金屬晶體與離子晶體(C級檢測練)(原卷版)

第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第三節(jié)金屬晶體與離子晶體（限時：30分鐘）一、選擇題1．下列晶體按面心立方進(jìn)行緊密堆積的是A．干冰、NaCl、金屬銅 B．ZnS、金屬鎂、氮化硼C．水晶、金剛石、晶體硅 D．ZnS、NaCl、金屬鎂2．下列敘述不正確的是A．活潑金屬與活潑非金屬化合時，能形成離子鍵B．離子化合物中只含離子鍵C．離子所帶電荷的符號和數(shù)目與原子成鍵時得失電子有關(guān)D．陽離子半徑比相應(yīng)的原子半徑小，而陰離子半徑比相應(yīng)的原子半徑大3．下列有關(guān)晶格能的敘述正確的是A．晶格能是氣態(tài)離子形成1mol離子晶體吸收的能量B．晶格能通常取正值，但是有時也取負(fù)值C．晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定D．晶格能越大，物質(zhì)的硬度反而越小4．下列關(guān)于金屬晶體的敘述正確的是A．用鉑金做首飾不能用金屬鍵理論解釋B．固態(tài)和熔融時易導(dǎo)電，熔點(diǎn)在1000℃左右的晶體可能是金屬晶體C．Al、Na、Mg的熔點(diǎn)逐漸升高D．溫度越高，金屬的導(dǎo)電性越好5．下列關(guān)于晶體的說法正確的組合是①所有分子晶體中都存在共價鍵②在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子③金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O、H2S晶體的熔點(diǎn)依次降低④離子晶體中只有離子鍵⑤SiO2晶體中每個硅原子與4個氧原子以共價鍵相結(jié)合⑥晶體中分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定⑦氯化鈉熔化時離子鍵被破壞⑧含有共價鍵的晶體熔沸點(diǎn)都比較高，因為熔化時需要破壞共價鍵A．①②⑤ B．③⑤⑦ C．⑤⑥⑧ D．④⑦⑧6．下列關(guān)于晶體的說法正確的組合是①在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子②CaTiO3晶體中(晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示)每個Ti4＋和12個O2-相緊鄰③金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O、H2S晶體的熔點(diǎn)依次降低④分子晶體中分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定⑤SiO2晶體中每個硅原子與兩個氧原子以共價鍵相結(jié)合⑥離子晶體熔化時晶格能越大，熔點(diǎn)越高⑦晶體狀態(tài)能導(dǎo)電的一定是金屬晶體A．①②③④ B．①②⑥⑦ C．②③④⑤ D．①②③⑥7．在金屬晶體中，金屬原子的價電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高。由此判斷下列各組金屬熔、沸點(diǎn)高低順序，其中正確的是A．Mg>Al>CaB．Al>Na>LiC．Al>Mg>CaD．Mg>Ba>Al8．金屬晶體中金屬原子有三種常見的堆積方式，六方最密堆積、面心立方最密堆積和體心立方堆積，下圖分別代表著三種晶體的晶體結(jié)構(gòu)，其晶胞內(nèi)金屬原子個數(shù)比為A．1∶2∶1 B．11∶8∶4 C．9∶8∶4 D．9∶14∶99．下列關(guān)于氯化銫晶體的敘述不正確的是A．l氯化銫中有個分子B．氯化銫晶體中，每個周圍與它最近且等距離的有6個C．氯化銫晶體的硬度較大是由于和存在著較強(qiáng)的離子鍵D．每個晶胞中平均含有1個和1個10．在冰晶石()晶胞中，占據(jù)的位置相當(dāng)于晶胞中占據(jù)的位置，則冰晶石晶胞中含個數(shù)為A．12 B．8 C．4 D．311．下表給出兩種化合物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)。物質(zhì)熔點(diǎn)/℃190-22.9沸點(diǎn)/℃17876.8關(guān)于表中兩種化合物的說法正確的是①在加熱時可升華②屬于分子晶體③是典型的離子晶體A．僅① B．僅③ C．僅①② D．①②③12．要使金屬晶體熔化必須破壞其中的金屬鍵。金屬晶體熔點(diǎn)的高低和硬度的大小一般取決于金屬鍵的強(qiáng)弱，而金屬鍵的強(qiáng)弱與金屬陽離子所帶電荷的多少及半徑大小有關(guān)。由此判斷下列說法正確的是A．金屬鎂的熔點(diǎn)大于金屬鋁 B．堿金屬的熔點(diǎn)從到是逐漸增大的C．金屬鋁的硬度大于金屬鈉 D．金屬鈣的硬度小于金屬鋇13．下列有關(guān)說法不正確的是A．水合銅離子的模型如圖1所示，1個水合銅離子中有4個配位鍵B．CaF2晶體的晶胞如圖2所示，每個CaF2晶胞平均占有4個Ca2+C．H原子的電子云圖如圖3所示，H原子核外的大多數(shù)電子在原子核附近運(yùn)動D．金屬Cu中Cu原子堆積模型如圖4所示，該金屬晶體為最密堆積，每個Cu原子的配位數(shù)均為814．已知某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶體的密度為dg/cm3。則下列說法正確的是A．晶胞中陰、陽離子的個數(shù)都為4B．該晶體中兩個距離最近的同種離子的核間距為cmC．陰、陽離子的配位數(shù)都是4D．該晶胞可能是NaCl晶體的晶胞二、非選擇題15．(1)鈉的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于該晶胞的Na原子數(shù)目是_______。氯化銫晶體的晶胞如圖1，則的配位數(shù)是_______。(2)鈦的一種氟化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，其化學(xué)式為_______。(3)元素X的某價態(tài)離子與形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖3所示。該晶體中陽離子與陰離子個數(shù)比為_______，中_______，晶體中每個被_______個等距離的包圍。16．上世紀(jì)60年代，第一個稀有氣體化合物Xe[PtF6]被合成出來后，打破了“絕對惰性”的觀念。在隨后的幾年內(nèi)，科學(xué)家又相繼合成了氙的氟化物、氧化物等。(1)Pt與Ni在周期表中位于同一族，寫出基態(tài)Ni原子的核外電子排布式_______。(2)金屬Pt內(nèi)部原子的堆積方式與銅及干冰中的CO2相同，如圖(正方體)是Pt晶胞的示意圖，試說出Pt原子在晶胞中的位置_______。(3)稀有氣體(氡除外)中，只有較重的氙能合成出多種化合物，其原因可能是_______。A．氙的含量比較豐富B．氙的相對原子質(zhì)量大C．氙原子半徑大，電離能小D．氙原子半徑小，電負(fù)性大(4)已知XeO3分子中氙原子上有1對孤電子對，則XeO3為_______(填“極性”或“非極性”)分子。17．已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素，A與B，C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對成對電子，B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C3DB6型離子晶體X，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。(1)A元素的基態(tài)原子價電子排布式：_______。(2)X的化學(xué)名稱為_______。(3)試解釋工業(yè)冶煉D不以DE3而是以D2A3為原料的原因：______________。(4)CE、FA的晶格能分別為786kJ·mol-1、3401kJ·mol-1，試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是_______。(5)F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。F與B形成的離子化合物的化學(xué)式為_______；該離子化合物晶體的密度為ag·cm-3，則晶胞的體積是_______(只要求列出算式)。18．A、B、C、D、E是短周期元素，原子序數(shù)依次增大，B、C同周期，C的非金屬性在元素周期表中最強(qiáng)，A、D同主族、隔周期，E元素原子最外層的p能級電子數(shù)是最外層的s能級電子數(shù)的一半。A、B能形成常溫常壓下兩種液態(tài)化合物甲和乙，原子個數(shù)比分別為2：1和1：1.根據(jù)以上信息回答下列問題：(1)甲、乙兩種化合物中含有非極性共價鍵的物質(zhì)的電子式是___________，C元素在元素周期表中的位置是___________。(2)C和D形成的簡單離子中，半徑較小的是___________(填離子