【MOOC期末】《微波技術(shù)》（北京航空航天大學(xué)）期末測試中國大學(xué)慕課答案

【MOOC期末】《微波技術(shù)》（北京航空航天大學(xué)）期末測試中國大學(xué)慕課答案微波技術(shù)期末測評

有些題目順序不一致，下載后按鍵盤ctrl+F進行搜索1.多選題：以下關(guān)于實用激勵和耦合裝置類型及基本要求的敘述正確的是：

選項：

A、探針，匹配良好。

B、小環(huán)，匹配良好。

C、小孔或縫，優(yōu)先激勵起工作模式。

D、直接相連，優(yōu)先激勵起工作模式。

E、探針，優(yōu)先激勵起高次模式。

F、小環(huán)，阻抗失配。

G、探針，阻抗失配。

H、小環(huán)，優(yōu)先激勵起高次模式。

I、小孔或縫，阻抗失配。

J、小孔或縫，優(yōu)先激勵起高次模式。

K、直接相連，優(yōu)先激勵起高次模式。

L、直接相連，優(yōu)先激勵起主模。

M、探針，優(yōu)先激勵起主模。

N、小環(huán)，優(yōu)先激勵起主模。

O、小孔或縫，優(yōu)先激勵起主模。

答案：【探針，匹配良好。;小環(huán)，匹配良好。;小孔或縫，優(yōu)先激勵起工作模式。;直接相連，優(yōu)先激勵起工作模式?！?.多選題：關(guān)于交變磁偶極子，以下敘述正確的是：

選項：

A、對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為對稱場。

B、對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為反稱場。

C、對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射方向圖是“8”字形。

D、對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射方向圖是圓形。

E、小環(huán)的輻射電磁場可以近似用磁偶極子模型來分析。

F、對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為反稱場。

G、對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為對稱場。

H、對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射方向圖是“8”字形。

I、對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射方向圖是圓形。

J、探針輻射電磁場可以近似用磁偶極子模型來分析。

K、對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為反稱場。

L、對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為對稱場。

M、對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為對稱場。

N、對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為反稱場。

答案：【對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為對稱場。;對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為反稱場。;對包含著軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射方向圖是“8”字形。;對垂直于軸線方向的對稱面：磁偶極子輻射方向圖是圓形。;小環(huán)的輻射電磁場可以近似用磁偶極子模型來分析?！?.多選題：關(guān)于交變電偶極子，以下敘述正確的是：

選項：

A、對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為對稱場。

B、對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為反稱場。

C、對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射方向圖是“8”字形。

D、對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射方向圖是圓形。

E、探針輻射電磁場可以近似用電偶極子模型來分析。

F、對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為反稱場。

G、對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為對稱場。

H、對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射方向圖是“8”字形。

I、對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射方向圖是圓形。

J、小環(huán)的輻射電磁場可以近似用電偶極子模型來分析。

K、對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為對稱場。

L、對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為反稱場。

M、對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為反稱場。

N、對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為對稱場。

答案：【對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是反稱場，輻射磁場為對稱場。;對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射電場是對稱場，輻射磁場為反稱場。;對包含著軸線方向的對稱面：電偶極子輻射方向圖是“8”字形。;對垂直于軸線方向的對稱面：電偶極子輻射方向圖是圓形。;探針輻射電磁場可以近似用電偶極子模型來分析?！?.多選題：關(guān)于波導(dǎo)激勵和耦合的奇偶禁戒規(guī)則，以下敘述正確的是：

選項：

A、偶激勵不可能激起奇模式，奇激勵不可能激起偶模式。

B、對稱激勵不可能激起反稱模式，反稱激勵不可能激起對稱模式。

C、場的對稱性質(zhì)都是相對于某一個確定的對稱面而言的，這個對稱面必須是邊界條件的幾何對稱面。

D、激勵場與被激勵場的對稱性質(zhì)，可以都用電場來判斷，也可以都用磁場來判斷，兩種分析結(jié)果一致。

E、只要找到任何一個對稱面，滿足奇偶禁忌規(guī)則，就可以判定相應(yīng)的模式是否被禁戒。

F、偶激勵不可能激起對稱模式，奇激勵不可能激起反稱模式。

G、對稱激勵不可能激起偶模式，反稱激勵不可能激起奇模式。

H、場的對稱性質(zhì)都是相對于某一個確定的面而言的，這個面可以任意選取。

I、激勵場與被激勵場的對稱性質(zhì)，用電場或磁場來判斷的分析結(jié)果可能不一致。

J、需要找到多個對稱面，判斷是否滿足奇偶禁忌規(guī)則，才可以判定相應(yīng)的模式是否被禁戒。

答案：【偶激勵不可能激起奇模式，奇激勵不可能激起偶模式。;對稱激勵不可能激起反稱模式，反稱激勵不可能激起對稱模式。;場的對稱性質(zhì)都是相對于某一個確定的對稱面而言的，這個對稱面必須是邊界條件的幾何對稱面。;激勵場與被激勵場的對稱性質(zhì)，可以都用電場來判斷，也可以都用磁場來判斷，兩種分析結(jié)果一致。;只要找到任何一個對稱面，滿足奇偶禁忌規(guī)則，就可以判定相應(yīng)的模式是否被禁戒?！?.多選題：對圓波導(dǎo)和同軸線，關(guān)于場的對稱和反稱，以下敘述正確的是：

選項：

A、圓波導(dǎo)H11模式：電場對極化方向所在縱剖面是對稱場，磁場對極化方向所在縱剖面是反稱場。

B、圓波導(dǎo)H01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場。

C、圓波導(dǎo)E01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。

D、同軸線TEM模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。

E、在橫截面，同軸線TEM模式和圓波導(dǎo)E01模式的電場和磁場具有相同的對稱和反稱性質(zhì)。

F、圓波導(dǎo)H11模式：電場對極化方向所在縱剖面是反稱場，磁場對極化方向所在縱剖面是對稱場。

G、圓波導(dǎo)H01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。

H、圓波導(dǎo)E01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場。

I、同軸線TEM模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場。

J、在橫截面，同軸線TEM模式和圓波導(dǎo)H01模式的電場和磁場具有相同的對稱和反稱性質(zhì)。

K、圓波導(dǎo)H11模式：電場對極化方向所在縱剖面是對稱場，磁場對極化方向所在縱剖面是對稱場。

L、圓波導(dǎo)H01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。

M、圓波導(dǎo)E01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場。

N、同軸線TEM模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場。

O、在橫截面，同軸線TEM模式和圓波導(dǎo)H11模式的電場和磁場具有相同的對稱和反稱性質(zhì)。

P、圓波導(dǎo)H11模式：電場對極化方向所在縱剖面是反稱場，磁場對極化方向所在縱剖面是反稱場。

Q、圓波導(dǎo)H01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場。

R、圓波導(dǎo)E01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。

S、同軸線TEM模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。

答案：【圓波導(dǎo)H11模式：電場對極化方向所在縱剖面是對稱場，磁場對極化方向所在縱剖面是反稱場。;圓波導(dǎo)H01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場。;圓波導(dǎo)E01模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。;同軸線TEM模式：電場對任意直徑線所在縱剖面是對稱場，磁場對任意直徑線所在縱剖面是反稱場。;在橫截面，同軸線TEM模式和圓波導(dǎo)E01模式的電場和磁場具有相同的對稱和反稱性質(zhì)?！?.多選題：對矩形波導(dǎo)，關(guān)于場的對稱和反稱，以下敘述正確的是：

選項：

A、H11模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是對稱場。

B、H11模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是反稱場。

C、E11模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是對稱場。

D、E11模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是反稱場。

E、對x=a/2平面，Hm0(m為奇數(shù))模式的電場是對稱場。

F、對x=a/2平面，Hm0(m為偶數(shù))模式的電場是反稱場。

G、對y=b/2平面，所有Hm0(m≠0)電場是反稱場，磁場是對稱場。

H、由基本場型拼成的高次模式的基本單元的分界面，是磁場的對稱面、電場的反稱面。

I、H11模式的磁場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是對稱場。

J、H11模式的電場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是反稱場。

K、E11模式的磁場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是對稱場。

L、E11模式的電場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是反稱場。

M、對x=a/2平面，Hm0(m為奇數(shù))模式的電場是反稱場。

N、對x=a/2平面，Hm0(m為偶數(shù))模式的電場是對稱場。

O、對y=b/2平面，所有Hm0(m≠0)電場是對稱場，磁場是反稱場。

P、由基本場型拼成的高次模式的基本單元的分界面，是磁場的反稱面、電場的對稱面。

Q、H11模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

R、H11模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

S、E11模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

T、E11模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

null、H11模式的電場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

null、H11模式的磁場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

null、E11模式的電場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

null、E11模式的磁場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

答案：【H11模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是對稱場。;H11模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是反稱場。;E11模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是對稱場。;E11模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是反稱場。;對x=a/2平面，Hm0(m為奇數(shù))模式的電場是對稱場。;對x=a/2平面，Hm0(m為偶數(shù))模式的電場是反稱場。;對y=b/2平面，所有Hm0(m≠0)電場是反稱場，磁場是對稱場。;由基本場型拼成的高次模式的基本單元的分界面，是磁場的對稱面、電場的反稱面。】7.多選題：關(guān)于場的對稱和反稱，以下敘述正確的是：

選項：

A、如果場形在幾何對稱面兩側(cè)互為鏡像，且場矢量箭頭方向相同，稱該場對這個對稱面是對稱場。

B、如果場形在幾何對稱面兩側(cè)互為鏡像，但場矢量的箭頭方向相反，稱該場對于這個對稱面是反稱場。

C、對稱場又稱“偶”場，反稱場又稱“奇”場。

D、矩形波導(dǎo)H10模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

E、矩形波導(dǎo)H10模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

F、矩形波導(dǎo)H01模式的電場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

G、矩形波導(dǎo)H01模式的磁場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

H、矩形波導(dǎo)H10模式的電場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

I、矩形波導(dǎo)H10模式的磁場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

J、矩形波導(dǎo)H01模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。

K、矩形波導(dǎo)H01模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。

答案：【如果場形在幾何對稱面兩側(cè)互為鏡像，且場矢量箭頭方向相同，稱該場對這個對稱面是對稱場。;如果場形在幾何對稱面兩側(cè)互為鏡像，但場矢量的箭頭方向相反，稱該場對于這個對稱面是反稱場。;對稱場又稱“偶”場，反稱場又稱“奇”場。;矩形波導(dǎo)H10模式的電場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場。;矩形波導(dǎo)H10模式的磁場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。;矩形波導(dǎo)H01模式的電場：對x=a/2平面是反稱場，對y=b/2平面是對稱場。;矩形波導(dǎo)H01模式的磁場：對x=a/2平面是對稱場，對y=b/2平面是反稱場?！?.多選題：關(guān)于波導(dǎo)的激勵和耦合，以下敘述正確的是：

選項：

A、波導(dǎo)模式的激勵是指通過某種裝置在波導(dǎo)中建立起電磁波模式。

B、波導(dǎo)模式的耦合是指通過某種裝置從波導(dǎo)中的電磁波模式中取出部分電磁能量。

C、在波導(dǎo)中建立所需要模式的裝置稱為激勵裝置或激勵元件。

D、從波導(dǎo)模式中取出微波能量的裝置則稱為耦合裝置或耦合元件。

E、激勵和耦合是可逆的，激勵裝置也可作為耦合裝置。

F、波導(dǎo)模式的耦合是指通過某種裝置在波導(dǎo)中建立起電磁波模式。

G、波導(dǎo)模式的激勵是指通過某種裝置從波導(dǎo)中的電磁波模式中取出部分電磁能量。

H、在波導(dǎo)中建立所需要模式的裝置稱為耦合裝置或耦合元件。

I、從波導(dǎo)模式中取出微波能量的裝置則稱為激勵裝置或激勵元件。

J、激勵和耦合是不可逆的，激勵裝置不能作為耦合裝置。

答案：【波導(dǎo)模式的激勵是指通過某種裝置在波導(dǎo)中建立起電磁波模式。;波導(dǎo)模式的耦合是指通過某種裝置從波導(dǎo)中的電磁波模式中取出部分電磁能量。;在波導(dǎo)中建立所需要模式的裝置稱為激勵裝置或激勵元件。;從波導(dǎo)模式中取出微波能量的裝置則稱為耦合裝置或耦合元件。;激勵和耦合是可逆的，激勵裝置也可作為耦合裝置?！?.多選題：對微波網(wǎng)絡(luò)的常見性質(zhì)，以下敘述正確的是：

選項：

A、互易性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部填充的是各向同性均勻媒質(zhì)，即媒質(zhì)極化、磁化、傳導(dǎo)性質(zhì)與外加場方向無關(guān)。

B、對稱性是指微波網(wǎng)絡(luò)的某兩個端口存在電氣上的對稱面或?qū)ΨQ軸，從而從兩個端口看進去的網(wǎng)絡(luò)電氣性質(zhì)相同。

C、無耗性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部不存在任何的極化、磁化、傳導(dǎo)損耗，此時網(wǎng)絡(luò)端口的總輸入功率和總輸出功率應(yīng)相等。

D、對無耗微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和阻抗參量矩陣的負值相等。

E、對無耗微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和導(dǎo)納參量矩陣的負值相等。

F、對互易微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和阻抗參量矩陣本身相等。

G、對互易微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和導(dǎo)納參量矩陣本身相等。

H、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對稱，則阻抗參量滿足：Zii=Zjj。

I、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對稱，則導(dǎo)納參量滿足：Yii=Yjj。

J、對無耗微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和阻抗參量矩陣本身相等。

K、對無耗微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和導(dǎo)納參量矩陣本身相等。

L、對互易微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和阻抗參量矩陣的負值相等。

M、對互易微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和導(dǎo)納參量矩陣的負值相等。

N、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口互易，則阻抗參量滿足：Zii=Zjj。

O、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口互易，則導(dǎo)納參量滿足：Yii=Yjj。

答案：【互易性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部填充的是各向同性均勻媒質(zhì)，即媒質(zhì)極化、磁化、傳導(dǎo)性質(zhì)與外加場方向無關(guān)。;對稱性是指微波網(wǎng)絡(luò)的某兩個端口存在電氣上的對稱面或?qū)ΨQ軸，從而從兩個端口看進去的網(wǎng)絡(luò)電氣性質(zhì)相同。;無耗性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部不存在任何的極化、磁化、傳導(dǎo)損耗，此時網(wǎng)絡(luò)端口的總輸入功率和總輸出功率應(yīng)相等。;對無耗微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和阻抗參量矩陣的負值相等。;對無耗微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和導(dǎo)納參量矩陣的負值相等。;對互易微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和阻抗參量矩陣本身相等。;對互易微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和導(dǎo)納參量矩陣本身相等。;如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對稱，則阻抗參量滿足：Zii=Zjj。;如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對稱，則導(dǎo)納參量滿足：Yii=Yjj。】10.多選題：對微波網(wǎng)絡(luò)參量，以下敘述正確的是：

選項：

A、根據(jù)線性疊加定理，n端口微波網(wǎng)絡(luò)的共2n個等效電壓和等效電流中，可以用其中任意n個線性表示剩下的n個，表示式的系數(shù)即為一種微波網(wǎng)絡(luò)參量。

B、根據(jù)線性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個等效電壓線性表示n個等效電流，得到的系數(shù)即為導(dǎo)納參量。

C、根據(jù)線性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個等效電流線性表示n個等效電壓，得到的系數(shù)即為阻抗參量。

D、根據(jù)線性疊加定理，n端口微波網(wǎng)絡(luò)的共2n個等效電壓和等效電流中，必須用n個等效電壓線性表示n個等效電流，或者用n個等效電流線性表示n個等效電壓，表示式的系數(shù)才是一種微波網(wǎng)絡(luò)參量。

E、根據(jù)線性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個等效電壓線性表示n個等效電流，得到的系數(shù)即為阻抗參量。

F、根據(jù)線性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個等效電流線性表示n個等效電壓，得到的系數(shù)即為導(dǎo)納參量。

G、根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)參量的類型是唯一確定的。

H、根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)參量的數(shù)值與工作頻率無關(guān)。

答案：【根據(jù)線性疊加定理，n端口微波網(wǎng)絡(luò)的共2n個等效電壓和等效電流中，可以用其中任意n個線性表示剩下的n個，表示式的系數(shù)即為一種微波網(wǎng)絡(luò)參量。;根據(jù)線性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個等效電壓線性表示n個等效電流，得到的系數(shù)即為導(dǎo)納參量。;根據(jù)線性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個等效電流線性表示n個等效電壓，得到的系數(shù)即為阻抗參量?！?1.多選題：對表示微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的“微波結(jié)”和等效微波網(wǎng)絡(luò)，以下敘述正確的是：

選項：

A、“微波結(jié)”是由理想導(dǎo)體所包圍具有n個傳輸線端口的結(jié)構(gòu)，功率傳輸只能通過n個傳輸線端口進行，可以將其等效為微波網(wǎng)絡(luò)。

B、在將“微波結(jié)”等效為微波網(wǎng)絡(luò)時，需要確定n個傳輸線端口的n個等效電壓、n個等效電流、n個等效特性阻抗。

C、根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個端口的等效電壓確定后，內(nèi)部的電磁場唯一確定，儲能和耗能關(guān)系也唯一確定。

D、根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個端口的等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場唯一確定，儲能和耗能關(guān)系也唯一確定。

E、根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的m(m≤n)個端口的等效電壓、(n-m)個等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場唯一確定，儲能和耗能關(guān)系也唯一確定。

F、“微波結(jié)”n個傳輸線端口的任意一個端口參考面變化，則等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量都可能隨之變化。

G、只有“微波結(jié)”n個傳輸線端口的參考面都發(fā)生變化時，其等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量才隨之變化。

H、只改變“微波結(jié)”n個傳輸線端口的某一個端口的參考面，不會影響其等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量。

答案：【“微波結(jié)”是由理想導(dǎo)體所包圍具有n個傳輸線端口的結(jié)構(gòu)，功率傳輸只能通過n個傳輸線端口進行，可以將其等效為微波網(wǎng)絡(luò)。;在將“微波結(jié)”等效為微波網(wǎng)絡(luò)時，需要確定n個傳輸線端口的n個等效電壓、n個等效電流、n個等效特性阻抗。;根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個端口的等效電壓確定后，內(nèi)部的電磁場唯一確定，儲能和耗能關(guān)系也唯一確定。;根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個端口的等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場唯一確定，儲能和耗能關(guān)系也唯一確定。;根據(jù)電磁場唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的m(m≤n)個端口的等效電壓、(n-m)個等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場唯一確定，儲能和耗能關(guān)系也唯一確定。;“微波結(jié)”n個傳輸線端口的任意一個端口參考面變化，則等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量都可能隨之變化?！?2.多選題：對波導(dǎo)模式等效雙導(dǎo)線的等效特性阻抗，以下敘述正確的是：

選項：

A、確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效電壓、等效電流的多值性。

B、確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效輸入阻抗的多值性。

C、可以按照某種特定規(guī)則計算和定義等效特性阻抗Z0。

D、可以選取等效特性阻抗Z0即等于波導(dǎo)模式的波阻抗。

E、可以選取等效特性阻抗等于1。

F、在單一入射波的行波狀態(tài)下，等效特性阻抗和等效輸入阻抗相等。

G、選取不同的等效特性阻抗Z0時，對應(yīng)的等效電壓、等效電流相同。

H、選取不同的等效特性阻抗Z0時，對應(yīng)的等效電壓、等效電流不同，故由它們表示的復(fù)功率也不等。

I、選取等效特性阻抗等于1是一種近似處理辦法，因為實際傳輸線的特性阻抗不可能都等于1。

答案：【確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效電壓、等效電流的多值性。;確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效輸入阻抗的多值性。;可以按照某種特定規(guī)則計算和定義等效特性阻抗Z0。;可以選取等效特性阻抗Z0即等于波導(dǎo)模式的波阻抗。;可以選取等效特性阻抗等于1。;在單一入射波的行波狀態(tài)下，等效特性阻抗和等效輸入阻抗相等?！?3.多選題：關(guān)于波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線的基本原則以及需確定的參量，以下敘述正確的是：

選項：

A、雙導(dǎo)線的等效電壓、等效電流表示的復(fù)功率與波導(dǎo)模式的復(fù)功率相等。

B、使矢量模式函數(shù)滿足歸一化條件，從而確定等效電壓、等效電流及其表示的復(fù)功率。

C、需確定等效雙導(dǎo)線的等效特性阻抗。

D、需確定等效雙導(dǎo)線上電壓波、電流波的相位常數(shù)。

E、雙導(dǎo)線的等效電壓、等效電流與表示的波導(dǎo)模式的實際電壓、實際電流相等。

F、需確定等效雙導(dǎo)線的等效輸入阻抗。

G、需確定等效雙導(dǎo)線的等效負載阻抗。

H、等效電壓、等效電流存在多值性，由二者表示的復(fù)功率也存在多值性。

答案：【雙導(dǎo)線的等效電壓、等效電流表示的復(fù)功率與波導(dǎo)模式的復(fù)功率相等。;使矢量模式函數(shù)滿足歸一化條件，從而確定等效電壓、等效電流及其表示的復(fù)功率。;需確定等效雙導(dǎo)線的等效特性阻抗。;需確定等效雙導(dǎo)線上電壓波、電流波的相位常數(shù)。】14.多選題：關(guān)于將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線，以下敘述正確的是：

選項：

A、通過將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線，可以建立雙導(dǎo)線的等效線間電壓、等效線上電流。

B、通過將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線，可以進一步研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。

C、波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線的目的是利用等效雙導(dǎo)線電路模型，研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。

D、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，場隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫成Z(z)函數(shù)形式，可以表示沿縱向的行波、駐波、行駐波。

E、將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，如果沿縱向為行波狀態(tài)，則Z(z)函數(shù)應(yīng)正比于傳播因子exp(±γz)。

F、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，場隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫成Z(z)函數(shù)形式，Z(z)函數(shù)滿足傳輸線方程。

G、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，場隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫成Z(z)函數(shù)形式，根據(jù)Z(z)函數(shù)可以分別定義等效電壓U(z)、等效電流I(z)。

H、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，場隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫成Z(z)函數(shù)形式，Z(z)必然正比于傳播因子exp(±γz)。

I、等效電壓U(z)、等效電流I(z)在物理上真實存在，可以進行測量。

答案：【通過將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線，可以建立雙導(dǎo)線的等效線間電壓、等效線上電流。;通過將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線，可以進一步研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。;波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線的目的是利用等效雙導(dǎo)線電路模型，研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。;在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，場隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫成Z(z)函數(shù)形式，可以表示沿縱向的行波、駐波、行駐波。;將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，如果沿縱向為行波狀態(tài)，則Z(z)函數(shù)應(yīng)正比于傳播因子exp(±γz)。;在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，場隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫成Z(z)函數(shù)形式，Z(z)函數(shù)滿足傳輸線方程。;在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線時，場隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫成Z(z)函數(shù)形式，根據(jù)Z(z)函數(shù)可以分別定義等效電壓U(z)、等效電流I(z)?！?5.多選題：關(guān)于微波系統(tǒng)的“均勻區(qū)”與“非均勻區(qū)”，以下敘述正確的是：

選項：

A、“均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的傳輸線、波導(dǎo)，“非均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的各類微波元件。

B、對微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的分析，可以用“場”的方法，也可以用“路”的方法。

C、“均勻區(qū)”可以當(dāng)作是“非均勻區(qū)”的一種特例。

D、微波等效電路的基本等效關(guān)系是：將各種“均勻區(qū)”的微波傳輸線（模式）等效為雙導(dǎo)線，將各種“非均勻區(qū)”的微波元件等效為網(wǎng)絡(luò)。

E、與傳輸線理論相比，對“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線的多個“縱向”。

F、與傳輸線理論相比，對“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線對應(yīng)的多個模式。

G、“均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的雙導(dǎo)線，“非均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的波導(dǎo)。

H、對微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的分析，可以用“場”的方法，不能使用“路”的方法。

I、“均勻區(qū)”不能當(dāng)作是“非均勻區(qū)”的一種特例。

J、微波等效電路的基本等效關(guān)系是：將各種“均勻區(qū)”的微波傳輸線（模式）等效為空心波導(dǎo)管，將各種“非均勻區(qū)”的微波元件等效為雙導(dǎo)線。

K、對“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型，不可能存在多個“縱向”、多個模式。

答案：【“均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的傳輸線、波導(dǎo)，“非均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的各類微波元件。;對微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的分析，可以用“場”的方法，也可以用“路”的方法。;“均勻區(qū)”可以當(dāng)作是“非均勻區(qū)”的一種特例。;微波等效電路的基本等效關(guān)系是：將各種“均勻區(qū)”的微波傳輸線（模式）等效為雙導(dǎo)線，將各種“非均勻區(qū)”的微波元件等效為網(wǎng)絡(luò)。;與傳輸線理論相比，對“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線的多個“縱向”。;與傳輸線理論相比，對“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線對應(yīng)的多個模式?！?6.多選題：關(guān)于“第二章傳輸線理論”、“第三章波導(dǎo)理論”的比較，以下敘述正確的是：

選項：

A、第二章基于分布參數(shù)電路理論；第三章基于電磁場方程。

B、第二章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波、駐波、行駐波狀態(tài)；第三章只考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波狀態(tài)。

C、第二章重點研究導(dǎo)行波沿縱向的功率傳輸、反射、匹配問題；第三章重點研究導(dǎo)行波沿橫向各種電磁波模式的場分布問題。

D、第二章的主要研究對象是雙導(dǎo)體類型的TEM波傳輸線，如平行雙導(dǎo)線等；第三章的主要研究對象主要是單根空心金屬管構(gòu)成的TE和TM波傳輸線，如矩形波導(dǎo)、圓波導(dǎo)等。

E、第二章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向傳播特征的電壓或電流所滿足的傳輸線方程，第三章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波橫向場分布的二維分布函數(shù)所滿足的波動方程。

F、第二章的學(xué)習(xí)重點之一是阻抗匹配器，如四分之一波長匹配器、單支節(jié)匹配器等；第三章的學(xué)習(xí)重點之一是各種傳輸線的主模，如矩形波導(dǎo)主模H10模、同軸線主模TEM模等。

G、第二章基于電磁場理論；第三章基于分布參數(shù)電路理論。

H、第二章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波狀態(tài)；第三章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波、駐波、行駐波狀態(tài)。

I、第二章重點研究導(dǎo)行波沿縱向的功率傳輸問題，不考慮反射；第三章重點研究導(dǎo)行波沿縱向各種電磁波模式的場分布問題，縱向不同的位置電磁波模式不同。

J、第二章的主要研究對象是單導(dǎo)體類型的TEM波傳輸線，例如同軸線；第三章的主要研究對象主要是雙導(dǎo)體類型的TE和TM波傳輸線，如矩形波導(dǎo)、圓波導(dǎo)等。

K、第二章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向傳播特征的電壓或電流所滿足的二維波動方程，第三章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向場分布的二維分布函數(shù)所滿足的波動方程。

L、第二章的學(xué)習(xí)重點之一是阻抗匹配器，如四分之一支節(jié)匹配器等；第三章的學(xué)習(xí)重點之一是各種傳輸線的主模，如矩形波導(dǎo)主模H10模、同軸線主模H11模等。

答案：【第二章基于分布參數(shù)電路理論；第三章基于電磁場方程。;第二章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波、駐波、行駐波狀態(tài)；第三章只考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波狀態(tài)。;第二章重點研究導(dǎo)行波沿縱向的功率傳輸、反射、匹配問題；第三章重點研究導(dǎo)行波沿橫向各種電磁波模式的場分布問題。;第二章的主要研究對象是雙導(dǎo)體類型的TEM波傳輸線，如平行雙導(dǎo)線等；第三章的主要研究對象主要是單根空心金屬管構(gòu)成的TE和TM波傳輸線，如矩形波導(dǎo)、圓波導(dǎo)等。;第二章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向傳播特征的電壓或電流所滿足的傳輸線方程，第三章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波橫向場分布的二維分布函數(shù)所滿足的波動方程。;第二章的學(xué)習(xí)重點之一是阻抗匹配器，如四分之一波長匹配器、單支節(jié)匹配器等；第三章的學(xué)習(xí)重點之一是各種傳輸線的主模，如矩形波導(dǎo)主模H10模、同軸線主模TEM模等。】17.多選題：關(guān)于半徑為a的圓波導(dǎo)的H01模式的電磁場分布，以下敘述正確的是：

選項：

A、電場強度只有圓周方向分量，磁場強度在通過中心軸的平面上。

B、場沿圓周方向（φ方向）無變化，具有軸對稱性。

C、r=0時，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點。

D、r=a時，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點。

E、磁場強度只有圓周方向分量，電場強度在通過中心軸的平面上。

F、場沿圓周方向（φ方向）為駐波分布，有一個周期。

G、r=0時，Eφ分量取得最大值，為其波腹點。

H、r=a時，Eφ分量取得最大值，為其波腹點。

答案：【電場強度只有圓周方向分量，磁場強度在通過中心軸的平面上。;場沿圓周方向（φ方向）無變化，具有軸對稱性。;r=0時，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點。;r=a時，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點?！?8.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)的H01模式，以下敘述正確的是：

選項：

A、截止波長等于1.64a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第四長。

B、電場強度只有圓周方向分量，被稱為“圓電模式”。

C、存在E-H簡并。

D、內(nèi)壁電流沒有縱向（z向）分量。

E、衰減常數(shù)隨著頻率升高而下降。

F、內(nèi)壁電流沒有圓周方向（φ向）分量。

G、截止波長等于2.62a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第二長。

H、磁場強度只有圓周方向分量，被稱為“圓磁模式”。

I、在r=0中心軸線上，電場軸向分量Ez取得最大值。

J、存在極化簡并。

答案：【截止波長等于1.64a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第四長。;電場強度只有圓周方向分量，被稱為“圓電模式”。;存在E-H簡并。;內(nèi)壁電流沒有縱向（z向）分量。;衰減常數(shù)隨著頻率升高而下降?！?9.多選題：關(guān)于半徑為a的圓波導(dǎo)H11模式的電磁場分布，以下敘述正確的是：

選項：

A、只有電場強度縱向分量Ez等于零，其余分量均不為零。

B、角向（φ方向）為按正弦或余弦變化的駐波，有一個周期。

C、徑向為按一階第一類貝塞爾函數(shù)或其導(dǎo)函數(shù)變化的駐波，有半個駐波分布。

D、波導(dǎo)內(nèi)壁表面（r=a）為電場強度Eφ分量的波節(jié)點。

E、只有磁場強度縱向分量Hz等于零，其余分量均不為零。

F、角向（φ方向）為按正弦或余弦變化的駐波，有一個“半駐波”分布。

G、徑向為按一階第一類貝塞爾函數(shù)或其導(dǎo)函數(shù)變化的駐波，有一個周期分布。

H、波導(dǎo)內(nèi)壁表面（r=a）為磁場強度Hφ分量的波節(jié)點。

答案：【只有電場強度縱向分量Ez等于零，其余分量均不為零。;角向（φ方向）為按正弦或余弦變化的駐波，有一個周期。;徑向為按一階第一類貝塞爾函數(shù)或其導(dǎo)函數(shù)變化的駐波，有半個駐波分布。;波導(dǎo)內(nèi)壁表面（r=a）為電場強度Eφ分量的波節(jié)點?！?0.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)H11模式，以下敘述正確的是：

選項：

A、截止波長最大，等于3.41a。

B、存在極化簡并。

C、在導(dǎo)通狀態(tài)下，可以傳輸兩種極化不同的H11模式。

D、可以與矩形波導(dǎo)H10模式形成過渡。

E、是圓波導(dǎo)的主模，但在其導(dǎo)通狀態(tài)下，可以同時存在兩種極化方向不同的H11模式。

F、H11模式極化面很不穩(wěn)定，在傳輸過程中遇到不均勻性時，就可能轉(zhuǎn)化為另一種極化的H11模式。

G、利用其極化簡并特性，在多路通信系統(tǒng)中，可以將極化方向互相垂直的兩個H11模式分別用作收、發(fā)。

H、存在E-H簡并。

I、截止波長等于2a。

J、在內(nèi)壁任何位置電流線都不可能只存在z向分量。

答案：【截止波長最大，等于3.41a。;存在極化簡并。;在導(dǎo)通狀態(tài)下，可以傳輸兩種極化不同的H11模式。;可以與矩形波導(dǎo)H10模式形成過渡。;是圓波導(dǎo)的主模，但在其導(dǎo)通狀態(tài)下，可以同時存在兩種極化方向不同的H11模式。;H11模式極化面很不穩(wěn)定，在傳輸過程中遇到不均勻性時，就可能轉(zhuǎn)化為另一種極化的H11模式。;利用其極化簡并特性，在多路通信系統(tǒng)中，可以將極化方向互相垂直的兩個H11模式分別用作收、發(fā)?！?1.多選題：以下屬于圓波導(dǎo)的常用模式的是：

選項：

A、H11模

B、E01模

C、H01模

D、TE11模

E、TE01模

F、TM01模

G、E11模

H、H10模

I、TEM模

J、TM11模

答案：【H11模;E01模;H01模;TE11模;TE01模;TM01?！?2.多選題：圓波導(dǎo)的導(dǎo)行波模式有何特點？

選項：

A、存在E-H簡并。

B、存在極化簡并。

C、沿z向為傳播因子表示的行波，沿r向為貝塞爾函數(shù)或貝塞爾函數(shù)導(dǎo)數(shù)表示的駐波。

D、“高通低不通”。

E、截止波長最大的模式是H11模式，但是H11模式存在極化簡并。

F、在圓波導(dǎo)中可以傳輸不同極化的H11模式。

G、截止波數(shù)kc取值與矩形波導(dǎo)的相同。

H、傳播常數(shù)γ取值與矩形波導(dǎo)的相同。

I、可以傳輸TEM波。

J、電磁波模式的相速度與矩形波導(dǎo)的相同。

答案：【存在E-H簡并。;存在極化簡并。;沿z向為傳播因子表示的行波，沿r向為貝塞爾函數(shù)或貝塞爾函數(shù)導(dǎo)數(shù)表示的駐波。;“高通低不通”。;截止波長最大的模式是H11模式，但是H11模式存在極化簡并。;在圓波導(dǎo)中可以傳輸不同極化的H11模式?！?3.多選題：對圓波導(dǎo)，在用分離變量法求解TE波磁場強度z向分量Hz(r,φ)=R(r)·Φ(φ)和求解TM波電場強度z向分量Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)時，有什么相同點？

選項：

A、R(r)函數(shù)滿足的方程均為貝塞爾方程。

B、Φ(φ)函數(shù)滿足的方程均為諧方程。

C、Φ(φ)函數(shù)均滿足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。

D、在求解時，均假設(shè)沿縱向（z方向）為用傳播因子表示的行波形式。

E、R(r)函數(shù)在r=0位置均滿足應(yīng)為有限值條件。

F、根據(jù)r=0的邊界條件，R(r)函數(shù)的解均不能包括第二類貝塞爾函數(shù)。

G、R(r)函數(shù)的解均只用第一類貝塞爾函數(shù)表示。

H、R(r)函數(shù)的在r=a的圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面均滿足R(a)=0的邊界條件。

I、Φ(φ)函數(shù)滿足的方程是拉普拉斯方程。

J、截止波數(shù)kc的取值均相同。

答案：【R(r)函數(shù)滿足的方程均為貝塞爾方程。;Φ(φ)函數(shù)滿足的方程均為諧方程。;Φ(φ)函數(shù)均滿足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。;在求解時，均假設(shè)沿縱向（z方向）為用傳播因子表示的行波形式。;R(r)函數(shù)在r=0位置均滿足應(yīng)為有限值條件。;根據(jù)r=0的邊界條件，R(r)函數(shù)的解均不能包括第二類貝塞爾函數(shù)。;R(r)函數(shù)的解均只用第一類貝塞爾函數(shù)表示?！?4.多選題：關(guān)于貝塞爾函數(shù)表示的柱面駐波的特點，以下敘述正確的是：

選項：

A、相鄰波節(jié)點間距不等。

B、波腹點振幅不等。

C、在r趨于無限遠時，柱面駐波趨于平面駐波。

D、第二類貝塞爾函數(shù)表示的柱面駐波在r=0的位置為負無窮大。

E、零階第一類貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于1，為波腹點，一階第一類貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于0，為波節(jié)點。

F、零階第一類貝塞爾函數(shù)導(dǎo)函數(shù)和一階第一類貝塞爾函數(shù)的零點是一樣的，這說明用二者表示的柱面駐波的波節(jié)點的位置是相同的。

G、相鄰波節(jié)點間距均相等。

H、波腹點振幅均相等。

I、在r=0位置不可能為零。

J、在r=0位置不可能取得最大值。

答案：【相鄰波節(jié)點間距不等。;波腹點振幅不等。;在r趨于無限遠時，柱面駐波趨于平面駐波。;第二類貝塞爾函數(shù)表示的柱面駐波在r=0的位置為負無窮大。;零階第一類貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于1，為波腹點，一階第一類貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于0，為波節(jié)點。;零階第一類貝塞爾函數(shù)導(dǎo)函數(shù)和一階第一類貝塞爾函數(shù)的零點是一樣的，這說明用二者表示的柱面駐波的波節(jié)點的位置是相同的?！?5.多選題：如果要產(chǎn)生波導(dǎo)內(nèi)可導(dǎo)通的電磁波模式，以下敘述正確的是：

選項：

A、對波導(dǎo)進行激勵。

B、使電磁波頻率大于該模式的截止頻率。

C、使電磁波媒質(zhì)波長小于該模式的截止波長。

D、使電磁波媒質(zhì)波數(shù)大于該模式的截止波數(shù)。

E、對波導(dǎo)進行耦合。

F、使電磁波頻率小于該模式的截止頻率。

G、使電磁波媒質(zhì)波長大于該模式的截止波長。

H、使電磁波媒質(zhì)波數(shù)小于該模式的截止波數(shù)。

I、使電磁波頻率等于該模式的截止頻率。

J、使電磁波媒質(zhì)波長等于該模式的截止波長。

K、使電磁波媒質(zhì)波數(shù)等于該模式的截止波數(shù)。

答案：【對波導(dǎo)進行激勵。;使電磁波頻率大于該模式的截止頻率。;使電磁波媒質(zhì)波長小于該模式的截止波長。;使電磁波媒質(zhì)波數(shù)大于該模式的截止波數(shù)?！?6.多選題：在判斷某復(fù)矢量函數(shù)是否可以表示理想規(guī)則波導(dǎo)內(nèi)可能存在的電磁波的電場強度或磁場強度時，以下敘述正確的是：

選項：

A、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度、磁場強度滿足麥克斯韋方程組。

B、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度的散度等于零。

C、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場強度的散度等于零。

D、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度滿足波動方程。

E、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場強度滿足波動方程。

F、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體表面，電場強度垂直于內(nèi)壁表面，磁場強度平行于內(nèi)壁表面。

G、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體表面，電場強度平行于內(nèi)壁表面，磁場強度垂直于內(nèi)壁表面。

H、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度垂直于內(nèi)壁表面，磁場強度平行于內(nèi)壁表面。

I、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度的旋度等于零。

J、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場強度的旋度等于零。

答案：【在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度、磁場強度滿足麥克斯韋方程組。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度的散度等于零。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場強度的散度等于零。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場強度滿足波動方程。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場強度滿足波動方程。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體表面，電場強度垂直于內(nèi)壁表面，磁場強度平行于內(nèi)壁表面。】27.多選題：對同軸線，以下敘述正確的是：

選項：

A、同軸線TE或TM模式的截止波數(shù)kc是通過求解超越方程確定的。

B、由理想導(dǎo)體、理想介質(zhì)構(gòu)成的同軸線傳輸TEM波時，其沿軸向的相位常數(shù)β即等于媒質(zhì)波數(shù)k。

C、對同軸線的TE和TM模式，場沿r方向的駐波由第一類貝塞爾函數(shù)和第二類貝塞爾函數(shù)的線性組合表示。

D、同時兼顧傳輸功率大和衰減常數(shù)α小時，習(xí)慣上同軸線特性阻抗取值為50Ω。

E、主要考慮衰減常數(shù)α接近最小時，習(xí)慣上同軸線特性取值為75Ω。

F、同軸線TEM模式截止波數(shù)kc=0。

G、通過分離變量法求解同軸線的TE或TM波時，由于要滿足r=0處場為有限值的條件，所以R(r)表示式中不能包括第二類貝塞爾函數(shù)Yn(r)。

H、同軸線TEM模式截止頻率fc等于無窮大。

I、同軸線TEM模式截止波長λc等于零。

答案：【同軸線TE或TM模式的截止波數(shù)kc是通過求解超越方程確定的。;由理想導(dǎo)體、理想介質(zhì)構(gòu)成的同軸線傳輸TEM波時，其沿軸向的相位常數(shù)β即等于媒質(zhì)波數(shù)k。;對同軸線的TE和TM模式，場沿r方向的駐波由第一類貝塞爾函數(shù)和第二類貝塞爾函數(shù)的線性組合表示。;同時兼顧傳輸功率大和衰減常數(shù)α小時，習(xí)慣上同軸線特性阻抗取值為50Ω。;主要考慮衰減常數(shù)α接近最小時，習(xí)慣上同軸線特性取值為75Ω。;同軸線TEM模式截止波數(shù)kc=0?！?8.多選題：確定實用同軸線尺寸時，以下敘述正確的是：

選項：

A、應(yīng)保證TEM模式單模傳輸。

B、使傳輸功率盡量大。

C、使功率損耗盡量小。

D、習(xí)慣上取特性阻抗為50Ω或75Ω。

E、必須保證特性阻抗選為50Ω。

F、必須保證特性阻抗選為75Ω。

G、應(yīng)保證TM01模式單模傳輸。

H、應(yīng)保證TE11模式單模傳輸。

答案：【應(yīng)保證TEM模式單模傳輸。;使傳輸功率盡量大。;使功率損耗盡量小。;習(xí)慣上取特性阻抗為50Ω或75Ω?！?9.多選題：對同軸線的TE和TM模式，以下敘述正確的是：

選項：

A、TE11模式是所有TE波最低波型。

B、TM01模式是所有TM波的最低波型。

C、因為求解區(qū)域不包括r=0位置，所以分離變量時，R(r)函數(shù)是第一類貝塞爾函數(shù)和第二類貝塞爾函數(shù)的線性組合。

D、在用分離變量求解電磁場時，Φ(φ)函數(shù)應(yīng)滿足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。

E、在用分離變量求解電磁場時，Φ(φ)的通解可以寫為Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)，其中n不能為非整數(shù)。

F、TE10模式是所有TE波的最低波型。

G、TM10模式是所有TM波的最低波型。

H、TM11模式是所有TM波的最低波型。

答案：【TE11模式是所有TE波最低波型。;TM01模式是所有TM波的最低波型。;因為求解區(qū)域不包括r=0位置，所以分離變量時，R(r)函數(shù)是第一類貝塞爾函數(shù)和第二類貝塞爾函數(shù)的線性組合。;在用分離變量求解電磁場時，Φ(φ)函數(shù)應(yīng)滿足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。;在用分離變量求解電磁場時，Φ(φ)的通解可以寫為Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)，其中n不能為非整數(shù)。】30.多選題：對同軸線所能傳輸?shù)碾姶挪Ｊ郊皥龇植?，以下敘述正確的是：

選項：

A、同軸線的主模是TEM模式，截止頻率為零，截止波長為無窮大。

B、同軸線求解不包括r=0的位置，故不需要滿足在r=0場為有限值的條件。

C、對同軸線的TEM模式，在橫截面的場分布滿足靜態(tài)場方程。

D、同軸線TEM模式的電場沿半徑方向，磁場沿圓周方向。

E、同軸線內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓可以通過電場強度沿徑向的線積分得到。

F、同軸線內(nèi)導(dǎo)體的電流可以通過磁場強度沿圓周方向的線積分得到。

G、如果同軸線內(nèi)外導(dǎo)體間填充的是空氣，則其所傳輸?shù)腡EM波的波阻抗等于120πΩ。

H、同軸線不可能傳輸TE或TM模式。

I、同軸線不可能傳輸TEM模式。

答案：【同軸線的主模是TEM模式，截止頻率為零，截止波長為無窮大。;同軸線求解不包括r=0的位置，故不需要滿足在r=0場為有限值的條件。;對同軸線的TEM模式，在橫截面的場分布滿足靜態(tài)場方程。;同軸線TEM模式的電場沿半徑方向，磁場沿圓周方向。;同軸線內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓可以通過電場強度沿徑向的線積分得到。;同軸線內(nèi)導(dǎo)體的電流可以通過磁場強度沿圓周方向的線積分得到。;如果同軸線內(nèi)外導(dǎo)體間填充的是空氣，則其所傳輸?shù)腡EM波的波阻抗等于120πΩ?！?1.多選題：關(guān)于半徑為a的圓波導(dǎo)的E01模式的電磁場分布，以下敘述正確的是：

選項：

A、磁場強度只有圓周方向分量，電場強度在通過中心軸的平面上。

B、場沿圓周方向（φ方向）無變化，具有軸對稱性。

C、r=0時，Ez分量取得最大值，為其波腹點。

D、r=a時，Ez分量等于零，為其波節(jié)點。

E、電場強度只有圓周方向分量，磁場強度在通過中心軸的平面上。

F、場沿圓周方向（φ方向）為駐波分布，有一個周期。

G、r=0時，Ez分量等于零，為其波節(jié)點。

H、r=a時，Ez分量取得最大值，為其波腹點。

答案：【磁場強度只有圓周方向分量，電場強度在通過中心軸的平面上。;場沿圓周方向（φ方向）無變化，具有軸對稱性。;r=0時，Ez分量取得最大值，為其波腹點。;r=a時，Ez分量等于零，為其波節(jié)點。】32.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)的E01模式，以下敘述正確的是：

選項：

A、內(nèi)壁電流沒有圓周方向（φ向）分量。

B、截止波長等于2.62a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第二長。

C、磁場強度只有圓周方向分量，被稱為“圓磁模式”。

D、在r=0中心軸線上，電場軸向分量Ez取得最大值。

E、截止波長等于1.64a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第四長。

F、電場強度只有圓周方向分量，被稱為“圓電模式”。

G、存在E-H簡并。

H、內(nèi)壁電流沒有縱向（z向）分量。

I、衰減常數(shù)隨著頻率升高而下降。

J、存在極化簡并。

答案：【內(nèi)壁電流沒有圓周方向（φ向）分量。;截止波長等于2.62a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第二長。;磁場強度只有圓周方向分量，被稱為“圓磁模式”。;在r=0中心軸線上，電場軸向分量Ez取得最大值?！?3.多選題：對寬邊尺寸為a、窄邊尺寸為b的銅制矩形波導(dǎo)H10模式的衰減常數(shù)α，以下敘述正確的是：

選項：

A、窄邊和寬邊比b/a增大時，衰減常數(shù)α減小。

B、工作頻率f趨向截止頻率fc時，衰減常數(shù)α急劇增大。

C、電導(dǎo)率增大，衰減常數(shù)α減小。

D、b/a=1和b/a=0.1相比，前者對應(yīng)的衰減常數(shù)α更小。

E、窄邊和寬邊的比值b/a增大時，衰減常數(shù)α增大。

F、工作頻率f趨向截止頻率fc時，衰減常數(shù)α急劇減小。

G、電導(dǎo)率增大，衰減常數(shù)α增大。

H、b/a=1和b/a=0.1相比，前者對應(yīng)的衰減常數(shù)α更大。

答案：【窄邊和寬邊比b/a增大時，衰減常數(shù)α減小。;工作頻率f趨向截止頻率fc時，衰減常數(shù)α急劇增大。;電導(dǎo)率增大，衰減常數(shù)α減小。;b/a=1和b/a=0.1相比，前者對應(yīng)的衰減常數(shù)α更小?！?4.多選題：為計算波導(dǎo)壁為非理想導(dǎo)體的有耗波導(dǎo)的導(dǎo)體損耗，以下敘述正確的是：

選項：

A、已知長為L的有耗波導(dǎo)的輸入功率P1、功率損耗PL，則在PL<

B、對有耗矩形波導(dǎo)H10模，已知輸入功率P1，通過計算長度為L的波導(dǎo)損耗功率PL，即可計算衰減常數(shù)α。

C、對長度為L的有耗波導(dǎo)，輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：P1/P2=exp(2αL)。

D、長度為L的有耗波導(dǎo)輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：α=1/(2L)·ln(P1/P2)。

E、對長度為L的有耗波導(dǎo)，可以通過波導(dǎo)壁表面電阻Rs和表面切向磁場Hτ計算功率損耗PL。

F、對長度為L的有耗波導(dǎo)，輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：P2/P1=exp(2αL)。

G、長度為L的有耗波導(dǎo)輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：α=1/(2L)·ln(P2/P1)。

H、已知長為L的有耗波導(dǎo)的輸入功率P1、功率損耗PL，則在PL<

答案：【已知長為L的有耗波導(dǎo)的輸入功率P1、功率損耗PL，則在PL<;對有耗矩形波導(dǎo)H10模，已知輸入功率P1，通過計算長度為L的波導(dǎo)損耗功率PL，即可計算衰減常數(shù)α。;對長度為L的有耗波導(dǎo)，輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：P1/P2=exp(2αL)。;長度為L的有耗波導(dǎo)輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：α=1/(2L)·ln(P1/P2)。;對長度為L的有耗波導(dǎo)，可以通過波導(dǎo)壁表面電阻Rs和表面切向磁場Hτ計算功率損耗PL?！?5.多選題：關(guān)于引起實用波導(dǎo)傳播導(dǎo)行波功率衰減的原因，以下敘述正確的是：

選項：

A、波導(dǎo)內(nèi)填充的媒質(zhì)所引起的媒質(zhì)損耗。

B、波導(dǎo)壁為非理想導(dǎo)體所引起的導(dǎo)體損耗。

C、波導(dǎo)系統(tǒng)不均勻引起的反射損耗。

D、波導(dǎo)拼接縫隙的輻射損耗。

E、截止?fàn)顟B(tài)下的電抗性損耗。

F、終端負載吸收的功率損耗。

G、波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體所引起的導(dǎo)體損耗。

H、波導(dǎo)內(nèi)填充的媒質(zhì)為理想介質(zhì)所引起的媒質(zhì)損耗。

答案：【波導(dǎo)內(nèi)填充的媒質(zhì)所引起的媒質(zhì)損耗。;波導(dǎo)壁為非理想導(dǎo)體所引起的導(dǎo)體損耗。;波導(dǎo)系統(tǒng)不均勻引起的反射損耗。;波導(dǎo)拼接縫隙的輻射損耗?！?6.多選題：對沿軸向（z向）傳輸主模的規(guī)則波導(dǎo)的擊穿電場強度Ebr和功率容量Pbr，以下敘述正確的是：

選項：

A、波導(dǎo)中所能承受的最大功率稱為波導(dǎo)的功率容量，可以用Pbr來表示。

B、波導(dǎo)的功率容量Pbr取決于本身所能承受的最大電場強度Ebr，Ebr為擊穿電場強度。

C、如果其他條件均相同，沿軸向為行波狀態(tài)下的功率容量大于沿軸向為行駐波狀態(tài)下的功率容量。

D、沿軸向為行駐波狀態(tài)時，駐波比ρ越小，功率容量越大。

E、為了留有余地，一般取規(guī)則波導(dǎo)的最大傳輸功率為功率容量Pbr的90%左右。

F、空氣的擊穿電場強度Ebr=30V/cm。

G、沿軸向為行駐波狀態(tài)時，行波系數(shù)K越大，功率容量越小。

H、規(guī)則波導(dǎo)的功率容量是恒定的，與軸向是行波狀態(tài)還是行駐波狀態(tài)無關(guān)。

答案：【波導(dǎo)中所能承受的最大功率稱為波導(dǎo)的功率容量，可以用Pbr來表示。;波導(dǎo)的功率容量Pbr取決于本身所能承受的最大電場強度Ebr，Ebr為擊穿電場強度。;如果其他條件均相同，沿軸向為行波狀態(tài)下的功率容量大于沿軸向為行駐波狀態(tài)下的功率容量。;沿軸向為行駐波狀態(tài)時，駐波比ρ越小，功率容量越大?！?7.多選題：對軸向為z向的無耗規(guī)則波導(dǎo)內(nèi)電磁波模式的功率傳輸特征，以下敘述正確的是：

選項：

A、導(dǎo)通狀態(tài)下，傳播常數(shù)γ=jβ，β為相位常數(shù)，波阻抗ηw為實數(shù)，沿z方向有實功率傳輸。

B、截止?fàn)顟B(tài)下，傳播常數(shù)γ=α，α為衰減常數(shù)，波阻抗ηw為虛數(shù)，沿z方向無實功率傳輸。

C、截止?fàn)顟B(tài)下的功率衰減為電抗性衰減，即波導(dǎo)本身并不耗散功率。

D、無耗規(guī)則波導(dǎo)中，每一個模式均獨立地傳輸自身所攜帶的功率，功率不會發(fā)生從一個模式向另外一個模式的轉(zhuǎn)移，即彼此沒有耦合。

E、導(dǎo)通狀態(tài)下，傳播常數(shù)γ=jβ，β為相位常數(shù)，波阻抗ηw為虛數(shù)，沿z方向有實功率傳輸。

F、截止?fàn)顟B(tài)下，傳播常數(shù)γ=α，α為衰減常數(shù)，波阻抗ηw為實數(shù)，沿z方向無實功率傳輸。

G、截止?fàn)顟B(tài)下的電磁功率被波導(dǎo)本身吸收并耗散，并不能進行有效傳輸。

H、如果無耗規(guī)則波導(dǎo)中傳輸?shù)哪Ｊ接卸鄠€，則多個模式攜帶的電磁功率可以互相轉(zhuǎn)移。

I、簡并模式攜帶的電磁功率可以互相轉(zhuǎn)移，其他模式攜帶的功率不能互相轉(zhuǎn)移。

答案：【導(dǎo)通狀態(tài)下，傳播常數(shù)γ=jβ，β為相位常數(shù)，波阻抗ηw為實數(shù)，沿z方向有實功率傳輸。;截止?fàn)顟B(tài)下，傳播常數(shù)γ=α，α為衰減常數(shù)，波阻抗ηw為虛數(shù)，沿z方向無實功率傳輸。;截止?fàn)顟B(tài)下的功率衰減為電抗性衰減，即波導(dǎo)本身并不耗散功率。;無耗規(guī)則波導(dǎo)中，每一個模式均獨立地傳輸自身所攜帶的功率，功率不會發(fā)生從一個模式向另外一個模式的轉(zhuǎn)移，即彼此沒有耦合。】38.多選題：對矩形波導(dǎo)內(nèi)電磁波模式的復(fù)數(shù)坡印廷矢量，以下敘述正確的是：

選項：

A、電磁波模式導(dǎo)通時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為實數(shù)，說明沿縱向有實功率傳輸。

B、電磁波模式導(dǎo)通時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說明沿橫向無實功率傳輸。

C、電磁波模式截止時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為虛數(shù)，說明沿縱向無實功率傳輸。

D、電磁波模式截止時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說明沿橫向無實功率傳輸。

E、電磁波模式導(dǎo)通時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為虛數(shù)，說明沿縱向無實功率傳輸。

F、電磁波模式導(dǎo)通時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為實數(shù)，說明沿橫向有實功率傳輸。

G、電磁波模式截止時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為實數(shù)，說明沿縱向有實功率傳輸。

H、電磁波模式截止時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為實數(shù)，說明沿橫向有實功率傳輸。

答案：【電磁波模式導(dǎo)通時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為實數(shù)，說明沿縱向有實功率傳輸。;電磁波模式導(dǎo)通時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說明沿橫向無實功率傳輸。;電磁波模式截止時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為虛數(shù)，說明沿縱向無實功率傳輸。;電磁波模式截止時，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說明沿橫向無實功率傳輸?！?9.多選題：關(guān)于波導(dǎo)內(nèi)電磁波模式的色散，以下敘述正確的是：

選項：

A、波導(dǎo)中電磁波模式產(chǎn)生色散的原因是由波導(dǎo)系統(tǒng)本身的特性(即邊界條件)所引起的。

B、規(guī)則波導(dǎo)中的TE模式是色散波。

C、規(guī)則波導(dǎo)中的TM模式是色散波。

D、規(guī)則波導(dǎo)中的TEM模式是非色散波。

E、對TE和TM模式，當(dāng)工作頻率靠近截止頻率時，色散趨于嚴重。

F、波導(dǎo)中電磁波模式產(chǎn)生色散的原因是由波導(dǎo)內(nèi)填充媒質(zhì)有耗性所引起的。

G、規(guī)則波導(dǎo)中的TE模式是非色散波。

H、規(guī)則波導(dǎo)中的TM模式是非色散波。

I、規(guī)則波導(dǎo)中的TEM模式是色散波。

J、對TE和TM模式，工作頻率遠離截止頻率時，色散趨于嚴重。

答案：【波導(dǎo)中電磁波模式產(chǎn)生色散的原因是由波導(dǎo)系統(tǒng)本身的特性(即邊界條件)所引起的。;規(guī)則波導(dǎo)中的TE模式是色散波。;規(guī)則波導(dǎo)中的TM模式是色散波。;規(guī)則波導(dǎo)中的TEM模式是非色散波。;對TE和TM模式，當(dāng)工作頻率靠近截止頻率時，色散趨于嚴重?！?0.多選題：對規(guī)則波導(dǎo)的電磁波模式，以下敘述正確的是：

選項：

A、可以在矩形波導(dǎo)存在的電磁波模式，一定可以在無界空間中存在。

B、電磁波模式的截止頻率fc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波工作頻率f的下限。

C、電磁波模式的截止波長λc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波長λ的上限。

D、電磁波模式的截止波數(shù)kc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波數(shù)k的下限。

E、保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以提高電磁波的頻率。

F、保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以增大波導(dǎo)所填充理想介質(zhì)的介電常數(shù)ε或磁導(dǎo)率μ。

G、沿軸向傳播的電磁波模式的波導(dǎo)波長λg=λ·G，λ為媒質(zhì)波長，G為波型因子。

H、沿軸向傳播的電磁波模式的相速度vp=v·G，v為媒質(zhì)波速，G為波型因子。

I、沿軸向傳播的電磁波模式的群速度vg=v/G，v為媒質(zhì)波速，G為波型因子。

J、矩形波導(dǎo)中電磁波模式的波型因子G與工作頻率無關(guān)。

答案：【可以在矩形波導(dǎo)存在的電磁波模式，一定可以在無界空間中存在。;電磁波模式的截止頻率fc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波工作頻率f的下限。;電磁波模式的截止波長λc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波長λ的上限。;電磁波模式的截止波數(shù)kc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波數(shù)k的下限。;保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以提高電磁波的頻率。;保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以增大波導(dǎo)所填充理想介質(zhì)的介電常數(shù)ε或磁導(dǎo)率μ?！?1.多選題：關(guān)于貝塞爾函數(shù)，以下敘述正確的是：

選項：

A、第一類貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。

B、第二類貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。

C、第三類貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

D、第四類貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

E、第三類貝塞爾函數(shù)又稱第一種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從外向內(nèi)傳播的行波。

F、第四類貝塞爾函數(shù)又稱第二種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從內(nèi)向外傳播的行波。

G、第一類貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

H、第二類貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

I、第三類貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。

J、第四類貝塞爾含糊表示柱面駐波。

K、第三類貝塞爾函數(shù)又稱第一種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從內(nèi)向外傳播的行波。

L、第四類貝塞爾函數(shù)又稱第二種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從外向內(nèi)傳播的行波。

答案：【第一類貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。;第二類貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。;第三類貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。;第四類貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。;第三類貝塞爾函數(shù)又稱第一種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從外向內(nèi)傳播的行波。;第四類貝塞爾函數(shù)又稱第二種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從內(nèi)向外傳播的行波?！?2.多選題：對圓波導(dǎo)TM波電場強度的分布函數(shù)的Ez(r,φ)分量，進行分離變量求解，即使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則以下敘述正確的是：

選項：

A、只有邊界和柱坐標(biāo)系的坐標(biāo)面重合時，才能利用分量變量法將Ez(r,φ)寫成R(r)函數(shù)和Φ(φ)函數(shù)的乘積并進行求解。

B、R(r)函數(shù)滿足的方程是貝塞爾方程。

C、Φ(φ)滿足的方程是諧方程。

D、R(r)函數(shù)滿足的邊界條件是：在圓波導(dǎo)內(nèi)壁處為零且在圓波導(dǎo)中心軸線上為有限值。

E、R(r)的通解只能取第一類塞爾函數(shù)，而不能包含第二類貝塞爾函數(shù)。

F、Φ(φ)需要滿足周期性的邊界條件，故其通解Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)中的n只能取整數(shù)。

G、R(r)函數(shù)滿足的方程是諧方程。

H、Φ(φ)滿足的方程是貝塞爾方程。

I、Φ(φ)滿足的方程是拉普拉斯方程。

J、R(r)函數(shù)滿足的方程是拉普拉斯方程。

答案：【只有邊界和柱坐標(biāo)系的坐標(biāo)面重合時，才能利用分量變量法將Ez(r,φ)寫成R(r)函數(shù)和Φ(φ)函數(shù)的乘積并進行求解。;R(r)函數(shù)滿足的方程是貝塞爾方程。;Φ(φ)滿足的方程是諧方程。;R(r)函數(shù)滿足的邊界條件是：在圓波導(dǎo)內(nèi)壁處為零且在圓波導(dǎo)中心軸線上為有限值。;R(r)的通解只能取第一類塞爾函數(shù)，而不能包含第二類貝塞爾函數(shù)。;Φ(φ)需要滿足周期性的邊界條件，故其通解Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)中的n只能取整數(shù)?！?3.多選題：對圓波導(dǎo)TM波電場強度分布函數(shù)的Ez(r,φ)分量，滿足的邊界條件是：

選項：

A、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面（即r=a，a為圓波導(dǎo)半徑）等于零。

B、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)中心軸線（即r=0）等于有限值。

C、當(dāng)φ角變化2π時，Ez(r,φ)保持不變，即Ez(r,φ)=Ez(r,φ+2π)。

D、通過分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于有限值。

E、通過分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則Φ(φ)應(yīng)滿足邊界條件是：Φ(φ)=Φ(φ+2π)。

F、當(dāng)φ角變化π時，Ez(r,φ)保持不變，即Ez(r,φ)=Ez(r,φ+π)。

G、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)中心軸線（即r=0）等于無限值。

H、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面（即r=a，a為圓波導(dǎo)半徑）的對r的導(dǎo)數(shù)等于零。

I、通過分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于0。

J、通過分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于無限值。

答案：【Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面（即r=a，a為圓波導(dǎo)半徑）等于零。;Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)中心軸線（即r=0）等于有限值。;當(dāng)φ角變化2π時，Ez(r,φ)保持不變，即Ez(r,φ)=Ez(r,φ+2π)。;通過分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于有限值。;通過分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則Φ(φ)應(yīng)滿足邊界條件是：Φ(φ)=Φ(φ+2π)?！?4.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)導(dǎo)行波電磁場的分布函數(shù)，以下敘述正確的是：

選項：

A、復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)表示橫截面的場分布規(guī)律。

B、對TE和TM波，復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)滿足橫截面的二維波動方程。

C、復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)等于零，則表示對應(yīng)時諧場的振幅為零。

D、對TE波，需先求解復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)Hz(r,φ)，Hz(r,φ)滿足橫截面的二維波動方程。

E、對TM波，需先求解復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)Ez(r,φ)，Ez(r,φ)滿足橫截面的二維波動方程。

F、對TE和TM波，復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)滿足三維波動方程。

G、復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)表示沿軸向的場分布規(guī)律。

H、復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)不等于零，則表示對應(yīng)時諧場的取值不可能為零。

I、對TE波，需先求解復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)Ez(r,φ)，Ez(r,φ)滿足橫截面的二維波動方程。

J、對TM波，需先求解復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)Hz(r,φ)，Hz(r,φ)滿足橫截面的二維波動方程。

答案：【復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)表示橫截面的場分布規(guī)律。;對TE和TM波，復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)滿足橫截面的二維波動方程。;復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)等于零，則表示對應(yīng)時諧場的振幅為零。;對TE波，需先求解復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)Hz(r,φ)，Hz(r,φ)滿足橫截面的二維波動方程。;對TM波，需先求解復(fù)數(shù)場的分布函數(shù)Ez(r,φ)，Ez(r,φ)滿足橫截面的二維波動方程?！?5.多選題：求解圓波導(dǎo)和矩形波導(dǎo)的導(dǎo)行波電磁場時，有何相同點？

選項：

A、求解時均假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。

B、求解時均假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)部填充媒質(zhì)為理想介質(zhì)。

C、求解時均假設(shè)沿縱向為無限長，為導(dǎo)行波。

D、波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TEM波。

E、將波導(dǎo)內(nèi)的模式分為TE波、TM波兩大類。

F、截止波長最大的模式稱為主模。

G、波導(dǎo)內(nèi)均可能存在高次模式。

H、波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TE波。

I、波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TM波。

J、波導(dǎo)內(nèi)均可以傳輸TEM波，但均需要用另外的方法求解。

答案：【求解時均假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。;求解時均假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)部填充媒質(zhì)為理想介質(zhì)。;求解時均假設(shè)沿縱向為無限長，為導(dǎo)行波。;波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TEM波。;將波導(dǎo)內(nèi)的模式分為TE波、TM波兩大類。;截止波長最大的模式稱為主模。;波導(dǎo)內(nèi)均可能存在高次模式。】46.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)以及圓波導(dǎo)求解假設(shè)條件，以下敘述正確的是：

選項：

A、求解時假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。

B、求解時假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充理想介質(zhì)。

C、求解時假設(shè)沿縱向（z方向）是行波。

D、可以先求解場的分布函數(shù)，分布函數(shù)再乘以傳播因子即為復(fù)數(shù)場表示。

E、TE波的縱向磁場強度復(fù)分量的分布函數(shù)Hz、TM波的縱向電場強度復(fù)分量的分布函數(shù)Ez均滿足相同形式的二維波動方程，只是截止波數(shù)kc取值可能不同。

F、圓波導(dǎo)橫截面是圓形，假設(shè)沿縱向為有限長。

G、求解時假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充導(dǎo)電媒質(zhì)。

H、求解時假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充理想導(dǎo)體。

I、圓波導(dǎo)橫截面改成橢圓形，則不可能再傳播導(dǎo)行波。

J、求解時假設(shè)波導(dǎo)壁是良導(dǎo)體。

答案：【求解時假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。;求解時假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充理想介質(zhì)。;求解時假設(shè)沿縱向（z方向）是行波。;可以先求解場的分布函數(shù)，分布函數(shù)再乘以傳播因子即為復(fù)數(shù)場表示。;TE波的縱向磁場強度復(fù)分量的分布函數(shù)Hz、TM波的縱向電場強度復(fù)分量的分布函數(shù)Ez均滿足相同形式的二維波動方程，只是截止波數(shù)kc取值可能不同?！?7.多選題：在選擇矩形波導(dǎo)的寬邊尺寸a、窄邊尺寸b時，以下敘述正確的是：

選項：

A、當(dāng)bλ>a。

B、媒質(zhì)波長λ取值趨近2a時，色散趨于嚴重。

C、媒質(zhì)波長λ取值趨近2a時，功率容量下降。

D、媒質(zhì)波長λ取值趨近2a時，衰減常數(shù)α上升。

E、當(dāng)b>a/2時，相對于b

F、當(dāng)bλ>2b。

G、媒質(zhì)波長λ取值遠離2a時，色散趨于嚴重。

H、媒質(zhì)波長λ取值遠離2a時，功率容量下降。

I、媒質(zhì)波長λ取值遠離2a時，衰減常數(shù)α上升。

J、當(dāng)ba/2情況，單模工作帶寬△f下降。

K、主模的波導(dǎo)波長λg等于2a，a為矩形波導(dǎo)寬邊尺寸。

答案：【當(dāng)bλ>a。;媒質(zhì)波長λ取值趨近2a時，色散趨于嚴重。;媒質(zhì)波長λ取值趨近2a時，功率容量下降。;媒質(zhì)波長λ取值趨近2a時，衰減常數(shù)α上升。;當(dāng)b>a/2時，相對于b】48.多選題：一般而言，對實用矩形波導(dǎo)橫截面尺寸確定的依據(jù)，以下敘述正確的是：

選項：

A、應(yīng)保證只傳輸主模H10模。

B、損耗和衰減盡量小。

C、色散盡量小，以免信號失真。

D、尺寸盡可能小。

E、應(yīng)保證可以多模傳輸。

F、損耗和衰減盡量大。

G、色散盡量大，以免信號失真。

H、尺寸盡可能大。

答案：【應(yīng)保證只傳輸主模H10模。;損耗和衰減盡量小。;色散盡量小，以免信號失真。;尺寸盡可能小?！?9.多選題：對寬邊尺寸為a、窄邊尺寸為b的矩形波導(dǎo)的H10模式的傳播特性參量，以下敘述正確的是：

選項：

A、截止波長λc=2a，波型因子G=[1-(λ/λc)^2]^(1/2)=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)，波導(dǎo)波長λg=λ/G，λ為媒質(zhì)波長。

B、截止波數(shù)kc=π/a，波型因子G=[1-(kc/k)^2]^(1/2)=[1-(π/a/k)^2]^(1/2)，相位常數(shù)β=k·G，k為媒質(zhì)波數(shù)。

C、截止頻率fc=v/λc=v/(2a)，波型因子G=[1-(fc/f)^2]^(1/2)=[1-(v/a/2/f)^2]^(1/2)，電磁波頻率f=fc/(1-G^2)^(1/2)。

D、波阻抗ηH10=η/G，其中波型因子G=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)。

E、沿波導(dǎo)軸向為駐波狀態(tài)時，相鄰波節(jié)點的間距等于λg/2，λg為波導(dǎo)波長。

F、導(dǎo)通狀態(tài)下，(1/λ)^2=(1/λc)^2+(1/λg)^2，其中λ為媒質(zhì)波長，λc=2a為截止波長，λg為軸向波導(dǎo)波長。

G、相速度vp=v·G，其中波型因子G=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)。

H、群速度vg=v/G，其中波型因子G=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)。

I、沿波導(dǎo)軸向為駐波狀態(tài)時，相鄰波節(jié)點的間距等于λ/2，λ為媒質(zhì)波長。

答案：【截止波長λc=2a，波型因子G=[1-(λ/λc)^2]^(1/2)=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)，波導(dǎo)波長λg=λ/G，λ為媒質(zhì)波長。;截止波數(shù)kc=π/a，波型因子G=[1-(kc/k)^2]^(1/2)=[1-(π/a/k)^2]^(1/2)，相位常數(shù)β=k·G，k為媒質(zhì)波數(shù)。;截止頻