1+X集成電路理論試題（附答案）

1+X集成電路理論試題（附答案）

一、單選題（共39題，每題1分，共39分）

1.SOP封裝的芯片一般采用（）形式進行包裝。

A、卷盤

B、編帶

C、料管

D、料盤

正確答案：B

答案解析；SOP封裝因其體積小等特點，一般采用編帶包裝形式。

2.轉(zhuǎn)塔式分選機常見故障不包括（）□

A、真空吸嘴無芯片

B、測試卡與測試機調(diào)用的測試程序錯誤

C、料軌堵塞

D、IC定位錯誤

正確答案：D

3.打開安塞好的keiI軟件，點擊工具欄“魔術(shù)棒”按鈕，點擊（）

選項，選擇目標芯片。

A、Target

B、C/C++

C\Debug

D\Device

正確答案：D

4.重力分選機自動裝料步驟中將待測料管放在篩選機的入料區(qū)內(nèi)，

料管隨傳送帶上升到（）□

A、入型區(qū)

B、顯示區(qū)

C、廢料區(qū)

D、激光檢測區(qū)

正確答案：D

5.以全自%探針臺為例，上片過程中，當(dāng)承重臺下降到指定位置時,

（）o

A、紅色指示燈亮

B、紅色指示燈滅

C、綠色指示燈亮

D、綠色指示燈滅

正確答案：B

答案解析：以全自動探針臺為例，承重臺前的兩個按鈕指示燈：綠

色表示上升，紅色表示下降。承重臺下降到指定位置后，下降指示

燈滅，即紅色指示燈滅。

6.重力式分選機進行自動上料篩選，當(dāng)檢測到傳送帶上的料管放置

不符合要求時，下一步對料管的操作是（）。

A、拔出塞釘

B、進入空管槽

C、進入上料槽

D、放回上料區(qū)

正確答案：D

答案解析；激光檢測到不符合要求的料管會重新放回上料區(qū)，等待

下次篩選。

7.料盤外觀檢查的步驟正確的是（）。

A、查詢零頭（若有）T零頭檢查-?檢查外觀T電路拼零T零頭儲存

B、檢查外觀T查詢零頭（若有）T零頭檢查T電路拼零T零頭儲存

C、查詢零頭（若有）T零頭檢查-?電路拼零T零頭儲存T檢查外觀

D、檢查外觀T零頭儲存T查詢零頭（若有）T零頭檢查T電路拼零

正確答案：B

答案解析：料盤外觀檢查的步驟：檢查外觀-?查詢零頭（若有）T

零頭檢查T電路拼零T零頭儲存。

8.下列描述錯誤的是（）0

A、重力式分選機可分為并行測試和串行測試

B、并行測試一般是進行單項測試（可根據(jù)測試卡的數(shù)量進行1

site/2sites/4sites測試），適用于普通DIP/SOP封裝的芯片

C、串行測試一般是進行多項測試，適用于DIP24/DIP27等模塊電路

D、并行測試時模塊電路依次進行不同電特性參數(shù)的測試

正確答案：D

9.進行料"包裝時，一個內(nèi)盒中通常裝有（）袋真空包裝完的料盤。

A、1

B、2

C、3

D、4

正確答案：A

答案解析；進行料盤包裝時，一個內(nèi)盒中通常裝有1袋真空包裝完的

料盤。

10.（）是使硅片上的局部區(qū)域達到平坦化。

A、平滑處理

B、部分平坦化

C\局部平坦化

D、全局平坦化

正確答案：C

答案解析；局部平坦化是將硅片表面局部進行平坦化處理，使其達

到較高的平整度。

11.利用平移式分選設(shè)備進行芯片檢測時，芯片在該區(qū)域的操作完成

后會進入（）區(qū)域。

A、待測

B、分選

C、測試

D、上料

正確答案:B

12.在版由設(shè)計過程中，N-MOS管的源極接（），漏極接（），P-MOS

管的源極接（），漏極接（）。

A、地、高電位、GND、低電位

B、電源、高電位、GND、低電位

C、地、高電位、GND、高電位

D、地、高電位、電源、低電位

正確答案：A

13.重力/分選機的測試環(huán)節(jié)是在（）中進行。

A、主轉(zhuǎn)塔

B、旋轉(zhuǎn)臺

C、測試軌道

D、水平面上

正確答案：C

答案解析；重力式分選機的測試環(huán)節(jié)是在測試軌道中進行的。主轉(zhuǎn)

塔和旋轉(zhuǎn)臺是轉(zhuǎn)塔式分選機的設(shè)備，平移式分選機是在水平面上完

成芯片的測試、分選。

14.電子組裝業(yè)中最通用最廣泛的文件格式是（）。

A、BOM

B、PCB

C、ICT

D\Gerber

正確答案：D

15.探針若上的（）處于（）狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針

臺死機，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測試卡。

A、紅色指示燈、亮燈

B、指示燈、亮燈

C、綠色指示燈、亮燈

D、紅色指示燈、滅燈

正確答案：B

答案解析,：探針臺上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作，

容易引起探針臺死機，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測試卡。其中紅色指示燈

表示下降，綠色指示燈表示上升，當(dāng)至少有一盞指示燈處于亮燈狀

態(tài)時不能進行其他操作。

16.SOP封裝的芯片因其體積小等特點，一般采用（）。

A、料盤包裝

B、編帶包裝

C、料管包裝

D、散裝

正確答案：B

答案解析；SOP封裝的芯片因其體積小等特點，一般采用編帶包裝。

17.重力式分選機的測試環(huán)節(jié)是在（）進行。

A、旋羲臺上

B、主轉(zhuǎn)塔中

C、測試軌道中

D、水平面上

正確答案：C

18.該圖是（）的版圖。

A、D觸發(fā)器

B、一位全加器

C、傳輸門

D、與非門

正確答案：A

19.在進行料盤真空包裝時，需要在（）上進行。

A、平移式分選機

B、真空包裝機

C、測試機

D、局］溫烘箱

正確答案：B

答案解析：在進行料盤真空包裝時，需要在真空包裝機上進行。

20.若使用串口助手下載程序到單片機，則需要keiI軟件生成（）

文件。

A、Inp

B、Dsp

C\Hex

D、Crf

正確答案：C

21.濕度卡的作用是（）。

A、去潮濕物質(zhì)中的水分

B、可以防止靜電

C、起到防水的作用

D、顯示密封空間的濕度狀況

正確答案：D

答案解析；濕度卡是用來顯示密封空間濕度狀況的卡片。

22.下列選項中不屬于芯片外觀不良的是（）0

A、印章不良

B、電源電流過大

C、塑封體開裂

D、管腳壓傷

正確答案：B

23.窄間品小外形封裝的英文簡稱為（）。

A、SIP

B、SOP

C、SSOP

D、QFP

正確答案：C

答案解析：SIP-單列直插式封裝；SOP-小外形封裝;SSOP-窄間距小

外形封裝；QFP-四側(cè)引腳扁平封裝。

24.在光刻過程中，完成涂膠后需要進行質(zhì)量評估，以下不屬于涂膠

質(zhì)量評估時，光刻膠覆蓋硅片的質(zhì)量缺陷的是（）。

A、光刻膠脫落

B、光刻膠中有針孔

C、光刻膠起皮

D、光刻膠的回濺

正確答案：A

25.關(guān)于江自動探針臺扎針調(diào)試的步驟，下列說法正確的是：0。

A、輸入晶圓信息T調(diào)出檢測MAP圖T自動對焦T扎針調(diào)試

B、輸入晶圓信息T自動對焦T調(diào)出檢測MAP圖T扎針調(diào)試

C、輸入晶圓信息T自動對焦T扎針調(diào)試-?調(diào)出檢測MAP圖

D、輸入晶圓信息T調(diào)出檢測MAP圖T扎針調(diào)試T自動對焦

正確答案：B

答案解析；全自動探針臺扎針調(diào)試步驟：輸入晶圓信息T自動對焦

T調(diào)出檢測MAP圖T扎針調(diào)試。

26.若進行打點的晶圓規(guī)格為5英寸，應(yīng)選擇的墨盒規(guī)格為？（）

A、8miI

B、10miI

C、30miI

D、5miI

正確答案：D

27.在進行編帶真空包裝時，需要在（）上進行。

A、轉(zhuǎn)塔式分選機

B、真空包裝機

C、測試機

D、局］溫烘箱

正確答案：B

答案解析；在進行編帶真空包裝時，需要在真空包裝機上進行。

28.化學(xué)機械拋光中，拋光液的作用是（）。

A、與硅片表面材料反應(yīng)，變成可溶物質(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟

化

B、向拋光墊施加壓力

C、將反應(yīng)生成物從硅片表面卻除

D、清洗硅片

正確答案：A

答案解析；硅片固定在拋光盤上后，拋光盤和裝有拋光墊的旋轉(zhuǎn)盤

開始旋轉(zhuǎn)，同時噴淋拋光液；然后拋光盤向拋光墊施加壓力，此時

拋光液在硅片和拋光墊之間流動，拋光液中的物質(zhì)與硅片表面材料

反應(yīng)，變?yōu)榭扇芪镔|(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟化；通過研磨作用

將反應(yīng)生成物從硅片表面去除，進入流動的液體排出。

29.一個花籃最多裝（）片晶圓。

A、15

B、20

C、25

D、30

正確答案：C

答案解析：一個花籃最多裝25片晶圓。

30.當(dāng)芯片移動到氣軌（）時，旋轉(zhuǎn)臺吸嘴吸取芯片。

A、首端

B、中端

C、東端

D、任意位置

正確答案：C

答案解析；當(dāng)芯片移動到氣軌末端時，旋轉(zhuǎn)臺吸嘴的升降電機到達

芯片正上方，吸嘴產(chǎn)生一定負壓將該芯片吸起，升降電機上移并后

退進入旋轉(zhuǎn)臺，上料完成。

31.反應(yīng)離子刻蝕的過程簡單來說是（）。

A、電離T解吸、排放T轟擊T擴散、反應(yīng)

B、轟擊T電離一擴散、反應(yīng)一解吸、排放

C、電離T擴散、反應(yīng)T轟擊T解吸、排放

D、電離T轟擊T擴散、反應(yīng)T解吸、排放

正確答案：D

答案解析；反應(yīng)離子刻蝕時，氣體分子在反應(yīng)室內(nèi)電離出離子、電

子和游離活性基（電離），電粒子受電場加速，以較大能量垂直地射

到硅片表面，進行物理轟擊，破壞原子鍵以增強化學(xué)反應(yīng)和各向異

性（轟擊），同時活性基擴散并吸附到硅片表面，與其薄膜發(fā)生反應(yīng),

進行化學(xué)刻蝕（擴散、反應(yīng)），反應(yīng)生成氣體離開硅片表面，通過真

空泵排出（解吸、排放）。

32.下列選項中，（）工序后的合格品進入塑封工序。

A、引線鍵合

B、第二道光檢

C、芯片粘接

D、第三道光檢

正確答案：D

答案解析；第三道光檢通過的合格品，進入封裝的后段工序，后段

工藝包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型、第四道光檢

等工序。

33.編帶外觀檢查的步驟正確的是（）。

A、檢查外觀-?歸納放置T固定卷盤T編帶回料T編帶固定

B、歸納放置-?固定卷盤T檢查外觀T編帶回料T編帶固定

C、固定卷盤-?歸納放置T檢查外觀T編帶回料T編帶固定

D、編帶固定-?固定卷盤T歸納放置T檢查外觀T編帶回料

正確答案：B

答案解析?：編帶外觀檢查的步驟：歸納放置-?固定卷盤-?檢查外觀

-?編帶回料T編帶固定。

34.芯片檢測工藝通常在（）無塵車間內(nèi)進行。

A、百級

B、千級

C、十萬級

D、三十萬級

正確答案：B

答案解析；芯片檢測工藝是對完成封裝的芯片進行電性測試，其芯

片為非裸露狀態(tài)，通常在常規(guī)千級無塵車間內(nèi)進行，其溫度為

22±3℃,濕度為55±10%o

35.在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿的目的是（）。

A、防止晶圓包裝盒和晶圓直接接觸

B、防止晶圓之間的接觸

C、防止晶圓在搬運過程中發(fā)生移動

D、美觀

正確答案：A

答案解析；在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿是為了防止晶圓盒和晶圓接觸。

36.干-濕-干氧化過程中，第一次干氧氧化的目的是（）。

A、形成所需的二氧化硅膜厚度

B、獲得致密的二氧化硅表面

C、提高二氧化硅和光刻膠的黏附性

D、改善二氧化硅和硅交界面的性能

正確答案：B

答案解析；干-濕-干氧化中，第一次干氧是為了獲得致密的Si02表

面，從而提高對雜質(zhì)的阻擋能力。干氧氧化和濕氧氧化各有自己的

特點，在實際生產(chǎn)中往往將這兩種方式結(jié)合起來，采用干-濕-干的

氧化方式，既保證二氧化硅的厚度及一定的生產(chǎn)效率，又改善了表

面的完整性和解決了光刻時的浮膠問題。第一次干氧是為了獲得致

密的二氧化硅表面，從而提高對雜質(zhì)的阻擋能力。濕氧主要用來形

成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生產(chǎn)效率；第二次干氧，是為了

改善二氧化硅和硅交界面的性能，同時使二氧化硅表面干燥，提高

二氧化硅和光刻膠的粘附性。

37.在電子產(chǎn)品測試中需保證測試環(huán)境穩(wěn)定，其中測試環(huán)境是指（）。

A、硬件環(huán)境（硬件配置一致）

B、軟件環(huán)境（軟件版本一致）

C、使用環(huán)境（周圍環(huán)境對測試的影響）

D、以上都是

正確答案：D

38.對準第曝光過程中，套準精度是指形成的圖形層與前層的最大相

對位移大約是關(guān)鍵尺寸的（）。

A、二分之一

B、三分之一

C、四分之一

D、五分之一

正確答案：B

答案解析；版圖套準過程有了對準規(guī)范，也就是常說的套準容差或

套準精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對位移。一般

而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之一。

39.以下語句表示最后啟動定時器，等待中斷的是（）。

A、TIM6->CTC0_b.Freerun=1;

B、TIM6->CTC0_b.COUNTOINT_EN=1;

GTIM6->CTC0_b.COUNTEN=1;

D、TIM6->CTC0_b.COUNTFW==0

正確答案：C

二、多選題（共26題，每題1分，共26分）

1.在下列語句中，延時函數(shù)的作用是（）。

A、控制程序運行時序

B、保證LED燈光效果足夠明顯

C、控制函數(shù)生效時間

D、保證程序穩(wěn)定運行

正確答案：BC

2.通常情況下，以下（）封裝形式的芯片采用重力式分選機設(shè)備進行

測試。

A、LGA

B、DIP

C、SOP

D、QFN

正確答案：BC

答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機進

行測試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機進行測試，QFN封裝采用平移式

分選機進行測試。

3.以下元器件屬于數(shù)字電路的是（）。

A、驅(qū)動器

B、數(shù)據(jù)選擇器

C、計數(shù)器

D、定時器

正確答案：ABC

4.通常情況下，以下（）封裝形式的芯片采用重力式分選機設(shè)備進行

測試。

A、SOP封裝

B、QFN封裝

GLGA封裝

D、DIP封裝

正確答案：AD

答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機進

行測試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機進行測試，QFN封裝采用平移式

分選機進行測試。

5.最常用的二氧化硅的濕法刻蝕腐蝕液包括（）。

A、氫氟酸

B、氟化鉉

C、去離子水

D、磷酸

正確答案：ABC

答案解析：二氧化硅的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。為了控

制反應(yīng)速率不能過快，在腐蝕液中會加入氟化鐵作為緩沖劑。

6.輔助運放測試法的注意事項包括以下哪些（）□

A、與的精度決定測試精度

B、測量時被測運放應(yīng)在指定條件（依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊要求）下工作

C、電阻為的平衡電阻（減少輸入電流對測量的影響），所以和需

精密配對

D、被測芯片的失調(diào)電壓不超過幾毫伏

正確答案：ABC

7.下列屬于WAT測試數(shù)據(jù)的用途的有：（）。

A、測試和分析特定的WAT測試結(jié)構(gòu)

B、作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對其進行質(zhì)檢

C、分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息

D、代工廠內(nèi)部隨機審查晶圓的可靠性測試

正確答案：ABCD

答案解析：WAT測試的用途有作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對其進

行質(zhì)量檢驗；對WAT數(shù)據(jù)進行數(shù)理統(tǒng)計分析；檢測客戶特別要求的

器件結(jié)構(gòu)是否滿足工藝要求；分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息;

代工廠內(nèi)部隨機審查晶圓的可靠性測試；為器件工藝建模提供數(shù)據(jù);

測試和分析特定的WAT測試結(jié)構(gòu)，改善工藝或開發(fā)下一代平臺。

8.典型芯片包裝形式有（）三種。

A、管裝包裝

B、編帶包裝

C、塑封包裝

D、料盤包裝

正確答案：ABD

9.第四道光檢主要是針對哪些工藝的檢查？

A、激光打字

B、芯片粘接

C、切筋成型

D、塑封

E、引線鍵合

F、去飛邊及電鍍

正確答案：ACDF

答案解析；切筋成型之后需要進行第四道光檢，針對后段工序的產(chǎn)

品進行檢查、剔除。后段工序包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、

切筋成型。芯片粘接和引線鍵合主要是通過第三道光檢進行檢查

10.DUT板卡描述正確的是（）□

A、DUT板卡實現(xiàn)被測芯片與測試機測試信號之間信號處理與轉(zhuǎn)接

B、集成電路測試的轉(zhuǎn)接塊則需針對實際測試接口不一致情況定制設(shè)

計

C、DUT板卡不需要添加除被測芯片外的元件，選擇不同的測試機即

可滿足測試要求

D、根據(jù)不同芯片需求設(shè)計測試外圍：濾波電容位置；元器件合理排

布；PCB的RC特性等等。

正確答案：ABD

11.平移式分選機芯片檢測結(jié)束后，后續(xù)工作有（）。

A、核對測試后芯片數(shù)量和分選機顯示屏上數(shù)量一致

B、臨時捆扎

C、將測試結(jié)果記錄在隨件單上

D、放到待檢查品貨架上

正確答案：ABCD

答案解析：平移式分選機在分選完成要進行清料。清料是為了確保

芯片測試前后的總數(shù)一致、測試后芯片的不良品、合格品的數(shù)量和

分選機顯示屏上記錄的數(shù)量一致，并將測試結(jié)果記錄在隨件單上；

為便于核對實際芯片的數(shù)量，對料盤進行臨時捆扎，核對無誤后，

將料盤和隨件單放入對應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱中，把中轉(zhuǎn)箱放到“待檢查品貨

架”等待外觀檢查。

12.LK32T102單片機有不同引腳數(shù)量的封裝形式包括（）。

A、LQFP-72（72引腳薄型方型扁平式封裝）

B、LQFP-64（64引腳薄型方型扁平式封裝）

GTSS0P-30（30引腳薄型小外形封裝）

D、LQFP-48（48引腳薄型方型扁平式封裝）

正確答案：BCD

13.版圖設(shè)計過程中，需要注意（）。

A、數(shù)字電源地和模擬電源地要分開

B、襯底接觸與M0S管的距離應(yīng)盡量小

C、寬長比大的管子最好拆分

D、連線布置可以采用并聯(lián)走線，線的寬度應(yīng)盡量窄

正確答案：ABC

14.以下屬于烘烤環(huán)節(jié)的步驟的有：（）。

A、用晶圓鏡子從常溫花籃中夾取晶圓，核對晶圓印章批號

B、根據(jù)晶圓片號和花籃刻度放到對應(yīng)的高溫花籃中

C、用工具將高溫花籃放在高溫烘箱中

D、將烘烤完的晶圓從烘箱中取出

正確答案：ABCD

答案解析：烘烤的步驟為：將完成打點的晶圓放在預(yù)烘烤區(qū)，用晶

圓鑲子從常溫花籃中夾取晶圓，核對晶圓的印章批號無誤后，根據(jù)

晶圓片號和花籃刻度放到高溫花籃對應(yīng)的溝槽中，用工具將高溫花

籃放在高溫烘箱中，烘烤完后取出晶圓，核對片數(shù)與隨件單一致，

并用晶圓銀子將晶圓從高溫花籃轉(zhuǎn)移到常溫花籃中。

15.LK32T102單片機編寫程序并燒錄的過程中可能會用到的軟件有

0。

A、Keil-mdk

B、VC++

C\串口助手

D、MatIab

正確答案：AC

16.組裝電子產(chǎn)品有很高的技術(shù)要求，包括嚴格的安裝順序如（）。

A、先易后難

B、先重后輕

C、先一般元器件后特殊元器件

D、先低后局］

正確答案：ACD

17.對于電阻、電容、電感等電子元器件性能參數(shù)進行測量，其中有

關(guān)的性能參數(shù)有（）。

A、伏安特性曲線

B、極限值與額定值

C、標稱值

D、顏色與質(zhì)量

正確答案：ABC

18.封裝工藝中，電鍍的主要目的是增強暴露在塑封體外面的引線的

（）。

A、防水性

B、抗蝕性

C、抗氧化性

D、耐高溫能力

正確答案：BC

19.編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有（）0

A、編帶原材料是否與卷盤不符

B、載帶是否有破裂、沾污、破損

C、編帶中有無不良品或放反芯片等不合格情況

D、蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠

正確答案：BCD

20.以下篇于半自動探針臺的扎針調(diào)試步驟的是：（）。

A、將晶圓放置在載片臺上，關(guān)閉真空閥門控制開關(guān)

B、使用控制旋鈕移動載片臺，將待測點移動到顯微鏡下

C、將顯微鏡切換為高倍物鏡，通過微調(diào)使待測點清晰地出現(xiàn)在視場

中心

D、調(diào)節(jié)探針座，目檢探針移動到待測點附近

正確答案：BCD

答案解析：在進行半自動探針臺的調(diào)試時，將晶圓放置在載片臺上,

開啟真空閥門控制開關(guān)，其余選項均為半自動探針臺的扎針調(diào)試的

步驟。

21.下列對數(shù)字芯片測試描述正確的是（）o

A、在直流參數(shù)測試后一般為功能測試測試

B、開短路測試一般為芯片測試的第一步驟，目的是驗證被測芯片與

測試機的電氣連接

C、能測試后一般為直流參數(shù)測試

D、在開短路測試后一般為直流參數(shù)測試

正確答案：BC

22.版圖設(shè)計前需要注意的事項有（）。

A、精度

B、分辨率

G匹配性

D、電流密度

正確答案：ACD

23.管裝外觀檢查時，需要檢查的內(nèi)容有（）。

A、芯片管腳是否彎曲

B、料管內(nèi)的芯片方向是否正確

C、芯片數(shù)量是否與隨件單一致

D、印章是否錯誤或損壞

正確答案：ABCD

24.摻雜的目的是（）。

A、形成PN結(jié)

B、改變材料的電阻率

C、改變材料的某些特性

D、形成一定的雜質(zhì)分布

正確答案：ABCD

答案解析：摻雜的目的是形成PN結(jié)、改變材料的電阻率、改變材料

的某些特性、形成一定的雜質(zhì)分布。

25.進入風(fēng)淋室之前，要確定（）后，在進入。

A、風(fēng)淋室內(nèi)部無人

B、身上無灰塵

C、風(fēng)淋室運行正常

D、腳上無鞋子

正確答案：AC

答案解析；進入風(fēng)淋室前，確認風(fēng)淋室內(nèi)無人且運行正常后，打開

風(fēng)淋室外門，進入其內(nèi)，進行風(fēng)淋除塵，此時穿有無塵鞋。

26.影響顯影工藝的因素有（）。

A、曝光度

B、顯影液濃度

C、顯影方法

D、工序的溫度和時間

正確答案：ABCD

答案解析：影響顯影工藝的因素有：軟烘焙時間和溫度、曝光度、

顯影液濃度、時間、溫度以及顯影方法。

三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）

1.轉(zhuǎn)塔式分選機上料需要將芯片放在標準容器中。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機的上料不需要將芯片放在標準容器中，而

是將待測芯片倒在上料盒內(nèi)。

2.數(shù)?；旌霞呻娐樊a(chǎn)品以Bi-CMOS產(chǎn)品居多。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

3.負性光刻膠經(jīng)曝光過的區(qū)域被溶解，而未曝光的區(qū)域被保留。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析：正性光刻膠經(jīng)曝光過的區(qū)域被溶解，而未曝光的區(qū)域被

保留。負性光刻膠經(jīng)曝光后由原來的可溶變?yōu)椴豢扇埽瑥亩雌毓?/p>

的區(qū)域被溶解，曝光區(qū)域被保留。

4.料盤真空包裝時會放干燥劑。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

5.如果發(fā)現(xiàn)料盤抽真空質(zhì)量不合格，可以將原標簽撕下，貼在新的

防靜電鋁箔袋上。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析；如果發(fā)現(xiàn)料盤抽真空質(zhì)量不合格，需要重新抽真空。在

重新抽真空之前，需要重新貼標簽，新的標簽需要重新打印。

6.平移式分選機進行分選時，吸嘴同時吸取出料梭上的芯片。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

7.進入芯%檢測車間前需要換上無塵衣、發(fā)罩等。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析：芯片檢測工藝通常在常規(guī)千級無塵車間內(nèi)進行，進入車

間前穿戴防靜電服和發(fā)罩即可，無需穿無塵衣。

8.輸入引線一定要盡量短，而且盡量用最上層的金屬設(shè)計，且輸入

輸出引線盡量遠離，盡量不要交叉。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

9.下列程序為定時器基本設(shè)置語句。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

10.電子產(chǎn)品性能測試包括幾何性能測試、物理性能測試和功能性測

試。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

11.刻蝕￡程中有一項重要的參數(shù)是選擇比?？涛g選擇比高表現(xiàn)為對

作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比

被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

12.進行晶圓盒包裝時，在最后一層tyvek紙上方需放入海綿、干燥

劑、晶圓測試隨件單等輔材。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

13.晶圓天磨和晶圓切割前都需要在晶圓背面進行覆膜。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析；晶圓藍膜專為晶圓研磨、切割而設(shè)計，它具有高黏著力,

使晶圓在研磨、切割過程中不脫落、不飛散，從而能被確實地研磨

或切割。其中晶圓研磨是對晶圓背面進行研磨，故需要在晶圓的正

面覆上藍膜；而晶圓切割是在其正面進行切割，所以需要在晶圓的

背面覆上藍膜。

14.料盤外觀檢查進行電路拼零前，需要對從零頭柜中取出的芯片外

觀進行檢查。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

15.以全自動探針臺為例，花籃的卡槽與承重臺密貼時，承重臺上的

位置指示燈亮。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

16.平移爰分選機進行檢測時，是通過出料梭將待測芯片從待測區(qū)轉(zhuǎn)

移到測試區(qū)的。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析：平移式分選機進行檢測時，是通過入料梭將待測芯片從

待測區(qū)轉(zhuǎn)移到測試區(qū)的。

17.轉(zhuǎn)塔式分選機在測前光檢和測后光檢時發(fā)現(xiàn)芯片方向不正確時，

都會在下一個旋轉(zhuǎn)糾姿位進行糾正。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

18.電阻絲加熱蒸發(fā)可以淀積難熔金屬。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析：有些難熔金屬不易用電阻加熱蒸發(fā)來實現(xiàn)。

19.金屬鴇常常采用CVD法來制備。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

答案解析：金屬鴇常常采用化學(xué)氣相沉積CVD法來制備。

20.在版圖設(shè)計中，使用源漏共享可以減小版圖面積。

A、正確

B、錯誤

正確答案：A

21.芯片檢測工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完

成后不需要在編帶盤上貼小標簽。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

22.晶圓切割時砂輪刀通過直線移動和高速旋轉(zhuǎn)來實現(xiàn)沿晶圓的切割

道進行切割。

A、正確

B、錯誤

正確答案：B

答案解析；將貼膜完成的晶圓放置在承載臺上，承載臺以一定速度

沿切割道方向呈直線運動，砂輪刀原地高速旋轉(zhuǎn)，隨承載臺的移動

沿晶圓的切割道進行切割，晶粒之間就被切割開來了。

23.進行開短路測試時的三種不同情況，若管腳出現(xiàn)開路，則pin1

和地之間會存在一個壓差，其大小各pin1與地之間的ESD二極管的

導(dǎo)通壓降，