的電荷量為Q，靜電力常量為k，物塊在C點(diǎn)時(shí)，根據(jù)受力平衡有μmg=物塊在B點(diǎn)釋放瞬間，根據(jù)牛頓第二定律有F庫根據(jù)庫侖定律有F庫解得a=6g

15.解：(1)滑塊從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)的過程中，由動(dòng)能定理有WAB滑塊從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)的過程中WAB解得E1(