《聚乙烯燃?xì)夤艿篮附咏宇^檢測(cè)評(píng)價(jià)方法-相控陣超聲檢測(cè)》

ICS

CCS

CASEI

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CASEIXXXX—XXXX

聚乙烯燃?xì)夤艿篮附咏宇^檢測(cè)評(píng)價(jià)方法

一相控陣超聲檢測(cè)

TestingandEvaluationMethodforWeldedJointsofPolyethyleneGasPipeline—

PhasedarrayUltrasonictestingtestingmethod

（征求意見稿）

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

中國特種設(shè)備檢驗(yàn)協(xié)會(huì)發(fā)布

T/CASEIXXXX—XXXX

聚乙烯燃?xì)夤艿篮附咏宇^檢測(cè)評(píng)價(jià)方法

一相控陣超聲檢測(cè)

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了聚乙烯燃?xì)夤艿篮附咏宇^的相控陣超聲檢測(cè)方法和質(zhì)量分級(jí)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于公稱外徑為≥63mm、公稱壁厚6mm～30mm的聚乙烯燃?xì)夤艿罒崛劢宇^的相控陣超聲檢

測(cè)方法和質(zhì)量分級(jí)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于公稱外徑為≥40mm、公稱壁厚為3.6mm～36.4mm的聚乙烯燃?xì)夤艿离娙劢宇^的相控陣

超聲檢測(cè)方法和質(zhì)量分級(jí)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB15558.1燃?xì)庥寐竦鼐垡蚁┕艿老到y(tǒng)第一部分管材

GB15558.2燃?xì)庥寐竦鼐垡蚁┕艿老到y(tǒng)第一部分管件

GB/T12604.1無損檢測(cè)術(shù)語超聲檢測(cè)

GB/T20737無損檢測(cè)通用術(shù)語和定義

GB/T29302無損檢測(cè)儀器相控陣超聲檢測(cè)系統(tǒng)的性能與檢驗(yàn)

GB/T29460含缺陷聚乙烯管道電熔接頭安全評(píng)定

GB/T29461聚乙烯管道電熔接頭超聲檢測(cè)

GB/T9445無損檢測(cè)人員資格認(rèn)證

JB/T11731無損檢測(cè)超聲相控陣探頭通用技術(shù)條件

NB/T47013.15承壓設(shè)備無損檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)

CJJ63聚乙烯燃?xì)夤艿拦こ碳夹g(shù)標(biāo)準(zhǔn)

TSGZ8001特種設(shè)備無損檢測(cè)人員考核規(guī)則

T/CASEI006在役聚乙烯燃?xì)夤艿罊z驗(yàn)與評(píng)價(jià)

3術(shù)語和定義

GB/T12604.1、GB/T20737、NB/T47013.15、GB15558.1、GB15558.2、GB/T29460-2012和GB/T

29461-2012界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

相控陣超聲檢測(cè)phased-arrayultrasonictesting

根據(jù)設(shè)定的延遲法則激發(fā)相控陣陣列探頭各獨(dú)立壓電晶片（陣元），合成聲束并實(shí)現(xiàn)聲束的移動(dòng)、

偏轉(zhuǎn)和聚焦等功能，再按一定的延遲法則接收超聲信號(hào)并以圖像的方式顯示被檢對(duì)象內(nèi)部狀態(tài)的超聲檢

測(cè)技術(shù)。

3.2

延遲法則delaylaw

用于波束形成與超聲信號(hào)接收合成的控制法則，一般指參與超聲波發(fā)射和接收的陣列探頭各陣元電

路的時(shí)序和時(shí)間間隔。

3.3

焊接特征線eigen-line

電熔接頭超聲圖中電阻絲上方能夠揭示熔融區(qū)邊界的超聲發(fā)射信號(hào)線。

3.4

角度增益修正（ACG）anglecorrectedgain

1

T/CASEIXXXX—XXXX

扇掃描角度范圍內(nèi)不同角度的聲束檢測(cè)相同聲程和尺寸的反射體，使其回波幅度等量化的增益修正

方式。

3.5

時(shí)間增益修正（TCG）timecorrectedgain

對(duì)不同聲程相同尺寸的反射體的回波幅度進(jìn)行增益修正，使之達(dá)到相同幅值。

3.6

相關(guān)顯示relevantindication

由缺陷引起的顯示。

3.7

非相關(guān)顯示non-relevantindication

由于工件結(jié)構(gòu)（例如卷邊或根部、工件的幾何結(jié)構(gòu)變化處）或者材料結(jié)構(gòu)的偏差（母材和覆蓋層界

面）引起的顯示，包括由錯(cuò)邊、高壓焊、高熱熔焊等焊接工藝引起焊縫特征顯示。

3.8

冷焊程度Hthedegreeofcoldwelding

冷焊時(shí)，電熔接頭的特征線與電阻絲的間距小于正常焊接接頭。采用待檢接頭特征線與電阻絲的間

距與正常焊接接頭特征線與電阻絲的間距相比較，用變小的百分比來表征。

3.9

過焊程度H′thedegreeofover-heatwelding

過焊時(shí)，電熔接頭的特征線與電阻絲的間距大于正常焊接接頭。采用待檢接頭特征線與電阻絲的間

距與正常焊接接頭特征線與電阻絲的間距相比較，用變大的百分比來表征。

3.10

電阻絲直徑dtheresistancewirediameter

在超聲檢測(cè)圖像中，管件上預(yù)埋電阻絲顯示的直徑。

3.11

電阻絲錯(cuò)位量xtheresistancewiredisplacement

電阻絲移開正常位置的最大距離。

4一般要求

4.1檢測(cè)人員要求

按本方法實(shí)施檢測(cè)的人員，應(yīng)按照TSGZ8001、GB/T9445或合同各方同意的體系進(jìn)行資格鑒定認(rèn)證，

并由雇主或其代理對(duì)其進(jìn)行專門科目培訓(xùn)和操作授權(quán)，且滿足以下要求：

a)相控陣超聲檢測(cè)人員應(yīng)具有一定的聚乙烯管道制造安裝及焊接等方面的基本知識(shí)，能對(duì)聚乙烯

管道相控陣檢測(cè)中出現(xiàn)的問題做出分析、判斷和處理；

b)相控陣超聲檢測(cè)人員應(yīng)取得UT-II及以上資質(zhì)證書，并經(jīng)過相控陣超聲檢測(cè)的專業(yè)培訓(xùn)；

c)相控陣超聲檢測(cè)人員應(yīng)經(jīng)過聚乙烯管道焊接接頭相控超聲檢測(cè)的實(shí)踐，熟悉所使用的檢測(cè)設(shè)備，

具備熟練的操作技能才能獨(dú)立進(jìn)行聚乙烯管道焊接接頭的超聲檢測(cè)工作。

4.2檢測(cè)設(shè)備和器材

檢測(cè)設(shè)備包括檢測(cè)儀器以及與儀器相連接的探頭、掃查裝置和線纜等所有物件構(gòu)成的整體；器材是

指實(shí)現(xiàn)檢測(cè)功能所需且不與儀器相連接的其他器件和材料，包括試塊和耦合劑等。檢測(cè)設(shè)備和器材性能

應(yīng)符合NB/T47013.15的要求，功能應(yīng)滿足所檢測(cè)對(duì)象的工藝要求。

4.2.1檢測(cè)儀器

相控陣超聲儀器應(yīng)符合NB/T47013.15的要求。

4.2.2探頭

a)聚乙烯管道接頭相控陣超聲檢測(cè)用探頭宜采用不少于32個(gè)晶片的一維線陣探頭；

b)相控陣超聲探頭應(yīng)按照J(rèn)B/T11731測(cè)試并符合NB/T47013.15的要求；

2

T/CASEIXXXX—XXXX

c)探頭聲束匯聚區(qū)范圍應(yīng)能滿足檢測(cè)聚乙烯管道接頭內(nèi)缺陷深度的要求；

d)聚乙烯管道熱熔接頭，探頭中心聲束折射角通常為45°或60°，探頭楔塊宜選用聲速與水相近

的材料制作；探頭頻率應(yīng)根據(jù)管材厚度選定。不同管材厚度范圍推薦的探頭頻率見表1；

e)對(duì)于聚乙烯管道電熔接頭，探頭激發(fā)孔徑長度應(yīng)大于電熔接頭單邊熔接區(qū)寬度，要求覆蓋單邊

電熔接頭的檢測(cè)區(qū)域，探頭激發(fā)孔徑寬度應(yīng)小于10mm，使探頭與管件外圓弧面有良好的耦合。不同管材

厚度范圍推薦的探頭頻率見表2。

表1不同熱熔管材厚度適用的探頭頻率

PE管材厚度e（mm）頻率f（MHz）

6≤e＜8f≥5

8＜e＜302.5＜f＜5

e≥302≤f＜2.5

表2不同電熔管件厚度適用的探頭頻率

PE管件厚度e（mm）頻率f（MHz）

3≤e＜10f≥5

10＜e＜204＜f＜5

e≥202.25≤f＜4

4.2.3檢測(cè)儀器、探頭及其組合性能的要求

a)組合儀器和探頭的組合性能應(yīng)按本文件及NB/T47013.15進(jìn)行測(cè)試并符合其相關(guān)要求；

b)組合儀器和探頭的組合性能的縱向分辨力應(yīng)小于1mm。聚乙烯熱熔接頭檢測(cè)時(shí)，系統(tǒng)在聚乙烯

管道靈敏度試塊上最遠(yuǎn)和最近人工反射體信號(hào)的靈敏度余量和信噪比均應(yīng)超過34dB。

4.2.4掃查器

a)應(yīng)能夾持探頭并貼合管道沿預(yù)定的軌跡進(jìn)行掃查；

b)檢測(cè)前應(yīng)對(duì)掃查器進(jìn)行校準(zhǔn)（移動(dòng)距離不小于50mm），位移誤差應(yīng)小于1%，最大不超過10mm；

c)每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)位置傳感器進(jìn)行檢查和記錄，檢查方式為將帶位置傳感器的掃查裝置至少移動(dòng)

300mm，檢測(cè)儀器所顯示的位移和實(shí)際位移進(jìn)行比較，其誤差應(yīng)小于1%；

d)位置分辨率應(yīng)小于1mm。

4.2.5耦合劑

應(yīng)選用具有良好的透聲性、易清洗、無毒無害，有適宜流動(dòng)性的材料；應(yīng)使用對(duì)聚乙烯材料沒有

任何腐蝕、溶解作用的耦合劑，符合健康環(huán)保要求；同時(shí)耦合劑應(yīng)易于附著和檢測(cè)后清理。并滿足以下

要求：

a)對(duì)表面平整的焊接接頭，應(yīng)采用透聲性好，且不損傷檢測(cè)表面的耦合劑，如漿糊、甘油和水等；

b)對(duì)表面不平整的焊接接頭，應(yīng)采用其聲速與聚乙烯材料相同或接近，聲阻抗與聚乙烯材料相差

不大的耦合劑。推薦使用由甘油、水玻璃等按一定比例混合配制而成的稠狀耦合劑。

4.2.6試塊

4.2.6.1標(biāo)準(zhǔn)試塊

標(biāo)準(zhǔn)試塊的要求應(yīng)滿足NB/T47013.15第4.2.3.1條的要求。

4.2.6.2對(duì)比試塊

4.2.6.2.1應(yīng)采用與被檢焊接接頭管件材料聲學(xué)性能相同或近似的材料制成，該材料不得有大于或等

于φ1mm平底孔當(dāng)量直徑的缺陷。對(duì)比試塊有PE-Ⅰ、PE-Ⅱ，其中PE-Ⅰ用于聚乙烯電熔接頭的聲束校

準(zhǔn)、TCG修正和調(diào)整檢測(cè)靈敏度，PE-Ⅱ用于聚乙烯熱熔接頭的聲束校準(zhǔn)、TCG和ACG修正和調(diào)整檢測(cè)靈

敏度。

4.2.6.2.2對(duì)比試塊PE-Ⅰ的尺寸規(guī)格見圖1，試塊的表面粗糙度應(yīng)與測(cè)試樣相接近，試塊的檢測(cè)面為

平面或帶有一定曲率半徑的曲面，在試塊的不同深度位置上含有6個(gè)排列不均勻的預(yù)埋金屬絲。試塊的

3

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型號(hào)、相應(yīng)的曲率半徑和適用的焊接接頭范圍見表3的規(guī)定。

圖1對(duì)比試塊PE-Ⅰ

表3試塊圓弧曲率半徑

適用的電熔接頭范圍適用的熱熔接頭范圍

試塊型號(hào)試塊圓弧曲率半徑R（mm）

（公稱直徑）（mm）（公稱直徑）（mm）

PE-Ⅰ-13040≤D＜9075≤D＜100

PE-Ⅰ-26090～180110～200

PE-Ⅰ-3平面＞180＞200

4.2.6.2.3對(duì)比試塊PE-Ⅰ加工應(yīng)符合下列要求：

a)預(yù)埋金屬絲應(yīng)該平行于測(cè)試表面；

b)試塊長度、高度、寬度、金屬絲位置應(yīng)符合圖1，尺寸精度為±IT12；

c)金屬絲的直徑：φ1±0.05(mm)。

4.2.6.2.4對(duì)比試塊PE-Ⅱ的尺寸規(guī)格見圖2，試塊的檢測(cè)面為平面或帶有一定曲率半徑的曲面，在試

塊的不同深度位置上含有8個(gè)φ2mm×30mm的橫通孔。

圖2對(duì)比試塊PE-Ⅱ

4.2.6.3對(duì)比試塊尺寸精度應(yīng)符合本部分的要求，并應(yīng)經(jīng)計(jì)量部門檢定合格。

4.3檢測(cè)設(shè)備的校準(zhǔn)、核查、運(yùn)行核查

4.3.1每年至少對(duì)檢測(cè)儀器和探頭組合性能中的垂直線性、水平線性、衰減器精度、組合頻率、扇掃

成像橫向分辨力和縱向分辨力以及扇掃角度范圍和扇掃角度分辨力，進(jìn)行一次校準(zhǔn)并記錄；校準(zhǔn)單位應(yīng)

為省級(jí)(或以上)的具有相控陣儀器檢定能力的檢定機(jī)構(gòu)或儀器生產(chǎn)廠家。

4.3.2每隔6個(gè)月至少對(duì)儀器和探頭組合性能中的垂直線性、水平線性進(jìn)行一次運(yùn)行核查并記錄，測(cè)

4

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試要求應(yīng)滿足NB/T47013.15第4.2.2.3.1的規(guī)定。

4.3.3每隔1個(gè)月至少對(duì)陣元有效性進(jìn)行一次運(yùn)行核查，相控陣探頭允許存在失效陣元，但失效陣元

數(shù)量不得超過探頭陣元總數(shù)的1/4，且不允許相鄰陣元連續(xù)失效。

5檢測(cè)工藝

5.1檢測(cè)工藝文件

檢測(cè)工藝文件包括工藝規(guī)程和操作指導(dǎo)書。

5.1.1工藝規(guī)程應(yīng)滿足NB/T47013.1及NB/T47013.15相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。

5.1.2操作指導(dǎo)書應(yīng)根據(jù)被檢工件和工藝規(guī)程的要求編制。其內(nèi)容除滿足NB/T47013.1的要求外，

還應(yīng)包括：

a)檢測(cè)技術(shù)要求：檢測(cè)時(shí)機(jī)、檢測(cè)比例、合格級(jí)別等；

b)檢測(cè)設(shè)備和器材：檢測(cè)儀器、探頭、楔塊、耦合劑、掃查裝置、試塊名稱和規(guī)格型號(hào)，設(shè)備性

能檢查的項(xiàng)目、時(shí)機(jī)和合格要求；

c)檢測(cè)工藝參數(shù)：包括檢測(cè)覆蓋區(qū)域、接觸方式、掃查面及其準(zhǔn)備要求、探頭位置、掃描及掃查

方式，以及檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置和校準(zhǔn)（激發(fā)孔徑、入射角度、掃描范圍與步進(jìn)、聚焦方式及深度、靈敏度、

閘門與顯示方式等），橫向缺陷的檢測(cè)方法（必要時(shí)）。

5.1.3操作指導(dǎo)書在首次應(yīng)用前應(yīng)按NB/T47013.15中4.3.3的要求進(jìn)行工藝驗(yàn)證。

5.2工藝驗(yàn)證

5.2.1應(yīng)制作具有代表性的專用對(duì)比試塊進(jìn)行工藝驗(yàn)證，工藝驗(yàn)證結(jié)果應(yīng)能夠清楚地顯示試塊中所有

的參考反射體或缺陷。

5.2.2工藝驗(yàn)證測(cè)量的參考反射體或缺陷尺寸偏差值應(yīng)在允許范圍之內(nèi)。

5.2.3必要時(shí)，可委托具備能力的相關(guān)技術(shù)機(jī)構(gòu)進(jìn)行工藝驗(yàn)證并提供相應(yīng)證明文件。

6檢測(cè)準(zhǔn)備

6.1一般要求

6.1.1被檢管道元件應(yīng)符合GB15558.1、GB15558.2或其他類似標(biāo)準(zhǔn)要求。

6.1.2管道接頭應(yīng)為持證焊工按經(jīng)評(píng)定合格的焊接工藝進(jìn)行組裝、施焊的。

6.1.3檢測(cè)前應(yīng)對(duì)掃查器進(jìn)行校準(zhǔn)并滿足本文件4.2.5的要求。

6.1.4檢測(cè)前應(yīng)在工件掃查面上予以標(biāo)記，標(biāo)記內(nèi)容至少包括掃查起始點(diǎn)和掃查方向。

6.2檢測(cè)表面

6.2.1接頭外觀質(zhì)量檢驗(yàn)合格，接頭的表面應(yīng)盡量平整、干凈，不影響探頭與工件的聲耦合。

6.2.2所有影響超聲檢測(cè)的污物等都應(yīng)予以清除。

6.2.3被檢測(cè)的熱熔接頭應(yīng)在焊縫兩側(cè)一倍壁厚+50mm范圍內(nèi)整圈清除表面異物。

6.2.4被檢測(cè)的電熔接頭應(yīng)在焊縫兩側(cè)各5mm范圍內(nèi)整圈清除表面異物。

6.3檢測(cè)范圍

6.3.1熱熔接頭的檢測(cè)區(qū)域應(yīng)覆蓋焊縫中心線兩側(cè)1倍壁厚寬度范圍內(nèi)。

6.3.2電熔接頭的檢測(cè)區(qū)域應(yīng)包含焊縫本身寬度加上兩側(cè)各5mm的母材。

6.4檢測(cè)時(shí)機(jī)

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6.4.1熱熔接頭的檢測(cè)應(yīng)在焊接完成后經(jīng)5小時(shí)冷卻并穩(wěn)定以后進(jìn)行檢測(cè)。

6.4.2電熔接頭的檢測(cè)應(yīng)在焊接完成后經(jīng)2小時(shí)冷卻并穩(wěn)定以后進(jìn)行檢測(cè)。

6.5檢測(cè)溫度

6.5.1應(yīng)確保在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行檢測(cè)。

6.5.2若溫度過低或過高，應(yīng)采取有效措施避免。若無法避免，應(yīng)評(píng)價(jià)其對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響。

6.5.3系統(tǒng)校準(zhǔn)與實(shí)際檢測(cè)間的溫度差應(yīng)控制在±5℃之內(nèi)。

6.5.4采用常規(guī)探頭和耦合劑時(shí)，工件的表面溫度范圍為0℃～40℃。超出該溫度范圍，可采用特殊

探頭或耦合劑，并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

6.6掃描校準(zhǔn)

6.6.1線掃描的校準(zhǔn)

a)采用線掃描檢測(cè)前，應(yīng)對(duì)線掃描角度0°時(shí)的聲束校準(zhǔn)，校準(zhǔn)的聲程范圍應(yīng)包含檢測(cè)擬使用的

聲程范圍，校準(zhǔn)采用PE-Ⅰ試塊；

b)線掃描TCG修正后不同深度處相同反射體回波波幅應(yīng)一致，且經(jīng)最大補(bǔ)償?shù)穆暿夭ǖ男旁氡?/p>

不應(yīng)小于6dB。

6.6.2扇掃描的校準(zhǔn)

a)采用扇掃描檢測(cè)前，應(yīng)對(duì)扇掃描角度范圍內(nèi)的每一個(gè)聲束校準(zhǔn)，校準(zhǔn)的聲程范圍應(yīng)包含檢測(cè)擬

使用的聲程范圍；

b)校準(zhǔn)時(shí)應(yīng)進(jìn)行ACG和TCG修正，為避免角度靈敏度差異，在校準(zhǔn)前先進(jìn)行ACG修正。ACG和TCG的

修正和校準(zhǔn)采用PE-Ⅱ?qū)Ρ仍噳K；

c)扇掃描TCG修正后不同深度處相同反射體回波波幅應(yīng)基本一致，且經(jīng)最大補(bǔ)償?shù)穆暿夭ǖ男?/p>

噪比不應(yīng)小于6dB。

6.7靈敏度校準(zhǔn)

6.7.1熱熔接頭的靈敏度校準(zhǔn)

a)在對(duì)比試塊上對(duì)掃描聲束覆蓋熱熔接頭檢測(cè)范圍區(qū)域，進(jìn)行檢測(cè)靈敏度校準(zhǔn)，同時(shí)應(yīng)確定出可

實(shí)施檢測(cè)的探頭前端距；

b)應(yīng)在對(duì)比試塊PE-Ⅱ上，對(duì)扇掃角度范圍內(nèi)的每個(gè)聲束制作出距離-波幅-曲線（DAC）曲線，宜

使用ACG和TCG功能，使橫通孔φ2mm×30mm扇掃描圖像清晰可見，且A掃描信號(hào)幅度不低于滿屏幕的20%，

信噪比大于34dB，幅度定量值波動(dòng)不大于2dB；

c)制作距離-波幅-曲線（DAC）的人工缺陷（橫通孔φ2mm×30mm），應(yīng)在對(duì)比試塊上選取最小深

度3mm與最大深度大于被檢熱熔接頭厚度的人工缺陷，包含其區(qū)間范圍內(nèi)所有不同深度的人工缺陷；

d)根據(jù)被檢工件與試塊實(shí)際情況進(jìn)行耦合補(bǔ)償、衰減補(bǔ)償和曲面補(bǔ)償，一般補(bǔ)償2-6dB，以此作

為基準(zhǔn)靈敏度；

e)掃查靈敏度由工藝驗(yàn)證試驗(yàn)確定，將聲程與壁厚相等或最接近（聲程大于壁厚）的PE-Ⅱ試塊

側(cè)面鉆孔φ2mm×30mm設(shè)置為滿屏高度的80%～95%，作為掃查靈敏度，調(diào)節(jié)檢測(cè)設(shè)備的檢測(cè)參數(shù)，直至

獲得的圖像有足夠的分辨率和靈敏度，可以鑒別該排的每個(gè)側(cè)面鉆孔。也可在模擬試塊上進(jìn)行，一般將

最小反射體的波高設(shè)置為滿屏高度的80%～95%，然后調(diào)節(jié)檢測(cè)參數(shù)，直至獲得的圖像有足夠的分辨率和

靈敏度，可以鑒別每個(gè)已知缺陷。

6.7.2電熔接頭的靈敏度校準(zhǔn)

a)采用TCG方式校準(zhǔn)靈敏度，使用PE-Ⅰ系列試塊進(jìn)行；

b)掃查靈敏度由工藝驗(yàn)證試驗(yàn)確定，一般將φ1×25-4dB設(shè)置為滿屏高度的80～95%，作為掃查靈

敏度；

6

T/CASEIXXXX—XXXX

c)工件的表面耦合損失和材質(zhì)衰減應(yīng)與試塊相同，否則應(yīng)進(jìn)行傳輸損失補(bǔ)償。在所采用的最大聲

程內(nèi)最大傳輸損失差小于或等于2dB時(shí)可不進(jìn)行補(bǔ)償。

6.8檢測(cè)系統(tǒng)的復(fù)核

6.8.1復(fù)核時(shí)機(jī)

在如下情況時(shí)應(yīng)對(duì)檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行復(fù)核：

a)檢測(cè)過程中儀器、探頭、連接線纜或耦合劑更換；

b)檢測(cè)人員有懷疑時(shí)；

c)連續(xù)工作4h及以上；

d)檢測(cè)結(jié)束時(shí)。

6.8.2復(fù)核內(nèi)容與要求

主要復(fù)核靈敏度、位置傳感器和深度顯示偏離情況。復(fù)核與初始設(shè)置時(shí)使用的對(duì)比試塊及其他技術(shù)

條件均應(yīng)相同，若復(fù)核時(shí)發(fā)現(xiàn)初始設(shè)置的參數(shù)偏離，應(yīng)按表4的規(guī)定執(zhí)行。

表4偏離和糾正

類型偏差糾正

≤5%不需要采取措施

位移

＞5%應(yīng)對(duì)上次設(shè)置以后所檢測(cè)的位置進(jìn)行修正

≤3dB不需要采取措施

靈敏度

＞3dB應(yīng)重新設(shè)置，并重新檢測(cè)上次設(shè)置后所檢測(cè)的部位

≤2mm或板厚的3%（取較大值）不需要采取措施

深度

＞2mm或板厚的3%（取較大值）應(yīng)重新設(shè)置，并重新檢測(cè)上次設(shè)置后所檢測(cè)的部位

偏離≤1mm不需要采取措施

聲程

偏離＞1mm應(yīng)重新設(shè)置，并重新檢測(cè)上次設(shè)置后所檢測(cè)的部位

7檢測(cè)

7.1一般要求

7.1.1檢測(cè)應(yīng)使用已經(jīng)校準(zhǔn)的檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)待測(cè)焊接接頭進(jìn)行檢測(cè)。

7.1.2探頭的掃查聲束應(yīng)能滿足焊縫檢測(cè)區(qū)域的100%覆蓋要求，如單次掃查不能100%覆蓋檢測(cè)區(qū)域，

則需要進(jìn)行二次或多次掃查，各掃查應(yīng)保證一定的重疊覆蓋。

7.1.3聚乙烯熱熔焊接接頭，若焊接接頭的卷邊影響到對(duì)工件上表面焊縫區(qū)域的檢測(cè)工作時(shí)，應(yīng)削去

工件上表面的焊縫卷邊，以確保檢測(cè)區(qū)域的全覆蓋要求。

7.1.4聚乙烯熱熔焊接接頭，若焊接接頭的卷邊影響到對(duì)工件上表面焊縫區(qū)域的檢測(cè)工作時(shí)，應(yīng)削去

工件上表面的焊縫卷邊，以確保檢測(cè)區(qū)域的全覆蓋要求。

7.2檢測(cè)方式

7.2.1聚乙烯熱熔焊接接頭

7.2.1.1應(yīng)采用扇掃描，探頭平行于焊縫、周向移動(dòng)做沿線雙側(cè)平行掃查。（如圖3）

7

T/CASEIXXXX—XXXX

注：1—管材

注：2—接頭

注：3、4—相控陣探頭

圖3熱熔接頭檢測(cè)示意圖（雙側(cè)掃查）

7.2.1.2若焊接接頭的卷邊影響到對(duì)工件上表面焊縫區(qū)域的檢測(cè)工作時(shí)，應(yīng)在削去工件上表面的焊縫

卷邊后再對(duì)該區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)，以確保檢測(cè)區(qū)域的全覆蓋要求，在進(jìn)行表面清理時(shí)，所有影響超聲檢測(cè)的

污物都應(yīng)該予以清除。

7.2.1.3對(duì)于垂直于管件軸線方向的焊縫缺欠，可采用相控陣串列技術(shù)對(duì)其進(jìn)行掃查。

7.2.1.4扇掃描應(yīng)設(shè)定角度步進(jìn)值，角度步進(jìn)值最大為1°，當(dāng)檢測(cè)技術(shù)要求較高時(shí)，其值應(yīng)設(shè)定為

小于或等于0.5°。

7.2.2聚乙烯電熔焊接接頭

7.2.2.1應(yīng)采用線掃描，探頭平行于焊縫、周向移動(dòng)做沿線掃查。（如圖4）

注：1—管材

注：2—電熔管件

注：3—相控陣探頭

注：4—電阻絲

圖4電熔焊接接頭探頭的布置

7.2.2.2對(duì)于聚乙烯電熔焊接接頭檢測(cè)，當(dāng)電熔管件接線柱阻礙探頭的移動(dòng)時(shí)，自動(dòng)掃查應(yīng)避開。

7.2.3聚焦設(shè)置

7.2.3.1焊縫初始掃查一般不聚焦，此時(shí)聚焦深度應(yīng)設(shè)置在工件中最大探測(cè)聲程以外。

7.2.3.2在對(duì)缺陷進(jìn)行精確定量時(shí)，或?qū)μ囟▍^(qū)域檢測(cè)需要獲得更高的靈敏度和分辨率時(shí)，可將焦點(diǎn)

設(shè)置在該區(qū)域，但應(yīng)注意聚焦區(qū)以外聲場(chǎng)劣化問題。

8

T/CASEIXXXX—XXXX

7.2.3.3檢測(cè)時(shí)，除非特別規(guī)定，需采用帶位置傳感器的機(jī)械掃查方式，并應(yīng)設(shè)定掃查步進(jìn)值。掃查

步進(jìn)值主要與被檢工件厚度有關(guān)，應(yīng)符合表5的規(guī)定。

表5掃查步進(jìn)值的設(shè)置

管件厚度e/mm掃查步進(jìn)最大值△Xmax/mm

e≤101.0

10＜e≤301.5

7.2.4掃查速度

7.2.4.1實(shí)際掃查速度應(yīng)小于或等于最大掃查速度Vmax，最大值應(yīng)不大于30mm/s，同時(shí)需滿足耦合效

果和數(shù)據(jù)采集的要求。

7.2.4.2最大掃查速度按式（1）計(jì)算：

=ΔX······································································(1)

×

????????????

式中：????????????????????????

Vmax——最大掃查速度，mm/s;

PRF——脈沖重復(fù)頻率，Hz；PRF＜c/2S，其中:c——聲速，mm/s，S——最大檢測(cè)聲程，mm；

N——設(shè)置的信號(hào)平均次數(shù)；

M——設(shè)置的電子掃描步進(jìn)數(shù)量；

ΔX——設(shè)置的掃查步進(jìn)值，mm。

7.2.5耦合監(jiān)控

掃查過程中應(yīng)保持耦合穩(wěn)定，必要時(shí)應(yīng)對(duì)耦合情況進(jìn)行有效監(jiān)控，耦合監(jiān)控的設(shè)置可根據(jù)使用的相

控陣超聲設(shè)備而定；當(dāng)發(fā)現(xiàn)耦合不良時(shí)，應(yīng)對(duì)該區(qū)域重新進(jìn)行掃查。

8檢測(cè)結(jié)果的評(píng)定

8.1圖像和數(shù)據(jù)的一般要求

8.1.1檢測(cè)圖像一般包括S型、A型、B型、C型和D型顯示，可根據(jù)需要選用合適的顯示方式。

8.1.2圖像顯示中應(yīng)有位置信息，定點(diǎn)檢測(cè)時(shí)應(yīng)有角度信息。

8.1.3非結(jié)構(gòu)特征信號(hào)噪聲應(yīng)低于滿屏的10%。

8.1.4分析數(shù)據(jù)前應(yīng)對(duì)所采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行評(píng)估以確定其有效性，數(shù)據(jù)至少應(yīng)滿足以下要求，若數(shù)據(jù)無

效，應(yīng)糾正后重新進(jìn)行掃查：

a)數(shù)據(jù)是基于掃查步進(jìn)的設(shè)置而采集的（定點(diǎn)檢測(cè)等特殊情況除外）；

b)采集的數(shù)據(jù)應(yīng)耦合良好，且數(shù)據(jù)量應(yīng)滿足所檢測(cè)長度的覆蓋要求；

c)每一檢測(cè)數(shù)據(jù)中A掃描信號(hào)丟失量不得超過總量的5%，且相鄰A掃描信號(hào)連續(xù)丟失長度不超過

2mm；缺陷部位A掃描信號(hào)丟失不得影響缺陷的評(píng)定。

8.1.5分析數(shù)據(jù)時(shí)，應(yīng)將各種顯示結(jié)合被檢對(duì)象材料、結(jié)構(gòu)及其制造特點(diǎn)進(jìn)行綜合判斷。（典型圖譜

參照附錄A）

8.2缺陷的定量

8.2.1缺欠定量基準(zhǔn)

應(yīng)以靈敏度設(shè)定為基準(zhǔn)，對(duì)回波波幅達(dá)到或超過基準(zhǔn)靈敏度-26dB的缺欠，應(yīng)確定其深度、波幅和

指示長度、高度（若需要）等，此外，必要時(shí)可采用其他各種聚焦方法以提高定量精度。

8.2.2缺欠指示長度

9

T/CASEIXXXX—XXXX

a)結(jié)合A掃在D掃描或者C掃描視圖上進(jìn)行缺欠指示長度測(cè)定，相關(guān)指示幅度高于記錄閾值的總長

度作為缺陷的總長度；

b)當(dāng)缺欠反射波只有一個(gè)高點(diǎn)，可用-6dB法測(cè)量其指示長度；當(dāng)缺欠反射波峰起伏變化，有多個(gè)

高點(diǎn)時(shí)，應(yīng)以端點(diǎn)-6dB法測(cè)量其指示長度。

8.2.3缺欠深度

應(yīng)以C掃圖中缺陷最大回波處確定D掃位置，必要時(shí)應(yīng)降低數(shù)字增益。在D掃圖像中以缺欠最高峰值

的深度確定缺欠深度。

8.2.4缺欠波幅

缺欠反射的最大波幅。

8.2.5缺欠自身高度

a)結(jié)合A掃在S掃描或D掃描視圖上進(jìn)行缺陷自身高度測(cè)定；

b)選擇圖像上任一點(diǎn)采用-6dB半波高度法或端點(diǎn)衍射法進(jìn)行測(cè)定，也可采用當(dāng)量法及其他有效方

法進(jìn)行測(cè)定；

c)對(duì)于表面開口型缺陷，選擇圖像上任一點(diǎn)采用端點(diǎn)衍射法、或-6dB法、或其他有效方法測(cè)定缺

陷其上端點(diǎn)或下端點(diǎn)的位置；

d)以任一點(diǎn)測(cè)定的最大值作為該缺陷的自身高度。

8.2.6多個(gè)相鄰缺欠的定量

相鄰兩個(gè)或多個(gè)缺欠顯示（非圓形），其在X軸方向間距小于其中較小的缺欠長度、在Y軸方向間距

小于5mm，且在Z軸方向間距小于其中較小的缺欠自身高度時(shí)，應(yīng)作為一個(gè)缺欠處理，該缺欠深度、長度

及自身高度按如下原則確定：

a)缺欠深度：以兩缺欠深度較小值作為單個(gè)缺欠深度；

b)缺欠波幅：以兩個(gè)缺欠的波幅大者作為單個(gè)缺欠波幅；

c)缺欠指示長度：兩缺欠在X軸投影上的前、后端點(diǎn)間距離；

d)缺欠自身高度：若兩缺欠在X軸投影無重疊，以其中較大的缺欠自身高度作為單個(gè)缺欠自身高

度；若兩缺欠在X軸投影有重疊，則以兩缺欠自身高度之和作為單個(gè)缺欠自身高度（間距計(jì)入）。

8.3缺欠的定性

8.3.1根據(jù)D型或B型顯示，結(jié)合A、C、S掃描顯示，對(duì)缺欠的性質(zhì)進(jìn)行分析。

8.3.2依據(jù)缺欠的位置、顯示圖像，確定缺欠的性質(zhì)。

8.3.3熱熔接頭缺陷性質(zhì)。

a)孔洞；

b)熔合面缺欠；

c)冷焊；

d)過焊；

e)錯(cuò)邊。

8.3.4電熔接頭缺陷性質(zhì)。

a)接頭中的孔洞；

b)熔接面夾雜，如夾物、油污、氧化皮未刮等；

c)冷焊；

d)過焊；

e)電阻絲錯(cuò)位；

f)管材承插不到位。

10

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8.4缺欠的表征

聚乙烯熱熔接頭以D型顯示和C型顯示的圖像中缺欠成像尺寸作為缺欠尺寸。聚乙烯電熔接頭以B型

顯示和C型顯示的圖像中缺欠成像尺寸作為缺欠尺寸。

8.4.1聚乙烯熱熔接頭缺欠的表征

8.4.1.1孔洞

孔洞缺欠為體積型缺欠，應(yīng)表征其長度X、寬度Y和自身高度h。其表征長度X和寬度Y的方法與圖5

相同，孔洞自身高度h采用熱熔接頭縱向截面的二維超聲波圖像中該缺欠顯示最大高度表示。

8.4.1.2熔合面缺欠

熔合面缺欠一般為條形缺欠，主要包括熔合面裂紋和夾雜缺欠。缺欠將其表征為由其外接矩形之長

和寬圍成的矩形，如圖5所示，缺欠所在的面為聚乙烯熱熔接頭的熔合面（D顯示圖像），L為缺欠的長

度，h為缺欠的自身高度。當(dāng)存在兩個(gè)以上的熔合面缺陷相鄰時(shí)，應(yīng)考慮熔合面缺陷之間的相互影響。

當(dāng)相鄰缺陷間距小于或等于較短缺陷尺寸時(shí)，應(yīng)作為一個(gè)缺陷處理，間距也應(yīng)計(jì)入缺陷長度，具體定量

按照本標(biāo)準(zhǔn)8.2執(zhí)行。

圖5熔合面缺欠的表征

8.4.1.3冷焊

采用特征線（熔合區(qū)邊界）之間距離變小的百分比來表征冷焊的嚴(yán)重程度：

a)對(duì)正常焊接輸入熱量的熱熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像的特征線（熔合

區(qū)邊界）之間的距離l；

b)對(duì)待測(cè)熱熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像的特征線（熔合區(qū)邊界）之間的

距離l’；

c)將l和l’代入式(2)，計(jì)算熱熔接頭的冷焊程度H：

=1×100%···································································(2)

’

????

8.4.1.4過焊???????????

8.4.1.4.1過焊主要呈現(xiàn)以下特征：

a)特征線之間的距離比正常大；

b)特征線彎曲或明亮發(fā)生變化；

c)在接頭中容易產(chǎn)生孔洞。

8.4.1.4.2過焊程度表征:

采用特征線（熔合區(qū)邊界）之間距離變大的百分比來表征過焊的嚴(yán)重程度：

a)對(duì)正常焊接輸入熱量的熱熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像的特征線（熔合

區(qū)邊界）之間的距離l；

b)對(duì)待測(cè)熱熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像的特征線（熔合區(qū)邊界）之間的

距離l’；

c)將l和l’代入式(3)，計(jì)算熱熔接頭的過焊程度H：

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’

=(1)×100%···································································(3)

????

8.4.1.5錯(cuò)邊?????????

采用熱熔接頭熔合區(qū)邊界處特征線所在深度的差值來表征錯(cuò)邊量。

8.4.2聚乙烯電熔接頭缺欠的表征

8.4.2.1孔洞

孔洞缺陷為體積型缺陷，應(yīng)表征其長度X、寬度Y和孔洞自身高度h。其表征長度X和寬度Y的方法與

8.4.1.1相同，孔洞自身高度H采用電熔接頭縱向截面的二維超聲波圖像中該缺陷顯示最大高度表示。

8.4.2.2熔合面夾雜

熔合面夾雜缺陷為面積型缺陷，將其表征為由其外接矩形之長和寬圍成的矩形。如圖6所示，圖6

中缺陷所在的面為聚乙烯電熔接頭的熔合面（C顯示圖像），L表示聚乙烯電熔接頭單邊熔合區(qū)長度。X

為軸向的矩形邊長，Y為周向的矩形邊長。

當(dāng)存在兩個(gè)以上的熔合面缺陷相鄰時(shí)，應(yīng)考慮熔合面缺陷之間的相互影響。當(dāng)相鄰缺陷間距小于等

于較短缺陷尺寸時(shí)，應(yīng)作為一個(gè)缺陷處理，間距也應(yīng)計(jì)入缺陷長度。

圖6熔接面缺陷的表征

8.4.2.3電阻絲錯(cuò)位

采用電阻絲錯(cuò)位量來表征電阻絲錯(cuò)位的嚴(yán)重程度。圖7為聚乙烯電熔接頭的軸向剖面圖。圖7b）中，

x1、x2為電阻絲與其正常位置的距離，取所有錯(cuò)位量中的最大值作為電阻絲錯(cuò)位缺陷的計(jì)算尺寸，見式

（4）

=1，2···································································(4)

??????????????????????????

圖7電阻絲錯(cuò)位的表征

8.4.2.4冷焊

采用特征線與電阻絲間距離變小的百分比來表征冷焊的嚴(yán)重程度：

a)對(duì)正常焊接輸入熱量的電熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像中的特征線與電

阻絲之間的距離l；

b)對(duì)待測(cè)電熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像中的特征線與電阻絲之間的距離

l′;

c)將L和L′代入式（5）計(jì)算電熔接頭的冷焊程度H

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=1×100%···································································(5)

’

????

8.4.2.5過焊???????????

8.4.2.5.1過焊主要呈現(xiàn)以下特征：

a)特征線之間的距離比正常大；

b)特征線彎曲或亮度發(fā)生變化；

c)在接頭中容易產(chǎn)生空洞。

8.4.2.5.2過焊程度表征:

過焊按孔洞、電阻絲錯(cuò)位量和過焊程度來表征采用特征線與電阻絲間距離變大的百分比來表征過焊

的嚴(yán)重程度：

a)對(duì)正常焊接輸入熱量的電熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像中的特征線與電

阻絲之間的距離l；

b)對(duì)待測(cè)電熔接頭進(jìn)行檢測(cè)，獲得截面的超聲成像圖，測(cè)得該圖像中的特征線與電阻絲之間的距離

l′

’

=(1)×100%···································································(6)

????

8.4.2.6管材承插不到位?????????

管材承插不到位以單邊熔合區(qū)的軸向長度L來表征其嚴(yán)重程度表示。

9缺欠評(píng)定和質(zhì)量分級(jí)

9.1缺欠質(zhì)量分級(jí)的依據(jù)

根據(jù)接頭中存在的缺欠性質(zhì)、數(shù)量和密切程度，其質(zhì)量分級(jí)可劃分為I級(jí)、II級(jí)、III級(jí)。

a)判定為裂紋、未熔合等危害性缺陷的，應(yīng)評(píng)為Ⅲ級(jí)；

b)最大反射波幅在基準(zhǔn)靈敏度以上的缺欠顯示，評(píng)為Ⅲ級(jí)；

c)熱熔接頭中連貫性孔洞、與冷焊區(qū)貫通的孔洞，評(píng)為Ⅲ級(jí)；

d)電熔接頭中相鄰電阻絲間有連貫性孔洞、與內(nèi)冷焊區(qū)貫通的孔洞，評(píng)為Ⅲ級(jí)；

e)電熔接頭中相鄰電阻絲相互接觸的缺陷，評(píng)為Ⅲ級(jí)；

f)電熔接頭中承插不到位缺陷，評(píng)為Ⅲ級(jí)。

9.2熱熔焊接接頭的缺欠評(píng)定

9.2.1孔洞的質(zhì)量分級(jí)

孔洞缺欠按表6的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

表6孔洞缺欠的質(zhì)量分級(jí)

級(jí)別單個(gè)孔洞組合孔洞

I級(jí)X/L＜5%且h＜5%T累積尺寸X/L＜10%且h＜5%T

II級(jí)X/L＜10%且h＜10%T累積尺寸X/L＜15%且h＜10%T

III級(jí)大于II級(jí)者

注：X為該缺欠在熔合面周向方向的尺寸，L為熱熔接頭長度，T為熱熔接頭管材壁厚，h為孔洞的自

身高度。

9.2.2熔合面缺欠

熔合面缺欠按表7的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

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T/CASEIXXXX—XXXX

表7熔合面缺欠的質(zhì)量分級(jí)

質(zhì)單個(gè)缺欠

量工件厚度表面缺欠埋藏缺陷（欠）

多個(gè)缺欠

等/mm若L＞Lmax缺若L＞Lmax缺

長度Lmax高度h3長度Lmax高度h2

級(jí)欠高度h1欠高度h1

若多個(gè)缺欠其各自高度h

6≤e≤8e1.0-e1.51.0均為：h1≤h≤h2或h3，則在任意

12t范圍內(nèi)，且深度在工件厚度

40%范圍內(nèi)（最小可為6mm，但最

8≤e≤1582.01.082.01.0大不超過30mm），累積長度不得

I級(jí)

超過2t且最大值為150mm；

對(duì)于單個(gè)或多個(gè)允許的表

面缺欠，其最大累積長度不得大

15≤e≤30152.51.5152.51.5

于整條焊縫長度的5%且最長不

得超過200mm。

若多個(gè)缺欠其各自高度h

6≤e≤8e1.51.0e1.51.0均為：h1≤h≤h2或h3，則在任意

12t范圍內(nèi)，且深度在工件厚度

40%范圍內(nèi)（最小可為6mm，但最

II8≤e≤15e2.01.0e2.01.5大不超過30mm），累積長度不得

級(jí)超過3t且最大值為200mm；

對(duì)于單個(gè)或多個(gè)允許的表

面缺欠，其最大累積長度不得大

15≤e≤302.51.5e3.02.0

e于整條焊縫長度的10%且最長不

得超過300mm。

III

大于II級(jí)者

級(jí)

9.2.3冷焊

冷焊缺欠按表8的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

表8冷焊缺欠的質(zhì)量分級(jí)

級(jí)別冷焊程度H

I級(jí)小于10%

II級(jí)小于30%

III級(jí)大于II級(jí)者

9.2.4過焊

過焊引起孔洞缺欠時(shí)，按9.2.1的規(guī)定評(píng)定。過焊缺欠按過焊程度進(jìn)行分級(jí)評(píng)定時(shí)，以表9的規(guī)定進(jìn)

行分級(jí)評(píng)定。

表9過焊缺欠的質(zhì)量分級(jí)

級(jí)別過焊程度H

I級(jí)小于20%

II級(jí)小于40%

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T/CASEIXXXX—XXXX

III級(jí)大于II級(jí)者

9.2.5錯(cuò)邊

錯(cuò)邊不應(yīng)大于管材壁厚的10%；

9.2.6聚乙烯熱熔焊焊接接頭典型缺欠圖譜見資料性附錄A

9.3聚乙烯電熔焊焊接接頭缺欠評(píng)定

9.3.1孔洞

孔洞缺陷按表10的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

表10孔洞缺陷的質(zhì)量分級(jí)

級(jí)別單個(gè)孔洞組合孔洞

ⅠX/L＜5%且h＜5%T累計(jì)尺寸X/L＜10%且h＜5%T

ⅡX/L＜10%且h＜10%T累計(jì)尺寸X/L＜15%且h＜10%T

Ⅲ大于Ⅱ級(jí)者

注：X為該缺陷在熔合面軸向方向上尺寸，L為標(biāo)稱熔合區(qū)長度，T為電熔接頭管材壁厚，h為孔洞自身高度。

9.3.2熔合面夾雜的質(zhì)量分級(jí)

熔合面夾雜缺陷按表11的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

表11熔合面夾雜缺陷的質(zhì)量分級(jí)

級(jí)別與內(nèi)冷焊區(qū)貫通的熔接面夾雜的缺陷長度與內(nèi)冷焊區(qū)不貫通的熔接面夾雜的缺陷長度

Ⅰ—不大于標(biāo)稱熔合區(qū)長度L/10

Ⅱ不大于標(biāo)稱熔合區(qū)長度L/10不大于標(biāo)稱熔合區(qū)長度L/5

Ⅲ大于Ⅱ級(jí)者

注：L為標(biāo)稱熔合區(qū)長度。

9.3.3冷焊

冷焊缺陷按表8的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

9.3.4過焊

a)過焊引起孔洞缺陷時(shí)，按9.2.1評(píng)定

b)過焊引起電阻絲錯(cuò)位時(shí)，按9.2.2評(píng)定；

c)過焊缺陷按過焊程度進(jìn)行分級(jí)評(píng)定時(shí)，按表9的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

9.3.5電阻絲錯(cuò)位

電阻絲錯(cuò)位缺陷按表12的規(guī)定進(jìn)行分級(jí)評(píng)定。

9.3.6承插不到位

Ⅰ、Ⅱ級(jí)電熔接頭中不允許存在承插不到位缺陷。

9.3.7聚乙烯電熔焊接頭典型圖譜見資料性附錄B

9.4綜合評(píng)級(jí)當(dāng)接頭中同時(shí)出現(xiàn)多種類型的缺陷時(shí)，以質(zhì)量最差的級(jí)別作為接頭的質(zhì)量級(jí)別。

9.5接頭的質(zhì)量接受標(biāo)準(zhǔn)由合同雙方商定，或參照有關(guān)規(guī)范執(zhí)行。

10檢測(cè)記錄和報(bào)告

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10.1應(yīng)按照現(xiàn)場(chǎng)操作的實(shí)際情況詳細(xì)記錄檢測(cè)過程的有關(guān)信息和數(shù)據(jù)，至少包括以下內(nèi)容。

a)記錄編號(hào)；

b)工藝規(guī)程版次或操作指導(dǎo)書編號(hào)；

c)檢測(cè)技術(shù)要求：執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)和合格級(jí)別；

d)d)檢測(cè)對(duì)象：檢測(cè)對(duì)象名稱、編號(hào)、規(guī)格尺寸、材質(zhì)、檢測(cè)部位和檢測(cè)比例、檢測(cè)時(shí)的表面狀態(tài)、

檢測(cè)時(shí)機(jī)；

e)檢測(cè)設(shè)備和器材：檢測(cè)設(shè)備、探頭、楔塊、耦合劑、掃查裝置、試塊名稱和規(guī)格型號(hào)；

f)檢測(cè)工藝參數(shù)：掃查靈敏度、激發(fā)陣元數(shù)量、激發(fā)陣元起始位置、掃描方式和掃查方式、探頭位

置、聚焦深度、角度范圍、角度步進(jìn)、掃查步進(jìn)、檢測(cè)前的表面準(zhǔn)備和耦合補(bǔ)償量等；

g)檢測(cè)示意圖；

h)原始檢測(cè)數(shù)據(jù)；

i)檢測(cè)數(shù)據(jù)的評(píng)定結(jié)果；

j)檢測(cè)人員；

k)檢測(cè)日期和地點(diǎn)。

10.2應(yīng)依據(jù)檢測(cè)記錄出具檢測(cè)報(bào)告，至少包括以下內(nèi)容：

a)報(bào)告編號(hào)；

b)檢測(cè)技術(shù)要求：執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)和合格級(jí)別；

c)檢測(cè)對(duì)象：檢測(cè)對(duì)象名稱、編號(hào)、規(guī)格尺寸、材質(zhì)、檢測(cè)部位和檢測(cè)比例、檢測(cè)時(shí)的表面狀態(tài)、

檢測(cè)時(shí)機(jī)；

d)檢測(cè)設(shè)備和器材：檢測(cè)設(shè)備、探頭、楔塊、耦合劑、掃查裝置、試塊名稱和規(guī)格型號(hào)；

e)檢測(cè)工藝參數(shù)：掃查靈敏度、激發(fā)陣元數(shù)量、激發(fā)陣元起始位置、掃描方式和掃查方式、探頭位

置、聚焦深度、角度范圍、角度步進(jìn)、掃查步進(jìn)、檢測(cè)前的表面準(zhǔn)備和耦合補(bǔ)償量等；

f)檢測(cè)示意圖：檢測(cè)部位以及所發(fā)現(xiàn)的缺陷位置和分布圖；

g)檢測(cè)結(jié)果和結(jié)論；

h)編制者和審核者及資質(zhì)；

i)編制日期；

10.3檢測(cè)記錄和報(bào)告保存期限應(yīng)符合相關(guān)法律法規(guī)的要求，且不得少于7年。

10.4相控陣檢測(cè)作業(yè)指導(dǎo)書內(nèi)容詳見資料性附錄C

10.5相控陣檢測(cè)報(bào)告參考表示詳見資料性附錄D。

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T/CAS