YDT 4857.1-2024 800Gb-s相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊 第1部分：ZR

ICS33.180.01

CCSM33

YD

中華人民共和國通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YD/TXXXX.1—202X

800Gb/s相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊

第1部分：ZR

800Gb/sphasemodulationtransceivermodule

—Part1:ZR

（報批稿）

202X-XX-XX發(fā)布202X-XX-XX實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YD/TXXXX.1—202X

前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起

草。

本文件為YD/TXXXX《800Gb/s相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊》的第1部分。YD/TXXXX已經(jīng)發(fā)布了以下

部分：

——第1部分：ZR；

——第2部分：ER；

——第3部分：LR。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。

本文件由中國通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會提出并歸口。

本文件起草單位：中興通訊股份有限公司、中國信息通信科技集團(tuán)有限公司、中國聯(lián)合網(wǎng)絡(luò)通信集

團(tuán)有限公司、朗美通通訊技術(shù)（深圳）有限公司、武漢華工正源光子技術(shù)有限公司、中興光電子技術(shù)有

限公司、中國信息通信研究院、華為技術(shù)有限公司、海思光電子有限公司、蘇州旭創(chuàng)科技有限公司。

本文件主要起草人：沈百林、王逸松、宋夢洋、沈世奎、馬廣鵬、湯彪、武成賓、吳冰冰、蔣臣迪、

耿立民、何子安、胡雅坤。

III

YD/TXXXX.1-202X

引??言

YD/TXXXX《800Gb/s相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊》旨在確立相干傳輸800Gb/s相位調(diào)制光收發(fā)合一模

塊需要遵循的技術(shù)參數(shù)、測試方法、可靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求。擬由三個部分構(gòu)成，隨著技術(shù)發(fā)展

演進(jìn)，未來可能包含更多部分。

——第1部分：ZR。目的在于規(guī)定800Gb/sZR相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊的技術(shù)參數(shù)、測試方法、可

靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求；

——第2部分：ER。目的在于規(guī)定800Gb/sER相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊的技術(shù)參數(shù)、測試方法、可

靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求；

——第3部分：LR。目的在于規(guī)定800Gb/sLR相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊的技術(shù)參數(shù)、測試方法、可

靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求。

IV

YD/TXXXX.1—202X

800Gb/s相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊第1部分：ZR

1范圍

本文件界定了800Gb/sZR相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊（以下簡稱“光模塊”）的術(shù)語和定義、縮略語，

規(guī)定了光模塊的光電特性參數(shù)、封裝形式、外觀、軟件和環(huán)保符合性等技術(shù)要求，描述了相應(yīng)的測試方

法，規(guī)定了檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸和貯存等。

本文件適用于800Gb/sZR相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)和檢驗。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T191包裝儲運圖示標(biāo)志

GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢查程序第1文件：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T26572電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求

GB/T39560（所有部分）電子電氣產(chǎn)品中某些物質(zhì)的測定

SJ/T11364-2014電子信息產(chǎn)品污染控制標(biāo)識要求

YD/T1766-2016光通信用光收發(fā)合一模塊的可靠性試驗失效判據(jù)

YD/T2798.1-2015用于光通信的光收發(fā)合一模塊測試方法第1部分：單波長型

YD/T2904.1-2015集成可調(diào)諧激光器組件第1部分：蝶形封裝組件

YD/T2904.3-2019集成可調(diào)諧激光器組件第3部分：雙通道組件

YD/T3539.1-2019400Gbit/s相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊第1部分：2×200Gbit/s

YD/T3539.2-2021400Gbit/s相位調(diào)制光收發(fā)合一模塊第2部分：1×400Gbit/s

YD/T3786-2020N×400Gb/s光波分復(fù)用（WDM）系統(tǒng)測試方法

IEC61000-4-2電磁兼容試驗第4-2部分：試驗和測量技術(shù)-靜電放電抗擾度試驗

(Electromagneticcompatibility(EMC)Part4-2:Testingandmeasurementtechniques

Electrostaticdischargeimmunitytest)

IEC61000-4-3電磁兼容試驗第4-3部分：試驗和測量技術(shù)-輻射，射頻，電磁場抗擾度試驗

(Electromagneticcompatibility(EMC)Part4-3:Testingandmeasurementtechniques–Radiated,

radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytest)

IEEEP802.3dfIEEE以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)增補(bǔ)9：800Gb/s的媒體訪問控制參數(shù)以及400Gb/s和800Gb/s物理

層和管理參數(shù)（DraftstandardforEthernet-Amendment9:MediaAccessControlParametersfor

800Gb/sandPhysicalLayersandManagementParametersfor400Gb/sand800Gb/sOperation）

ANSI/ESDA/JEDEC-JS-001-2017靜電放電敏感度試驗-人體放電模型(HBM)-器件等級(For

electrostaticdischargesensitivitytesting-humanbodymodel(HBM)-componentlevel)

CFP2MSAHWRev1.0CFP2光模塊硬件規(guī)范(CFPMSACFP2HardwarespecificationRev1.0)

FCCPART15射頻器件(Radiofrequencydevices)

OIF-800ZR800ZR實施協(xié)議(ImplementationAgreementfor800ZRCoherentInterfaces)

1

YD/TXXXX.1-202X

OIF-CFP2-DCO-01.0CFP2-DCO數(shù)字相干光模塊實施協(xié)議(ImplementationAgreementfor

CFP2-DigitalCoherentModuleV1.0)

OIF-CMIS5.2通用管理接口規(guī)范(CommonManagementInterfaceSpecificationRev5.2)

OIF-C-CMIS-01.2相干應(yīng)用通用管理接口規(guī)范(ImplementationAgreementforCoherentCMIS

V1.2)

OSFPMSARev5.0OSFP八通道小型化可插拔模塊規(guī)范(SpecificationforOSFPOCTALSMALLFORM

FACTORPLUGGABLEMODULERev5.0)

QSFP-DDMSARev7.0雙密度小型可插拔多源協(xié)議硬件7.0版(QSFP-DD/QSFP-DD800/QSFP-DD1600

HardwareSpecificationforQSFPDOUBLEDENSITY8XPLUGGABLETRANSCEIVERSRevision7.0)

TelcordiaGR-468-CORE:2004用于通信設(shè)備的光電器件通用可靠性保證要求(Generic

reliabilityassurancerequirementsforoptoelectronicdevicesusedintelecommunications

equipment)

3術(shù)語和定義

YD/T3539.1-2019、YD/T3539.2-2021界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

發(fā)射機(jī)光譜模板TXspectralmasks

規(guī)范發(fā)射機(jī)信號光譜形狀的模板，分上限模板和下限模板。上限模板由四點分段線性曲線組成，下

限模板由三點分段線性曲線組成。

4縮略語

下列縮略語適用于文件。

AQL接收質(zhì)量限（AcceptanceQualityLimit）

CML電流模式邏輯（CurrentModeLogic）

DGD差分群時延（DifferentialGroupDelay）

DSP數(shù)字信號處理（DigitalSignalProcessing）

DWDM密集波分復(fù)用（Densewavelength-divisionmultiplexing）

EMC電磁兼容（ElectromagneticCompatibility）

ESD靜電放電（ElectrostaticDischarge）

EVM誤差向量幅度（ErrorVectorMagnitude）

GND地（Ground）

HBM人體模型（HumanBodyModel）

IA實施協(xié)議（ImplementationAgreement）

LO本振（LocalOscillator）

LVCMOS低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（LowVoltageComplementaryMetalOxideSemiconductor)

LVTTL低電壓晶體管-晶體管邏輯（LowVoltageTransistor-TransistorLogic）

MSA多源協(xié)議(Multi-SourceAgreement)

OSFP800800Gb/s八通道小型化可插拔模塊（800Gb/sOctalSmallFormFactorPluggableModule）

OSNR光信噪比（OpticalSignal-to-NoiseRatio）

PAM4四電平脈沖幅度調(diào)制（PulseAmplitudeModulation4）

2

YD/TXXXX.1—202X

PDL偏振相關(guān)損耗（PolarizationDependentLoss）

PM-16QAM偏振復(fù)用-16階正交幅度調(diào)制（PolarizationMultiplexing–16stateQuadrature

AmplitudeModulation）

PMD偏振模色散（PolarizationModeDispersion）

QSFP-DD800800Gb/s雙密度四通道小型化可插拔模塊（800Gb/sQuadSmallForm-factor

Pluggable-DoubleDensity）

RRC根升余弦（Root-Raised-Cosine）

RX接收機(jī)（Receiver）

TBD待定（ToBeDetermined）

TX發(fā)射機(jī)（Transmitter）

5分類

5.1封裝類型

光模塊按封裝類型可分為：

——CFP2-DCO型；

——QSFP-DD800型；

——OSFP800型。

5.2功耗等級

光模塊按功耗等級分類應(yīng)符合表1給出的要求。

表1功耗等級

功耗等級1234

最大功耗15W20W25W30W

6技術(shù)要求

6.1功能框圖

光模塊功能框圖見圖1。

3

YD/TXXXX.1-202X

圖1光模塊功能框圖

6.2極限條件

光模塊極限條件應(yīng)符合表2給出的要求。

表2極限條件

參數(shù)名稱最小值最大值單位

電源電壓-3.6V

貯存溫度-40+85℃

相對濕度595%

CFP2-DCO-80N

模塊插入力QSFP-DD800-90N

OSFP800-40N

CFP2-DCO-50N

模塊拔出力QSFP-DD800-50N

OSFP800-30N

CFP2-DCO200-次

模塊插拔次數(shù)QSFP-DD80050-次

OSFP80050-次

6.3推薦工作條件

光模塊推薦工作條件應(yīng)符合表3給出的要求。

4

YD/TXXXX.1—202X

表3推薦工作條件

參數(shù)最小值最大值單位

電源電壓3.1353.465V

商業(yè)級0+70

管殼溫度擴(kuò)展級-5+85℃

工業(yè)級-40+85

6.4光接口要求

光模塊的光接口應(yīng)符合表4給出的要求。

表4光接口技術(shù)要求

參數(shù)名稱最小值最大值單位

信號速率945.608945.646Gb/s

中心頻率191.375196.025THz

模塊

通道間隔150-GHz

波長切換時間-180s

發(fā)射機(jī)中心頻率精度-1.8+1.8GHz

(59.3,-9)(59.3,0)

(61.9,-20)(73.1,-10)

發(fā)射機(jī)光譜模板(GHz,dB)

(61.9,-35)(77.5,-15)

見圖2(79.9,-20)

激光器線寬-500kHz

ClassAa-2.0-dBm

平均發(fā)送光功率ClassBa-7.0-dBm

發(fā)送端

ClassCa-13.0-dBm

輸出光功率穩(wěn)定度-0.50.5dB

發(fā)射關(guān)斷時的平均發(fā)送光功率--20dBm

ClassA35-dB

帶內(nèi)OSNRClassB35-dB

ClassC40-dB

EVM-TBD%

發(fā)射機(jī)反射--20dB

平均接收功率范圍-90dBm

背靠背OSNR容限-27.0dB

光通道OSNR代價-1.0dB

接收端接收端回?fù)p20-dB

色散容限2400-ps/nm

PMD容限10-ps

接收機(jī)損傷閾值+10-dBm

aClassA為集成放大器高功率版，ClassB為與400ZR混傳兼容版，ClassC為無放大器低功率版。

5

YD/TXXXX.1-202X

發(fā)射機(jī)光譜模板見圖2，其中實線為上/下限模板，虛線為不同根升余弦因子對應(yīng)的歸一化信號光

譜，發(fā)射機(jī)的歸一化光譜應(yīng)介于上下模板之間。

圖2發(fā)射機(jī)光譜模板

6.5電接口要求

光模塊高速電信號的電氣特性要求應(yīng)符合IEEEP802.3df附錄120G中400GAUI-4C2M、800GAUI-8

C2M的要求。

6.6封裝形式

光模塊機(jī)械尺寸和典型光接口參見附錄A。

光模塊引腳及定義應(yīng)符合附錄B的要求。

6.7外觀要求

光模塊的外觀應(yīng)平滑、潔凈、無油漬、無傷痕及裂紋，整個器件牢固，與連接器插拔平順。標(biāo)志清

晰牢固，標(biāo)志內(nèi)容應(yīng)符合11.1的要求；標(biāo)志貼放位置應(yīng)符合GB/T191中相關(guān)要求。

6.8軟件技術(shù)要求

光模塊軟件技術(shù)要求應(yīng)符合OIF-CMIS5.2和OIF-C-CMIS-01.2的要求。

光模塊的DSP幀相關(guān)處理算法應(yīng)符合OIF-800ZR的要求。

6.9環(huán)保符合性

光模塊的組成材料按照GB/T26572的規(guī)定進(jìn)行分類，限用物質(zhì)含量按照GB/T39560（所有部分）

規(guī)定的方法進(jìn)行試驗。檢測單元盡可能拆分成均質(zhì)材料，各均質(zhì)材料中限用物質(zhì)的含量應(yīng)符合表5中的

限值要求。

6

YD/TXXXX.1—202X

表5光模塊中各均質(zhì)材料限用物質(zhì)的含量限值

限用物質(zhì)種類限用物質(zhì)名稱含量限值

鉛≤0.1%

汞≤0.1%

重金屬

鎘≤0.01%

六價鉻≤0.1%

多溴聯(lián)苯≤0.1%

有機(jī)溴代物

多溴二苯醚≤0.1%

鄰苯二甲酸二（2-乙基己基）酯≤0.1%

鄰苯二甲酸甲苯基丁酯≤0.1%

鄰苯二甲酸酯

鄰苯二甲酸二丁基酯≤0.1%

鄰苯二甲酸二異丁酯≤0.1%

7參數(shù)測試

7.1測試環(huán)境要求

測試環(huán)境要求如下：

——溫度：15℃～35℃；

——相對濕度：45%～75%；

——大氣壓力：86kPa～106kPa。

當(dāng)不能在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行測試時，應(yīng)在測試報告上寫明測試環(huán)境條件。

7.2測試儀器要求

測試所用的儀器儀表應(yīng)在規(guī)定的有效校準(zhǔn)期內(nèi)，如無特殊說明，其精度應(yīng)高于所測參數(shù)精度至少一

個數(shù)量級。

7.3波長切換時間

按YD/T2904.3-2019中6.10節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.4中心頻率及偏移

按YD/T3786-2020中6.1.1.7節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.5發(fā)射機(jī)光譜模板

7.5.1測試框圖

測試框圖見圖3。

圖3發(fā)射機(jī)光譜模板測試框圖

7

YD/TXXXX.1-202X

7.5.2測試步驟

測試步驟如下：

a)測量框圖參考圖3，設(shè)置規(guī)定的波長；

b)用光譜儀測量信號光譜；

c)歸一化信號光譜，選擇相應(yīng)的發(fā)射機(jī)光譜模板，測試信號光譜是否符合發(fā)射機(jī)光譜模板；

d)重復(fù)測試其他波長。

7.6帶內(nèi)OSNR

按YD/T3786-2020中5.3.4節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.7EVM

按YD/T3786-2020中6.1.1.8節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.8激光器線寬

按YD/T2904.1-2015中6.3.7節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.9平均發(fā)送光功率和輸出光功率穩(wěn)定度

按YD/T3786-2020中6.1.1.4節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.10發(fā)射關(guān)斷時的平均發(fā)送光功率

按YD/T2798.1-2015中5.2節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.11發(fā)射機(jī)反射

按YD/T3786-2020中6.1.1.3節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.12平均接收功率范圍

按YD/T3786-2020中6.1.2.1節(jié)和6.1.2.2節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.13背靠背OSNR容限

按YD/T3786-2020中6.1.2.4節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.14光通道OSNR代價

按YD/T3786-2020中5.3.5節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.15接收端回?fù)p

按YD/T3786-2020中6.1.2.3節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.16色散容限

按YD/T3786-2020中6.1.2.5節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

7.17PMD容限

按YD/T3786-2020中6.1.2.6節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

8

YD/TXXXX.1—202X

7.18接收機(jī)損傷閾值

按YD/T2798.1-2015中6.1.4節(jié)的規(guī)定進(jìn)行。

8可靠性試驗

8.1可靠性試驗環(huán)境要求

可靠性試驗環(huán)境要求同7.1。

8.2可靠性試驗要求

可靠性試驗要求應(yīng)符合表6。

9

YD/TXXXX.1-202X

表6可靠性試驗要求

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

ESDANSI/ESDA/JEDEC

人體放電模型-60

物理特等級JS-001-2017

性試驗ESD空氣放電：±15kV，10次放電；

IEC61000-4-2-30

抗擾度b接觸放電：±8kV，10次放電

Telcordia加速度500g，脈沖持續(xù)時間1.0ms，

機(jī)械

GR-468-CORE:2004沖擊次數(shù)：每方向5次，20110

沖擊

3.3.1.1.1方向X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2

機(jī)械Telcordia加速度：20g，頻率：20Hz～2000Hz；

變頻

完整GR-468-CORE:2004掃頻速率：4min/循環(huán)；20110

振動

性試驗3.3.1.1.2循環(huán)次數(shù)：4；循環(huán)/軸向，方向X、Y、Z

Telcordia

光口插拔

GR-468-CORE:2004插拔次數(shù)：200次20110

重復(fù)性

3.3.1.4.1

Telcordia

高溫貯存GR-468-CORE:2004Tstg=+85℃，t=2000h20110

3.3.2.1

Telcordia

低溫貯存GR-468-CORE:2004Tstg=-40℃，t=72h20110

非工作

3.3.2.1

環(huán)境試

Telcordia溫度范圍–40℃～+85℃，溫度變化速率>10℃

驗

溫度循環(huán)GR-468-CORE:2004/min，極限溫度下的停留時間不小于10min，20110

3.3.2.2循環(huán)次數(shù)：500次（UNCc）、100次（COc）

Telcordia

恒定濕熱GR-468-CORE:2004溫度+85℃，相對濕度85%，時間500h20110

3.3.2.3

10

YD/TXXXX.1—202X

表6可靠性試驗要求（續(xù)）

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

Telcordia

壽命最高工作溫度（按產(chǎn)品的工作溫度來定），正

GR-468-CORE:200420110

(高溫)常工作條件下，時間2000h

3.3.3.1

Telcordia

工作環(huán)濕熱循環(huán)溫度范圍+65℃～+25℃～-10℃，高溫時濕度

GR-468-CORE:200420110

境試驗(工作)d90%，低溫濕度不控制，循環(huán)10次

3.3.3.2

Telcordia

恒定濕熱最高工作溫度（按產(chǎn)品的工作溫度來定），相

GR-468-CORE:200420110

(工作)對濕度85%，正常工作條件下，時間1000h

3.3.3.3

aLTPD為批內(nèi)允許不合格品率，SS為最小樣品數(shù)，C為允許失效數(shù)；

b試驗氣候條件除相對濕度為30%～60%外，其它同6.3；試驗室的電磁環(huán)境不應(yīng)影響試驗結(jié)果；

cUNC(Uncontrolled)為非可控環(huán)境，CO(CentralOffice)為可控環(huán)境；

d僅適用于非可控環(huán)境。

8.3失效判據(jù)

8.3.1ESD閾值、機(jī)械完整性、非工作環(huán)境試驗、工作環(huán)境試驗失效判據(jù)

各項試驗完成后，在相同測試條件下，出現(xiàn)下列故障中的任意一種情況即判定為不合格：

——外殼破裂或有裂紋，內(nèi)部元器件發(fā)生脫落；

——光接口參數(shù)不滿足6.4的要求；

——光接口參數(shù)中平均發(fā)送光功率、接收機(jī)靈敏度的變化量大于1dB。

8.3.2ESD抗擾度試驗失效等級判據(jù)

ESD抗擾度等級應(yīng)按照表7規(guī)定的原則進(jìn)行判定，判定為c或d時即為不合格。

表7ESD抗擾度失效等級判據(jù)

等級判定原則

a在制造商、委托方或購買方規(guī)定的限值內(nèi)性能正常

b功能或性能暫時喪失或降低，但在騷擾停止后能自行恢復(fù)，不需要操作者干預(yù)

c功能或性能暫時性喪失或降低，但需操作者干預(yù)才能恢復(fù)

d因設(shè)備硬件或軟件損壞，或數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復(fù)的功能喪失或性能下降

9電磁兼容試驗

9.1電磁兼容試驗要求

光模塊的電磁兼容試驗要求見表8。

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表8電磁兼容試驗要求

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

射頻電磁場80MHz～6000MHz，10V/m，80%幅度調(diào)制

IEC61000-4-3-10

輻射抗擾度試驗(1kHz正弦波)

射頻電磁場FCCPART15

30MHz～40GHzb-30

輻射發(fā)射試驗B級信息技術(shù)設(shè)備要求

aLTPD為批內(nèi)允許不合格品率，SS為最小樣品數(shù)，C為合格判定數(shù)；

b測量頻率上限的選擇如下：頻率低于108MHz，測量頻率上限為1GHz；頻率在108MHz～500MHz之間，測量頻

率上限為2GHz；頻率在500MHz～1GHz之間，測量頻率上限為5GHz；頻率高于1GHz，測量頻率上限為40GHz。

9.2射頻電磁場輻射發(fā)射試驗限值

光模塊的射頻電磁場輻射發(fā)射試驗限值見表9。

表9射頻電磁場輻射發(fā)射試驗限值

B級信息技術(shù)設(shè)備在測量距離10m處B級信息技術(shù)設(shè)備在測量距離3m處

頻率范圍（MHz）準(zhǔn)峰值/平均值限值a峰值限值準(zhǔn)峰值/平均值限值a峰值限值

（dBμV/m）（dBμV/m）（dBμV/m）（dBμV/m）

30～8830-40-

88～21633.5-43.5-

216～96036-46-

960～40000--5474

注1：當(dāng)出現(xiàn)環(huán)境干擾時，可采取附加措施；

注2：B級信息技術(shù)設(shè)備在測量距離3m處或者10m處，二者選一；

注3：在過渡頻率處，可采取較低的限值。

a960MHz及以下頻率測試時限值要求為準(zhǔn)峰值限值；960MHz及以上頻率測試時限值要求為平均值限值和峰值限

值。

9.3失效判據(jù)

電磁兼容試驗失效判據(jù)見YD/T1766-2016中8.2的規(guī)定。

10檢驗規(guī)則

10.1檢驗分類

檢驗分為出廠檢驗、型式檢驗和電磁兼容試驗。出廠檢驗分為常規(guī)檢驗和抽樣檢驗。

10.2出廠檢驗

10.2.1常規(guī)檢驗

常規(guī)檢驗應(yīng)百分之百進(jìn)行，檢驗項目如下：

a）外觀：目測，應(yīng)符合6.7的要求。

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b）性能：對平均發(fā)送光功率、中心頻率及偏移按第7章規(guī)定的測試方法進(jìn)行檢測，其結(jié)果符合6.4

的規(guī)定。

c）高溫電老化

老化條件：在最大工作溫度下，光模塊正常工作狀態(tài)，老化時間至少24h；

恢復(fù)：在正常大氣條件下恢復(fù)1h后按第7章規(guī)定的測試方法進(jìn)行測試；

失效判據(jù)：參數(shù)平均發(fā)送光功率、接收機(jī)靈敏度、中心頻率及偏移等不滿足6.4的規(guī)定，

或者變化量大于1dB。

d）溫度循環(huán)

溫循條件：非工作狀態(tài)，極限溫度-40℃、+85℃，溫度變化速率大于或等于10℃/min，

極限溫度下的停留時間不小于10min，循環(huán)次數(shù)20次；

恢復(fù)：在正常大氣條件下恢復(fù)1h后按第7章規(guī)定的測試方法進(jìn)行測試；

失效判據(jù)：參數(shù)平均發(fā)送光功率、接收機(jī)靈敏度、中心頻率及偏移等不滿足6.4的規(guī)定，

或者變化量大于1dB。

10.2.2抽樣檢驗

從批量生產(chǎn)中生產(chǎn)的同批或若干批產(chǎn)品中，按GB/T2828.1規(guī)定，取一般檢查水平Ⅱ，接收質(zhì)量限

（AQL）和檢驗項目如下：

a）外觀：

AQL取1.5；

檢驗方法：目測，其結(jié)果符合6.7的要求。

b）外形尺寸：

AQL取1.5；

檢驗方法：用滿足精度要求的量度工具測量，其結(jié)果符合6.6的要求。

c）性能檢測：

AQL取0.4；

檢驗方法：同10.2.1b)。

10.3型式檢驗和電磁兼容試驗

10.3.1型式檢驗條件

光模塊有下列情況之一時，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗：

——產(chǎn)品定型時或已定型產(chǎn)品轉(zhuǎn)場時；

——正式生產(chǎn)后，如果結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時；

——產(chǎn)品長期停產(chǎn)12個月后，恢復(fù)生產(chǎn)時；

——出廠檢驗結(jié)果與定型時的型式檢驗有較大差別時；

——正常生產(chǎn)24個月后；

——國家質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出進(jìn)行型式檢驗要求時。

10.3.2電磁兼容試驗條件

光模塊有下列情況之一時，應(yīng)進(jìn)行電磁兼容試驗：

——產(chǎn)品設(shè)計定型時；

——正式生產(chǎn)后，如果結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品的電磁兼容性能時。

10.3.3檢驗要求

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在進(jìn)行型式檢驗前，按第7章的規(guī)定，對樣品的性能參數(shù)進(jìn)行測試，并記錄測試結(jié)果。

10.3.4檢驗項目及抽樣方案

型式檢驗的檢驗項目及抽樣方案應(yīng)符合表6。電磁兼容的試驗項目及抽樣方案應(yīng)符合表8。

10.3.5樣品的使用規(guī)則

樣品的使用規(guī)則如下：

a）凡經(jīng)受了型式檢驗的樣品，一律不能作為合格品交付使用；

b）在不影響檢驗和試驗結(jié)果的條件下，一組樣品可用于其他分組的檢驗和試驗。

10.3.6產(chǎn)品的不合格判定

各項試驗完成后，不合格判定按8.3和9.3規(guī)定執(zhí)行，若其中任何一項試驗不符合要求時，則判該批

不合格。

10.3.7不合格批的重新提交

當(dāng)提交型式檢驗或電磁兼容試驗的任一檢驗批不符合表6或表8中規(guī)定的任一分組要求時，應(yīng)根據(jù)不

合格原因，采取糾正措施后，對不合格的檢驗分組重新提交檢驗。重新檢驗應(yīng)采用加嚴(yán)抽樣方案。若重

新檢驗仍有失效，則該批拒收。如通過檢驗，則判為合格。但重新檢驗不得超過2次，并應(yīng)清楚標(biāo)明為

重新檢驗批。

10.3.8檢驗批的構(gòu)成

提交檢驗的批，可由一個生產(chǎn)批構(gòu)成，或由符合下述條件的幾個生產(chǎn)批構(gòu)成：

——這些生產(chǎn)批是在相同材料、工藝、設(shè)備等條件下制造出來的；

——若干個生產(chǎn)批構(gòu)成一個檢驗批的時間不超過1個月。

11標(biāo)志、包裝、運輸和貯存

11.1標(biāo)志

11.1.1標(biāo)志內(nèi)容

每個產(chǎn)品應(yīng)標(biāo)明產(chǎn)品型號、規(guī)格、編號、批的識別代碼及安全等標(biāo)志。

11.1.2標(biāo)志要求

進(jìn)行全部試驗后，標(biāo)志應(yīng)保持清晰。標(biāo)志損傷了的產(chǎn)品應(yīng)重新打印標(biāo)志，以保證發(fā)貨之前標(biāo)志的清

晰。

11.1.3污染控制標(biāo)志

產(chǎn)品的污染控制標(biāo)志應(yīng)按SJ/T11364-2014第5章規(guī)定，在包裝盒或產(chǎn)品上打印上電子信息產(chǎn)品污

染控制標(biāo)志。

11.2包裝

產(chǎn)品應(yīng)有良好的包裝及防靜電措施，避免在運輸過程中受到損壞。包裝盒上應(yīng)標(biāo)有產(chǎn)品名稱、型號

和規(guī)格、生產(chǎn)廠家、產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)號、防靜電標(biāo)識、激光防護(hù)標(biāo)志等。

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11.3運輸

包裝好的產(chǎn)品可用常用的交通工具運輸，運輸過程中應(yīng)避免雨雪的直接淋襲、烈日曝曬和猛烈撞擊。

11.4貯存

產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為-10℃～+40℃，相對濕度不大于80%且無腐蝕性氣體、液體的倉庫里。貯

存期超過12個月的產(chǎn)品，出庫前，應(yīng)按第7章規(guī)定的方法進(jìn)行光電特性測試，測試結(jié)果應(yīng)符合6.4的規(guī)定

方可出庫。

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附錄A

（資料性）

機(jī)械尺寸

A.1CFP2-DCO型光模塊外形尺寸

CFP2-DCO型光模塊外形尺寸見圖A.1，詳細(xì)規(guī)范見CFP2MSAHWRev1.0的5.3。

單位為毫米

圖A.1CFP2-DCO型光模塊外形尺寸

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A.2QSFP-DD800型光模塊外形尺寸

QSFP-DD800型光模塊外形尺寸見圖A.2，詳細(xì)規(guī)范見QSFP-DDMSARev7.0的7.2。

單位為毫米

圖A.2QSFP-DD800型光模塊外形尺寸

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YD/TXXXX.1-202X

A.3OSFP800型光模塊外形尺寸

OSFP800型光模塊外形尺寸見圖A.3，詳細(xì)規(guī)范見OSFPMSARev5.0的第3章。

單位為毫米

圖A.3OSFP800型光模塊外形尺寸

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附錄B

（規(guī)范性）

引腳及定義

B.1CFP2-DCO型光模塊引腳及定義

CFP2-DCO型光模塊引腳按照OIF-CFP2-DCO-01.0中第10章要求，引腳尺寸按圖B.1，引腳排列按圖

B.2，引腳定義按表B.1。

單位為毫米

圖B.1CFP2-DCO型光模塊引腳尺寸