2021高考化學(浙江專用)二輪考點突破-答案解析-選修3物質結構與性質-

選修3物質結構與性質真題考點·高效突破考點一:原子結構與性質【真題題組】1.C依據(jù)題意知Z元素為Mg,Y元素原子最外電子層排布為ns2np2,是C或Si,X為N或O,W為Al或Cl。N的氫化物的水溶液顯堿性,但O的氫化物H2O顯中性,H2O2顯弱酸性,A錯誤;若W為Cl,則Mg2+半徑小于Cl-,B錯誤;氮氣或氧氣均能與鎂反應,C正確;CO2形成的晶體為分子晶體,熔、沸點低,D錯誤。2.B209.0表示的是Bi元素的相對原子質量,A錯誤,B正確;依據(jù)洪特規(guī)章,Bi原子6p亞層中的3個電子分別占據(jù)3個軌道,故有三個未成對電子,C項錯;Bi原子最外層6p亞層中的3個電子的能量略高于6s亞層中的2個電子的能量,D項錯。3.解析:依據(jù)短周期元素X的最高化合價為+4,可知X為碳或硅,又因Y為O,結合原子序數(shù)Y>X,則可確定X為C,依據(jù)Z的最外層電子排布式可寫出其核外電子排布式為:1s22s22p63s23p1,即Z為鋁元素;再結合W的質量數(shù)與中子數(shù)關系可確定W的質子數(shù)為14,即W為Si。(1)Si位于元素周期表第三周期、ⅣA族,同主族元素原子半徑從上到下依次增大,則W(Si)的原子半徑比X(C)的要大。(2)因周期元素從左到右,元素的第一電離能漸漸增大,故Z(Al)的第一電離能比W(Si)的要小。XY2(CO2)為分子晶體,由固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài),克服的是分子間作用力。由C、H、O組成的分子中,存在分子間氫鍵的物質很多,如:CH3CH2OH、CH3COOH等。(3)Z單質即為鋁,鋁和鹽酸反應生成氯化鋁,向氯化鋁溶液中滴加氫氧化鈉溶液,先生成氫氧化鋁沉淀,氫氧化鈉過量時,氫氧化鋁沉淀溶解。W單質為硅,硅和氫氟酸反應生成SiF4和H2兩種氣體。(4)13.5g鋁的物質的量為0.5mol,所以該反應的熱化學方程式為4Al(s)+3O2(g)2Al2O3(s)ΔH=-3352kJ·mol-1。答案:(1)三ⅣA大(2)小分子間作用力乙酸(其他合理答案均可)(3)先生成白色沉淀,后沉淀漸漸溶解,最終變成無色溶液Si+4HFSiF4↑+2H2↑(4)4Al(s)+3O2(g)2Al2O3(s)ΔH=-3352kJ·mol-1(其他合理答案均可)4.解析:(1)依據(jù)元素周期律,同周期元素的第一電離能從左向右依次增大,但N元素的2p軌道處于半布滿狀態(tài),較穩(wěn)定,故其第一電離能大于氧的。(2)①NH3、F2、NF3屬于分子晶體,NH4F為離子晶體,Cu為金屬晶體。②Cu的核電荷數(shù)為29,3d軌道上全布滿,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1(3)①由Q知,H2O與BF3·H2O分子間有氫鍵,BF3·H2O分子內有共價鍵和配位鍵,其分子間有分子間作用力(范德華力)。②H3O+中有孤對電子,由價層電子對互斥理論知,其空間構型為三角錐形,陰離子的中心原子B有四個σ鍵,故接受sp3雜化。(4)分子內氫鍵的存在,使H+難以電離出,故Ka2<Ka。答案:(1)如圖所示(2)①a、b、d②1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1(3)①a、d②三角錐形sp3(4)<中形成分子內氫鍵,使其更難電離出H+5.解析:由題中信息可推知X、Y、Z、W分別為C、O、Na、Fe四種元素。(1)Fe的基態(tài)原子價電子排布式為3d64s2,最外層有2個電子。(2)同周期從左到右,電負性漸漸增大,所以C的電負性小于O。(3)Na2O2與CO2反應的化學方程式為2Na2O2+2CO22Na2CO3+O2,在標電子轉移的方向和數(shù)目時,應留意Na2O2中氧元素化合價一部分上升,一部分降低。(4)本小題為發(fā)散型試題,答案不唯一。烴分子中含有兩種氫原子的烴較多,如丙烷(CH3CH2CH3)、丙炔(CH3C≡CH)等。由C、H、O三種元素形成的分子很多,但形成的無機陰離子只有HCQUOTE,因此能與HCQUOTE反應的分子必需為羧酸,如CH3COOH、HCOOH等。答案:(1)四Ⅷ2(2)小H2O(3)或(4)丙烷(其他合理答案均可)CH3COOH+HCQUOTECH3COO-+H2O+CO2↑(其他合理答案均可)6.解析:(1)價電子排布即最外層電子排布,為2s22p3。(2)同一周期元素隨原子序數(shù)的遞增第一電離能呈增大趨勢;由于N原子2p軌道處于半布滿狀態(tài),其第一電離能大于氧,所以第一電離能為N>O>C。(3)②有4molN—H鍵斷裂則有1molN2H4反應,生成QUOTEmolN2,因1moLN2含有2molπ鍵,故生成QUOTEmolN2會生成3molπ鍵。③(NH4)2SO4為離子晶體,故N2H6SO4也為離子晶體,含有離子鍵,N2QUOTE和SQUOTE中含有共價鍵,N2QUOTE與NQUOTE相像,含有配位鍵和共價鍵,離子晶體中無范德華力。(4)由題意知:能與4個氮原子形成4個氫鍵,則要求被嵌入的微粒能供應4個氫原子,并至少存在“N…H”、“H…O”、“H…F”三類鍵中的一種,對比選項,只NQUOTE符合要求。答案:(1)2s22p3(2)N>O>C(3)①三角錐形②3③d(4)c7.解析:(1)由圖可知B2O3與CaF2和H2SO4反應即生成BF3,同時還應當產(chǎn)生硫酸鈣和水,方程式為B2O3+3CaF2+3H2SO42BF3↑+3CaSO4+3H2O;B2O3與氨氣在高溫下反應即生成BN,方程式為B2O3+2NH32BN+3H2O;(2)B的原子序數(shù)是5,所以基態(tài)B原子的核外電子排布式為1s22s22p1;B和N都屬于其次周期,同周期自左向右電負性漸漸增大,所以B和N相比,電負性較大的是N,B最外層有3個電子,所以化合價是+3價;(3)B、N均屬于非金屬元素,借助于石墨的結構可知,兩者形成的化學鍵是極性共價鍵,而層與層之間靠分子間作用力結合。(4)依據(jù)金剛石的晶胞結構及化學式BN可知立方氮化硼晶胞中含有4個N原子,4個B原子。則一個晶胞的質量可表示為QUOTE×4g,一個晶胞的體積可表示為(361.5×10-10)3cm3,則晶體的密度可表示為g·cm-3。答案:(1)B2O3+3CaF2+3H2SO42BF3↑+3CaSO4+3H2OB2O3+2NH32BN+3H2O(2)1s22s22p1N+3(3)共價鍵(或極性共價鍵)分子間作用力(4)44QUOTE8.解析:(1)同周期從左→右,電負性增大,則C<O,同主族,從上→下,電負性減小,則C>Si,所以電負性為:O>C>Si。(2)SiC電子總數(shù)是20個,則氧化物為MgO;晶格能與所組成離子所帶電荷成正比,與離子半徑成反比,MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大,熔點高。(3)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,pp軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵。答案:(1)1s22s22p63s23p2O>C>Si(2)MgMg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大(3)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,pp軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵考點二:微粒間作用力與物質性質【真題題組】1.C該反應相當于HCHO的燃燒,燃燒反應均放熱,A項錯誤;依據(jù)CO2的結構式:OCO可知,碳氧之間的化學鍵為極性鍵,B項錯誤;由HCHO的結構式:可知,碳氧之間存在一個σ鍵和一個π鍵,碳氫之間各存在一個σ鍵,C項正確;生成1.8gH2O,消耗O2的物質的量為0.1mol,但不愿定是在標準狀況下,故其體積不愿定是2.24L,D項錯誤。2.B只要是純水確定呈中性,超臨界水照舊呈中性,由題干可知水的電離程度大了,c(H+)變大,則pH小于7,A、C項錯誤;依據(jù)相像相容的原理可以知道B項正確(有機物大多數(shù)是非極性分子),D項錯誤。3.BNH3分子間存在氫鍵,沸點反常偏高大于PH3,A項錯誤。N、P是同主族元素,形成的離子:NQUOTE和PQUOTE結構類似都是正四周體構型,B項正確,CO2是分子晶體,而SiO2是原子晶體,C項錯誤。C2H5中兩個—CH3對稱,是非極性分子,而C3H8是鋸齒形結構,是極性分子,D項錯誤。4.解析:(1)由題中所給數(shù)據(jù)知,該元素的電離能有:I3?I4,故該元素原子最外層有3個電子,結合題意為Al元素。(2)Ge位于元素周期表中第四周期第ⅣA族,原子最外層4個電子,所以基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s24p2;Ge的最高價為+4價,故其最高價氯化物分子式為GeCl4;Ge位于元素周期表中金屬與非金屬的分界線四周且排在Si的下一周期,故A錯;借助于Si元素比較其電負性,Ge<S,B錯;性質與Si相像,可作半導體材料;由題中所給“Ge的最高價氯化物的分子式”,由“分子式”三個字知其為分子晶體,對于分子晶體而言,相對分子質量越大,分子間作用力越大,熔、沸點越高。(3)盡管該化合物的—CHO中含有電負性很強的氧原子,但不含有“暴露”的質子,所以分子間形不成氫鍵,A錯誤;該有機物分子中含有C—H、CO等極性鍵,也含有CC、C—C等非極性鍵,B正確;雙鍵中有1個σ鍵,1個π鍵,而單鍵全是σ鍵,故該有機物分子中含有9個σ鍵和3個π鍵,C錯誤;該有機物的—CHO可以與H2O分子間形成氫鍵,使其溶解度增大,D正確。(4)這兩種物質都屬于離子晶體(后者由其結構組成為陰、陽離子確定),且陰、陽離子所帶的電荷數(shù)又分別相等,而后者,陰離子為多個原子的離子團,其半徑明顯大于Na+,同理,BQUOTE的離子半徑大于F-的半徑,則NaF的晶格能大,所以NaF中離子鍵較強,熔點較高。答案:(1)Al(2)1s22s22p63s23p63d104s24p2GeCl4CD(3)BD(4)>兩者均為離子化合物,且陰、陽離子的電荷數(shù)均為1,但后者的離子半徑較大,離子鍵較弱,因此其熔點較低5.解析:(1)金屬鍵沒有方向性和飽和性,a項錯誤;金屬導電是由于在外加電場作用下,自由電子產(chǎn)生定向移動,c項錯誤;由于自由電子的存在使金屬很簡潔吸取光子而發(fā)生躍遷,發(fā)出特定波長的光波,因而金屬往往有特定的金屬光澤,d項錯誤。(2)Ni原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d84s2,所以在3d軌道上有兩個未成對電子,則其次周期元素中,含有兩個未成對電子的元素的價電子排布式有2s22p2和2s22p4,分別是碳元素和氧元素,其中電負性最小的是碳。(3)由題意知CO與N2的結構相像,知CO的結構為:;CO在與過渡金屬形成協(xié)作物時,C的那對孤電子對參與配位鍵的形成(O的那對孤電子對不參與配位鍵的形成),所以每個CO供應的電子數(shù)為2(靠近C的那對孤電子對)依據(jù)中心原子的價電子數(shù)加上配體供應的電子數(shù)之和等于18可知,Ni的價電子數(shù)是10,所以配體供應的電子數(shù)是8,又由于一個CO配體供應兩個電子,故n=4;由于氮氣的結構式是N≡N,而CO與N2的結構相像,所以CO中σ鍵與π鍵的個數(shù)之比是1∶2。答案:(1)b(2)C(碳)(3)41∶26.解析:(1)同一周期元素自左向右第一電離能有增大趨勢,故第一電離能Al<Si。(2)Mn是25號元素,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2,故Mn2+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d5。(3)硅烷形成的晶體是分子晶體,相對分子質量越大,分子間范德華力越強,沸點越高。(4)①由圖示可以看出該結構可以表示為[B4H4O9]m-,其中B為+3價,O為-2價,H為+1價,可知m=2。②在晶體中Na+與Xm-之間為離子鍵,由(4)題干中所給信息知硼砂含結晶水,H2O分子間存在氫鍵和范德華力。答案:(1)<(2)1s22s22p63s23p63d5(或[Ar]3d5)(3)硅烷的相對分子質量越大,分子間范德華力越強(或其他合理答案)(4)①4、5(或5、4)2②ADE7.解析:(1)氧元素基態(tài)原子,有兩個未成對電子。(2)化學鍵強于氫鍵,分子間的氫鍵強于范德華力,也就是從強到弱依次是O—H鍵、氫鍵、范德華力;由于存在分子間氫鍵,使沸點上升,而存在分子內氫鍵,使物質的沸點降低。答案:(1)2(2)O—H鍵、氫鍵、范德華力形成分子內氫鍵,而形成分子間氫鍵,分子間氫鍵使分子間作用力增大考點三:晶體結構與性質【真題題組】1.D由C6H5ONa+CO2+H2OC6H5OH+NaHCO3知酸性H2CO3>C6H5OH,A錯誤;Ba和Ca同主族,堿性Ba(OH)2>Ca(OH)2,B錯誤;MgBr2為離子晶體,SiCl4為分子晶體,熔點MgBr2>SiCl4,C錯誤;由于NH3分子間存在氫鍵使其沸點高于PH3,常溫下NH3為氣態(tài),H2O為液態(tài),故沸點H2O>NH3,D正確。2.A碘和干冰都屬于分子晶體,升華時克服的是分子間作用力;硅屬于原子晶體,C60屬于分子晶體,熔化時,分別克服共價鍵和分子間作用力;氯化氫是共價化合物,氯化鈉是離子化合物,溶解時分別克服共價鍵和離子鍵;溴和汞氣化時分別要克服分子間作用力和金屬鍵,綜上所述,只有A項克服作用力類型相同。3.DAlON與石英(SiO2)均為原子晶體,所含化學鍵均為共價鍵,A、B正確;Al2O3是離子晶體,晶體中含離子鍵,不含共價鍵,C項正確、D項錯誤。4.D本題的突破點是Y,由Y的性質知Y是硅元素,即X、Y、Z、W屬于第三周期,依據(jù)X、Z、W的簡潔離子可知X、Z、W分別屬于鈉、硫、氯元素。由于Z、M同主族且X+與QUOTE具有相同的電子層結構,所以M是氧元素。選項A中鈉和氧還可以形成Na2O2,A錯誤;由于水分子中存在氫鍵,所以水的沸點最高,B錯誤;元素Y、Z、W的單質晶體分別屬于原子晶體、分子晶體、分子晶體,C錯誤;Cl2和O3可以作為消毒劑,D正確。5.CSiO2的晶體結構與金剛石的晶體結構相像,相當于把金剛石中的碳原子換成硅原子,然后在兩個硅原子中間插入一個氧原子,金剛石的晶體結構中每個最小的環(huán)上是6個碳原子,所以SiO2晶體中最小的環(huán)上應有6個硅原子和6個氧原子。在SiO2晶體結構單元中,Si位于中心,O處于4個頂角。6.解析:(1)基態(tài)硅原子有三個電子層,最外層能量最高,其符號為M,3s軌道數(shù)為1,3p為3,3d為5,合計軌道數(shù)為9,電子數(shù)為4。(2)硅主要以SiO2、硅酸鹽形式存在于地殼中。(3)在硅晶體中,硅原子間以共價鍵結合,晶胞的6個面中各有一個硅原子,依據(jù)均攤法知,面心位置貢獻了3個硅原子。(4)由題干信息知:Mg2Si與NH4Cl反應,其產(chǎn)物應有SiH4、MgCl2,再結合原子守恒分析知還有NH3,則其反應式為:Mg2Si+4NH4Cl4NH3+2MgCl2+SiH4。(5)①物質內化學鍵的強弱影響物質的穩(wěn)定性,進而影響物質構成種類數(shù)。②Si—H鍵的鍵能小,穩(wěn)定性差,SiH4易生成穩(wěn)定性強的氧化物。(6)因Si與O形成四周體結構,則其雜化形式為sp3雜化,圖(b)中每個四周體中有兩個氧原子是與其他四周體共用的,則每個四周體占有該氧原子的QUOTE,所以每個四周體共占有這兩個氧原子為:2×QUOTE=1,另1個氧原子為該四周體全部,還含有1個Si—O鍵屬于該四周體,綜上所述,一個四周體中,含1個Si原子,氧原子:1+1+1=3,所以,可知硅與氧原子數(shù)之比為1∶3,其化學式為SiQUOTE或QUOTE。答案:(1)M94(2)二氧化硅(3)共價鍵3(4)Mg2Si+4NH4ClSiH4+4NH3+2MgCl2(5)①C—C鍵和C—H鍵較強,所以形成的烷烴較穩(wěn)定,而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低,易斷裂,導致長鏈硅烷難以生成②C—H鍵的鍵能大于C—O鍵,C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定,而Si—H鍵的鍵能卻遠小于Si—O鍵,所以Si—H鍵不能穩(wěn)定存在,而傾向于形成更穩(wěn)定的Si—O鍵(6)sp31∶3或SiQUOTE7.解析:由C在前四周期和有4個未成對電子可推知C為Fe,由此和題干信息可進一步推知D為Ni,B為K,A為F。(2)K原子易失電子,第一電離能最小,F的非金屬性最強,電負性最大。(3)依據(jù)分攤法,含F(xiàn)-:2+4×QUOTE+16×QUOTE=8,K+:2+8×QUOTE=4,Ni2+:1+8×QUOTE=2,故化合物的化學式為K2NiF4,由處于晶胞內的Ni2+看出,每個Ni2+四周有6個F-,故配位數(shù)為6,晶體的密度可由晶胞的質量除以晶胞的體積求得。(4)K3FeF6屬于離子化合物,在[FeF6]3-中,Fe3+供應空軌道,F-供應孤對電子,兩種離子間形成配位鍵。答案:(1)(2)KF(3)①K2NiF46②QUOTE≈3.4(4)離子鍵、配位鍵[FeF6]3-F-8.解析:(1)同主族元素從上到下元素的電負性漸漸減小,a對;氟無正價,b錯;HF分子間存在氫鍵,所以熔、沸點在同族元素氣態(tài)氫化物中反常最高,c錯;F2、Cl2、Br2三種物質的晶體均是分子晶體,組成相像,則相對分子質量越大,分子間作用力越大,熔點越高,d錯。(2)由晶胞結構示意圖,依據(jù)均攤法,可得B原子為8×QUOTE+1=2個,N原子為4×QUOTE+1=2個,則該功能陶瓷的化學式為BN。(3)BCl3中價層電子對數(shù)為:(3+3)/2=3,B原子為sp2雜化;NCl3中價層電子對數(shù)為:(5+3)/2=4,N原子為sp3雜化。同周期元素的第一電離能從左到右漸漸增大,但是由于氮原子的2p軌道處于半布滿狀態(tài),較穩(wěn)定,其第一電離能比氧的大,鈹原子的2s軌道處于全滿狀態(tài),鈹?shù)牡谝浑婋x能比硼的大,所以第一電離能介于硼和氮之間的其次周期元素有鈹、碳、氧3種。(4)B原子最外層有3個電子,與Cl形成3個單鍵后,沒有孤電子對,價層卻有空軌道,所以在B原子與X形成的配位鍵中,X供應孤對電子。答案:(1)a(2)2BN(3)sp2sp33(4)X9.解析:(1)電子排布為結構化學中的重點。特殊是24號、29號等存在半滿和全滿狀態(tài)的元素。Cu2+應先寫出銅原子的電子排布式,然后從外向內失去2個電子。(2)對O2-個數(shù)的計算,面上的按QUOTE算,頂點上按QUOTE算,棱上按QUOTE算,體心按1個算,可得O2-個數(shù)為:QUOTE×8+QUOTE×2+QUOTE×4+1=4(個)。(3)NH3中的氮原子的孤對電子供應電子,Cu2+供應空軌道,形成配位鍵,而NF3中氮原子的孤對電子被F吸引,使氮原子上的孤對電子難以與Cu2+形成配位鍵。(4)離子晶體中,離子間距離越小,離子鍵越強,離子化合物熔點越高。答案:(1)1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9(2)4(3)F的電負性比N大,N—F成鍵電子對向F偏移,導致NF3中N原子核對其孤對電子的吸引力氣增加,難以形成配位鍵,故NF3不易與Cu2+形成配離子(4)高Cu2O與Cu2S相比,陽離子相同、陰離子所帶電荷也相同,但O2-的半徑比S2-小,所以Cu2O的晶格能更大,熔點更高三年模擬·力氣提升1.C同周期元素,從左到右第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢,但由于氮原子的p能級電子處于半布滿狀態(tài),所以第一電離能N>O。2.B核外電子排布為1s2的原子是He,核外電子排布是1s22s2的為鈹(Be),He是惰性元素,Be是金屬元素,明顯化學性質不相像,A錯;Fe的價電子排布為3d64s2,失去電子時先失最外層,再失次外層,失去2個電子變成Fe2+時最外層電子排布為3s23p63d6,失去3個電子變成Fe3+時,最外層電子排布為3s23p63d5,B正確;基態(tài)銅原子的軌道表示式,符合3d全布滿時能量最低,即洪特規(guī)章特例,C錯;基態(tài)碳原子是2s比2p軌道能量低,先填滿2s再填2p,即,不存在半布滿能量低的問題,D錯。3.解析:依據(jù)題中A、B、C、D、E的信息可確定A～E分別為O、Cl、N、C和Fe。(1)Y為P,P的價電子排布為3s23p3,為半布滿狀態(tài),第一電離能小于Cl。(2)Fe為26號元素,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2。(3)鹽為NH4NO3,屬于強酸弱堿鹽,因水解而顯酸性;Cl的非金屬性大于C,所以高氯酸酸性強于碳酸。(4)N2分子含氮氮三鍵,σ鍵和π鍵的個數(shù)比為1∶2;由于分子間存在氫鍵,故使其沸點毀滅反常。(5)H2O釋放出一個電子生成H2O+,其中氧元素為-1價,具有強氧化性。答案:(1)>(2)1s22s22p63s23p63d64s2(或[Ar]3d64s2)(3)酸性強(4)1∶2NH3分子間存在氫鍵(5)[]+2H2O++H2SS↓+2H2O+2H+4.AA項中H2是由兩個1s軌道形成的σ鍵;B項中HCl是由H的1s軌道與Cl的3p軌道形成的σ鍵;C項中Cl2是由兩個3p軌道形成的σ鍵;D項中F2是由兩個2p軌道形成的σ鍵。5.C氯原子3p軌道上有1個未成對電子,而氫原子1s軌道上有1個未成對電子,通過最大重疊形成σ鍵,C正確。6.C氨氣是三角錐形結構,所以PH3的結構也是三角錐形,A正確;氨氣是極性分子,則PH3也是極性分子,B正確;由于氨氣分子中存在氫鍵,所以氨氣的沸點高于PH3的,沸點凹凸與鍵能無關,鍵能大小影響分子的穩(wěn)定性,所以選項C不正確,D正確。7.B選項A中形成的都是原子晶體,形成原子晶體的原子半徑越小,共價鍵越強,晶體的熔、沸點越高,正確的挨次應當是金剛石>碳化硅>晶體硅,所以選項A不正確;選項B中形成的晶體都是分子晶體,其熔、沸點與分子間作用力有關系,而分子間作用力大小與相對分子質量大小有關系,所以選項B正確;氧化鎂是離子晶體,而另外三種都是分子晶體,但由于水分子中存在氫鍵,所以水的熔、沸點高于氧氣和氮氣的,所以選項C不正確;合金的熔點一般低于其成分金屬的熔點,正確的挨次應當是金剛石>純鐵>生鐵>鈉,所以選項D不正確。8.D原子晶體中不存在分子間作用力,A不正確;CO2原子晶體和CO2分子晶體,結構不同,性質不同,屬于化學變化,B不正確;由于氧原子的半徑小于碳原子的半徑,所以熔點應當是原子晶體CO2>金剛石,C不正確;由題意知CO2原子晶體與SiO2結構相像,所以D正確。9.解析:Ⅰ.依據(jù)I4?I3知元素X位于第ⅢA,折線c中第2周期元素氫化物的沸點隨相對分子質量增大而上升,說明未形成氫鍵,故折線c可以表達出第ⅣA族元素氫化物的沸點的變化規(guī)律。Ⅱ.(1)元素o為鐵元素,其外圍電子排布式為3d64s2。(2)SiC晶體的熔、沸點高于晶體Si,由于都為原子晶體,且C—Si鍵鍵長比晶體Si中Si—Si鍵鍵長短。(3)i為Al,依據(jù)圖示Al晶體為面心立方晶胞,配位數(shù)為12,依據(jù)均攤思想晶胞中含有的原子數(shù)目=8×QUOTE+6×QUOTE=4。答案:Ⅰ.ⅢAⅣAⅡ.(1)3d64s2(2)SiC因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C—Si鍵鍵長比晶體Si中Si—Si鍵鍵長短,鍵能大,因而熔、沸點高(3)12410.BA不正確,例如稀有氣體分子形成的晶體;F2、Cl2、Br2、I2形成的晶體都是分子晶體,其熔、沸點漸漸上升與分子間作用力有關,選項B正確;C不正確,例如乙炔分子中還含有非極性鍵;D不正確,例如SiO2是共價化合物,其熔點高于一些離子化合物的熔點。11.解析:(1)鐵是26號元素,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2。(2)C、H元素形成的化合物分子中共有16個電子的物質是CH2CH2,單鍵全是σ鍵,雙鍵中有1個π鍵和1個σ鍵,故σ鍵與π鍵的個數(shù)比為5∶1。(3)同一周期從左往右,第一電離能有漸漸增大趨勢,且前四周期中ⅤA元素第一電離能比相鄰元素大,故C、N、O三種元素的第一電離能由大到小的挨次為N>O>C。(4)HF分子之間能形成氫鍵使分子締合在一起,所以測得的相對分子質量為締合分子的相對分子質量,故試驗測得值一般高于理論值。(5)原子晶體的硬度大小與共價鍵的強弱有關,共價鍵鍵長越短硬度越大,因氮原子半徑小于碳原子半徑,故C3N4晶體的硬度大于金剛石的硬度。(6)頂點為8個晶胞所共有,棱上為