硅材料制備技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析

硅材料制備技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析1.硅材料制備過(guò)程中，常用的提純方法是（）A.化學(xué)氣相沉積B.區(qū)域熔煉C.電解精煉D.萃取答案：B解析：區(qū)域熔煉是硅材料制備中常用的提純方法。2.以下哪種原料常用于硅材料的制備（）A.石英砂B.碳酸鈣C.碳酸鈉D.氯化鈉答案：A解析：石英砂是制備硅材料的常見(jiàn)原料。3.在硅的晶體生長(zhǎng)中，直拉法的關(guān)鍵步驟是（）A.引晶B.縮頸C.放肩D.等徑生長(zhǎng)答案：A解析：引晶是直拉法晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵起始步驟。4.硅材料的電阻率主要取決于（）A.雜質(zhì)濃度B.晶體結(jié)構(gòu)C.溫度D.壓力答案：A解析：雜質(zhì)濃度對(duì)硅材料的電阻率起著決定性作用。5.制備硅單晶時(shí)，所用坩堝的材料通常是（）A.石英B.石墨C.陶瓷D.不銹鋼答案：B解析：石墨坩堝常用于硅單晶的制備。6.硅材料的禁帶寬度約為（）A.0.67eVB.1.12eVC.2.0eVD.3.0eV答案：B解析：硅材料的禁帶寬度約為1.12eV。7.硅的原子序數(shù)是（）A.12B.14C.16D.18答案：B解析：硅的原子序數(shù)是14。8.以下哪種不是硅材料的常見(jiàn)應(yīng)用（）A.集成電路B.玻璃制造C.太陽(yáng)能電池D.半導(dǎo)體器件答案：B解析：玻璃制造通常不用硅材料，硅主要用于集成電路、太陽(yáng)能電池和半導(dǎo)體器件等。9.硅的熔點(diǎn)約為（）A.1083℃B.1410℃C.1728℃D.2355℃答案：B解析：硅的熔點(diǎn)約為1410℃。10.在硅材料制備中，用于檢測(cè)雜質(zhì)含量的儀器是（）A.分光光度計(jì)B.質(zhì)譜儀C.原子吸收光譜儀D.紅外光譜儀答案：C解析：原子吸收光譜儀常用于檢測(cè)雜質(zhì)含量。11.硅材料的導(dǎo)電機(jī)理主要是（）A.電子導(dǎo)電B.空穴導(dǎo)電C.電子和空穴導(dǎo)電D.離子導(dǎo)電答案：C解析：硅材料中電子和空穴都參與導(dǎo)電。12.硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程中，控制晶體直徑的方法是（）A.控制溫度B.控制提拉速度C.控制坩堝轉(zhuǎn)速D.控制保護(hù)氣體流量答案：B解析：通過(guò)控制提拉速度來(lái)調(diào)節(jié)晶體直徑。13.以下哪種氣體在硅材料制備中常用作保護(hù)氣（）A.氧氣B.氮?dú)釩.氫氣D.二氧化碳答案：B解析：氮?dú)庠诠璨牧现苽渲谐１挥米鞅Ｗo(hù)氣。14.硅的晶體結(jié)構(gòu)屬于（）A.體心立方B.面心立方C.金剛石結(jié)構(gòu)D.密排六方答案：C解析：硅的晶體結(jié)構(gòu)為金剛石結(jié)構(gòu)。15.硅材料的化學(xué)性質(zhì)相對(duì)（）A.活潑B.穩(wěn)定C.極易氧化D.極易腐蝕答案：B解析：硅材料的化學(xué)性質(zhì)相對(duì)穩(wěn)定。16.制備高純度硅時(shí)，常用的還原劑是（）A.碳B.氫氣C.一氧化碳D.鋁答案：B解析：氫氣是制備高純度硅時(shí)常用的還原劑。17.硅材料的光學(xué)性質(zhì)主要表現(xiàn)為（）A.高透光性B.高反射性C.強(qiáng)吸收性D.各向同性答案：A解析：硅材料具有較高的透光性。18.硅材料的硬度屬于（）A.較軟B.中等硬度C.很硬D.極硬答案：B解析：硅材料的硬度為中等硬度。19.在硅的外延生長(zhǎng)中，常用的氣源是（）A.硅烷B.甲烷C.乙烷D.丙烷答案：A解析：硅烷是硅外延生長(zhǎng)常用的氣源。20.硅材料的熱導(dǎo)率（）A.很高B.較低C.極低D.幾乎為零答案：A解析：硅材料的熱導(dǎo)率較高。21.以下哪種方法不能提高硅材料的純度（）A.多次區(qū)域熔煉B.增加反應(yīng)時(shí)間C.優(yōu)化提純工藝D.降低反應(yīng)溫度答案：D解析：降低反應(yīng)溫度通常不能提高硅材料的純度。22.硅材料的電學(xué)性能會(huì)受到（）的影響。A.壓力B.光照C.磁場(chǎng)D.以上都是答案：D解析：壓力、光照和磁場(chǎng)都會(huì)對(duì)硅材料的電學(xué)性能產(chǎn)生影響。23.制備硅薄膜時(shí)，常用的方法是（）A.濺射法B.溶膠-凝膠法C.水熱法D.沉淀法答案：A解析：濺射法常用于制備硅薄膜。24.硅材料在常溫下與下列哪種物質(zhì)不反應(yīng)（）A.鹽酸B.氫氟酸C.氫氧化鈉溶液D.氧氣答案：D解析：硅在常溫下與氧氣不反應(yīng)。25.硅的氧化物是（）A.氧化硅B.二氧化硅C.三氧化二硅D.以上都不是答案：B解析：硅的氧化物是二氧化硅。26.硅材料的密度約為（）A.2.33g/cm3B.3.2g/cm3C.5.6g/cm3D.7.8g/cm3答案：A解析：硅材料的密度約為2.33g/cm3。27.以下哪種因素會(huì)導(dǎo)致硅材料的電阻率降低（）A.減少雜質(zhì)含量B.降低溫度C.增加雜質(zhì)含量D.提高晶體完整性答案：C解析：增加雜質(zhì)含量會(huì)導(dǎo)致硅材料的電阻率降低。28.硅單晶生長(zhǎng)中，為了獲得良好的晶體質(zhì)量，需要控制（）A.溫度梯度B.壓力梯度C.濃度梯度D.以上都是答案：D解析：為獲得良好晶體質(zhì)量，需要控制溫度梯度、壓力梯度和濃度梯度等。29.在硅材料制備過(guò)程中，需要嚴(yán)格控制的環(huán)境因素是（）A.溫度和濕度B.壓力和光照C.粉塵和靜電D.以上都是答案：D解析：在硅材料制備中，溫度、濕度、壓力、光照、粉塵和靜電等環(huán)境因素都需要嚴(yán)格控制。30.硅材料的介電常數(shù)相對(duì)（）A.較小B.較大C.適中D.不確定答案：B解析：硅材料的介電常數(shù)相對(duì)較大。31.以下哪種不是硅材料制備中的常見(jiàn)缺陷（）A.位錯(cuò)B.層錯(cuò)C.孿晶D.氣泡答案：D解析：氣泡不是硅材料制備中的常見(jiàn)缺陷，位錯(cuò)、層錯(cuò)和孿晶是常見(jiàn)缺陷。32.硅材料的抗輻射性能（）A.很強(qiáng)B.較弱C.中等D.幾乎沒(méi)有答案：B解析：硅材料的抗輻射性能較弱。33.用于硅材料表面拋光的試劑通常是（）A.鹽酸B.硫酸C.氫氟酸和硝酸的混合液D.氫氧化鈉溶液答案：C解析：氫氟酸和硝酸的混合液常用于硅材料表面拋光。34.硅材料的疲勞性能（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：B解析：硅材料的疲勞性能較差。35.以下哪種工藝可以改善硅材料的性能（）A.退火B(yǎng).淬火C.正火D.回火答案：A解析：退火工藝可以改善硅材料的性能。36.硅材料的磁性能（）A.強(qiáng)磁性B.弱磁性C.順磁性D.抗磁性答案：D解析：硅材料具有抗磁性。37.在硅的擴(kuò)散工藝中，常用的擴(kuò)散源是（）A.磷B.硼C.砷D.以上都是答案：D解析：磷、硼、砷在硅的擴(kuò)散工藝中都是常用的擴(kuò)散源。38.硅材料的熱膨脹系數(shù)（）A.很小B.較大C.適中D.不確定答案：C解析：硅材料的熱膨脹系數(shù)適中。39.以下哪種不是硅材料的摻雜元素（）A.鐵B.磷C.硼D.砷答案：A解析：鐵不是硅材料的常見(jiàn)摻雜元素，磷、硼和砷是常見(jiàn)的摻雜元素。40.硅材料的彈性模量（）A.很高B.較低C.適中D.不確定答案：A解析：硅材料的彈性模量很高。41.硅材料的光電轉(zhuǎn)換效率通常（）A.很高B.較低C.適中D.不確定答案：B解析：硅材料的光電轉(zhuǎn)換效率通常較低。42.以下哪種不是硅材料制備中的檢測(cè)方法（）A.X射線(xiàn)衍射B.掃描電子顯微鏡C.差熱分析D.紅外光譜答案：C解析：差熱分析不是硅材料制備中的常見(jiàn)檢測(cè)方法，X射線(xiàn)衍射、掃描電子顯微鏡和紅外光譜是常見(jiàn)檢測(cè)方法。43.硅材料的耐腐蝕性（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：A解析：硅材料的耐腐蝕性很好。44.制備硅納米材料的方法通常不包括（）A.模板法B.氣相沉積法C.液相沉淀法D.電解法答案：D解析：電解法通常不用于制備硅納米材料，模板法、氣相沉積法和液相沉淀法是常見(jiàn)方法。45.硅材料的韌性（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：B解析：硅材料的韌性較差。46.以下哪種不是硅材料的應(yīng)用領(lǐng)域（）A.航空航天B.食品加工C.通信D.計(jì)算機(jī)答案：B解析：食品加工領(lǐng)域通常不使用硅材料，航空航天、通信和計(jì)算機(jī)領(lǐng)域都有應(yīng)用。47.硅材料的抗氧化性（）A.很強(qiáng)B.較弱C.中等D.不確定答案：A解析：硅材料的抗氧化性很強(qiáng)。48.用于硅材料刻蝕的試劑通常是（）A.鹽酸B.氫氟酸C.硝酸D.硫酸答案：B解析：氫氟酸常用于硅材料的刻蝕。49.硅材料的耐磨性能（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：B解析：硅材料的耐磨性能較差。50.以下哪種不是影響硅材料性能的因素（）A.晶體取向B.表面粗糙度C.顏色D.雜質(zhì)分布答案：C解析：顏色不是影響硅材料性能的因素，晶體取向、表面粗糙度和雜質(zhì)分布會(huì)影響性能。51.硅材料的疲勞極限（）A.很高B.較低C.適中D.不確定答案：B解析：硅材料的疲勞極限較低。52.制備硅基復(fù)合材料時(shí)，常用的增強(qiáng)相是（）A.碳纖維B.玻璃纖維C.碳化硅D.以上都是答案：D解析：碳纖維、玻璃纖維和碳化硅在制備硅基復(fù)合材料時(shí)都可用作增強(qiáng)相。53.硅材料的斷裂韌性（）A.很高B.較低C.適中D.不確定答案：B解析：硅材料的斷裂韌性較低。54.以下哪種不是硅材料的制備設(shè)備（）A.單晶爐B.鍍膜機(jī)C.壓鑄機(jī)D.擴(kuò)散爐答案：C解析：壓鑄機(jī)不是硅材料的制備設(shè)備，單晶爐、鍍膜機(jī)和擴(kuò)散爐是常見(jiàn)設(shè)備。55.硅材料的蠕變性能（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：B解析：硅材料的蠕變性能較差。56.在硅的離子注入工藝中，常用的離子是（）A.氫離子B.氦離子C.氮離子D.以上都是答案：D解析：氫離子、氦離子和氮離子在硅的離子注入工藝中都是常用的離子。57.硅材料的阻尼性能（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：B解析：硅材料的阻尼性能較差。58.以下哪種不是硅材料的表面處理方法（）A.電鍍B.氧化C.氮化D.磷化答案：D解析：磷化不是硅材料常見(jiàn)的表面處理方法，電鍍、氧化和氮化是常見(jiàn)方法。59.硅材料的熱穩(wěn)定性（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：A解析：硅材料的熱穩(wěn)定性很好。60.制備硅量子點(diǎn)的方法通常包括（）A.化學(xué)合成B.物理氣相沉積C.液相外延D.以上都是答案：D解析：化學(xué)合成、物理氣相沉積和液相外延都是制備硅量子點(diǎn)的常見(jiàn)方法。61.硅材料的超導(dǎo)性能（）A.很好B.不存在C.較弱D.不確定答案：B解析：硅材料不存在超導(dǎo)性能。62.以下哪種不是硅材料的晶體生長(zhǎng)方法（）A.區(qū)熔法B.提拉法C.鑄造法D.布里奇曼法答案：C解析：鑄造法不是硅材料常見(jiàn)的晶體生長(zhǎng)方法，區(qū)熔法、提拉法和布里奇曼法是常見(jiàn)方法。63.硅材料的霍爾系數(shù)（）A.很大B.很小C.適中D.不確定答案：A解析：硅材料的霍爾系數(shù)很大。64.硅材料的磁阻效應(yīng)（）A.很明顯B.不明顯C.很強(qiáng)D.不確定答案：B解析：硅材料的磁阻效應(yīng)不明顯。65.以下哪種不是硅材料的電學(xué)參數(shù)（）A.介電損耗B.折射率C.電容D.電阻答案：B解析：折射率不是硅材料的電學(xué)參數(shù)，介電損耗、電容和電阻是電學(xué)參數(shù)。66.硅材料的壓電性能（）A.很好B.較差C.不存在D.不確定答案：C解析：硅材料不存在壓電性能。67.制備硅納米線(xiàn)的常用方法是（）A.模板輔助法B.水熱合成法C.溶膠-凝膠法D.以上都是答案：D解析：模板輔助法、水熱合成法和溶膠-凝膠法都是制備硅納米線(xiàn)的常用方法。68.硅材料的光電導(dǎo)性能（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：C解析：硅材料的光電導(dǎo)性能一般。69.以下哪種不是硅材料的光學(xué)參數(shù)（）A.吸收系數(shù)B.反射率C.電導(dǎo)率D.折射率答案：C解析：電導(dǎo)率是電學(xué)參數(shù)，不是光學(xué)參數(shù)。吸收系數(shù)、反射率和折射率屬于光學(xué)參數(shù)。70.硅材料的發(fā)光效率（）A.很高B.較低C.適中D.幾乎為零答案：B解析：硅材料的發(fā)光效率較低。71.在硅材料的化學(xué)蝕刻中，常用的蝕刻劑組合是（）A.鹽酸和硫酸B.氫氟酸和硝酸C.磷酸和醋酸D.氫氧化鈉和氫氧化鉀答案：B解析：氫氟酸和硝酸的組合常用于硅材料的化學(xué)蝕刻。72.硅材料的熱釋電性能（）A.很好B.較差C.不存在D.不確定答案：C解析：硅材料不存在熱釋電性能。73.以下哪種不是硅材料制備中控制晶體生長(zhǎng)速率的因素（）A.溫度B.壓力C.提拉速度D.晶體直徑答案：D解析：晶體直徑不是控制晶體生長(zhǎng)速率的因素，溫度、壓力和提拉速度會(huì)影響生長(zhǎng)速率。74.硅材料的光吸收特性主要在（）A.可見(jiàn)光區(qū)B.紫外光區(qū)C.紅外光區(qū)D.整個(gè)電磁波譜答案：C解析：硅材料的光吸收特性主要在紅外光區(qū)。75.用于檢測(cè)硅材料晶體缺陷的方法是（）A.金相顯微鏡B.掃描隧道顯微鏡C.原子力顯微鏡D.以上都是答案：D解析：金相顯微鏡、掃描隧道顯微鏡和原子力顯微鏡都可用于檢測(cè)硅材料的晶體缺陷。76.硅材料的熱電性能（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：C解析：硅材料的熱電性能一般。77.以下哪種不是影響硅材料外延生長(zhǎng)質(zhì)量的因素（）A.反應(yīng)氣體流量B.反應(yīng)室壓力C.反應(yīng)室溫度D.反應(yīng)室體積答案：D解析：反應(yīng)室體積通常不是影響硅材料外延生長(zhǎng)質(zhì)量的直接因素，反應(yīng)氣體流量、壓力和溫度會(huì)有影響。78.硅材料的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度（）A.很高B.接近絕對(duì)零度C.室溫D.不存在答案：D解析：硅材料不存在超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。79.在硅材料的摻雜過(guò)程中，雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)與（）有關(guān)。A.溫度B.雜質(zhì)濃度C.晶體結(jié)構(gòu)D.以上都是答案：D解析：溫度、雜質(zhì)濃度和晶體結(jié)構(gòu)都會(huì)影響雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)。80.硅材料的非線(xiàn)性光學(xué)性能（）A.很好B.較差C.一般D.不確定答案：B解析：硅材料的非線(xiàn)性光學(xué)性能較差。81.以下哪種不是硅材料的制備工藝（）A.溶膠-凝膠法B.真空蒸發(fā)法C.磁控濺射法D.離心鑄造法答案：D解析：離心鑄造法一般不用于硅材料的制備，溶膠-凝膠法、真空蒸發(fā)法和磁控濺射法是常見(jiàn)的制備工藝。82.硅材料的磁滯回線(xiàn)（）A.明顯B.不明顯C.不存在D.不確定答案：C解析：硅材料不存在磁滯回線(xiàn)。83.制備硅薄膜晶體管常用的技術(shù)是（）A.光刻技術(shù)B.刻蝕技術(shù)C.離子注入技術(shù)D.以上都是答案：D解析：光刻技術(shù)、刻蝕技術(shù)和離子注入技術(shù)在制備硅薄膜晶體管中都常用。84.硅材料的光電響應(yīng)速度（）A.很快B.較慢C.適中D.不確定答案：B解析：硅材料的光電響應(yīng)速度較慢。85.以下哪種不是提高硅材料電學(xué)性能的方法（）A.增加晶體缺陷B.優(yōu)化摻雜C.改善晶體質(zhì)量D.控制雜質(zhì)含量答案：A解析：增加晶體缺陷會(huì)降低硅材料的電學(xué)性能，優(yōu)化摻雜、改善晶體質(zhì)量和控制雜質(zhì)含量可以提高電學(xué)性能。86.硅材料的光學(xué)帶隙（）A.較寬B.較窄C.適中D.不確定答案：B解析：硅材料的光學(xué)帶隙較窄。87.在硅材料的制備過(guò)程中，防止氧化的方法是（）A.通入氮?dú)釨.降低溫度C.增加壓力D.以上都是答案：A解析：通入氮?dú)饪梢栽谥苽溥^(guò)程中防止硅材料氧化。88.硅材料的量子效率（）A.很高B.較低C.適中D.不確定答案：B解析：硅材料的量子效率較低。89.以下哪種不是硅材料在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用形式（）A.二極管B.三極管C.電阻D.電容答案：D解析：電容通常不是直接由硅材料制成，二極管、三極管是常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件應(yīng)用形式。90.硅材料的能隙類(lèi)型是（）A.直接能隙B.間接能隙C.半直接能隙D.不確定答案：B解析：硅材料的能隙類(lèi)型是間接能隙。91.制備硅納米晶的方法通常不包括（）A.激光燒蝕B.機(jī)械球磨C.化學(xué)氣相沉積