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文檔簡介
第4講專題提升;“?平移圓)放縮圓':".旋轉(zhuǎn)圓)磁聚焦':和
.“磁發(fā)散”模型
基礎(chǔ)對點(diǎn)練
題組一“動(dòng)態(tài)圓”模型
1.(多選)利用如圖所示裝置可以選擇一定速度范圍內(nèi)的帶電粒子。圖中板上方是磁感應(yīng)強(qiáng)度大
小為B、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,板上有兩條寬度分別為2d和d的縫,兩縫近端相距為"一
群質(zhì)量為通電荷量為“、速度不同的粒子,從寬度為2d的縫垂直于板進(jìn)入磁場,不計(jì)粒子間的
相互作用和重力,對于能夠從寬度為d的縫射出的粒子,下列說法正確的是()
XXXXXXXX
XXXXXX
XXXXxnxXX
XXXXXXXX
XXXXXXXX.r
g1Z2d
ttt
A.射出粒子帶正電
B.射出粒子的最大速度為誓坦
C.保持d和L不變,增大反射出粒子的最大速度與最小速度之差增大
D.保持d和3不變,增大L,射出粒子的最大速度與最小速度之差增大
2.(2024廣東梅州模擬)如圖所示,正方形abed內(nèi)有一垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(圖中未畫出),一束電
子以不同的速度沿加方向垂直磁場射入,形成從c點(diǎn)離開磁場區(qū)域和從d點(diǎn)離開磁場區(qū)域的甲、乙
兩種軌跡。設(shè)沿甲、乙軌跡運(yùn)動(dòng)的電子速度大小分別為u甲、u乙,在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間分別為/甲、t
乙,則()
A1
A.u甲二,u乙/甲二/乙
11
B.u甲二,口乙/甲='/乙
C.u甲=2u乙/甲二,乙
D.v甲二2u乙/甲二三/乙
3.圓形區(qū)域的勻強(qiáng)磁場如圖所示,磁感應(yīng)強(qiáng)度為民方向垂直紙面向里,邊界跟y軸相切于坐標(biāo)原點(diǎn)
0。。點(diǎn)處有一放射源,沿紙面向各方向射出速率均為v的某種帶電粒子,帶電粒子在磁場中做圓周
運(yùn)動(dòng)的半徑是圓形磁場區(qū)域半徑的2倍。已知該帶電粒子的質(zhì)量為加、電荷量為%不考慮帶電粒子
的重力。
y,
'XXXX
°,XXXX,!X
\xXXx/
'、一-/
(1)推導(dǎo)帶電粒子在磁場空間做圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑。
(2)求帶電粒子通過磁場空間的最大偏轉(zhuǎn)角。
題組二“磁聚焦”和“磁發(fā)射”模型
4.帶電粒子流的磁聚焦是薄膜材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。磁聚焦原理如圖所示,真空中半徑為廠的圓
形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面的勻強(qiáng)磁場。一束寬度為2人沿x軸正方向運(yùn)動(dòng)的電子流射入該磁場后聚
焦于坐標(biāo)原點(diǎn)0。已知電子的質(zhì)量為加、電荷量為e、進(jìn)入磁場的速度均為%不計(jì)粒子間的相互作
用力,則磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為()
Amv口V2mv
r).------
A?石2er
5.(2023江蘇鹽城三模)如圖所示,紙面內(nèi)有寬為L、水平向右飛行的帶正電粒子流,粒子的質(zhì)量為tn、
電荷量為外速率為見不考慮粒子的重力及相互作用。要使粒子都會(huì)聚到一點(diǎn),可以在粒子流的右
側(cè)虛線框內(nèi)設(shè)計(jì)一勻強(qiáng)磁場區(qū)域,設(shè)瓦=華。選項(xiàng)A、B、C中的曲線均為半徑是L的四分之一圓
qL
弧,其中A、B的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=B0,C的磁感應(yīng)強(qiáng)度8=2瓦;選項(xiàng)D中曲線是直徑為L的圓,磁感應(yīng)強(qiáng)
度8=坑。則磁場區(qū)域的形狀及對應(yīng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度可能是()
帶電粒子流IL
ABCD
6.(多選汝口圖所示,坐標(biāo)原點(diǎn)。處有一粒子源,能向坐標(biāo)平面一、二象限內(nèi)發(fā)射大量質(zhì)量為通電荷
量為q的帶正電粒子(不計(jì)重力),所有粒子速度大小相等。圓心在(0,R)、半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi),有
垂直于坐標(biāo)平面向外的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為磁場右側(cè)有一長度為R且平行于y軸的熒光屏,其
中心5位于(2民出。已知初速度沿y軸正向的粒子經(jīng)過磁場后,恰能垂直射在光屏上,則下列說法正
確的是()
\
乙\a
\
\/
0x
A.所有粒子的初速度大小為警
B.從。點(diǎn)發(fā)射的所有粒子都能垂直射在光屏上
C.能射在光屏上的粒子,在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長為學(xué)
qB
D.能射在光屏上的粒子初速度方向與x軸夾角滿足60。三名120。
綜合提升練
7.(多選)(2024四川綿陽模擬)如圖所示,在尸0之間有水平向右的勻強(qiáng)電場,在之間的兩個(gè)半徑為
R的圓形內(nèi)(不包含邊界)存在方向相反的圓形磁場,兩個(gè)圓形磁場相切且與邊界。也相切,磁感應(yīng)強(qiáng)
度均為我在兩個(gè)圓形磁場右邊并與圓形磁場相切有一個(gè)足夠大的擋板。在下邊圓形磁場的最低點(diǎn)A
處有一個(gè)粒子源可以在平面內(nèi)向磁場內(nèi)各個(gè)方向發(fā)射速率為迎、電荷量為外質(zhì)量為根的帶正電
m
A
PQM
A.粒子速度減到零時(shí)剛好運(yùn)動(dòng)到電場左邊界P
B.粒子水平向左進(jìn)入勻強(qiáng)電場
C.粒子在下邊的圓形磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間均為千
qB
D.粒子無法都垂直打在擋板上
8.(多選)利用磁聚焦和磁控束可以改變一束平行帶電粒子的寬度,人們把此原理運(yùn)用到薄膜材料制備
上,使芯片技術(shù)得到飛速發(fā)展。如圖所示,寬度為力的帶正電粒子流水平向右射入半徑為“的圓形勻
強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為劣,這些帶電粒子都將從磁場圓上。點(diǎn)進(jìn)入正方形區(qū)域,正方形過。
點(diǎn)的一邊與半徑為力的磁場圓相切。在正方形區(qū)域內(nèi)存在一個(gè)面積最小的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,使匯聚到
。點(diǎn)的粒子經(jīng)過該磁場區(qū)域后寬度變?yōu)?“,且粒子仍沿水平向右射出,不考慮粒子間的相互作用力及
粒子的重力,下列說法正確的是()
A.正方形區(qū)域中勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為2%,方向垂直紙面向里
B.正方形區(qū)域中勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為被o,方向垂直紙面向里
2
C.正方形區(qū)域中勻強(qiáng)磁場的最小面積為2(7r-2)r0
2
D.正方形區(qū)域中勻強(qiáng)磁場的最小面積為等r0
9.如圖所示,水平面內(nèi)存在垂直紙面向內(nèi)的圓形勻強(qiáng)磁場,磁場圓心為5、半徑為R,另有一長度為R
的水平線狀粒子發(fā)射源MN,尸為的中點(diǎn),0/連線與垂直。在圓形磁場圓心Oi右側(cè)2R處豎
直放置一個(gè)足夠大的矩形熒光屏,熒光屏上的AB邊與線狀粒子源垂直,過Oi作AB邊的垂線,交
點(diǎn)恰好為AB的中點(diǎn)。。線狀粒子源能沿平行尸Oi方向發(fā)射某種質(zhì)量均為m,電荷量均為q的帶正
電粒子束,帶電粒子的速度大小均為也已知從射出的粒子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后都從尸點(diǎn)射出。不計(jì)粒
子重力和粒子間的相互作用。
(1)求勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度Bi的大小。
(2)以AB邊的中點(diǎn)。為坐標(biāo)原點(diǎn),沿A3方向建立x軸,求從M點(diǎn)射出的粒子打在熒光屏上的位置坐
標(biāo)。
(3)求所有運(yùn)動(dòng)帶電粒子在磁場中掃過的面積。
10.(2024廣東湛江模擬)磁聚焦和磁發(fā)散技術(shù)在許多真空系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用,如電子顯微鏡技術(shù),
它的出現(xiàn)為科學(xué)研究做出了重大貢獻(xiàn)?,F(xiàn)有一個(gè)磁發(fā)散裝置,如圖所示,在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)存
在垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,在圓形磁場區(qū)域右側(cè)有一方向豎直向下、電場強(qiáng)度
為E的勻強(qiáng)電場,電場左邊界與圓形磁場右邊界相切。在水平地面上放置一個(gè)足夠長的熒光屏尸。,
它與磁場相切于尸點(diǎn)。粒子源可以持續(xù)地從P點(diǎn)向磁場內(nèi)發(fā)射速率為V、方向不同的帶正電同種粒
子。經(jīng)觀測,有一粒子a以豎直向上的初速度射入磁場,該粒子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后恰好以水平方向離開磁
場,然后進(jìn)入電場區(qū)域。粒子6進(jìn)入磁場的速度方向與粒子a的速度方向夾角為0(未知),進(jìn)入磁場
后,粒子b的運(yùn)動(dòng)軌跡恰好能通過圓形磁場的圓心。,最終也進(jìn)入電場區(qū)域。已知電場強(qiáng)度和磁感應(yīng)
強(qiáng)度的關(guān)系滿足不計(jì)粒子重力及粒子間相互作用。求:
七
[O-
\,a;II
PQ
⑴粒子的比荷》
⑵粒子b與粒子a的夾角。和6粒子打在熒光屏上的亮點(diǎn)到尸點(diǎn)的距離x;
(3)入射方向與熒光屏所在平面成60。~120。區(qū)間范圍內(nèi)的粒子,最終打到熒光屏上形成的亮線長度。
參考答案
第4講專題提升:“平移圓”“放縮圓”“旋轉(zhuǎn)圓”“磁聚焦”和
“磁發(fā)散”模型
2
1.BC解析利用左手定則可判定,射出粒子帶負(fù)電,A錯(cuò)誤;利用"3=嗎知右胃,能射出的粒子
rqu
半徑滿足上個(gè)等,因此射出粒子的最大速度Vmax=fe2S=*±S,B正確;射出粒子的最小速度
22m2m
:迎汕=警,Avimaxm產(chǎn)警,由此可判定,C正確,D錯(cuò)誤。
2.D解析帶電粒子在勻強(qiáng)磁場中做圓周運(yùn)動(dòng),屬于放縮圓模型,根據(jù)半徑公式『胃可知甲、乙
軌跡運(yùn)動(dòng)的電子在磁場中運(yùn)動(dòng)的速度之比根據(jù)周期公式7=筆可知甲、乙軌跡運(yùn)
Vy.r1qB
CJC7_I
動(dòng)的電子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期相等,故甲、乙軌跡運(yùn)動(dòng)的電子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比
tJLT
F=.=故選Do
乙2T
3.答案(1)見解析(2)60°
解析(1)帶電粒子進(jìn)入磁場后,受洛倫茲力作用,洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得
V2午mv
BDqv=m—M-
(2)粒子的速率均相同,因此粒子軌跡圓的半徑均相同,但粒子射入磁場的速度方向不確定,故可以
保持圓的大小不變,只改變圓的位置,畫出“動(dòng)態(tài)圓”,通過“動(dòng)態(tài)圓''可以觀察到粒子運(yùn)動(dòng)軌跡均為
劣弧,如圖甲所示,對于劣弧而言,弧越長,弧所對應(yīng)的圓心角越大,當(dāng)粒子軌跡圓的弦長等于磁場
直徑時(shí),粒子在磁場空間的偏轉(zhuǎn)角最大,如圖乙所示,有
sin巴/=號(hào)=a即夕max=60。。
甲
乙
2
4.C解析由“磁聚焦”模型可知電子在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R=r,由牛頓第二定律得ei,3=等,
得磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為8=婦,故選Co
er
2
5.A解析已知磁感應(yīng)強(qiáng)度3=%=鬻,由洛倫茲力提供向心力得打。3=7痔?解得粒子的軌道半
徑為「A=L,同理可得第=£,m=a用=心,結(jié)合題意和“磁聚焦”模型的特點(diǎn)可知選項(xiàng)A正確。
6.AD解析由題意可知,初速度沿y軸正向的粒子經(jīng)過磁場后,恰能垂直射在光屏上,有
4所=加9,根據(jù)“磁發(fā)散”模型有廣噎=夫,解得v=管,A正確;由于所有粒子的速度大小相等,但方
向不同,且離開磁場區(qū)域的出射點(diǎn)距離圓心的豎直高度最大值為2尺并不會(huì)垂直打在光屏上,B錯(cuò)
誤;在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長的粒子的軌跡如圖甲所示,由幾何關(guān)系可得,運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長的粒子對應(yīng)
2n
軌跡的圓心角為根據(jù)周期公式7=弛可得占五7=力=等脂錯(cuò)誤;粒子初速度方向與x軸夾
角為仇時(shí),若能打在光屏下端,軌跡如圖乙所示,由幾何關(guān)系可得圓心角為60。,即初速度與x軸夾
角為4=60。,同理粒子打在光屏上端時(shí)(如圖甲所示),初速度與x軸夾角為仇=12(T,D正確。
7.BC解析根據(jù)洛倫茲力提供向心力,有qvoB=*,又丫。=喘,解得片凡滿足磁聚焦的條件,粒
子出磁場后水平向左進(jìn)入勻強(qiáng)電場,B正確;設(shè)粒子在勻強(qiáng)電場中減速到零時(shí)的位移為x,根據(jù)動(dòng)
能定理有-亞元=036為2,解得尤=民而尸。之間的距離d=2R,粒子運(yùn)動(dòng)到尸。中間速度減到零,A
錯(cuò)誤;作出軌跡圖,如圖所示,根據(jù)磁聚焦可以得出粒子在下邊的圓形磁場中運(yùn)動(dòng)的兩段圓弧圓心
角之和是私所以時(shí)間是半個(gè)周期,即仁拶,C正確;根據(jù)磁聚焦知識(shí)粒子在上邊的圓形磁場中射出
qB
后均能垂直打在擋板上,D錯(cuò)誤。
8.BC解析根據(jù)磁聚焦原理,粒子在半徑為廣。的圓形磁場區(qū)域中運(yùn)動(dòng),粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑為
如有q瓦右機(jī),解得瓦=黑,要使匯聚到0點(diǎn)的粒子經(jīng)正方形區(qū)域內(nèi)的磁場偏轉(zhuǎn)后寬度變?yōu)?處
且粒子仍沿水平向右射出,作出軌跡如圖所示,由幾何關(guān)系可知粒子的軌跡半徑為2%,正方形中
磁場區(qū)域內(nèi)應(yīng)該為圓形磁場的一部分,有431V=機(jī)導(dǎo),解得5=贏,比較可得Bi=匏°,由左手定則
2
可知,方向垂直紙面向里,A錯(cuò)誤,B正確;如圖中陰影部分,磁場區(qū)域的最小面積為S2=2(7i-2)r0,C
正確,D錯(cuò)誤。
9.答案(喈(2)x:苧⑶苧
解析(1)帶電粒子在圓形磁場中運(yùn)動(dòng),根據(jù)洛倫茲力提供向心力,有
AV°2
Biqvo=m—
由磁聚焦模型可知,粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r=R
解得圓形磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小
8=3
1qR
⑵設(shè)“點(diǎn)發(fā)射的粒子從尸點(diǎn)離開磁場時(shí)與Q0之間的夾角為伍如圖甲所示,由幾何知
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