模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋北京航空航天大學(xué)

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋北京航空航天大學(xué)第一章單元測試

工作在放大區(qū)的某雙極性晶體管，如果當(dāng)基極直流電流為10微安時(shí)，集電極直流電流為1毫安，它的直流電流放大系數(shù)約為（）

A:83B:100C:91

答案:100當(dāng)晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為（）。

A:前者反偏、后者也反偏B:前者正偏、后者反偏C:前者正偏、后者也正偏

答案:前者正偏、后者也正偏當(dāng)晶體管工作在截止區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為（）。

A:前者正偏、后者反偏B:前者正偏、后者也正偏C:前者反偏、后者也反偏

答案:前者反偏、后者也反偏當(dāng)溫度降低時(shí)，二極管的反向飽和電流將（）

A:不變B:增大C:減小

答案:減小PN結(jié)加反向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將（）

A:變寬B:基本不變C:變窄

答案:變寬

第二章單元測試

放大電路的輸入電阻與信號源內(nèi)阻有關(guān)。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)放大電路的放大倍數(shù)與靜態(tài)工作點(diǎn)無關(guān)。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)晶體管的h參數(shù)等效模型適用于高頻信號。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)當(dāng)二極管正向電流恒定時(shí)，正向壓降隨環(huán)境溫度升高而升高。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)放大電路的輸入電阻可能與負(fù)載有關(guān)。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第三章單元測試

放大電路在低頻信號作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是（）。

A:耦合電容和旁路電容的存在B:放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適C:半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在。D:半導(dǎo)體管的非線性特性

答案:耦合電容和旁路電容的存在當(dāng)信號頻率等于放大電路的fL或fH時(shí)，放大倍數(shù)的值約下降到中頻時(shí)的（）。

A:0.9倍B:0.7倍C:0.5倍

答案:0.7倍對于單管共射放大電路，當(dāng)f＝fL時(shí)，輸出電壓與輸入電壓的相位關(guān)系是（）。

A:－135?B:－90?C:＋45?

答案:－135?如圖所示電路，已知晶體管的，與空載相比，帶上負(fù)載電阻后fL將（）。

A:增大B:減小C:基本不變

答案:增大某放大電路的波特圖如圖所示，從圖可以得到電路的下限頻率fL≈10Hz，上限頻率fH≈10kHz.（）

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第四章單元測試

如圖所示，則此放大電路是引入了以下哪種反饋組態(tài)（）。

A:電流串聯(lián)負(fù)反饋B:電壓串聯(lián)負(fù)反饋C:電壓并聯(lián)負(fù)反饋D:電流并聯(lián)負(fù)反饋

答案:電流串聯(lián)負(fù)反饋如圖所示的放大電路，請選擇引入了哪種反饋組態(tài)（）

A:電壓并聯(lián)負(fù)反饋B:電壓串聯(lián)負(fù)反饋C:電流并聯(lián)負(fù)反饋D:電流串聯(lián)負(fù)反饋

答案:電壓并聯(lián)負(fù)反饋如圖所示的放大電路，電路的反饋系數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:對在輸入量不變的條件下，放大電路中引入的反饋后將發(fā)生如下變化（）

A:輸出電阻減?。籅:輸入電阻增大；C:凈輸入量增大；D:凈輸入量減小

答案:凈輸入量減小為了實(shí)現(xiàn)電壓-電流轉(zhuǎn)換電路，應(yīng)該在放大電路中引入的反饋形式為（）

A:電壓并聯(lián)負(fù)反饋B:電流串聯(lián)負(fù)反饋C:電壓串聯(lián)負(fù)反饋D:電流并聯(lián)負(fù)反饋

答案:電流串聯(lián)負(fù)反饋在單管放大電路中，為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)該引入的反饋類型為（

）

A:交流反饋B:負(fù)反饋C:正反饋D:直流反饋

答案:負(fù)反饋；直流反饋為了從信號源獲取更大的電流，并穩(wěn)定輸出電流，應(yīng)在放大電路中引入的反饋為（

）

A:電流串聯(lián)負(fù)反饋B:電流并聯(lián)負(fù)反饋C:電壓串聯(lián)負(fù)反饋D:電壓并聯(lián)負(fù)反饋

答案:電流并聯(lián)負(fù)反饋

第五章單元測試

運(yùn)算電路如圖，這是（）。

A:積分運(yùn)算電路B:指數(shù)運(yùn)算電路C:對數(shù)運(yùn)算電路D:微分運(yùn)算電路

答案:微分運(yùn)算電路濾波電路如圖，這是（）。

A:帶阻濾波器B:低通濾波器C:高通濾波器D:帶通濾波器

答案:低通濾波器電壓比較器的電壓傳輸特性三要素包括（）。

A:輸出電壓B:輸入電壓C:躍變方向D:閾值電壓

答案:輸出電壓；躍變方向；閾值電壓RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)與（）配合，可以形成正弦波發(fā)生電路。

A:單級共射放大電路B:共集放大電路C:共基放大電路D:兩級共射放大電路

答案:兩級共射放大電路電路如圖，當(dāng)Rw的滑動端位于最上端時(shí)，該電路為（）

A:正弦波發(fā)生電路B:方波發(fā)生電路C:三角波發(fā)生電路D:鋸齒波發(fā)生電路

答案:鋸齒波發(fā)生電路

第六章單元測試

功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大（）。

A:交流功率B:直流功率C:平均功率

答案:交流功率功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指（）。

A:晶體管所消耗的功率與電源提供的平均功率之比B:最大輸出功率與電源提供的平均功率之比C:輸出功率與晶體管所消耗的功率之比

答案:最大輸出功率與電源提供的平均功率之比在選擇功放電路中的晶體管時(shí)，應(yīng)當(dāng)特別注意的參數(shù)有（）。

A:fTB:ICBOC:ICMD:PCME:U（BR）CEOF:β

答案:ICM；PCM；U（BR）CEO如圖所示，電路中晶體管飽和管壓降的數(shù)值為│UCES│，則最大輸出功率POM＝（）。

A:B:C:

答案:已知電路如圖所示，，T1和T2管的飽和管壓降│UCES│＝3V，VCC＝15V，RL＝8Ω。電路中D1和D2管的作用是消除（）。

A:截止失真B:飽和失真C:交越失真

答案:交越失真

第七章單元測試

直流穩(wěn)壓電源中的濾波電路應(yīng)選用（）

A:低通濾波電路B:帶通濾波電路C:高通濾波電路

答案:低通濾波電路串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是（）

A:基準(zhǔn)電壓B:基準(zhǔn)電壓與采樣電壓之差C:采樣電壓

答案:基準(zhǔn)電壓與采樣電壓之差整流電路可將正弦電壓變?yōu)槊}動的