2024-2025學(xué)年高二化學(xué)(人教版)選擇性必修2 模塊綜合試卷

模塊綜合試卷(滿分：100分)一、選擇題(本題共15小題，每小題3分，共45分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題目要求)1.（2024·吉林，2）下列化學(xué)用語(yǔ)或表述正確的是（）A.中子數(shù)為1的氦核素:B.SiO2的晶體類型：分子晶體C.F2的共價(jià)鍵類型：p?pσ鍵D.PCl3的空間結(jié)構(gòu)：平面三角形答案C解析中子數(shù)為1的He核素其質(zhì)量數(shù)為1+2=3，故應(yīng)表示為23He，A錯(cuò)誤；兩個(gè)F原子中2p軌道單電子相互重疊形成p?pσ鍵，C正確；PCl3的中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，存在1個(gè)孤電子對(duì)，其VSEPR模型為四面體形，PCl3的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形，2.（2024·湖北，5）基本概念和理論是化學(xué)思維的基石。下列敘述錯(cuò)誤的是（）A.VSEPR理論認(rèn)為VSEPR模型與分子的空間結(jié)構(gòu)相同B.元素性質(zhì)隨著原子序數(shù)遞增而呈周期性變化的規(guī)律稱為元素周期律C.泡利原理認(rèn)為一個(gè)原子軌道內(nèi)最多只能容納兩個(gè)自旋相反的電子D.sp3雜化軌道由1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混雜而成答案A解析VSEPR模型是價(jià)層電子對(duì)的空間結(jié)構(gòu)模型，而分子的空間結(jié)構(gòu)指的是成鍵電子對(duì)的空間結(jié)構(gòu)，不包括孤電子對(duì)，當(dāng)中心原子無孤電子對(duì)時(shí)，兩者空間結(jié)構(gòu)相同，當(dāng)中心原子有孤電子對(duì)時(shí)，兩者空間結(jié)構(gòu)不同，故A錯(cuò)誤；在一個(gè)原子軌道內(nèi)，最多只能容納2個(gè)電子，它們的自旋相反，這個(gè)原理被稱為泡利原理，故C正確；1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混雜形成4個(gè)能量相同、方向不同的軌道，稱為sp3雜化軌道，故D正確。3.乙二胺()是一種重要的有機(jī)化工原料，下列關(guān)于乙二胺的說法不正確的是()A.易溶于水，其水溶液顯堿性B.H—C—H鍵角大于H—N—H鍵角C.第二周期中第一電離能大于C小于N的元素只有一種D.［Cu(H2NCH2CH2NH2)2］2+中，提供孤電子對(duì)形成配位鍵的是Cu2+答案D解析乙二胺中含氨基，能與水形成分子間氫鍵，易溶于水，其水溶液顯堿性，A正確；—NH2中含有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的排斥力大于成鍵電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的排斥力，所以H—C—H鍵角大于H—N—H鍵角，B正確；第二周期中第一電離能大于C小于N的只有氧元素，C正確；乙二胺與Cu2+形成的［Cu(H2NCH2CH2NH2)2］2+中，提供孤電子對(duì)形成配位鍵的是N，D錯(cuò)誤。4.2022年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)?lì)C給了在“點(diǎn)擊化學(xué)”領(lǐng)域做出貢獻(xiàn)的科學(xué)家。一種“點(diǎn)擊化學(xué)”試劑XYZ2W3是由四種短周期主族元素組成，其中X、Z、W的原子序數(shù)依次遞減，三者基態(tài)原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)數(shù)相同，Y的原子序數(shù)是Z的兩倍，下列說法正確的是()A.簡(jiǎn)單氫化物分子中的鍵角：Y>ZB.電負(fù)性和第一電離能均有Z>WC.同周期元素形成的簡(jiǎn)單氫化物中X穩(wěn)定性最強(qiáng)D.同周期主族元素基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)少于Y的有2種答案C解析氧原子的原子半徑小于硫原子，水分子中成鍵電子對(duì)間的斥力大于硫化氫分子，所以水分子的鍵角大于硫化氫，故A錯(cuò)誤；同周期元素，從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，氮原子的2p軌道為穩(wěn)定的半充滿結(jié)構(gòu)，元素的第一電離能大于相鄰元素，則氮元素的第一電離能大于氧元素，故B錯(cuò)誤；同周期元素，從左到右非金屬性依次增強(qiáng)，簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性依次增強(qiáng)，所以氟化氫的穩(wěn)定性最強(qiáng)，故C正確；基態(tài)硫原子的未成對(duì)電子數(shù)為2，第三周期主族元素中未成對(duì)電子數(shù)小于2的有鈉原子、鎂原子、鋁原子、氯原子，共有4種，故D錯(cuò)誤。5.冠醚是由多個(gè)二元醇分子之間脫水形成的環(huán)狀化合物。18?冠?6可用作相轉(zhuǎn)移催化劑，其與K+形成的螯合離子結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是()A.該螯合離子中碳與氧原子具有相同的雜化類型B.該螯合離子中所有非氫原子可以位于同一平面C.該螯合離子中極性鍵與非極性鍵的個(gè)數(shù)比為7∶1D.該螯合離子形成的晶體類型為離子晶體答案B解析該螯合離子中C、O原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)都是4，所以C、O原子都采用sp3雜化，C與O原子的雜化類型相同，A項(xiàng)正確；該螯合離子中C、O原子都采用sp3雜化，具有甲烷結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，所以該螯合離子中所有非氫原子不位于同一平面，B項(xiàng)錯(cuò)誤；該螯合離子中含有24個(gè)C—H極性鍵、12個(gè)C—O極性鍵、6個(gè)O—K極性鍵，C—C非極性鍵為6個(gè)，所以極性鍵與非極性鍵的個(gè)數(shù)比為42∶6=7∶1，C項(xiàng)正確；離子化合物形成的晶體為離子晶體，該螯合離子為陽(yáng)離子，其形成的晶體類型為離子晶體，D項(xiàng)正確。6.(2023·青海高二月考)聯(lián)氨(N2H4)可用于處理鍋爐水中的溶解氧，防止鍋爐被腐蝕，其中一種反應(yīng)機(jī)理如圖所示。下列敘述正確的是()A.N2H4分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為5∶1B.1molN2H4可處理水中1.5molO2C.［Cu(NH3)4］2+中存在離子鍵、配位鍵和極性共價(jià)鍵D.氨水中NH3與H2O間存在氫鍵答案D解析聯(lián)氨分子中含有4個(gè)N—H和1個(gè)N—N，只含有單鍵，即只含有σ鍵，不含有π鍵，故A錯(cuò)誤；1molN2H4失去電子生成氮?dú)?，轉(zhuǎn)移4mol電子，而1molO2得到4mol電子，根據(jù)得失電子守恒可知，1molN2H4可處理水中1molO2，故B錯(cuò)誤；［Cu(NH3)4］2+中銅離子與氨分子之間存在配位鍵，氨分子中N與H形成極性共價(jià)鍵，但是不存在離子鍵，故C錯(cuò)誤。7.(2024·安徽，8)某催化劑結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是（）A.該物質(zhì)中Ni為+2價(jià)B.基態(tài)原子的第一電離能：Cl>PC.該物質(zhì)中C和P均采取sp2雜化D.基態(tài)Ni原子價(jià)電子排布式為3d84s2答案C解析由結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知，P原子的3個(gè)單電子與苯環(huán)形成共用電子對(duì)，P原子剩余的孤電子對(duì)與Ni形成配位鍵，Cl-提供孤電子對(duì)與Ni形成共價(jià)鍵，由于整個(gè)分子呈電中性，故該物質(zhì)中Ni為+2價(jià)，A項(xiàng)正確；同周期元素隨著原子序數(shù)的增大，第一電離能有增大趨勢(shì)，故基態(tài)原子的第一電離能：Cl>P，B項(xiàng)正確；C均存在于苯環(huán)上，采取sp2雜化，P價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，采取sp3雜化，C項(xiàng)錯(cuò)誤；Ni的原子序數(shù)為28，位于第四周期第Ⅷ族，基態(tài)Ni原子價(jià)電子排布式為3d84s2，D項(xiàng)正確。8.NaAlH4晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，它由兩個(gè)正六面體疊加而成，已知正六面體的棱長(zhǎng)為anm。下列說法錯(cuò)誤的是（）A.NaAlH4晶體中，與AlH4-緊鄰且等距的Na+B.設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體的密度為1.08×1023C.制備NaAlH4的反應(yīng)選擇在乙醚（CH3CH2OCH2CH3）中進(jìn)行，也可以在水中進(jìn)行D.AlH答案C解析以體心的AlH4-研究，與之緊鄰且等距的Na+位于晶胞棱之間、晶胞中上面立方體左右側(cè)面面心、晶胞中下面立方體前后面的面心，與AlH4-緊鄰且等距的Na+有8個(gè)，A正確；由晶體結(jié)構(gòu)可知：AlH4-數(shù)目為1+8×18+4×12=4，Na+數(shù)目為6×12+4×14=4，晶胞質(zhì)量為4×54NAg，晶體密度為4×54NAg(a×10-7cm)2×2a×10-7cm=1.08×1023a3NAg·cm-3，B正確；制備NaAlH4的反應(yīng)選擇在乙醚(CH3CH2OCH29.某種新型導(dǎo)電材料將鋰原子嵌入石墨烯層間，晶體結(jié)構(gòu)如圖(長(zhǎng)方體)。下列有關(guān)說法正確的是()A.石墨片層間作用力較弱，故硬度和熔點(diǎn)都較低B.這種新型材料有望應(yīng)用于水性鋰離子電池中C.晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)iC6D.距離Li原子最近且相等的Li原子有6個(gè)答案C解析根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，Li位于頂角，晶胞含有1個(gè)Li原子，中間的碳原子環(huán)有6個(gè)碳原子位于面上，有2個(gè)位于晶胞體內(nèi)，晶胞中碳原子數(shù)共有6個(gè)，晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)iC6，C項(xiàng)正確；因?yàn)槭情L(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)，故距離Li原子最近且相等的Li原子有4個(gè)，D項(xiàng)錯(cuò)誤。10.(2023·遼寧，9改編)某種鎂鹽具有良好的電化學(xué)性能，其陰離子結(jié)構(gòu)如圖所示。W、X、Y、Z、Q是核電荷數(shù)依次增大的短周期元素，W、Y原子序數(shù)之和等于Z，Y原子價(jià)電子數(shù)是Q原子價(jià)電子數(shù)的2倍。下列說法錯(cuò)誤的是()L為A.W與X的化合物不一定為極性分子B.第一電離能：Z>X>YC.Q的氧化物是兩性氧化物D.該陰離子中含有配位鍵答案B解析W、X、Y、Z、Q是核電荷數(shù)依次增大的短周期元素，W形成1個(gè)單鍵且核電荷數(shù)最小，W為H，X形成4個(gè)鍵，核電荷數(shù)大于H，且小于其他三種元素，X為C，Y形成2個(gè)單鍵，核電荷數(shù)大于C，Y為O，W、Y原子序數(shù)之和等于Z，Z為F，Y原子價(jià)電子數(shù)為Q原子價(jià)電子數(shù)的2倍，Q為Al。W與X的化合物不一定為極性分子，如CH4為非極性分子，A正確；同周期元素從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，則第一電離能：F>O>C，B錯(cuò)誤；Q為Al，Al2O3為兩性氧化物，C正確；該陰離子中L與Q之間形成配位鍵，D正確。11.FeSO4·7H2O失水后可轉(zhuǎn)化為FeSO4·6H2O(結(jié)構(gòu)如圖)。下列說法正確的是()A.物質(zhì)中元素電負(fù)性順序：O>H>S>FeB.SO42-中鍵角∠OSO大于H2OC.此結(jié)構(gòu)中H2O與Fe2+、H2O與SOD.基態(tài)S原子核外有16種能量不同的電子答案B解析電負(fù)性：O>S>H>Fe，A項(xiàng)錯(cuò)誤；兩者均為sp3雜化，后者有孤電子對(duì)，鍵角更小，SO42-中的鍵角∠OSO大于H2O中鍵角∠HOH，B項(xiàng)正確；H2O和Fe2+之間為配位鍵，而H2O和SO42-之間為氫鍵，兩個(gè)作用力不同，C項(xiàng)錯(cuò)誤；基態(tài)S原子電子排布為1s22s22p63s23p412.(2024·濟(jì)南高二月考)化合物M是一種新型超分子晶體材料，由X、18?冠?6、HClO4以CH3COCH3為溶劑反應(yīng)制得(如圖)。下列敘述正確的是()A.組成M的元素均位于元素周期表p區(qū)B.M由X的高氯酸鹽與18?冠?6通過氫鍵結(jié)合生成C.M中碳、氮、氯原子的軌道雜化類型均為sp3D.M的晶體類型為分子晶體答案B解析組成M的元素有H、C、N、O、Cl、Br，根據(jù)元素周期表結(jié)構(gòu)可知H位于s區(qū)，A錯(cuò)誤；由圖知，M由X的高氯酸鹽與18?冠?6通過氫鍵結(jié)合生成，B正確；M中苯環(huán)上的碳原子的軌道雜化類型為sp2，C錯(cuò)誤；M的晶體類型為離子晶體，D錯(cuò)誤。13.下列對(duì)一些實(shí)驗(yàn)事實(shí)的理論解釋錯(cuò)誤的是()選項(xiàng)實(shí)驗(yàn)事實(shí)理論解釋A金屬的導(dǎo)熱性好遍布晶體的自由電子受熱加速運(yùn)動(dòng)B酸性：CF3COOH>CCl3COOH氟的電負(fù)性大于氯的電負(fù)性，F(xiàn)—C的極性大于Cl—C的極性，使—CF3的極性大于—CCl3的極性，導(dǎo)致CF3COOH羧基中羥基的極性更大，更易電離出H+CHF的沸點(diǎn)低于HClHF的相對(duì)分子質(zhì)量小于HClD對(duì)羥基苯甲醛()比鄰羥基苯甲醛()的沸點(diǎn)高對(duì)羥基苯甲醛形成分子間氫鍵，鄰羥基苯甲醛形成分子內(nèi)氫鍵答案C14.已知SiCl4發(fā)生水解反應(yīng)的機(jī)理如圖：下列敘述正確的是()A.SiCl4的鍵角與白磷(P4)的鍵角相同B.H4SiO4加熱分解得到的SiO2晶體中最小環(huán)是六元環(huán)C.SiCl4屬于分子晶體D.CCl4不能按照上述機(jī)理發(fā)生水解反應(yīng)，原因是C的原子半徑小答案C解析SiCl4的鍵角為109°28'，白磷(P4)的鍵角為60°，故A錯(cuò)誤；SiO2晶體中最小環(huán)為十二元環(huán)，故B錯(cuò)誤；CCl4不能按照上述機(jī)理發(fā)生水解反應(yīng)，原因是C原子沒有d軌道，難以形成sp3d雜化，故D錯(cuò)誤。15.(2023·青島高二期末)［Co(NH3)6］Cl2晶體的晶胞如圖所示(已知該立方晶胞的邊長(zhǎng)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，［Co(NH3)6］Cl2的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1)，以下說法正確的是()A.［Co(NH3)6］Cl2中，中心離子的配位數(shù)為8B.離［Co(NH3)6］2+最近的Cl-有4個(gè)C.若規(guī)定A點(diǎn)原子坐標(biāo)為(0，0，0)，B點(diǎn)原子坐標(biāo)為12，12D.［Co(NH3)6］Cl2晶體的密度為4Ma3N答案C解析［Co(NH3)6］Cl2的中心離子為Co2+，其配位原子為N，配位數(shù)為6，故A錯(cuò)誤；由［Co(NH3)6］Cl2晶胞結(jié)構(gòu)可知，［Co(NH3)6］2+周圍等距離且最近的Cl-有8個(gè)，故B錯(cuò)誤；C位于晶胞內(nèi)部，若把晶胞分為8個(gè)相等的小立方體，則C位于左后上的小立方體的體心，根據(jù)A、B的原子坐標(biāo)可知，C的原子坐標(biāo)為14，34，34，故C正確；通過晶胞結(jié)構(gòu)，根據(jù)均攤法，一個(gè)晶胞含有的［Co(NH3)6］2+的個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4，含有的Cl-的個(gè)數(shù)為8，故每個(gè)晶胞中含有4個(gè)［Co(NH3)6］Cl2；［Co(NH3)6］Cl2的摩爾質(zhì)量是Mg·mol-1，晶胞體積為a3pm3，則晶胞的密度為二、非選擇題(本題共4小題，共55分)16.(12分)元素周期表中的六種元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大。A的基態(tài)原子價(jià)層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個(gè)電子E2+的d軌道中有10個(gè)電子F單質(zhì)在金屬活動(dòng)性順序中排在最末位(1)寫出E的基態(tài)原子的電子排布式：。

(2)A、B形成的AB-常作為配位化合物中的配體。在AB-中，元素A的原子采取sp雜化，則A與B形成的化學(xué)鍵中含有的σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為。

(3)D與E形成的化合物晶體的晶胞如圖所示。在該晶胞中，E離子的數(shù)目為；該化合物的化學(xué)式為。

(4)在D的氫化物(H2D)中，D原子的雜化軌道類型是。

(5)C的氫化物(H2C)在乙醇中的溶解度大于H2D，其原因是。

(6)D與C可形成的DC42-的空間結(jié)構(gòu)為(7)E、F均能與AB-形成配離子，已知E2+與AB-形成配離子時(shí)，配位數(shù)為4；F+與AB-形成配離子時(shí)，配位數(shù)為2。工業(yè)上常用F+與AB-形成的配離子與單質(zhì)E反應(yīng)，生成E2+與AB-形成的配離子和F單質(zhì)來提取F，寫出上述反應(yīng)的離子方程式：。

答案(1)1s22s22p63s23p63d104s2(2)1∶2(3)4ZnS(4)sp3(5)水分子能和乙醇形成分子間氫鍵(6)正四面體形(7)2［Au(CN)2］-+Zn===［Zn(CN)4］2-+2Au解析(1)E為鋅，基態(tài)原子的電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s2。(2)在CN-中存在碳氮三鍵，三鍵含有1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵，故含有的σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為1∶2。(3)據(jù)“均攤法”，晶胞中含8×18+6×12=4個(gè)灰球、4個(gè)白球，故在該晶胞中，E離子的數(shù)目為4，該化合物的化學(xué)式為ZnS。(4)H2S的中心原子S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+6-1×22=4，S原子采用sp3雜化。(6)SO42-的中心原子S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+6+2-2×42=4，為sp3雜化，空間結(jié)構(gòu)為正四面體形。(7)已知E2+與AB-形成配離子時(shí)，配位數(shù)為4，則為［Zn(CN)4］2-；F+與AB-形成配離子時(shí)，配位數(shù)為2，則為［Au17.(15分)過渡金屬元素及其化合物的應(yīng)用廣泛，是科學(xué)家們進(jìn)行前沿研究的方向之一。(1)基態(tài)Cu原子核外K、L層電子的電子云有種不同的伸展方向。

(2)鋅化銅是一種金屬互化物，元素銅的第二電離能(填“大于”“小于”或“等于”)鋅的第二電離能，理由是

。

(3)［Co(DMSO)6］(ClO4)2是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學(xué)式為(CH3)2SO。(CH3)2SO中C—S—O的鍵角(填“大于”“小于”或“等于”)CH3COCH3中C—C—O的鍵角，理由是；元素S、Cl、O的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椤?/p>

(4)利用CuSO4和NaOH制備的Cu(OH)2懸濁液檢驗(yàn)醛基時(shí)，生成磚紅色的Cu2O，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①該晶胞原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)A為(0，0，0)，C為(12，12，12)，則D原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為②若Cu2O晶體密度為dg·cm-3，晶胞參數(shù)為apm，則阿伏加德羅常數(shù)的值NA為(用含d和a的式子表示)。

答案(1)4(2)大于基態(tài)Cu+核外電子排布為1s22s22p63s23p63d10，3d軌道為全充滿較穩(wěn)定狀態(tài)；基態(tài)Zn+核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1，容易再失去1個(gè)電子(3)小于碳原子半徑小于硫，C—C鍵長(zhǎng)小于S—C鍵長(zhǎng)，CO鍵長(zhǎng)小于SO鍵長(zhǎng)，C、S、O原子間斥力小于C、C、O間斥力O>Cl>S(4)①(34，34，14)②解析(1)基態(tài)Cu原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1，K、L層含有s、p軌道，s軌道有1種伸展方向、p軌道有3種伸展方向，故K、L層電子的電子云有4種不同的伸展方向。(3)同周期從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增強(qiáng)；同主族由上而下，元素的電負(fù)性逐漸減弱，元素S、Cl、O的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺>Cl>S。(4)②若Cu2O晶體密度為dg·cm-3，晶胞參數(shù)為apm；據(jù)“均攤法”，晶胞中含8×18+1=2個(gè)白球、4個(gè)灰球，則晶體密度為2MNAa3×1030g·cm-3=288a3NA×1030g·cm-3=d18.(13分)第ⅤA族元素原子核外電子排布有著特殊性，能與其他元素組成結(jié)構(gòu)、性質(zhì)各異的化合物。回答下列問題：(1)氮原子可以提供孤電子對(duì)與氧原子形成配位鍵，基態(tài)氧原子的價(jià)層電子發(fā)生重排提供一個(gè)空軌道，則重排后的氧原子價(jià)層電子軌道表示式為，基態(tài)氧原子的價(jià)層電子不是重排結(jié)構(gòu)，原因是重排結(jié)構(gòu)不符合(填“泡利原理”或“洪特規(guī)則”)。

(2)沸點(diǎn)：PH3(填“>”或“<”，下同)NH3，鍵角：AsO33-

(3)As、Ge、Se三種元素的第一電離能由大到小的順序是。

(4)TiN晶胞中的少量Ti被Al代替后的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體中，距離Ti最近的Al有個(gè)；原子①與原子②的距離為nm(已知晶體密度為ρg·cm-3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)。

答案(1)洪特規(guī)則(2)<<(3)As>Se>Ge(4)4323解析(1)基態(tài)O原子核外電子排布為1s22s22p4，基態(tài)氧原子的價(jià)層電子發(fā)生重排提供一個(gè)空軌道，則重排后的氧原子價(jià)層電子軌道表示式為；洪特規(guī)則是指在相同能量的軌道上，電子總是盡可能分占不同的軌道且自旋平行，基態(tài)氧原子的價(jià)層電子不是重排結(jié)構(gòu)，原因是重排結(jié)構(gòu)不符合洪特規(guī)則。(2)氨分子可以形成氫鍵，導(dǎo)致沸點(diǎn)升高，故沸點(diǎn)：PH3<NH3；AsO33-、AsO43-中心原子均為sp3雜化，但是AsO33-中存在1個(gè)孤電子對(duì)，孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的斥力大于成鍵電子對(duì)之間的斥力，導(dǎo)致AsO33-中鍵角減小，故鍵角：AsO33-<AsO43-。(3)同周期元素隨著原子序數(shù)增大，第一電離能呈增大趨勢(shì)，As的4p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，故第一電離能由大到小的順序?yàn)锳s>Se>Ge。(4)由圖可知，以右側(cè)棱心的鈦原子為例，晶胞內(nèi)體心鋁原子與其最近，則周圍4個(gè)晶胞中距離Ti最近的Al有4個(gè)；據(jù)“均攤法”，晶胞中含8×18+6×12=4個(gè)N、12×14=3個(gè)Ti、1個(gè)Al，設(shè)晶胞參數(shù)為anm，則晶體密