材料物理性能（山東聯(lián)盟）知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋青島科技大學(xué)

材料物理性能（山東聯(lián)盟）知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋青島科技大學(xué)第一章單元測(cè)試

關(guān)于影響材料導(dǎo)電性因素的描述合理的有（）。

A:一般情況下，固溶體的電阻率高于組元的電阻率。B:“熱塑性變形＋退火態(tài)的電阻率”的電阻率高于“熱塑性變形＋淬火態(tài)”C:冷塑性變形對(duì)金屬電阻率的影響沒(méi)有一定規(guī)律。D:由于晶格振動(dòng)加劇散射增大，金屬和半導(dǎo)體電阻率均隨溫度上升而升高。

答案:一般情況下，固溶體的電阻率高于組元的電阻率。一般情況下，當(dāng)合金形成固溶體時(shí)其導(dǎo)電性（），并遵循50%原則。（）。

A:先增加后下降B:增加C:下降D:不變

答案:下降下列選項(xiàng)中不屬于超導(dǎo)體性質(zhì)的選項(xiàng)是（）。

A:完全抗磁性B:熱釋電性C:通量量子化D:完全導(dǎo)電性

答案:熱釋電性電介質(zhì)極化類(lèi)型有（）

A:馳豫極化B:空間電荷極化C:彈性位移極化D:取向極化

答案:馳豫極化；空間電荷極化；彈性位移極化；取向極化量子自由電子理論和能帶理論均認(rèn)為電子隨能量的分布服從費(fèi)密-狄拉克定律。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第二章單元測(cè)試

下面列舉的磁性中屬于強(qiáng)磁性的是（）。

A:反鐵磁性B:順磁性C:抗磁性D:亞鐵磁性

答案:亞鐵磁性關(guān)于影響材料鐵磁性的因素，下列說(shuō)法中正確的是（）。

A:冷塑性變形使得MS、BR、HC均降低。μB:冷塑性變形使得μi增加C:溫度升高使得MS、BR降低D:溫度升高使得MS、BR、HC均升高

答案:溫度升高使得MS、BR降低關(guān)于材料磁化過(guò)程的說(shuō)法正確的是（）。

A:為減小體系的能量，疇壁向靜磁能較小的那個(gè)磁疇遷移，使靜磁能較大的磁疇增大B:磁疇壁遷移的實(shí)質(zhì)是壁內(nèi)原子磁矩的逐漸轉(zhuǎn)向C:技術(shù)磁化是指在外磁場(chǎng)的作用下鐵磁體被賦予磁性的過(guò)程D:在交換能的作用下，磁矩趨于平行反向排列

答案:為減小體系的能量，疇壁向靜磁能較小的那個(gè)磁疇遷移，使靜磁能較大的磁疇增大關(guān)于鐵磁性金屬的磁致伸縮現(xiàn)象，下列說(shuō)法正確的是（）。

A:磁場(chǎng)退火將令磁疇在室溫磁化時(shí)沿應(yīng)伸長(zhǎng)的方向預(yù)先伸長(zhǎng)，磁致伸縮將不妨礙磁化，獲得較高的磁導(dǎo)率B:磁致伸縮是由材料的形狀各項(xiàng)異性引起的C:對(duì)于負(fù)磁致伸縮材料，膨脹系數(shù)隨溫度變化曲線上存在負(fù)反?，F(xiàn)象D:對(duì)于正磁致伸縮的材料，磁化強(qiáng)度將轉(zhuǎn)向壓應(yīng)力方向

答案:磁場(chǎng)退火將令磁疇在室溫磁化時(shí)沿應(yīng)伸長(zhǎng)的方向預(yù)先伸長(zhǎng)，磁致伸縮將不妨礙磁化，獲得較高的磁導(dǎo)率鐵磁體的形狀各向異性是由退磁場(chǎng)引起的。長(zhǎng)棒狀的鐵磁體試樣越（），形狀各向異性越明顯（）。

A:不規(guī)則B:圓C:短粗D:細(xì)長(zhǎng)

答案:短粗

第三章單元測(cè)試

光與固體相互作用的本質(zhì)有兩種方式（）。

A:電子極化B:電子能態(tài)轉(zhuǎn)變C:偶極子取向極化D:離子極化

答案:電子極化；電子能態(tài)轉(zhuǎn)變影響材料折射率的因素有（）。

A:材料元素的離子半徑B:材料的結(jié)構(gòu)、晶型C:材料的內(nèi)應(yīng)力D:同質(zhì)異構(gòu)體

答案:材料元素的離子半徑；材料的結(jié)構(gòu)、晶型；材料的內(nèi)應(yīng)力；同質(zhì)異構(gòu)體當(dāng)α+γ=900時(shí)，tan(α+γ)=∞，RP=0，表示反射光中沒(méi)有平行入射面的矢量成分，此時(shí)的入射角稱(chēng)為布儒斯特角（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)光在介質(zhì)中光強(qiáng)隨傳播距離呈指數(shù)式增加（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)關(guān)于光譜下列說(shuō)法正確的是（）。

A:發(fā)射光譜指在一定的激發(fā)條件下發(fā)射光強(qiáng)按波長(zhǎng)的分布。B:能夠引起材料發(fā)光的激發(fā)波長(zhǎng)也一定是材料可以吸收的波長(zhǎng)。C:材料吸收光之后一定會(huì)發(fā)射光，所以激發(fā)光譜=吸收光譜。D:激發(fā)光譜指材料發(fā)射某一特定譜線（或譜帶）的發(fā)光強(qiáng)度隨激發(fā)光的波長(zhǎng)而變化的曲線。

答案:發(fā)射光譜指在一定的激發(fā)條件下發(fā)射光強(qiáng)按波長(zhǎng)的分布。；能夠引起材料發(fā)光的激發(fā)波長(zhǎng)也一定是材料可以吸收的波長(zhǎng)。；激發(fā)光譜指材料發(fā)射某一特定譜線（或譜帶）的發(fā)光強(qiáng)度隨激發(fā)光的波長(zhǎng)而變化的曲線。

第四章單元測(cè)試

德拜理論認(rèn)為低溫時(shí)，C與（）成正比（）。

A:T2B:T3C:TD:T-1

答案:T3合金材料的導(dǎo)熱機(jī)構(gòu)是（）。

A:光子B:聲子C:電子D:電子和聲子

答案:電子和聲子下列變化屬于二級(jí)相變的是（）。

A:同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變B:固溶體有序—無(wú)序轉(zhuǎn)變C:純金屬的三態(tài)變化D:共晶轉(zhuǎn)變

答案:固溶體有序—無(wú)序轉(zhuǎn)變金屬熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率之間遵循魏德曼-弗蘭茲定律，其數(shù)學(xué)表達(dá)式為（）。

A:T/ke=L0σB:L0/σ=keTC:ke/σ=L0TD:σ/ke=L0T

答案:ke/σ=L0T格律乃森提出了固態(tài)的體熱膨脹極限方程。指出一般純金屬由溫度0K加熱到熔點(diǎn)TM，膨脹量隨熔點(diǎn)增加而增加（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第五章單元測(cè)試

通過(guò)測(cè)量材料電阻率變化可以研究材料的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)及缺陷，下列敘述不正確的是。（）。

A:利用電阻率的變化規(guī)律可以測(cè)量固溶體溶解度曲線B:利用電阻率的變化規(guī)律可以研究材料的疲勞和裂紋擴(kuò)展情況C:直流四探針?lè)ㄖ饕糜陔娊橘|(zhì)或絕緣體等高電阻率的測(cè)試D:與雙電橋法相比較，電位差計(jì)法更適合于測(cè)試金屬電阻隨溫度的變化

答案:直流四探針?lè)ㄖ饕糜陔娊橘|(zhì)或絕緣體等高電阻率的測(cè)試直流電位差計(jì)法和四點(diǎn)探針?lè)y(cè)量電阻率均可以消除接觸電阻的影響（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)用電阻法研究金屬的晶體缺陷（冷加工或高溫淬火）時(shí)電阻測(cè)量要在低溫下