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文檔簡介
《表面等離子體光刻正入射照明掩模制造
工藝規(guī)范》
編制說明
團標制定工作組
二零二四年一月
一、工作簡況
(一)任務來源
根據(jù)2023年全國標準化工作要點,大力推動實施標準化戰(zhàn)略,
持續(xù)深化標準化工作改革,加強標準體系建設,提升引領高質量發(fā)展
的能力。為響應市場需求,需要制定完善的表面等離子體光刻正入射
照明掩模制造工藝規(guī)范團體標準,對產(chǎn)品進行管理,滿足市場質量提
升需要。依據(jù)《中華人民共和國標準化法》,以及《團體標準管理規(guī)
定》相關規(guī)定,中國國際科技促進會決定立項并聯(lián)合天府興隆湖實驗
室等相關單位共同制定《表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝
規(guī)范》團體標準。于2023年11月16日,中國國際科技促進會標準
化工作委員會發(fā)布了《關于開展<表面等離子體光刻正入射照明掩模
制造工藝規(guī)范>團體標準立項通知》(【2023】中科促標字第1093號),
項目計劃編號CI2023473,正式立項。
(二)編制背景及目的
光刻掩模在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精
確定位,以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構。掩模板應
用十分廣泛,在涉及光刻工藝的領域都需要使用掩模板,如IC
(IntegratedCircuit,集成電路)、FPD(FlatPanelDisplay,平
板顯示器)、PCB(PrintedCircuitBoards,印刷電路板)、MEMS(Micro
ElectroMechanicalSystems,微機電系統(tǒng))等。
光刻掩模是集成電路光刻工藝中的圖形轉移工具或母版。光掩膜
的功能類似于傳統(tǒng)相機的“底片”,在光刻機、光刻膠的配合下,將
光掩膜上已設計好的圖案,通過曝光和顯影等工序轉移到襯底的光刻
膠上,進行圖像復制,從而實現(xiàn)批量生產(chǎn)。光掩膜主要供應商以美日
大廠為主,其中日本凸版印刷、大日本印刷、美國Photronics三家
就占了80%以上的市占率,其他還有日本豪雅HOYA、日本SK電子、
中國臺灣光罩等。
目前我國芯片制造能力與國際先進水平仍有差距,半導體領域用
掩模板行業(yè)的中高端市場仍主要由國外掩模板廠商占據(jù),國內的掩模
板廠商的技術能力主要集中在芯片封測用掩模板以及100nm節(jié)點以
上的晶圓制造用掩模板,與國際領先企業(yè)有著較為明顯的差距。
表面等離子體光刻是一種先進的光刻技術,它利用表面等離子體
共振效應來實現(xiàn)高分辨率的微納米加工。正入射照明是一種照明方式,
光線垂直于被照射物體的表面。在表面等離子體光刻中,正入射照明
對于產(chǎn)生高分辨率的圖案是至關重要的。在光刻中,正入射照明意味
著光線垂直射向掩模(光刻掩模),并且沿垂直方向反射或透射到目
標材料(通常是半導體晶圓)。這種光刻技術常用于特定制程步驟,
以實現(xiàn)微電子器件中的精確圖案和結構。
正入射照明的優(yōu)勢包括:
——增加分辨率:正入射照明有助于產(chǎn)生更為細致的圖案,因為
光線垂直于掩膜和光刻膠表面,有利于準確傳遞掩膜上的圖案到光刻
膠上;
——減小圖案失真:正入射照明減少了由于斜角入射光線引起的
圖案失真,有助于保持光刻圖案的形狀和尺寸的準確性;
——提高對比度:正入射照明可以增加圖案的對比度,使圖案邊
緣更為清晰,有助于實現(xiàn)更為精細的加工;
——減小光刻膠厚度對圖案的影響:光刻膠的厚度對于圖案的形
成有影響,正入射照明可以減小光刻膠厚度對圖案形狀的影響,提高
加工的穩(wěn)定性和可控性。
——特殊結構的加工:在一些特殊結構的制備中,正入射照明可
以更好地滿足特定要求,如在納米光子學和生物傳感器中的應用。
正入射照明掩模具有以下特點:
——垂直射角:光線垂直射向掩模表面,與表面成90°的角度
入射有助于準確地定義芯片上的微小結構;
——高精度:正入射照明通常用于需要高精度和微米級或亞微米
級分辨率的制程步驟。
正入射照明掩模是一種用于實現(xiàn)高精度制程的工具和技術之一,
有助于確保半導體芯片的性能和可靠性。
(三)主要起草單位及起草人所做的工作
主要起草單位:天府興隆湖實驗室聯(lián)合各企業(yè)、單位的專家成立
了規(guī)范起草小組,開展標準的編制工作。
經(jīng)工作組的不懈努力,在2024年1月,完成了標準征求意見稿
的編寫工作。
(四)編制過程
1、項目立項階段
目前,無《表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝規(guī)范》相
關國家、行業(yè)、地方及團體標準,僅有GB/T15870-1995《硬面光掩
模用鉻薄膜》、GB/T15871-1995《硬面光掩?;濉?、GB/T16523-1996
《圓形石英玻璃光掩模基板規(guī)范》、GB/T34178-2017《光掩模石英玻
璃基板》等基材標準;GB/T16524-1996《光掩模對準標記規(guī)范》、GB/T
16880-1997《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》、GB/T16879-1997
《掩模曝光系統(tǒng)精密度和準確度的表示準則》、SJ/T31080-2016《光
掩模制作用圖形發(fā)生器完好要求和檢查評定方法》、SJ/T11863-2022
《單片超大尺寸掩模板裝載盒規(guī)范》、SJ/T11079-1996《掩模對準曝
光機通用技術條件》等加工過程設計的方法及設備相關標準;美國電
子電路和電子互連行業(yè)協(xié)會(US-IPC)發(fā)布了掩模焊接后清潔方面的
規(guī)范IPCSM-839《PreandPostSolderMaskApplicationCleaning
Guidelines》,并無掩模制造整個工藝流程相關的國際標準。
為填補掩模制造行業(yè)標準空白,特制定《表面等離子體光刻正入
射照明掩模制造工藝規(guī)范》團體標準?!侗砻娴入x子體光刻正入射照
明掩模制造工藝規(guī)范》團體標準的制定,能規(guī)范化和統(tǒng)一化該制造工
藝:
——提高生產(chǎn)效率:簡化生產(chǎn)流程,降低生產(chǎn)過程的復雜性。通
過規(guī)范化的操作方法和標準化的設備,減少生產(chǎn)中的浪費,提高生產(chǎn)
效率;
——降低生產(chǎn)成本:降低生產(chǎn)中的變動性和不確定性,減少因為
生產(chǎn)過程不穩(wěn)定而導致的廢品和返工率;
——確保產(chǎn)品質量:通過明確的操作規(guī)程和質量標準,控制生產(chǎn)
過程,減少缺陷產(chǎn)品的生產(chǎn),提高產(chǎn)品符合性(良品率);
——促進質量管理:通過建立標準化的制造工藝,追蹤和監(jiān)控制
造過程,及時發(fā)現(xiàn)問題并采取糾正措施。
2、理論研究階段
標準起草組成立伊始就表面等離子體光刻正入射照明掩模制造
工藝要求進行了深入的調查研究,同時廣泛搜集相關標準和國外技術
資料,進行了大量的研究分析、資料查證工作,確定了標準的制定原
則,結合現(xiàn)有實際應用經(jīng)驗,為標準的起草奠定了基礎。
標準起草組進一步研究了表面等離子體光刻正入射照明掩模制
造工藝的主要特點和要求,為標準的具體起草指明方向。
3、標準起草階段
在理論研究基礎上,起草組在標準編制過程中充分借鑒已有的理
論研究和實踐成果,基于我們基本國情,經(jīng)過數(shù)次修改,形成了《表
面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝規(guī)范》標準草案稿。
4、標準征求意見階段
形成標準草案稿之后,起草組召開了多次專家研討會,從標準框
架、標準起草等角度廣泛征求多方意見,從理論完善和實踐應用方面
提升標準的適用性和實用性。經(jīng)過理論研究和方法驗證,明確和規(guī)范
表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝規(guī)范。起草組形成了《表
面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝規(guī)范》(征求意見稿)。
擬定于2024年1月對外征求意見。
二、標準編制原則和主要內容
(一)標準制定原則
本標準依據(jù)相關行業(yè)標準,標準編制遵循“前瞻性、實用性、統(tǒng)
一性、規(guī)范性”的原則,注重標準的可操作性,嚴格按照GB/T1.1
最新版本的要求進行編寫。
(二)標準主要技術內容
本標準征求意見稿包括8個部分,主要內容如下:
1、范圍
介紹本文件的主要內容以及本文件所適用的領域。
2、規(guī)范性引用文件
列出了本文件引用的標準文件。
3、術語和定義
SJ/T10152、SJ/T10584界定的術語和定義適用于本文件。
4、縮略語
列出了本文件使用的縮略語。
5、工藝保障條件要求
給出了表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝時的人員、環(huán)
境、設備要求。
6、材料要求
給出了表面等離子體光刻正入射照明掩模制造所需的主要材料。
7、安全要求
規(guī)定了表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝過程中對人
員、環(huán)境、設備及產(chǎn)品安全的要求。
8、工藝要求
給出了表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝流程,并對每
一步的操作做出指示。
三、試驗驗證的分析、綜述報告及技術經(jīng)濟論證
結合實際應用進行試驗驗證。
能夠有效指導表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝的制
造和檢驗,有利于提高該類產(chǎn)品的質量水平,滿足環(huán)境需求。對相關
企業(yè)標準化管理水平的提升、科技成果認定、及今后類似產(chǎn)品的研發(fā)
具有重要意義。
四、與國際、國外同類標準技術內容的對比情況,或者與測試的國
外樣品、樣機的有關數(shù)據(jù)對比情況
無。
五、以國際標準為基礎的起草情況,以及是否合規(guī)引用或者采用國
際國外標準,并說明未采用國際標準的原因
無。
六、與有關法律、行政法規(guī)及相關標準的關系
符合現(xiàn)行相關法律、法規(guī)、規(guī)章及相關標準,與強制性標準協(xié)調
一致。在廣泛調研、查閱和研究國際標準、國家標準、行業(yè)標準的基
礎之上,形成本標準征求意見稿。本標準的制定引用的標準如下:
GB8978污水綜合排放標準
GB/T19022測量管理體系測量過程和測量設備的要求
GB/T25915.1—2021潔凈室及相關受控環(huán)境第1部分:按粒
子濃度劃分空氣潔凈度等級
SJ/T10152集成電路主要工藝設備術語
SJ/T10584微電子學光掩蔽技術術語
七、重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)
無。
八、涉及專利的有關說明
不涉及。
九、標準實施
制定標準宣傳計劃:制定詳細的宣傳計劃,明確宣傳的目標、受
眾群體、傳播渠道和時間表。確定合適的宣傳材料,如宣傳冊、海報、
網(wǎng)站內容等,以便向各方傳達標準的重要性和好處。
建立合作伙伴關系:與相關機構、組織、行業(yè)協(xié)會等建立合作伙
伴關系,共同推廣標準的實施和應用。利用合作伙伴的資源和渠道,
加強標準的推廣和傳播力度。
培訓和教育:開展培訓和教育活動
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