2022年東微半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈及業(yè)務(wù)布局分析

動型半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級結(jié)MOSFET、SFGMOS和FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET、以及TGBT系列IGBT產(chǎn)品。截至2021年末，公司共計擁有產(chǎn)品規(guī)格型號1790余款，其中高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品(包括超級硅MOSFET)1100款，中低壓SGT產(chǎn)品641款，IGBT產(chǎn)品52款。電機(jī)、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、儲能用領(lǐng)域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機(jī)快速充工業(yè)電源領(lǐng)域，公司終端用戶如客戶A、中國長城、麥格米特、高斯寶電氣、金升陽、深圳雷能、廣州視琨、易事特、日月元、金威源等；新能源汽車充電樁領(lǐng)域終端用戶如英可瑞、站電源及通信電源領(lǐng)域的終端用戶如客戶A、維諦了大功率顯示電源領(lǐng)域的終端用戶如視源股份、美的集團(tuán)、創(chuàng)用需要。超級結(jié)MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性小于普通高壓VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的節(jié)業(yè)收入《億元)節(jié)業(yè)收入《億元)yoy97310頭榮@皆是公司銷售模式以經(jīng)銷為主，占比超過60%。公司在全球范圍內(nèi)積累了眾多的知名終端品牌客戶，2021年公司前五大客戶占比為28.93%。公司采用Fabless經(jīng)營模式，不直接從事芯片的生產(chǎn)和加工環(huán)節(jié)，華虹半導(dǎo)體為主要晶圓代工廠。2018-2021年公司營業(yè)收入從1.53億元增長至7.82億元，CAGR為72.30%,歸母凈利潤從0.13億元增長至1.47億元，CAGR為124.55%。2022Q1公司保持高速發(fā)展態(tài)勢，一季度營收、歸母凈利潤規(guī)模分別為2.06和0.48億元，同比增長45.50%和129.98%。2021年公司銷售毛利率提升至28.72%,同比增加10.87個百分點，22Q1進(jìn)一步提升至32.93%,創(chuàng)歷史新高，持續(xù)受益于下游工業(yè)級、車規(guī)級應(yīng)用領(lǐng)域高景氣，公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、終端產(chǎn)品定價及成本管理能力進(jìn)一步提升。公司大功率產(chǎn)品比重持續(xù)提升，成品售價進(jìn)一步提高，根據(jù)招股說明書、2021年度報告數(shù)據(jù)統(tǒng)計，公司2020年度、2021年度成品平均售價分別為2.09元、2.38元，高于功率半導(dǎo)體器件行業(yè)平均水平。公司產(chǎn)品以高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET以及TGBT系列IGBT產(chǎn)品為主，2021年公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化。2021年度，公司高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品全年實現(xiàn)營業(yè)收入56,856.56萬元，同比增長128.27%;中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品全年實現(xiàn)營業(yè)收入20,569.47萬元，同比增長246.85%;超級硅MOSFET產(chǎn)品全年實現(xiàn)營業(yè)收入214.99萬元，同比增長432.63%;Tri-gateIGBT產(chǎn)品首次量產(chǎn)出貨，全年實現(xiàn)營業(yè)收入568.17萬元。按應(yīng)用領(lǐng)域分類，2021年公司汽車及工業(yè)級應(yīng)用領(lǐng)域營業(yè)收入占比超過60%,預(yù)計2022年Q1上述領(lǐng)域營業(yè)收入占比超過70%。公司重點應(yīng)用領(lǐng)域為新能源汽車充電樁、各類工業(yè)及通信電源、光伏逆變器、車載充電機(jī)，其中，新能源汽車充電樁營收同比增長約190%、各類工業(yè)及通信電源營收同比增長逾140%、光伏逆變器營收同比增長逾200%、車載充電機(jī)的營收約為上年同期的10倍，保持高速增長態(tài)勢。圖5:公司各產(chǎn)品收入占比201820192022年2月10日，公司在科創(chuàng)板上市，募集資金凈額20.07億元，將用于超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)股比例分別為12.07%和9.96%,兩位聯(lián)合創(chuàng)始人均曾在英飛凌等全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)技術(shù)研發(fā)崗任職，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有著國際一流的視野與技術(shù)創(chuàng)新能力。公司其他主要股東中，聚源聚芯持股比例為7.46%,其合伙人包括國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和中芯國際，哈勃投資持股比例為4.94%,其由華為投資控股有限公司持有100%的股權(quán)。2.東微半導(dǎo)下游為高景氣領(lǐng)域，好賽道!國內(nèi)MOSFET廠商下游應(yīng)用以工控和家電為主，而公司下游主要為汽車、工業(yè)、通信等領(lǐng)域，2021年公司汽車及工業(yè)級應(yīng)用收入占比超過60%,22Q1占比進(jìn)一步提升，下游景氣度高，推動公司業(yè)績持續(xù)向好。本節(jié)我們將針對新能源汽車、新能源汽車充電樁、光伏風(fēng)電和5G基站四個領(lǐng)域?qū)Ξa(chǎn)業(yè)器件是最主要是增量所在。根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)，從傳統(tǒng)燃油車發(fā)展到純電動汽車，汽車半導(dǎo)體BOM成本將從490美元上升至950美元，其中功率半導(dǎo)體增量約460美元，增量的功率半導(dǎo)體部分75%來自逆變器、25%來自O(shè)BC、DCDC、BMS圖22:中國新能源汽車銷量中國新能源汽車銷量(萬輛)中國新能源汽車銷量(萬輛)400-300-250-200-0我國新能源汽車正處于快速發(fā)展的初期，2014-2021年新能源汽車銷量從7.5萬輛提升至352.1萬輛，CAGR為73.30%,2022Q1我國新能源汽車銷量為125.7萬輛，同比增長超140%,滲透率達(dá)19.3%,較2021年13.4%的滲透率提高5.9pct。作為新能源車的基礎(chǔ)設(shè)施，我國充電樁數(shù)量保持快速增長趨勢，根據(jù)中國電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進(jìn)聯(lián)盟的數(shù)據(jù)，截至2022年3月，國內(nèi)充電樁保有量為123.18萬個，2022年前三月我國新增充電樁數(shù)量為8.5萬個，同比增長接近100%。直流充電樁采用的功率器件以高壓MOSFET為主，超級結(jié)MOSFET憑借更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件，具體應(yīng)用于充電樁的功率因數(shù)校正、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。據(jù)英飛凌統(tǒng)計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元，隨著充電樁的不斷建設(shè)，功率器件尤其是超級結(jié)MOSFET將迎來高速發(fā)展機(jī)遇。③光伏儲能逆變器：MOSFET、IGBT等也大量應(yīng)用在太陽能光伏逆變器，逆變器旨在通過整流、逆變原理將不穩(wěn)定的太陽能變換成為電壓、頻率符合并網(wǎng)要求的電能。根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)，風(fēng)力發(fā)電與太陽能光伏每GW發(fā)電量所需要的功率半導(dǎo)體是傳統(tǒng)發(fā)電方式的數(shù)倍。CPIA數(shù)據(jù)顯示，2020年全球光伏新增裝機(jī)量為130GW,樂觀預(yù)測到2025年全球光伏新增裝機(jī)量將達(dá)到330GW,2020-2025年CAGR為20.48%。根據(jù)國家能源局的數(shù)據(jù)，2021年我國光伏新增裝機(jī)量為54.88GW,同比提高圖23:2021年中國新能源汽車銷量占比圖23:2021年中國新能源汽車銷量占比頭舜@蓄是④5G基站：5G基站帶來更多的電源供應(yīng)需求。根據(jù)華為官網(wǎng)公布的數(shù)據(jù)顯示，4G基站所需功率為6.88kW,而5G基站所需功率為11.58kW,提升幅度達(dá)到68%,對于多通道基站，功率要求甚至可能達(dá)到20kW。此外，5G通信頻譜分布在高頻段，信號衰減更快，覆蓋能力大幅減弱，因此相比于4G,通信信號覆蓋相同的區(qū)域，5G基站的數(shù)量將大幅增加。根據(jù)工信部的數(shù)據(jù)，截至2021年底，我國累計建成并開通5G基站142.5萬個，全年新增5G基站數(shù)達(dá)到65.4萬個，預(yù)計2022年我國將新建5G基站超過60萬座。更大的功率要求、更高的覆蓋密度將使得5G基站對MOSFET等功率器件產(chǎn)生更大的需求。MassiveMIMO技術(shù)的采用使得基站射頻端需要4倍于原來的功率半導(dǎo)體。MassiveMIMO即大規(guī)模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情況下，提升系統(tǒng)信道容量和信號覆蓋范圍。傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)天線的通道數(shù)為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數(shù)可以達(dá)到64/128/256個，根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)，MIMO天線系統(tǒng)所需的功率半導(dǎo)體價值量將從3G/4G時代的25美元左右上升到5G時代的100美元左右。3.東微半導(dǎo)進(jìn)軍IGBT,2021年初步取得突破Tri-gate結(jié)構(gòu)IGBT器件設(shè)計及其工藝技術(shù)主要為使用具有獨立知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新性結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)IGBT性能的提升，具體包括載流子控制技術(shù)、原胞功率調(diào)制技術(shù)以及獨創(chuàng)的器件結(jié)構(gòu)等。載流子控制技術(shù)優(yōu)化了IGBT器件在導(dǎo)通時的內(nèi)部載流子分布；原胞功率調(diào)制技術(shù)使器件在大功率開關(guān)過程中的功率分布更加均勻，避免了局部電壓電流過大而導(dǎo)致的器件失效，使得器件具有更高的工作穩(wěn)定性；獨創(chuàng)的器件結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的電場調(diào)制能力，提高了耐壓性以及載流子濃度，因此2021年公司基于自主專利技術(shù)的650V、1200V及1350V新一代IGBT器件技術(shù)TGBT研發(fā)成功并實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。2021年TGBT出貨72.43萬顆，實現(xiàn)銷售額568.17萬元。第一代650VTGBT芯片的電流密度超過400A/cm2,達(dá)到國際主流第七代IGBT技術(shù)水平；同時，公司第二代TGBT技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。公司基于12英寸先進(jìn)工藝制程的IGBT技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。圖25:我國新能源汽車公共充電樁數(shù)量保持快速增長趨勢p660應(yīng)用客戶有匯川技術(shù)、視源股份等。分高端車型采用SiC方案以及部分低端A00車采用MOS方案，預(yù)計至2025年國內(nèi)新能源乘用車對應(yīng)IGBT市場需求在162億元，2022-2025年CAGR為25%;2025年SiC導(dǎo)體需求在59億元，2022-2025年CAGR為42%;2025年部分低端A00車對MOS需求在7億元。除了TGBT的成功量產(chǎn)，公司2021年布局第三代功率半導(dǎo)體器件如采用公司獨創(chuàng)技術(shù)的高性能高可靠性第三代半導(dǎo)體MOSFET器件，申請多項第三代半導(dǎo)體相關(guān)專利，產(chǎn)品開發(fā)順利進(jìn)行。此系列產(chǎn)品將與超高速系列TGBT互為補(bǔ)充，對采用傳統(tǒng)技術(shù)路線的SiCMOSFET進(jìn)行替代。根據(jù)CPIA的預(yù)測，預(yù)計2025年全球光伏逆變器新增裝機(jī)量330GW,每GW對應(yīng)IGBT的價值量約為0.3億元，則至2025年全球光伏IGBT市場規(guī)模約100億元。4.東微半導(dǎo)：超級結(jié)國內(nèi)龍頭，專注于工業(yè)級、車規(guī)級應(yīng)用公司的高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品主要為GreenMOS產(chǎn)品系列，擁有1100種的產(chǎn)品型號規(guī)格(包括超級硅MOSFET),是該領(lǐng)域規(guī)格較完整的國內(nèi)廠商之一。公司的高壓MOSFET產(chǎn)品全部采用超級結(jié)的技術(shù)原理，具有開關(guān)速度快、動態(tài)損耗低、可靠性高的特點及優(yōu)勢，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了與■金球光伏新增梁積容量(üWS頭榮@暫是頭榮@暫是2公—02021年公司繼續(xù)擴(kuò)展第三代GreenMOS高壓超級結(jié)技術(shù)平臺的產(chǎn)品規(guī)格，在多個核心領(lǐng)域持續(xù)批量供貨，第四代GreenMOS高壓超級結(jié)技術(shù)也研發(fā)成功，預(yù)計2022年開始批量供貨。公司基于深溝槽超級結(jié)技術(shù)的中低壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行，1000V以上高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)工程開發(fā)成功，具備量產(chǎn)能力。此外，公司基于12英寸先進(jìn)工藝制程的高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，基于12英寸制程的下一代超級結(jié)MOSFET技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。公司的中低壓MOSFET產(chǎn)品均采用屏蔽柵結(jié)構(gòu)，主要包括SFGMOS產(chǎn)品系列以及FSMOS產(chǎn)品系列，公司的中低壓MOSFET設(shè)計及其工藝技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。2021年，公司多個電壓平臺的屏蔽柵MOSFET已經(jīng)在12寸產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)。2021年公司25V-30V低壓超高速屏蔽柵MOSFET(SGTMOSFET)開發(fā)成功并開始量產(chǎn)，為拓展數(shù)據(jù)中心電源服務(wù)器CPU供電芯片打下基礎(chǔ)，150V屏蔽柵MOSFET(SGTMOSFET)開發(fā)成功并開始量產(chǎn)，200V與250V電壓規(guī)格技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。在電動工具領(lǐng)域，公司產(chǎn)品批量進(jìn)入寶時得、創(chuàng)科集團(tuán)、喜利得等國內(nèi)外主要的電動工具廠商。公司亦努力發(fā)展家電應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域，中低壓屏蔽柵MOSFET已批量進(jìn)入海爾集團(tuán)、美的集團(tuán)、伊萊克斯等。2021年公司中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品全年實現(xiàn)營業(yè)收入20,569.47萬元，較2020年同期增長246.85%。目前公司多款中低壓屏蔽柵MOSFET已經(jīng)批量進(jìn)入汽車領(lǐng)域。公司在高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET以及IGBT產(chǎn)品領(lǐng)域形成了一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，并且公司進(jìn)一步開發(fā)出新型高壓超級硅和新型高壓Hybrid-FET器件及其工藝技術(shù)。公司掌握的核心技術(shù)大部分為國內(nèi)領(lǐng)先或國際先進(jìn)，其中公司的高壓超級結(jié)MOSFET與Tri-gateIGBT技術(shù)具備國際先進(jìn)水平，中低壓屏蔽柵MOSFET技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。圖27:中國新增5G基站數(shù)量77頭雜@蓄是樹4過9未來公司將繼續(xù)開發(fā)新一代超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET和TGBT,加快8寸功率器件技術(shù)向12寸線上研發(fā)力度，形成一系列寬禁帶半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品，使寬禁帶半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品與硅基超級硅器件互為補(bǔ)充的市場競爭力。5.東微半導(dǎo)深度合作上游晶圓代工企業(yè)，保障產(chǎn)能供給目前華虹是公司主要代工廠，21H1廣州粵芯進(jìn)入前五大供應(yīng)華虹12寸產(chǎn)能在2022年將進(jìn)一步擴(kuò)大。自建設(shè)中國大陸第一條8英